JPH01283375A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JPH01283375A JPH01283375A JP11045688A JP11045688A JPH01283375A JP H01283375 A JPH01283375 A JP H01283375A JP 11045688 A JP11045688 A JP 11045688A JP 11045688 A JP11045688 A JP 11045688A JP H01283375 A JPH01283375 A JP H01283375A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔ヰ既 要〕
ＣＶＤ装置に係り、
基板に対向しで置かれたシャワー表面に粒状物が成長を
防止することを目的とし、 シャワー手段の多数のガス吹出口を７字溝状とし、かつ
隣接する７字溝の開口部を先端で接合した構造とし−Ｃ
構成する。
防止することを目的とし、 シャワー手段の多数のガス吹出口を７字溝状とし、かつ
隣接する７字溝の開口部を先端で接合した構造とし−Ｃ
構成する。
本発明はＣＶＤ装置に係り、とくにガス供給器（シャワ
ー）の表面に粒子が成長するのを防止したＣＶＤ装置に
関する。
ー）の表面に粒子が成長するのを防止したＣＶＤ装置に
関する。
第２図に従来のＣ’Ｖ Ｄ装置の典型例を示ず。ヒータ
を有する基板ホルダー１にウェハ（基板）２を取り伺け
、ウェハ２に対向してシャワー３が設置される。シャワ
ー３には、例えば、Ｎ２をキャリヤとしたＳｉＨ，ガス
４と０２ガス５が供給され、シャワー３内で混合され、
ガス吹出口６から吹出されて、ウェハ２表面に均一な反
応ガス７が供給されるようになっている。ガス吹出口６
はシャワー３表面に設けられた小孔からなっている。
を有する基板ホルダー１にウェハ（基板）２を取り伺け
、ウェハ２に対向してシャワー３が設置される。シャワ
ー３には、例えば、Ｎ２をキャリヤとしたＳｉＨ，ガス
４と０２ガス５が供給され、シャワー３内で混合され、
ガス吹出口６から吹出されて、ウェハ２表面に均一な反
応ガス７が供給されるようになっている。ガス吹出口６
はシャワー３表面に設けられた小孔からなっている。
〔発明が解決し２ようとずＳ課題〕
第２図のようなＣＶＤ装昆では、シャワー表面はヒータ
ーからの輻射によって加熱され、粒状物が成長する。こ
の粒状物は基板上に運ばれて、基板上に成長する膜に欠
陥をつくり、デバイス（ＩＣ）製造上の歩留りを低下さ
せるという問題がある。
ーからの輻射によって加熱され、粒状物が成長する。こ
の粒状物は基板上に運ばれて、基板上に成長する膜に欠
陥をつくり、デバイス（ＩＣ）製造上の歩留りを低下さ
せるという問題がある。
また、シャワー表面に粒状物の成長がはじまると、シャ
ワー表面の輻射熱の吸収効率が変化し、シャワーの温度
がそれにともなって変化し、成膜上の再現性が劣化する
という問題もある。
ワー表面の輻射熱の吸収効率が変化し、シャワーの温度
がそれにともなって変化し、成膜上の再現性が劣化する
という問題もある。
そこで、本発明は、上記の如き問題点を解決し、シャワ
ー上への粒状物の成長を防止してデバイス製造の歩留り
を向上するとともに成膜の再現性を高約たＣＶＤ装置を
提供することを目的とする。
ー上への粒状物の成長を防止してデバイス製造の歩留り
を向上するとともに成膜の再現性を高約たＣＶＤ装置を
提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために、シャワー手段の
多数のガス吹出口を７字溝状とし、かつ隣接する７字溝
の開口部の先端を接合して反応ガスがガス吹出口へ逆流
するのを防止した＋？Ｉｌ造とするものである。Ｖ字溝
表面は無反射構造であることが望ましい。
多数のガス吹出口を７字溝状とし、かつ隣接する７字溝
の開口部の先端を接合して反応ガスがガス吹出口へ逆流
するのを防止した＋？Ｉｌ造とするものである。Ｖ字溝
表面は無反射構造であることが望ましい。
〔実施例〕
第１図に本発明のＣＶＤ装置の実施例を示す。
同図中、１１はヒーターを含む基板ホルダー、１２はウ
ェハ（基板）、１３はシャワー、１４は第１のガス１ｍ
路、例えば、Ｎ２をギヤリヤガスとするＳ ｉ ｔｌ
、ガス、１５は第２のガス通路、例えば０２ガス、１６
はＶ字溝形ガス吹出口、１７は反応ガス、１８は混合ガ
ス室、１９は反応室である。
ェハ（基板）、１３はシャワー、１４は第１のガス１ｍ
路、例えば、Ｎ２をギヤリヤガスとするＳ ｉ ｔｌ
、ガス、１５は第２のガス通路、例えば０２ガス、１６
はＶ字溝形ガス吹出口、１７は反応ガス、１８は混合ガ
ス室、１９は反応室である。
