JP2000073174A

JP2000073174A - プラズマｃｖｄ装置及び薄膜電子デバイス製造方法

Info

Publication number: JP2000073174A
Application number: JP10239661A
Authority: JP
Inventors: Koji Satake; 宏次佐竹; Toshiaki Shigenaka; 俊明茂中; Hideo Yamakoshi; 英男山越
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 1998-08-26
Filing date: 1998-08-26
Publication date: 2000-03-07
Anticipated expiration: 2018-08-26
Also published as: JP3572204B2

Abstract

(57)【要約】【課題】プラズマ制御が可能で膜質劣化もなく大面積
化を図るようにしたプラズマＣＶＤ装置及び薄膜電子デ
バイス製造方法を提供する。【解決手段】真空容器１内のプラズマ生成電極を、高
周波電力が供給される導体棒４Ｓと接地された導体棒４
Ｇとが相互に絶縁されて交互に梯子状に配列された梯子
型電極としたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波電力により
反応性ガスをプラズマ化し、基板上に薄膜を形成するプ
ラズマＣＶＤ装置及び薄膜電子デバイス製造方法に係る
ものであり、薄膜電子デバイス、例えば薄膜トランジス
タ、太陽電池、電子写真感光体等の製造・開発プロセス
に用いられるプラズマＣＶＤ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマを用いた薄膜形成プロセスや材
料加工プロセスは、薄膜電子デバイスや新材料の製造等
に広く用いられている必要不可欠な技術である。このう
ち、薄膜形成に例をとると、従来より提案されているプ
ラズマＣＶＤ装置としては、特開平４−０２１７８１号
公報に開示される如く、例えば１本の線材をＵ字状に交
互に折り曲げたジグザグ状平面形コイルを形成し、この
コイルと対峙する基板との間に高周波電圧をかけてプラ
ズマを発生させるものがあり、電界強度を強くしかつ均
一として大面積薄膜を得ようとするものがある。

【０００３】より具体的には、反応性ガスのガス導入系
と排気系とが連通された真空容器内にあって、上述のジ
グザグ状平面形コイルである放電用（高圧側）電極とこ
れに対峙して基板を載せた接地側電極との間にて発生す
る高周波電界によりプラズマを生成し、この生成したプ
ラズマにより反応性ガスを分解して反応種を作り、基板
上に薄膜を堆積するというものである。

【０００４】また、別の従来のプラズマＣＶＤ装置とし
ては、特開平４−２３６７８１号公報に開示される如
く、例えば複数本の線材からなる梯子状平面コイルと基
板との間に高周波電圧をかけてプラズマを発生させ、電
界強度を強くしかつ均一として大面積薄膜を得ようとす
るものである。

【０００５】この梯子状平面コイルについても高周波電
界によりプラズマを生成し、基板上に薄膜を堆積するこ
とは前述の従来例と同じである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来例にも挙げるごとくジグザグ状や梯子状平面コイル
である高圧側電極と基板を載せた接地側電極とに高周波
電圧を加えるものが一般的であり、換言すれば高圧側電
極と接地側電極とが電気的に結合しているのが一般的で
あり、接地側電極上に載せた基板の物性が高周波電界に
影響を及ぼしプラズマ生成に影響を与えることになっ
て、プラズマ生成制御が困難になることがある。

【０００７】また、成膜速度を向上するために高周波電
力を増加した場合、基板表面が強いプラズマに直接さら
されることとなり、基板表面がプラズマ中のイオンによ
るダメージを受け、膜質が劣化するという問題もある。

【０００８】更には、ジグザグ状や梯子状の平面コイル
により大面積薄膜を得るといっても、これら高圧側電極
と基板との間に高周波電圧をかけることになり、かかる
点電子密度分布に片寄りが発生し連続分布とならないた
め均一成膜はできにくく、この結果大面積薄膜を形成す
るにしても限界がある。

【０００９】本発明は、上述の問題に鑑みなされたもの
で、プラズマ生成電極と基板側の電極とを電気的に独立
したものとして、プラズマ制御の困難性や基板表面の膜
質の劣化を防止し、また更なる大面積化を進めるように
したプラズマＣＶＤ装置及び薄膜電子デバイス製造方法
の提供を目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成する本
発明は、次の発明特定事項を有する。第１の発明は、ガ
ス導入系と排気系とが連通された真空容器内に、高周波
電力供給手段に接続された電極とこの電極と対向して配
置された基板とを有するプラズマＣＶＤ装置において、
上記電極は、高周波電力が供給される導体棒と接地され
た導体棒とが相互に絶縁されて交互に梯子状に配列され
た梯子型電極であることを特徴とする。

