CN210711732U - 一种pecvd工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种PECVD设备工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统，包括容器本体10，所述容器本体10的上部设有密封盖12，所述密封盖12的上方开有进气口121，排气口122，所述容器本体10内盛放有液体11，所述进气口121连接进气管20，所述排气口122连接进气口121。
Description
技术领域
本实用新型涉及光伏电池生成技术领域，尤其涉及一种PECVD设备工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统。
背景技术
太阳能电池作为绿色、环保的新能源受到全世界的广泛关注。全球光伏产业发展非常迅速，国内的光伏产业不断发展壮大。
PECVD是光伏电池生产中的重要环节，其实质为一种射频辉光放电的物理过程和化学反应相结合的技术。参加反应的气体NH3和SiH4被高频电磁波激发成等离子体，如SiH和NH基团，活性基团SiH和NH被传输到基体表面，发生反应生成Si—N网络，其中还可能存在一定量的Si—H和N—H基团，其反应方程式为：
在制备晶硅太阳能电池时，有一道工序是利用PECVD设备在Si片表面生长一层厚度约为70-85nm的蓝色Si3N4膜层。但是，在Si片表面生长Si3N4膜层时，会在特气孔中同样沉积上Si3N4，当设备连续运行100-150小时，随着沉积Si3N4数量的增加，特气孔会被堵塞，导致气流大小发生改变从而影响Si片表面沉积 Si3N4的均匀性及薄膜质量，进而影响太阳能电池转换效率。因此，需要定期对PECVD设备进行维护，每次维护时间为3-4小时，增加了人力物力成本，同时降低了设备的生产率。
现有技术中的PECVD设备工艺腔室气路系统如附图3所示，特气(SiH4或NH3)经主进气管40，进入干管路41，再进入与干管路41连接的支管路42，支管路42则直接进入工艺腔室，随着设备运行100-150小时，任意一个支管路 42特气孔发生堵塞，将导致其它支管路42的特气孔的气体流量发生改变，进而使工艺腔室中的气体分布不均匀，影响了Si片表面沉积Si3N4的均匀性及薄膜质量，进而影响太阳能电池转换效率。
针对该问题，实际生产过程中需对设备进行定期维护，利用钻头将特气孔打通，既增加了人力维护成本，又增加了设备维护时长，降低了设备的生产率。
因此，亟需一种PECVD设备工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统，解决现有技术中存在的诸多问题。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型提供了一种PECVD设备工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统，具体方案如下：
一种PECVD设备工艺腔室支管路装置，包括容器本体10，所述容器本体 10的上部设有密封盖12，所述密封盖12的上方开有进气口121，排气口122，所述容器本体10内盛放有液体11，所述进气口121连接进气管20，所述排气口 122连接进气口121。
进一步的，所述进气口121的一端与支管路42通过活动连接件50活动连接，所述进气口121的另一端设于所述液体11的液面下，所述排气管30的一端设于所述液体11的液面上方，所述排气管30的另一端置于PECVD工艺腔室内。
具体的，所述连接件50为快速接头。
进一步的，所述进气管20设于所述液体11的液面上方与所述密封盖12之间还设有缓冲段21。
具体的，所述缓冲段21为“壶状”。
具体的，所述密封盖12的上方还设有加液口123。
具体的，所述液体11为不易挥发且不与NH3和SiH4发生反应的液体石蜡。
所述排气管30采用直径为0.01-5cm的管路。
具体的，所述容器本体10为透明材质或者设有液位观察装置。
一种基于所述PECVD设备工艺腔室支管装置的特气系统，还包括主进气管40，干管路41以及支管路42，所述PECVD设备工艺腔室支管路装置连接在每个所述支管路42上。
本实用新型提供的PECVD设备工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统，具有以下有益效果：1、特气孔不会再被堵塞，延长了设备运行周期，避免了频繁的设备维护，从而节约了维护成本，同时提高了设备运行的效率增加了该设备的生产率。2.随着设备运行即使出气孔6有大量Si3N4沉积并产生掉渣掉落在液体中，也不会响气体的流量，保障了PECVD设备工艺腔室内气体的分布均匀性，也就是保证了光伏电池镀膜的均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型装置结构示意图。
图2为本实用新型装置使用状态示意图。
图3为现有技术使用状态示意图。
其中：10、容器本体 11、液体 12、密封盖 121、进气口 122、排气口 123、加液口13、气泡 20、进气管 21、缓冲段 30、排气管 40、主进气管 41、干管路 42、支管路 50、连接件。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
参照图1-图2所示，图1为本实用新型装置结构示意图，图2为本实用新型装置使用状态示意图，本实用新型请求保护一种PECVD设备工艺腔室支管路装置，
