JPS6286368A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
- Publication number
- JPS6286368A JPS6286368A JP22737185A JP22737185A JPS6286368A JP S6286368 A JPS6286368 A JP S6286368A JP 22737185 A JP22737185 A JP 22737185A JP 22737185 A JP22737185 A JP 22737185A JP S6286368 A JPS6286368 A JP S6286368A
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- drum
- amorphous silicon
- silicon film
- film
- substrate
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
この発明は、複写機等のように電子写真法を用いる装）
ｉｔや原稿読取装置等において使用される光導電部材に
関する。
ｉｔや原稿読取装置等において使用される光導電部材に
関する。
〈発明の概要〉
この発明の光導電部材は、要約すれば、基体の端部付近
にはアモルファスシリごノン膜を形成しないようにする
ごとにより、ごの基体の端部で膜割れや膜層がれが生じ
るのを防１にするものである。
にはアモルファスシリごノン膜を形成しないようにする
ごとにより、ごの基体の端部で膜割れや膜層がれが生じ
るのを防１にするものである。
〈従来技術とその欠点〉
複写機等のように電子写真法を用いる装置や原稿読取装
置等では、画像を形成するだめの光導電層を構成する種
々の光導電体を用いている。このような光導電体として
従来から使用されるものに、Ｓｅ、ＣｄＳ、ＺｎＯ等の
無機光うｈ電月籾やＰＶ Ｋ −Ｔ Ｎ Ｔ？等に代表
されるｆ−Ｚｍ光勇電材料がある。ところが、これらの
従来からの光導電材料は、光感度７分光感度、５ｌｌｔ
（明抵抗／暗１］（抗）あるいは耐久性や人体への安全
性等の光導電体として要求される性質が必ずしも充分満
足されるものではなく、ある程度の妥協のもとに個々の
ケースに応じて選択して使用されているのが現状であっ
た。一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）からなる
光導電体は、高い光感度、高耐久性および無公害等の優
れたｌを有し、優秀な光導電４Ａ料として実用化が期待
されている。
置等では、画像を形成するだめの光導電層を構成する種
々の光導電体を用いている。このような光導電体として
従来から使用されるものに、Ｓｅ、ＣｄＳ、ＺｎＯ等の
無機光うｈ電月籾やＰＶ Ｋ −Ｔ Ｎ Ｔ？等に代表
されるｆ−Ｚｍ光勇電材料がある。ところが、これらの
従来からの光導電材料は、光感度７分光感度、５ｌｌｔ
（明抵抗／暗１］（抗）あるいは耐久性や人体への安全
性等の光導電体として要求される性質が必ずしも充分満
足されるものではなく、ある程度の妥協のもとに個々の
ケースに応じて選択して使用されているのが現状であっ
た。一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）からなる
光導電体は、高い光感度、高耐久性および無公害等の優
れたｌを有し、優秀な光導電４Ａ料として実用化が期待
されている。
ところが、このアモルファスシリコンにより形成された
膜は、基体の変形により膜割れや膜層がれが生じ易いと
いう欠点を有している。例えば怒光体ドラムとして使用
するために管状のアルミニウムのドラム表面にアモルフ
ァスシリコン膜を形成する場合、アルミニウムのドラム
の両端部は回転保持装置に取り付けるために加工が施さ
れ管状の肉厚が中央部に比べ薄くなっているので、応力
集中が起こり易くアモルファスシリコン膜形成過程にお
いて熱変形を生じるおそれがある。このため、このよう
なドラム状の基体の場合には、両端部付近でアモルファ
スシリコン膜が膜割れや膜層がれを生じ易くなり、従来
よりアモルファスシリコンを光導電部材に使用する際の
実用化の障害となっていた。
膜は、基体の変形により膜割れや膜層がれが生じ易いと
いう欠点を有している。例えば怒光体ドラムとして使用
するために管状のアルミニウムのドラム表面にアモルフ
ァスシリコン膜を形成する場合、アルミニウムのドラム
の両端部は回転保持装置に取り付けるために加工が施さ
れ管状の肉厚が中央部に比べ薄くなっているので、応力
集中が起こり易くアモルファスシリコン膜形成過程にお
いて熱変形を生じるおそれがある。このため、このよう
なドラム状の基体の場合には、両端部付近でアモルファ
スシリコン膜が膜割れや膜層がれを生じ易くなり、従来
よりアモルファスシリコンを光導電部材に使用する際の
実用化の障害となっていた。