【００１１】第２の発明は、第１の発明にあって、上記
電極を構成する高圧側導体棒と接地側導体棒との間の距
離ｄは、高周波プラズマ中の電子の振幅Ａの２倍に略等
しいことを特徴とする。

【００１２】第３の発明は、第１又は第２の発明にあっ
て、上記電極は、円筒状梯子型電極とし、この電極の内
側に円筒状基板を備えた円筒状基板ホルダを備えたこと
を特徴とする。

【００１３】第４の発明は、第１、第２又は第３の発明
にあって、上記電極に接続される高周波電源とは別の周
波数可変とした高周波電源を基板を支持する第２の電極
に接続することを特徴とする。

【００１４】第５の発明は、第１，第２、第３又は第４
の発明にあって、上記電極とこの電極と対峙する基板と
の間に反応性ガスを噴出するガス管を、上記梯子型電極
及び基板のまわりに囲むように備えたことを特徴とす
る。

【００１５】第６の発明は、第１、第２、第３、第４又
は第５の発明にあって、上記電極に給電する高周波電力
の波長λとしたとき、高周波電源からみた互いの給電点
の距離がλ／4 以下となる複数の給電点を備えたことを
特徴とする。

【００１６】第７の発明は、第１、第２、第３、第４、
又は第５の発明にあって、複数の給電点を備えた電極
は、各給電点ごとに独立した電極に対応させてユニット
を形成し、複数ユニットを形成したことを特徴とする。

【００１７】第８の発明は、第１、２、３、４、５、６
又は７のプラズマＣＶＤ装置の梯子状電極に対向して配
置された基板上にプラズマにより成膜するようにした薄
膜電子デバイス製造方法を特徴とする。

【００１８】

【発明の実施の形態】ここで、図１〜図１０を参照して
本発明の実施の形態の一例を説明する。図１は本発明の
高周波プラズマＣＶＤ装置の断面構成図である。図１に
おいて、真空容器１は、ガスボンベ等のガス源（図示省
略）に接続されたガス導入系２と真空ポンプに接続され
た排気系３との気体出入口を有する。この真空容器１内
には、梯子型電極４と基板５を載せる基板ホルダ６とが
離間して対峙して置かれ、梯子型電極４はプラズマ生成
電極であり、インピーダンスマッチングのためのマッチ
ング回路７を介して高周波電源８に接続される。

【００１９】ここで、梯子型電極４の構造は、図２にも
示すように高周波電力を給電するための高圧側の金属枠
４ａと接地側の金属枠４ｂとの間に差し渡された複数本
の導体棒４Ｓ，４Ｇが互いに離間して並べられる。この
導体棒のうち高圧側の金属枠４ａに差し込まれ電気的に
接続するもの４Ｓは、接地側の金属枠４ｂでは絶縁体受
座４ｃを介して電気的に絶縁されて差し込まれる。ま
た、導体棒のうち接地側の金属枠４ｂに差し込まれて電
気的に接続するもの４Ｇは、高圧側の金属枠４ａでは絶
縁体受座４ｃを介して電気的に絶縁して接続される。し
たがって、高圧側の金属枠４ａと導体棒４Ｓには高周波
電圧が加わり、反面、導体棒４Ｇ及び金属棒４ｂは接地
されることになる。図１では黒丸を例えば高圧側導体棒
４Ｓ、白丸を接地側の導体棒４Ｇとして示す。

【００２０】また、梯子型電極４を中心として基板ホル
ダ６に対して反対側には、ガス導入系２と連通する中空
部を有するシャワープレート９が配置されており、シャ
ワープレート９の多数の噴出孔からは均一にガスが噴出
するようになっている。一方、基板ホルダ９内には基板
５を加熱するためのヒータ１０が配置されている。な
お、基板ホルダ６ひいては基板５及び真空容器１は接地
されている。

【００２１】ここにおいて、梯子型電極４の高圧側の導
体棒４Ｓに高周波電力を加えた場合、接地側の導体棒４
Ｇとの間にて電極面に沿ってプラズマが生成する。そし
て、このプラズマは導体棒４Ｓ，４Ｇに沿い生成するこ
とになり、このプラズマの生成に当って基板側の電位は
直接影響を及ぼさない。つまり、梯子型電極４に対して
基板５及び基板ホルダ６は電気的に独立したものとな
る。