このＣＶＤ装置の特１りはシャワー１３のガス吹出口１
６が７字溝になり、かつ７字溝の開口部先端で隣の７字
溝と接合されていることである。このような構造のＶ字
溝形ガス吹出口１６のそれぞれから吹出される反応ガス
は７字溝の開口部の幅でガス流を形成するので、シャワ
ー全体ではシャワー面の全面からガスが−様に吹出され
ることになる。従って、つ、ハＸ２近くの反応ガスはこ
のガス流に隙間がないのでシャワー面へ逆流することが
できない。これに対し、第２図の従来例のＣＶ Ｄ装置
では、シャワー３のンヤワー面においでガス吹出［」６
は点在する小孔状であるため、ガスも点在する小孔から
吹出され、小孔と小孔の間では反応ガスが逆流８してシ
ャツ−面へ到達する。
６が７字溝になり、かつ７字溝の開口部先端で隣の７字
溝と接合されていることである。このような構造のＶ字
溝形ガス吹出口１６のそれぞれから吹出される反応ガス
は７字溝の開口部の幅でガス流を形成するので、シャワ
ー全体ではシャワー面の全面からガスが−様に吹出され
ることになる。従って、つ、ハＸ２近くの反応ガスはこ
のガス流に隙間がないのでシャワー面へ逆流することが
できない。これに対し、第２図の従来例のＣＶ Ｄ装置
では、シャワー３のンヤワー面においでガス吹出［」６
は点在する小孔状であるため、ガスも点在する小孔から
吹出され、小孔と小孔の間では反応ガスが逆流８してシ
ャツ−面へ到達する。
このとき、反応ガス７はウェハ２近くで加熱された後、
低温のシャワー面で粒子状に成長するのである。一方、
上記の如く、本発明のＣＶＤ装置ではシャワー面から反
応ガスが−様な流れのガスとして吹き出すため、反応ガ
スがシャワー面上に逆流することがなく、従って粒子状
の成長も防止される。
低温のシャワー面で粒子状に成長するのである。一方、
上記の如く、本発明のＣＶＤ装置ではシャワー面から反
応ガスが−様な流れのガスとして吹き出すため、反応ガ
スがシャワー面上に逆流することがなく、従って粒子状
の成長も防止される。
また、シャワー表面に膜が成長すること自体は、ヒータ
ーによるシャツ−面の輻射加熱と反応ガスの通温かある
ので不可避であるが、シャワー面に成長する膜が輻射光
の吸収率変化を起こさないようにするためには、全部反
射か全部吸収のいずれかにすればよいが、膜が成長する
以上全反射を維持することはできない。そこで、全吸収
タイプの表面構造にする必要がある。第１図の形状の無
反響室の構造にヒントを得たものであり、シャワー面で
輻射が反射してもできるだけヒーター側・・反射しない
ような形状にして、シャワー面で反射を繰り返すうぢに
実質的に輻射を吸収してしまうようにしたものである。
ーによるシャツ−面の輻射加熱と反応ガスの通温かある
ので不可避であるが、シャワー面に成長する膜が輻射光
の吸収率変化を起こさないようにするためには、全部反
射か全部吸収のいずれかにすればよいが、膜が成長する
以上全反射を維持することはできない。そこで、全吸収
タイプの表面構造にする必要がある。第１図の形状の無
反響室の構造にヒントを得たものであり、シャワー面で
輻射が反射してもできるだけヒーター側・・反射しない
ような形状にして、シャワー面で反射を繰り返すうぢに
実質的に輻射を吸収してしまうようにしたものである。
無反射（響）にする方法はいくつかあるが、ここではＶ
字谷ｍ造を表面にもつ方法を利用した。入射しだ熱輻射
は谷斜面で多重入反射を繰り返えずことにより、減衰し
てしまうため、実質の表面反射率は極めて小さくなり、
完全吸収体（黒体）を実現できる。
字谷ｍ造を表面にもつ方法を利用した。入射しだ熱輻射
は谷斜面で多重入反射を繰り返えずことにより、減衰し
てしまうため、実質の表面反射率は極めて小さくなり、
完全吸収体（黒体）を実現できる。
本発明によれば、ＣＶＤ装置の基板（ウェス＼）に対向
するシャワー（ガス供給器）の表面に粒子状物の成長が
防止されるとともに、基板上の成膜速度の変化も防止さ
れる。また、これらの副次的効果として、長時間の安定
稼動が可能になった（安定稼動の長さは成長膜厚換算で
例えば５１０２が３陶から１０ａｎへと３倍以上に延び
た。）
するシャワー（ガス供給器）の表面に粒子状物の成長が
防止されるとともに、基板上の成膜速度の変化も防止さ
れる。また、これらの副次的効果として、長時間の安定
稼動が可能になった（安定稼動の長さは成長膜厚換算で
例えば５１０２が３陶から１０ａｎへと３倍以上に延び
た。）
第Ｘ図（ｊ本発明の実施例のＣＶＤ装置の模式図、第２
図は従来例σＣＶＤ装置の模式図である。 １１・・・基板ホルダー、 １２・・・基板、１３・
・・シャワー、 １４・・・第１ガス通路、１５
・・・第２ガス通路、 １６・・・ガス吹出口（７字溝）、 １７・・・反応ガス、 １８・・・供給ガス混合室、１９・・・反応室。
