JPH0442471B2 - - Google Patents
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- JPH0442471B2 JPH0442471B2 JP60276073A JP27607385A JPH0442471B2 JP H0442471 B2 JPH0442471 B2 JP H0442471B2 JP 60276073 A JP60276073 A JP 60276073A JP 27607385 A JP27607385 A JP 27607385A JP H0442471 B2 JPH0442471 B2 JP H0442471B2
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- electrode
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマCVD法により基板上に無
定形物質の薄膜を形成する方法に関し、特に基板
全体に亘るグロー放電を一層均一に行わせるよう
にした薄膜形成法に関する。
定形物質の薄膜を形成する方法に関し、特に基板
全体に亘るグロー放電を一層均一に行わせるよう
にした薄膜形成法に関する。
プラズマCVD法による薄膜形成法は当分野で
よく知られており、例えば特開昭57−37352号公
報に記載の如く、第１図に略示するような装置を
用いて行われる。即ち、真空室１内に基板である
ドラム５（円筒状金属）を回転装置のついた基板
支持体上に取付け、外壁と内壁との間に環状中空
室を有し、内壁に多数のガス噴出孔６を有する環
状中空円筒RF電極７を、基板を離れて取り巻く
ように配置する。８は電極７の外周全体を覆つて
グロー放電がドラム５と電極７の内側面との間の
空間に限定されるようにする遮蔽板である。シラ
ン、ホスフイン、ボラン或いはゲルマン等々、必
要な材料ガスを導入管４を通じて上記環状中空室
へ導入し、ガス噴出孔から電極と基板間に放出す
る。電極と基板間にグロー放電を起させ、材料ガ
スを分解し、基板上に無定形物質の膜、例えばア
モルフアスシリコン膜などを堆積形成させる。
よく知られており、例えば特開昭57−37352号公
報に記載の如く、第１図に略示するような装置を
用いて行われる。即ち、真空室１内に基板である
ドラム５（円筒状金属）を回転装置のついた基板
支持体上に取付け、外壁と内壁との間に環状中空
室を有し、内壁に多数のガス噴出孔６を有する環
状中空円筒RF電極７を、基板を離れて取り巻く
ように配置する。８は電極７の外周全体を覆つて
グロー放電がドラム５と電極７の内側面との間の
空間に限定されるようにする遮蔽板である。シラ
ン、ホスフイン、ボラン或いはゲルマン等々、必
要な材料ガスを導入管４を通じて上記環状中空室
へ導入し、ガス噴出孔から電極と基板間に放出す
る。電極と基板間にグロー放電を起させ、材料ガ
スを分解し、基板上に無定形物質の膜、例えばア
モルフアスシリコン膜などを堆積形成させる。
成膜速度の高速化、堆積物の飛散などによる生
成膜の劣化防止等の理由により、RF電極７の内
側面、即ち噴出孔６を有する面に沿つて、この面
に実質的に接し、または近接する位置に網を設け
る場合もある。
成膜の劣化防止等の理由により、RF電極７の内
側面、即ち噴出孔６を有する面に沿つて、この面
に実質的に接し、または近接する位置に網を設け
る場合もある。
円筒状金属基板（ドラム）に上述の方法でアモ
ルフエスシリコン膜等を堆積形成させる場合には
成膜速度も速く、良質の膜が得られるが、絶縁性
円筒基板（石英ガラス、ラセミツク等）の場合に
は、基板の軸方向の両端（第１図では上下の端）
が同電位（アース電位）とならない為、以下に述
べるような不都合な状態を生ずる。従来、絶縁性
円筒基板にアモルフアスシリコン膜を堆積形成さ
せる場合には、第２図に示すように、アース電極
に接続された基板支持台９上に、導電性の下方円
筒状延長部材１０、絶縁性円筒基板１１、導電性
の上方円筒状延長部材１２の順に積み重ねて固定
し、これらの積み重ね体RF電極７との間にグロ
ー放電を発生せしめるようにしていた。この場
合、 １ アース電極に近い積み重ね体の下方領域１３
ではRF電極７との間の電位差が大きいたグロ
ー放電の状態は明るいが、アース電極から離れ
た絶縁性円筒基板を含めた上の領域１４では
FR電極７との間の電位差が小さくなるためグ
ロー放電の状態も暗く、従つて絶縁性円筒基板
上への成膜速度も円筒状金属ドラムの場合の半
分以下となる。
ルフエスシリコン膜等を堆積形成させる場合には
成膜速度も速く、良質の膜が得られるが、絶縁性
円筒基板（石英ガラス、ラセミツク等）の場合に
は、基板の軸方向の両端（第１図では上下の端）