【００２２】また、高周波プラズマ中の電子の振幅Ａ
は、次式［数１］にて表される。

【数１】ここにおいて、Ｅは電界強度、μは電子の移動度、ｍ_e
は電子の質量、ｅは電子の電荷量、ω＝２πｆは高周波
電力の角周波数である。そして、交互に配置された高圧
側の導体棒４Ｓと接地された導体棒４Ｇとの距離ｄを前
記電子の振幅Ａの２倍近傍とする。つまりｄ≒２Ａとす
る。仮に、ｄ≪２Ａであれば、プラズマ中の電子が容易
に導体棒に到達して結果的にプラズマはうまく生成され
なくなる。一方、ｄ≫２Ａでは、プラズマが生成される
が、導体棒間に体積の大きいプラズマが生成されること
になり、結果的にプラズマの均一性を悪化させるからで
ある。また、電極周辺の構造物との距離は、電極と構造
物との間での放電を避けるために、少なくともｄより大
きくすることも必要である。この時、電極の支持はセラ
ミック等の絶縁体で行われる。

【００２３】前述した図２を用いて一例を述べるに、導
体棒４Ｓ，４Ｇ間をｄ＝２Ａとなるように配置する。か
かる構成にて導体棒４Ｓ，４Ｇ間に形成される高周波電
界により効率良くプラズマが形成されることになる。よ
って高圧側の導体棒４Ｓと接地側の導体棒４Ｇとを交互
に梯子状に並べることにより、電極全体として均一で大
面積プラズマを生成することができる。

【００２４】６０MHz の高周波電力をこの梯子型電極４
に給電した場合を想定し、二次元の数値シミュレーショ
ンを実施した結果、プラズマ中の電子密度の空間分布は
図３のようになった。図３に示すように、電気密度は梯
子型電極の導体棒の並びに沿って、連続的に分布してお
り、大面積で均一なプラズマ生成が可能であることを示
している。すなわち、真空容器内に供給された反応ガス
は、電極面に沿って生成されたプラズマによって分解さ
れ、反応種が生成される。この反応種は、通常この種の
プロセスで用いられるガス圧である数ｍTorr〜数百ｍTo
rrのもとでは、速やかに拡散し加工物に達した付近では
均一な分布となる。このため、この反応種による一様な
加工が可能となる。

【００２５】図４は図１の変形例を示したものであり、
円筒状基板５１に対して円筒状梯子型電極４１を形成し
た例を示している。例えば、具体例として感光体ドラム
に代表されるような円筒状の基板に対するＣＶＤを前提
としたものである。真空容器１内には円筒状梯子型電極
４１を円筒状基板５１を保持する円筒状基板ホルダ６１
と同心に設置されている。この場合、円筒状梯子型電極
４１の梯子段を形成する導体棒の並びは図４の如く円周
方向に並べても良いし、あるいは円筒軸方向に並べても
よい。

【００２６】円筒状梯子型電極４１には、図１の構成と
同様マッチング回路７を介して高周波電源８が接続され
ており、更に高圧側導体棒と接地側導体棒との交互に配
置により、円筒状梯子型電極４１のこの導体棒に沿って
プラズマを生成できることは図１の場合と同様である。
更に、図１と同様に円筒状梯子型電極４１の背後にはシ
ャワープレート９から反応性ガスが噴出するようにして
あり、プラズマによって分解された反応種により円筒状
基板の表面に対する一様な成膜が可能となる。つまり、
図４の構成では、図１のものを円筒状に形成した構成と
なっている。

【００２７】図５は、更に他の例を示している。図５は
基板５を載せるステージに第２の電極１１を備え、この
第２の電極１１にマッチング回路１２を介して別の高周
波電源１３を接続する構成を図１の構成に加えたもので
ある。この図５によれば、第２の電極１１上に載せた基
板５の表面電位は高周波電力によってその周波数にて時
間的に変動し、しかも真空容器１や基板ホルダ６が接地
されて相対的に負電圧が重畳されることになるので、梯
子型電極４により生成されたプラズマ中のイオンは、プ
ラズマ中の空間電位と基板５の表面電位との間で時間的
に変動する電位差により加速され、成膜中の基板表面に
入射する。