具体包括容器本体10，所述容器本体10的上部设有密封盖12，所述密封盖12的上方开有进气口121，排气口122，所述容器本体10内盛放有液体11，所述进气口121连接进气管20，所述排气口122连接进气口121。
进一步的，所述进气口121的一端与支管路42通过活动连接件50活动连接，所述进气口121的另一端设于所述液体11的液面下，所述排气管30的一端设于所述液体11的液面上方，所述排气管30的另一端置于PECVD工艺腔室(未图示)内。
使用时，可以参照附图2所示，气体流向如图中箭头所示，特气(NH3和 SiH4)经过进气管20进入到所述液体11的液面下方，产生气泡13，然后进入到液体11的液面上方与密封盖12直接的区域，通过排气管30送入工艺腔室(未图示)，在此排气管30的尺寸可以根据需要进行设定，一般来讲排气管30采用直径为0.01-5cm的管路较为适宜，在此可以优选为2-3cm。由于PECVD系统管路中采用了本装置，随着PECVD设备长时间运行，由于排气管30较之前的支管路42粗了很多，即使排气管30有大量Si3N4沉积并产生掉渣掉落在液体中，也不影响气体的流量，所以保障了PECVD设备工艺腔室内气体的分布均匀性。
具体的，所述连接件50为快速接头。
进一步的，所述进气管20设于所述液体11的液面上方与所述密封盖12之间还设有缓冲段21。设置缓冲段21的是为了防止由于气压差异导致的容器本体11内的液体11被反吸入进气管20中。
具体的，所述缓冲段21为“壶状”。
具体的，所述密封盖12的上方还设有加液口123。
具体的，所述液体11为不易挥发且不与NH3和SiH4发生反应的液体石蜡。
具体的，所述容器本体10为透明材质或者设有液位观察装置。
本实用新型还请求保护一种基于所述PECVD设备工艺腔室支管装置的特气系统，还包括主进气管40，干管路41以及支管路42，所述PECVD设备工艺腔室支管路装置连接在每个所述支管路42上。
上面结合附图对本实用新型的实施例进行了描述，但是本实用新型并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本实用新型的保护之内。
Claims (10)
1.一种PECVD设备工艺腔室支管路装置，其特征在于：包括容器本体(10)，所述容器本体(10)的上部设有密封盖(12)，所述密封盖(12)的上方开有进气口(121)，排气口(122)，所述容器本体(10)内盛放有液体(11)，所述进气口(121)连接进气管(20)，所述排气口(122)连接进气口(121)。
2.根据权利要求1所述的一种PECVD设备工艺腔室支管路装置，其特征在于：所述进气口(121)的一端与支管路(42)通过活动连接件(50)活动连接，所述进气口(121)的另一端设于所述液体(11)的液面下，排气管(30)的一端设于所述液体(11)的液面上方，所述排气管(30)的另一端置于PECVD工艺腔室内。
3.根据权利要求2所述的一种PECVD设备工艺腔室支管路装置，其特征在于：所述连接件(50)为快速接头。
4.根据权利要求2所述的一种PECVD设备工艺腔室支管路装置，其特征在于：所述进气管(20)设于所述液体(11)的液面上方与所述密封盖(12)之间还设有缓冲段(21)。
5.根据权利要求4所述的一种PECVD设备工艺腔室支管路装置，其特征在于：所述缓冲段(21)为“壶状”。
6.根据权利要求5所述的一种PECVD设备工艺腔室支管路装置，其特征在于：所述密封盖(12)的上方还设有加液口(123)。
7.根据权利要求2-6任一项所述的一种PECVD设备工艺腔室支管路装置，其特征在于：所述液体(11)为不易挥发且不与NH3和SiH4发生反应的液体石蜡。
8.根据权利要求7所述的一种PECVD设备工艺腔室支管路装置，其特征在于：所述排气管(30)采用直径为0.01-5cm的管路。
9.根据权利要求8所述的一种PECVD设备工艺腔室支管路装置，其特征在于：所述容器本体(10)为透明材质或者设有液位观察装置。
10.一种包含权利要求9所述PECVD设备工艺腔室支管装置的特气系统，其特征在于：还包括主进气管(40)，干管路(41)以及支管路(42)，所述PECVD设备工艺腔室支管路装置连接在每个所述支管路(42)上。
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| CN201920843970.6U CN210711732U (zh) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | 一种pecvd工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统 |
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| CN110158057A (zh) * | 2019-06-05 | 2019-08-23 | 承德石油高等专科学校 | 一种pecvd工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统 |
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| CN110158057B (zh) * | 2019-06-05 | 2024-05-03 | 承德石油高等专科学校 | 一种pecvd工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统 |
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