が同電位（アース電位）とならない為、以下に述
べるような不都合な状態を生ずる。従来、絶縁性
円筒基板にアモルフアスシリコン膜を堆積形成さ
せる場合には、第２図に示すように、アース電極
に接続された基板支持台９上に、導電性の下方円
筒状延長部材１０、絶縁性円筒基板１１、導電性
の上方円筒状延長部材１２の順に積み重ねて固定
し、これらの積み重ね体RF電極７との間にグロ
ー放電を発生せしめるようにしていた。この場
合、 １ アース電極に近い積み重ね体の下方領域１３
ではRF電極７との間の電位差が大きいたグロ
ー放電の状態は明るいが、アース電極から離れ
た絶縁性円筒基板を含めた上の領域１４では
FR電極７との間の電位差が小さくなるためグ
ロー放電の状態も暗く、従つて絶縁性円筒基板
上への成膜速度も円筒状金属ドラムの場合の半
分以下となる。
２ グロー放電が電極間で不均一になり、そのよ
うな放電状態の異なる場所やグロー放電の端部
領域では材料ガスの反応副生成物である分解物
（例えばSi系粉）の発生が多く、その周辺の基
板上の膜は、ピンホール等も多く膜質の低下が
起きる。
うな放電状態の異なる場所やグロー放電の端部
領域では材料ガスの反応副生成物である分解物
（例えばSi系粉）の発生が多く、その周辺の基
板上の膜は、ピンホール等も多く膜質の低下が
起きる。
３ 放電状態が異なる場合付近の電極上には上述
の如き分解物（例えばSi系粉）の堆積物１５が
付着するなどし、真空室内の清掃時間が長くな
り、生産性が低くなる。
の如き分解物（例えばSi系粉）の堆積物１５が
付着するなどし、真空室内の清掃時間が長くな
り、生産性が低くなる。
上述の如き従来法の欠点は、RF電極から見た
場合、対向電極（この場合は基板下方延長部材、
絶縁性円筒基板、基板上方延長部材）が完全に同
一の電位（アース電位）になつておらず、部分的
にアース電位になつているためインピーダンスに
差異が生じ、不均一なプラズマの放電状態を生じ
ているところに原因があると考えられる。従つて
本発明の目的は、対向電極全体を全く同一の電位
（アース電位）にする方法をとることにより、上
記従来法の欠点を解消することにある。
場合、対向電極（この場合は基板下方延長部材、
絶縁性円筒基板、基板上方延長部材）が完全に同
一の電位（アース電位）になつておらず、部分的
にアース電位になつているためインピーダンスに
差異が生じ、不均一なプラズマの放電状態を生じ
ているところに原因があると考えられる。従つて
本発明の目的は、対向電極全体を全く同一の電位
（アース電位）にする方法をとることにより、上
記従来法の欠点を解消することにある。
上記目的を達成するため、本発明では円筒状基
板の内側表面に接する導電性円筒を絶縁性円筒基
板内に挿入する。基板両面に重ねられる円筒状延
長部材の少なくとも内側表面も導電性にし、下方
延長部材、絶縁性円筒基板及び上方延長部材を積
み重ねた時、前記導電性円筒と延長部材導電性内
側表面とが電気的に接続されるようにする。別法
として、上下延長部材と基板とを同一の内径及び
外径をもつ円筒に形成し、上下延長部材と基板と
を積み重ねた時、その積み重ね体と同じ長さで、
その内面に接する外径を有する導電性円筒をその
積み重ね体の内部へ挿入してもよい。
板の内側表面に接する導電性円筒を絶縁性円筒基
板内に挿入する。基板両面に重ねられる円筒状延
長部材の少なくとも内側表面も導電性にし、下方
延長部材、絶縁性円筒基板及び上方延長部材を積
み重ねた時、前記導電性円筒と延長部材導電性内
側表面とが電気的に接続されるようにする。別法
として、上下延長部材と基板とを同一の内径及び
外径をもつ円筒に形成し、上下延長部材と基板と
を積み重ねた時、その積み重ね体と同じ長さで、
その内面に接する外径を有する導電性円筒をその
積み重ね体の内部へ挿入してもよい。
本発明方法を実施するのに好ましい装置の一例
の概略図を第３図に示す。真空室１内の基板支持
台９には基板回転機構１４が取付けてあり、その
基板支持台９の上に基板円筒と同じ内外径をもつ
円筒状の下方延長部材１０を乗せ、その上に絶縁
性円筒基板１１を乗せる。更にその基板上に前記
下方延長部材と同様な上方延長部材１２を乗せ、
その積み重ね体の高さがRF電極７と同じ高さに
なるようにする。積み重ね体の内側表面と接する
外径をもち、積み重ね体と同じ長さをもつ導電性
円筒２２を積み重ね体の内部に挿入し、上下延長
部材１２，１０と基板内側部分とが高周波的に同
電位（アース）となる様にする。
の概略図を第３図に示す。真空室１内の基板支持
台９には基板回転機構１４が取付けてあり、その
基板支持台９の上に基板円筒と同じ内外径をもつ
円筒状の下方延長部材１０を乗せ、その上に絶縁
性円筒基板１１を乗せる。更にその基板上に前記