【００２８】図６は第２の電極１１に給電する高周波電
力の周波数を変えた時の、基板５に入射するＳｉＨ₃イ
オン（図中実線）とＨ⁺イオン（図中点線）の各々のイ
オンエネルギーの分布の変化を示したものである。図６
に示すように低い周波数（例えば１3.５6 MHz ）ではエ
ネルギー分布は広くなるが、周波数を高くすると（例え
ば７０MHz ）広がりが小さくなることから、周波数の大
きさによって入射イオンエネルギーを制御可能なことが
わかる。高すぎるイオンエネルギーは膜中の欠陥密度を
増大し膜質を劣化させる一方で、数十eV程度の入射エネ
ルギーを持ったイオンは成膜中のアニーリング効果を助
長し、膜質を緻密で良質なものにすることも知られてい
るので、本例による高周波電力を用いたイオンエネルギ
ーの制御は非常に有効である。

【００２９】図７は、他の実施例であり、この図７では
梯子型電極４と基板５との間にこの電極４や基板５を囲
む大きさのリング状のガス管１４を配置しており、この
リング状のガス管１４の内側には多数のガス噴出口が形
状される構成を有している。このリング状のガス管１４
からは成膜前駆体のもとになる反応性ガスを流出するも
のであり、ガス導入系２からは成膜前駆体のもとになる
反応性ガスとは別のガスを導入しそのガスが梯子型電極
４の導体棒間に生成したプラズマによって分解してでき
た反応種により、ガス管１４から導入した反応性ガスを
分解して成膜を行なうようにしている。つまり、図１，
図４，図５に示すように反応性ガスを直接プラズマにて
分解することなく、別のガスの分解による反応種にてガ
ス管１４からの反応性ガスを分解することにより、成膜
前駆体となる反応種の組成を制御することができる。

【００３０】具体的には例えば、梯子型電極４背後のシ
ャワープレート９からはＡｒガスを導入し、ガス管１４
からはＳｉＨ₄ガスを導入すれば、プラズマ中の電子衝
突によって生成したＡｒ準安定原子とＳｉＨ₄ガスの反
応によりＳｉＨ₂を生成することから、成膜前駆体とな
る反応種ＳｉＨ₃，ＳｉＨ₂等においてＳｉＨ₂の比率
を上げることができる。また、例えば、シャワープレー
ト９からはＨ₂ガスを導入し、ガス管１４からは同様に
ＳｉＨ₄ガスを導入すれば、プラズマ中の電子衝突によ
って生成したＨ原子とＳｉＨ₄の反応によりＳｉＨ₃を
生成することから、成膜前駆体となる反応種ＳｉＨ₃，
ＳｉＨ₂においてＳｉＨ₃の比率を上げることができ
る。いずれにしても、ＳｉＨ₄ガスを直接プラズマによ
って分解し生成する反応種の組成とは異なる組成にする
ことができ、成膜反応の制御が可能となる。

【００３１】以上図１，図４，図５，図７にて具体例を
挙げたが、これらの具体例は相互適用が可能であり、例
えば図４の円筒構造にて図５，図７の構成を組み合せる
ことができ、また、図５と図７の構成を組み合せること
もできる。

【００３２】こうして説明した如く、本例でのプラズマ
ＣＶＤ装置では、高周波電力が給電される導体棒と接地
された導体棒とを交互に梯子状に配列したことにより、
少なくとも基板側は梯子状電極とは電気的に独立したも
のとなり、電子密度分布が連続して均一な分布となり、
成膜プロセスの自由度が増加し、高品質成膜のための制
御性が向上し、一層の大面積薄膜が期待される。

【００３３】これまでの説明においては、大面積で均一
化したプラズマ生成につき述べたのであるが、ここで高
周波電力についても言及する。高周波プラズマの生成
は、基板へのイオンダメージを減少させる等高品質加工
のため行なわれ、従来使用されてきた１3.５6 MHz の外
更に高い数十〜数百MHz の高周波電力が使用されつつあ
る。ところが、高周波電力の高周波数化に伴い波長が電
極サイズと同程度になると定在波が発生してしまい、プ
ラズマ分布が不均一になったり、高周波による電子捕捉
効果が強くなって電極と周囲の構造物との間に局所的に
プラズマが生成されやすくなり、プラズマの大面積で均
一な生成が困難になりつつある。