〈発明の目的〉
この発明は、このような事情に鑑みなされたものであっ
て、基体の端部付近にアモルファスシリコン膜を形成し
ないようにすることにより、基体の端部が変形を受けて
もアモルファスシリコン膜に１９割れや）膜剥がれが生
じない光導電部（１を提供することを目的とする。
て、基体の端部付近にアモルファスシリコン膜を形成し
ないようにすることにより、基体の端部が変形を受けて
もアモルファスシリコン膜に１９割れや）膜剥がれが生
じない光導電部（１を提供することを目的とする。
〈発明の構成および効果〉
この発明の光導電部材は、保持装置に取り付けるために
端部に加工を施した基体の、この加−■二を施した端部
付近を除く表面のみにアモルファスシリコン膜を形成し
たことを特徴とする。
端部に加工を施した基体の、この加−■二を施した端部
付近を除く表面のみにアモルファスシリコン膜を形成し
たことを特徴とする。
この考案の光導電部材を上記のように構成すると、加工
を施され熱変形を受ｉＪ易くなった基体の端部付近には
アモルファスシリコン膜が形成されないので、膜割れや
膜層がれの心配がなくなる。
を施され熱変形を受ｉＪ易くなった基体の端部付近には
アモルファスシリコン膜が形成されないので、膜割れや
膜層がれの心配がなくなる。
このため、この光導電部材を用いて形成した画像に例え
ば電子写真法の場合の自抜けや白筋等の欠陥が生ずるこ
とがなくなり、アモルファスシリコンの光導電体として
の特性を遺憾なく発揮することができるので、種々の条
件の基においても高品質の画像を得ることが可能となる
。したがって、この発明の光導電部材目゛、アモルファ
スシリコンを用いた光導電部材の実用化に貢献すること
ができる。
ば電子写真法の場合の自抜けや白筋等の欠陥が生ずるこ
とがなくなり、アモルファスシリコンの光導電体として
の特性を遺憾なく発揮することができるので、種々の条
件の基においても高品質の画像を得ることが可能となる
。したがって、この発明の光導電部材目゛、アモルファ
スシリコンを用いた光導電部材の実用化に貢献すること
ができる。
〈実施例〉
基体」二にアモルファスシリコン膜を形成する方法とし
てはＣＶ Ｄ （ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）法又はスパツタリング等によるＰ
Ｖ Ｄ （ｐｈｙｓｉｃａｌｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法がある。このうちＣＶＤ法による形成方法
を第６図に基づいて説明する。
てはＣＶ Ｄ （ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）法又はスパツタリング等によるＰ
Ｖ Ｄ （ｐｈｙｓｉｃａｌｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法がある。このうちＣＶＤ法による形成方法
を第６図に基づいて説明する。
アモルファスシリコン膜を形成する基体としてはアルミ
ニウムの管状のドラム１を使用する。このドラム１は、
十分に表面を洗浄した後、反応室２内のドラムヒータ３
に装着する。ドラムヒータ３は、ドラム１の内径に密着
して嵌まり込み表面を均一に加熱することができるヒー
タであり、更に反応室２外の駆動装置４と連結してドラ
ム１を適宜回転させることができる。このようにしてド
ラム１のセントを終了すると、排気バルブ５を開き真空
ポンプ６によって反応室２内の排気を行う。また、この
とき同時にドラムヒータ３の電源を入れ、ドラム１の表
面が所定の温度となるようにしておく。次に、補助バル
ブ７を全開にし、マスフローコントローラ８によって所
定の混合比に調整された原料混合ガスを反応室２内に流
入さ−Ｕる。このとき、排気バルブ５を調整して反応室
２内の圧力を所定の値に保つ。原料混合ガスは、例えば
ＳｉＨ＜やＢ 、 Ｈ，等のガスを所定の混合比に調整
したものである。反応室２内の雰囲気をこのように設定
した後に放電電極９．９間に高周波電源１０からの１３
．５６ Ｍｌｌｚの高周波電圧を印加することにより、
この放電電極９．９間にグロー放電を起こさせ、ドラム
ヒータ３によって加熱されたドラム１の表面にアモルフ
ァスシリコン膜を形成する。
ニウムの管状のドラム１を使用する。このドラム１は、
十分に表面を洗浄した後、反応室２内のドラムヒータ３
に装着する。ドラムヒータ３は、ドラム１の内径に密着
して嵌まり込み表面を均一に加熱することができるヒー
タであり、更に反応室２外の駆動装置４と連結してドラ
ム１を適宜回転させることができる。このようにしてド
ラム１のセントを終了すると、排気バルブ５を開き真空
ポンプ６によって反応室２内の排気を行う。また、この
とき同時にドラムヒータ３の電源を入れ、ドラム１の表
面が所定の温度となるようにしておく。次に、補助バル
ブ７を全開にし、マスフローコントローラ８によって所