図は従来例σＣＶＤ装置の模式図である。 １１・・・基板ホルダー、 １２・・・基板、１３・
・・シャワー、 １４・・・第１ガス通路、１５
・・・第２ガス通路、 １６・・・ガス吹出口（７字溝）、 １７・・・反応ガス、 １８・・・供給ガス混合室、１９・・・反応室。
Claims (1)
- １、反応室内に基板ホルダーと、基板ホルダーに取付け
た基板に均一な反応ガスを供給するために基板に対向し
て配置されたシャワー手段とを有し、シャワー手段の多
数のガス吹出口がＶ字溝状であり、かつ隣接するＶ字溝
の開口部が先端で接合することによって、反応ガスがガ
ス吹出口へ逆流するのを防止した構造を有することを特
徴とするＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11045688A JPH01283375A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11045688A JPH01283375A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283375A true JPH01283375A (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=14536170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11045688A Pending JPH01283375A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283375A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2290087A (en) * | 1994-06-08 | 1995-12-13 | Hyundai Electronics Ind | Method for forming a ferroelectric film |
| EP0747503A1 (en) * | 1995-06-09 | 1996-12-11 | Ebara Corporation | Reactant gas injector for chemical vapor deposition apparatus |
| WO2003064725A1 (en) * | 2002-01-25 | 2003-08-07 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution showerhead |
-
1988
- 1988-05-09 JP JP11045688A patent/JPH01283375A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2290087A (en) * | 1994-06-08 | 1995-12-13 | Hyundai Electronics Ind | Method for forming a ferroelectric film |
| GB2290087B (en) * | 1994-06-08 | 1998-01-07 | Hyundai Electronics Ind | Method for forming a Ferroelectric Film |
| EP0747503A1 (en) * | 1995-06-09 | 1996-12-11 | Ebara Corporation | Reactant gas injector for chemical vapor deposition apparatus |
| US5728223A (en) * | 1995-06-09 | 1998-03-17 | Ebara Corporation | Reactant gas ejector head and thin-film vapor deposition apparatus |
| WO2003064725A1 (en) * | 2002-01-25 | 2003-08-07 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution showerhead |
| US6793733B2 (en) | 2002-01-25 | 2004-09-21 | Applied Materials Inc. | Gas distribution showerhead |
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