【００３４】そこで、更なる改良として上記電子捕捉効
果によりプラズマが局所化する性質を逆に利用して、プ
ラズマ分布が不均一になるという問題を解決する。前述
したように本発明の実施の形態の一例では、高周波電力
が給電された導体棒４Ｓと接地された導体棒４Ｇを交互
に梯子状に並べた複数の導体棒から成る梯子型電極４を
真空容器１内に設置することにより、電極全体として大
面積・均一なプラズマを生成し、一様な加工を実現する
ようにしたものであるが、高周波電力の周波数による波
長λが梯子型電極４の寸法と比較して十分大きい場合に
は、この電極への給電については高圧側金属棒４ａへの
一点での給電点の設置で問題はない。ところが、高周波
電力の周波数に基づく波長λにより、λ／4 の長さが電
極の縦又は横の寸法と同程度になる場合には、定在波の
発生によりプラズマの不均一を招来するため、高周波電
源側からみて互いの距離がλ／4 以下となる複数の給電
点を設けることが考えられる。

【００３５】図８を用いて、上述の梯子型電極４に給電
する高周波電力の波長をλとした時、電極の縦または横
の寸法がλ／4 と同程度になる場合において、電極全体
で電圧分布を一様にするための電極の構成について一例
を説明する。この図８に示す例では、高圧側金属枠４ａ
と接地側金属枠４ｂとを一対ずつ設け、両側に接地側金
属枠４ｂ１，４ｂ２を中央に高圧側金属枠４ａ１，４ａ
２をそれぞれ備えている。そして、高圧側金属枠４ａ
１，４ａ２にはそれぞれ２か所の給電点１６ａ，１６
ｂ，１６ｃ，１６ｄが設置され、電源からみた各給電点
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄの距離をλ／4 以下と
している。

【００３６】図９は、高周波電力の周波数と給電点間に
発生する電圧分布との関係を示している。１００MHz の
場合、λ＝２ｍなので、給電点間距離ＬとＬ＝λ／2 の
関係となり、この時非常に大きな電圧分布が発生する。
Ｌ＜λ／4 となる５4.２4 MHz 以下では、電圧分布はか
なりの程度一様化されており、複数の給電点を設けた場
合の互いの距離をλ／4 以下とする根拠となっている。
上記のように、複数の給電点を配置し、電極全体で導体
棒に沿って電圧分布をほぼ一様に発生すれば、図２の場
合と同様に各導体棒間において、一様なプラズマ生成が
可能となり、高周波電力の周波数が高くなったために波
長λが小さくなり、λ／4 が電極寸法とほぼ同程度の場
合でも、大面積で均一なプラズマの生成が可能となる。

【００３７】上述の梯子型電極４に給電する高周波電力
の周波数が高くなり、それを波長λとした時、λ／2 が
電極の縦または横の寸法より大きくなる場合、給電点の
数も増やさなければならない。この時、電気的に接続し
ており、かつ、電源から見てλ／4 以上の離れた位置に
ある給電点が存在すると、これらの給電点により発生す
る定在波が互いに干渉して、結果的に電圧分布を悪化さ
せる恐れがある。これを抑制し、電極全体で電圧分布を
一様にするための電極の構成について図１０を用いて説
明する。図１０は図８にて用いた複数給電された電極を
一つの電極ユニット１７として、必要な電極面積だけ複
数のユニットを平面内に配置したもので、図は４ユニッ
トを配置した例である。各ユニットには高周波電力が各
々給電されているのみで、ユニット間は電気的に接続さ
れていない。こうすることによって、λ／4 以上離れた
給電点同士の定在波の干渉はなくなり、各々均一にプラ
ズマが生成されたユニットを平面内に配置することによ
って、全体として大面積で均一なプラズマの生成が可能
となる。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
の効果を奏する。第１の発明では、ガス導入系と排気系
とが連通された真空容器内に、高周波電力供給手段に接
続された電極とこの電極と対向して配置された基板とを
有するプラズマＣＶＤ装置において、上記電極は、高周
波電力が供給される導体棒と接地された導体棒とが相互
に絶縁されて交互に梯子状に配列された梯子型電極とし
たことにより、基板側とは電気的に独立することにな
り、プラズマ生成制御、イオン制御、均一化が図られ、
成膜制御、膜質の劣化防止、更なる大面積化が図れる。

【００３９】第２の発明は、第１の発明に加えて、上記
電極を構成する高圧側導体棒と接地側導体棒との間の距
離ｄは、高周波プラズマ中の電子の振幅Ａの２倍に略等
しいこととしたことにより、生成するプラズマを均一化
する。

【００４０】第３の発明では、第１又は第２の発明に加
えて、上記電極は、円筒状梯子型電極とし、この電極の
内側に円筒状基板を備えた円筒状基板ホルダを備えたこ
とにより、円筒形の基板に対処することができる。