定の混合比に調整された原料混合ガスを反応室２内に流
入さ−Ｕる。このとき、排気バルブ５を調整して反応室
２内の圧力を所定の値に保つ。原料混合ガスは、例えば
ＳｉＨ＜やＢ 、 Ｈ，等のガスを所定の混合比に調整
したものである。反応室２内の雰囲気をこのように設定
した後に放電電極９．９間に高周波電源１０からの１３
．５６ Ｍｌｌｚの高周波電圧を印加することにより、
この放電電極９．９間にグロー放電を起こさせ、ドラム
ヒータ３によって加熱されたドラム１の表面にアモルフ
ァスシリコン膜を形成する。
この実施例の光導電部材は、１−記アモルファスシリコ
ン膜形成工程において、ドラムフランジに取り付けるた
めに加工を施したドラム１の両端のドラム支持部にアモ
ルファスシリコン膜を形成しないようにすることにより
構成される。ｌ゛ラム１表面の両端部付近にアモルファ
スシリコン膜を形成しないようにするためには、例えば
反応室２内のドラムヒータ３に装着する際に、ドラム１
の両端に第１図に示すような冶具１１．１１を取りイ＼
Ｊけ−１１；ｌばよい。ごの冶具１１は、リング状の内
径の−・端側にドラム１の端部の外径が嵌まり込むよう
な段差１２を設けたものである。ドラ１、フランジに取
り付けるためにドラムｌの端部の内径が中央部より径が
大きくなるように加工されたドラム支持部１３．１３の
場合に、この治具１１が有効である。この治具１１．１
１を使用すると、第２図に示すようにアモルファスシリ
コン１ＩＵ１４がドラム１の両端部イ（１近を除く外周
側面に形成される。また、ドラＪ、フランジに取り付け
るためにドラム１の両端部の外径が中央部よりも径が小
さくなるようＧこ加工されたドラム支持部１５．１５の
場合には、第３図に示すような治具１６が有効である。
ン膜形成工程において、ドラムフランジに取り付けるた
めに加工を施したドラム１の両端のドラム支持部にアモ
ルファスシリコン膜を形成しないようにすることにより
構成される。ｌ゛ラム１表面の両端部付近にアモルファ
スシリコン膜を形成しないようにするためには、例えば
反応室２内のドラムヒータ３に装着する際に、ドラム１
の両端に第１図に示すような冶具１１．１１を取りイ＼
Ｊけ−１１；ｌばよい。ごの冶具１１は、リング状の内
径の−・端側にドラム１の端部の外径が嵌まり込むよう
な段差１２を設けたものである。ドラ１、フランジに取
り付けるためにドラムｌの端部の内径が中央部より径が
大きくなるように加工されたドラム支持部１３．１３の
場合に、この治具１１が有効である。この治具１１．１
１を使用すると、第２図に示すようにアモルファスシリ
コン１ＩＵ１４がドラム１の両端部イ（１近を除く外周
側面に形成される。また、ドラＪ、フランジに取り付け
るためにドラム１の両端部の外径が中央部よりも径が小
さくなるようＧこ加工されたドラム支持部１５．１５の
場合には、第３図に示すような治具１６が有効である。
この治具１６はリング状の一端側に形成された段差１２
にトラム１の両端のドラム支持部１５．１５が嵌まり込
むようになっている。この冶具１６を使用した場合には
、第４図に示すように、アモルファスシリコン膜１４が
ドラム支持部１５．１５を除＜１′ラム１の外周側面に
形成される。
にトラム１の両端のドラム支持部１５．１５が嵌まり込
むようになっている。この冶具１６を使用した場合には
、第４図に示すように、アモルファスシリコン膜１４が
ドラム支持部１５．１５を除＜１′ラム１の外周側面に
形成される。
これらの治具１１．Ｉｆｉを用いて、中央部の夕１径が
１４０１■、長さが３４ （ｌ ｍ、中央部の肉厚が３
．５ｍｍ、 ドラム支持部１３．１５の形状が第１図
および第３図に示すような１″ラム１にアモルファスシ
リコン膜１４を形成した。このときの条件は、ドラム１
０表面温度が２５０’ｃ、反応室２内の気圧が０．５
Ｔｏｒｒ、放電電力が０．２ Ｗ ／ ｃ＋ａ テア’
）、原料混合ガスとしてＳ Ｉ Ｈｓ 、ＢｚＨ６，Ｎ
Ｏを使用して膜厚５ｐｍの第１層を形成し、次に、原料
混合ガスとしてＳ Ｉ Ｈ＜ 、 Ｂｚｌ１６を使用
して膜厚３０μｍの膜厚の第２層を形成し、更に、原料
混合ガスとしてＳ ｉ Ｈ，、ＣＴｆ、を使用して膜厚
０．３μｍの第３層を形成した。このようにしてドラム
１上にアモルファスシリコン膜１４を形成した光導電部
材は、例えば第３図に示すドラム支持部１５．１５を有
する場合には、第５図に示すように、このドラム支持部
］５．１５にドラムフランジ１７．１７を嵌め込み取り
付けられて複写機の回転駆動装置に連結される。このよ
うにしてこの光導電部材を複写機の感光体ドラムとして
使用すると、熱変形を生じ易いドラム１のドラム支持部
１３．１３の表面やドラム支持部１５．１５−１−にア
モルファスシリコン膜１４が形成されないので、膜割れ
や膜層がれが生し７るおそれがなくなり、高品質の画像
を得ることができた。
１４０１■、長さが３４ （ｌ ｍ、中央部の肉厚が３
．５ｍｍ、 ドラム支持部１３．１５の形状が第１図