下方延長部材と同様な上方延長部材１２を乗せ、
その積み重ね体の高さがRF電極７と同じ高さに
なるようにする。積み重ね体の内側表面と接する
外径をもち、積み重ね体と同じ長さをもつ導電性
円筒２２を積み重ね体の内部に挿入し、上下延長
部材１２，１０と基板内側部分とが高周波的に同
電位（アース）となる様にする。
メインバルブ１６を開け、ロータリポンプ２
７、メカニカルブースターポンプ２６で真空室１
内を排気する。前記積み重ね体内部に挿入された
基板加熱ヒーター１７及び温度制御器を操作し、
絶縁性円筒基板１１を所定の温度にする。材料ガ
ス元弁１９，２０，２１の何れか及び材料ガス導
入弁１８を開け、材料ガスRF電極７の環状中空
室内に投入し、その内側表面に開けられたガス噴
出孔６より所定の材料ガスをRF電極７と上記積
み重ね体との間の環状空間内へ放出させる。メイ
ンバルブ１６を調整して真空室１内を所定の圧力
にする。RF電源２５より高周波をRF電極７にか
け、絶縁性円筒基板１１及び上下延長部材１２，
１０と電極７との間に均一なプラズマを発生させ
る。これにより前記積み重ね体とRF電極７の間
に導入させた材料ガスはラジカル等に分解し、絶
縁性円筒基板１１上に薄膜となつて堆積する。
７、メカニカルブースターポンプ２６で真空室１
内を排気する。前記積み重ね体内部に挿入された
基板加熱ヒーター１７及び温度制御器を操作し、
絶縁性円筒基板１１を所定の温度にする。材料ガ
ス元弁１９，２０，２１の何れか及び材料ガス導
入弁１８を開け、材料ガスRF電極７の環状中空
室内に投入し、その内側表面に開けられたガス噴
出孔６より所定の材料ガスをRF電極７と上記積
み重ね体との間の環状空間内へ放出させる。メイ
ンバルブ１６を調整して真空室１内を所定の圧力
にする。RF電源２５より高周波をRF電極７にか
け、絶縁性円筒基板１１及び上下延長部材１２，
１０と電極７との間に均一なプラズマを発生させ
る。これにより前記積み重ね体とRF電極７の間
に導入させた材料ガスはラジカル等に分解し、絶
縁性円筒基板１１上に薄膜となつて堆積する。
本発明の方法による成膜速度は、例えば700
Å／分位になるのに対し、同様な操作条件を用い
て、従来法では250Å／分の生膜速度しか得られ
ない。
Å／分位になるのに対し、同様な操作条件を用い
て、従来法では250Å／分の生膜速度しか得られ
ない。
本発明の方法により、絶縁性材料からなる基板
でもその前面に亘つて同一の電位をとらせること
ができ、電位の不均一性に起因する従来法の欠点
を全て解消することができる。例えばグロー放電
は第４図に示す如く円筒状電極全域２８に亘り均
一に起こる為、反応副生成物の発生もなく、良質
な膜が得られる。更に反応副生成物が少ない為、
真空室内の清掃時間が短くて済み、また量産装置
においては基板支持台９上の中心位置に予め導電
性円筒２２を固定して置いてこれに下方延長部
材、絶縁性円筒基板、上方延長部材、を順次嵌挿
するだけで積み立て体を構成することができるか
ら、生産性も向上する。更に上述した如く一層大
きな生膜速度が得られる。
でもその前面に亘つて同一の電位をとらせること
ができ、電位の不均一性に起因する従来法の欠点
を全て解消することができる。例えばグロー放電
は第４図に示す如く円筒状電極全域２８に亘り均
一に起こる為、反応副生成物の発生もなく、良質
な膜が得られる。更に反応副生成物が少ない為、
真空室内の清掃時間が短くて済み、また量産装置
においては基板支持台９上の中心位置に予め導電
性円筒２２を固定して置いてこれに下方延長部
材、絶縁性円筒基板、上方延長部材、を順次嵌挿
するだけで積み立て体を構成することができるか
ら、生産性も向上する。更に上述した如く一層大
きな生膜速度が得られる。
第１図は従来法のプラズマCVD法による薄膜
形成に一般的に用いられる装置の概略図、第２図
は基板が絶縁性材料からなる場合の上下延長部材
との積み重ね法及びその積み重ね体と電極との間
に起きる放電状態の概略を示す図、第３図は本発
明の方法を用いたプラズマCVD法による成膜装
置の概略を示す図、第４図は本発明に従い、基板
及び上下延長部材の積み重ね体内部に導電性円筒
を嵌め込んだ場合の放電状態の概略を示す図であ
る。 １……真空室、７……RF電極、９……基板支
持台、１０……下方延長部材、１１……円筒状基
板、１２……上方延長部材、２２……導電性円
筒。
形成に一般的に用いられる装置の概略図、第２図
は基板が絶縁性材料からなる場合の上下延長部材
との積み重ね法及びその積み重ね体と電極との間
に起きる放電状態の概略を示す図、第３図は本発
明の方法を用いたプラズマCVD法による成膜装
置の概略を示す図、第４図は本発明に従い、基板
及び上下延長部材の積み重ね体内部に導電性円筒
を嵌め込んだ場合の放電状態の概略を示す図であ