【００４１】第４の発明は、第１、第２又は第３の発明
にあって、上記電極に接続される高周波電源とは別の高
周波電源を基板を支持する第２の電極に接続することに
より、第２電極により周波数の波長を変化させることで
入射イオンエネルギを制御でき、良質な膜質を得ること
ができる。

【００４２】第５の発明は、第１、第２、第３又は第４
の発明にあって、上記電極とこの電極と対峙する基板と
の間に反応性ガスを噴出する管を、上記梯子型電極及び
基板のまわりに囲むように備えたことにより、ガス管か
らの反応性ガスをプラズマにて直接分解せず、別のガス
を分解することで、反応種の組成制御が可能となる。

【００４３】第６の発明は、第１、第２、第３第４又は
第５の発明にあって、上記電極に給電する高周波電力の
波長λとしたとき、高周波電源からみた互いの給電点の
距離がλ／4 以下となる複数の給電点を備えたことによ
り、定在波発生によるプラズマ不均一を防止することが
できる。

【００４４】第７の発明は、第１、第２、第３、第４又
は第５の発明にあって、複数の給電点を備えた電極は、
各給電点ごとに独立した電極に対応させてユニットを形
成し、複数ユニットを形成したことにより、大面積で均
一なプラズマ生成とすることができる。

【００４５】第８の発明は、上記各発明にあって、基板
上にプラズマにて成膜した電子デバイスを製造するもの
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の一例の断面図。

【図２】電極を主に示した簡略斜視図。

【図３】図１におけるシミュレーション結果の電子密度
分布図。

【図４】円筒型の変形例を示す断面図。

【図５】別の高周波電源を有する例の断面図。

【図６】周波数をパラメータとしたイオンエネルギ状態
図。

【図７】反応性ガスのガス管を備えた例の断面図。

【図８】複数給電点を有する例の斜視図。

【図９】給電点間距離に対する電圧分布図。

【図１０】電極ユニット構成の簡略斜視図。

【符号の説明】

１真空容器４梯子型電極４ａ，４ｂ，４ａ１，４ｂ１，４ａ２，４ｂ２金属枠４Ｓ，４Ｇ導体棒４ｃ絶縁体受座５基板６基板ホルダ８，１３高周波電源１１第２の電極１４ガス管１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ給電点１７電極ユニット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山越英男神奈川県横浜市金沢区幸浦一丁目８番地１三菱重工業株式会社基盤技術研究所内Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA16 AA17 EA06 FA03 JA03 JA18 KA15 KA16 KA30 LA15 LA17 5F045 AA08 AC01 AC16 CA16 DP04 DP05 DP25 EF04 EF05 EF08 EH04 EH06 EH12 EH20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガス導入系と排気系とが連通された真空
容器内に、高周波電力供給手段に接続された電極とこの
電極と対向して配置された基板とを有するプラズマＣＶ
Ｄ装置において、上記電極は、高周波電力が供給される導体棒と接地され
た導体棒とが相互に絶縁されて交互に梯子状に配列され
た梯子型電極である、ことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】上記電極を構成する高圧側導体棒と接地
側導体棒との間の距離ｄは、高周波プラズマ中の電子の
振幅Ａの２倍に略等しいことを特徴とする請求項１記載
のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】上記電極は、円筒状梯子型電極とし、こ
の電極の内側に円筒状基板を備えた円筒状基板ホルダを
備えたことを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ
ＣＶＤ装置。
【請求項４】上記電極に接続される高周波電源とは別
の周波数可変とした高周波電源を基板を支持する第２の
電極に接続することを特徴とする請求項１、２又は３記
載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】上記電極とこの電極と対峙する基板との
間に反応性ガスを噴出するガス管を、上記梯子型電極及
び基板のまわりに囲むように備えたことを特徴とする請
求項１、２、３又は４記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】上記電極に給電する高周波電力の波長λ
としたとき、高周波電源からみた互いの給電点の距離が
λ／4 以下となる複数の給電点を備えたことを特徴とす
る請求項１、２、３、４又は５記載のプラズマＣＶＤ装
置。
【請求項７】複数の給電点を備えた電極は、各給電点
ごとに独立した電極に対応させてユニットを形成し、複
数ユニットを形成したことを特徴とする請求項１、２、
３、４又は５記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項８】請求項１、２、３、４、５、６又は７記
載のプラズマＣＶＤ装置における梯子状電極に対向して
配置された基板上にプラズマにより成膜するようにした
薄膜電子デバイス製造方法。