および第３図に示すような１″ラム１にアモルファスシ
リコン膜１４を形成した。このときの条件は、ドラム１
０表面温度が２５０’ｃ、反応室２内の気圧が０．５
Ｔｏｒｒ、放電電力が０．２ Ｗ ／ ｃ＋ａ テア’
）、原料混合ガスとしてＳ Ｉ Ｈｓ 、ＢｚＨ６，Ｎ
Ｏを使用して膜厚５ｐｍの第１層を形成し、次に、原料
混合ガスとしてＳ Ｉ Ｈ＜ 、 Ｂｚｌ１６を使用
して膜厚３０μｍの膜厚の第２層を形成し、更に、原料
混合ガスとしてＳ ｉ Ｈ，、ＣＴｆ、を使用して膜厚
０．３μｍの第３層を形成した。このようにしてドラム
１上にアモルファスシリコン膜１４を形成した光導電部
材は、例えば第３図に示すドラム支持部１５．１５を有
する場合には、第５図に示すように、このドラム支持部
］５．１５にドラムフランジ１７．１７を嵌め込み取り
付けられて複写機の回転駆動装置に連結される。このよ
うにしてこの光導電部材を複写機の感光体ドラムとして
使用すると、熱変形を生じ易いドラム１のドラム支持部
１３．１３の表面やドラム支持部１５．１５−１−にア
モルファスシリコン膜１４が形成されないので、膜割れ
や膜層がれが生し７るおそれがなくなり、高品質の画像
を得ることができた。
第１図はこの発明の実施例である光導電部材のアモルフ
ァスシリコン膜形成前の縦断面図、第２図は同光導電部
材のアモルファスシリコン膜形成後の縦断面図、第３図
はこの発明の他の実施例である光導電部材のアモルファ
スシリコン膜形成前の縦断面図、第４図は同光導電部材
のアモルファスシリコン膜形成後の縦断面図、第５図は
同光導電部材にドラムフランジを取り付ける場合の斜視
図、第〔１図はアモルファスシリコン膜形成方法を説明
するためのＣＶＤ装置の概略図である。 １−ドラム（基体）、 １４−アモルファスシリコン膜。 第１図 第２図 Ｊ １： ドう／入 １４ニア屯ルフアスシ）コ〉頚 第３図 第４肩 １４：了七ルファ入シリコ〉榎
ァスシリコン膜形成前の縦断面図、第２図は同光導電部
材のアモルファスシリコン膜形成後の縦断面図、第３図
はこの発明の他の実施例である光導電部材のアモルファ
スシリコン膜形成前の縦断面図、第４図は同光導電部材
のアモルファスシリコン膜形成後の縦断面図、第５図は
同光導電部材にドラムフランジを取り付ける場合の斜視
図、第〔１図はアモルファスシリコン膜形成方法を説明
するためのＣＶＤ装置の概略図である。 １−ドラム（基体）、 １４−アモルファスシリコン膜。 第１図 第２図 Ｊ １： ドう／入 １４ニア屯ルフアスシ）コ〉頚 第３図 第４肩 １４：了七ルファ入シリコ〉榎
Claims (2)
- （１）保持装置に取り付けるために端部に加工を施した
基体の、この加工を施した端部付近を除く表面のみにア
モルファスシリコン膜を形成したことを特徴とする光導
電部材。 - （２）前記基体が、管状のドラムであり、ドラムフラン
ジを取り付けるための両端のドラム支持部を除く外周側
面にアモルファスシリコン膜を形成した特許請求の範囲
第１項記載の光導電部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22737185A JPS6286368A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22737185A JPS6286368A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 光導電部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286368A true JPS6286368A (ja) | 1987-04-20 |
Family
ID=16859754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22737185A Pending JPS6286368A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286368A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008262239A (ja) * | 2008-07-31 | 2008-10-30 | Kyocera Corp | 電子写真感光体およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP22737185A patent/JPS6286368A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008262239A (ja) * | 2008-07-31 | 2008-10-30 | Kyocera Corp | 電子写真感光体およびその製造方法 |
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