る。 １……真空室、７……RF電極、９……基板支
持台、１０……下方延長部材、１１……円筒状基
板、１２……上方延長部材、２２……導電性円
筒。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 反応室内の回転可能な基板支持台上に、絶縁
性円筒状基板の軸方向の両端に着脱自在の延長部
材を重ねてなる円筒状基板・延長部材積み重ね体
をそれを取り囲む円筒状電極と同程度の高さとな
る様に乗せ、前記円筒状電極と前記積み重ね体と
の間でグロー放電を起こし、前記円筒状電極と前
記積み重ね体間に導入した材料ガスが分解して前
記絶縁性円筒状基板上に薄膜を形成するようにし
たプラズマCVD法による薄膜形成法において、
前記積み重ね体の内面に接する外径をもつ導電性
円筒を前記積み重ね体内に挿入することにより、
前記絶縁性円筒状基板の内側部分と前記延長部材
の内側部分とが同電位になるようにしたことを特
徴とする薄膜形成法。 ２ 延長部材の少なくとも内側部分が導電性とな
つていることを特徴とする特許請求の範囲１に記
載の薄膜形成法。 ３ 延長部材が絶縁性となつていると共に、導電
性円筒が前記積み重ね体と同じ長さを有している
ことを特徴とする特許請求の範囲１に記載の薄膜
形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60276073A JPS62136572A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | プラズマｃｖｄ法による薄膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60276073A JPS62136572A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | プラズマｃｖｄ法による薄膜形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136572A JPS62136572A (ja) | 1987-06-19 |
| JPH0442471B2 true JPH0442471B2 (ja) | 1992-07-13 |
Family
ID=17564422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60276073A Granted JPS62136572A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | プラズマｃｖｄ法による薄膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62136572A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1912483B1 (en) | 2005-08-02 | 2012-09-05 | Pureron Japan Co. Ltd. | Plasma generator and film forming method employing same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086277A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Canon Inc | 放電による堆積膜の形成方法 |
| JPS6086276A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Canon Inc | 放電による堆積膜の形成方法 |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP60276073A patent/JPS62136572A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086276A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Canon Inc | 放電による堆積膜の形成方法 |
| JPS6086277A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Canon Inc | 放電による堆積膜の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62136572A (ja) | 1987-06-19 |
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