JPS62151567A - 光導電体の成膜装置 - Google Patents
光導電体の成膜装置Info
- Publication number
- JPS62151567A JPS62151567A JP29482485A JP29482485A JPS62151567A JP S62151567 A JPS62151567 A JP S62151567A JP 29482485 A JP29482485 A JP 29482485A JP 29482485 A JP29482485 A JP 29482485A JP S62151567 A JPS62151567 A JP S62151567A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- reaction chamber
- film forming
- wall
- forming device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
この発明は、複写機等のように電子写真法を用いる装置
や原稿読取装置において使用される光導電体の成膜装置
に関する。
や原稿読取装置において使用される光導電体の成膜装置
に関する。
〈発明の概要〉
この発明の光導電体の成膜装置は、反応室の内壁を平面
と凹曲面のみで形成することにより、反応室内に導入さ
れる導入ガスの流れに澱みをなくし、内壁に粉体が付着
するのを防止しようとするものである。
と凹曲面のみで形成することにより、反応室内に導入さ
れる導入ガスの流れに澱みをなくし、内壁に粉体が付着
するのを防止しようとするものである。
〈従来技術とその欠点〉
複写機等のように電子写真法を用いる装置や原！、％読
取装置等では、画像を形成する光感電体を構成するもの
として種々の光導電材料を用いている。このような光導
電材料として従来から使用されているものに、Ｓｅ、Ｃ
ｄＳ、ＺｎＯ等の無機光導電材料やＰＶＫ−ＴＮＦに代
表される有機光導電材料がある。ところが、これらの従
来がらの光導電材料は光感度２分光感度、ＳＮ比（明抵
抗／暗抵抗）あるいは耐久性や人体への安全性等の光導
電体として要求される性質が必ずしも全てに亘って充分
に満足されるものではなく、ある程度の妥協のもとに個
々のケースに応じて選択して使用されているのが現状で
あった。
取装置等では、画像を形成する光感電体を構成するもの
として種々の光導電材料を用いている。このような光導
電材料として従来から使用されているものに、Ｓｅ、Ｃ
ｄＳ、ＺｎＯ等の無機光導電材料やＰＶＫ−ＴＮＦに代
表される有機光導電材料がある。ところが、これらの従
来がらの光導電材料は光感度２分光感度、ＳＮ比（明抵
抗／暗抵抗）あるいは耐久性や人体への安全性等の光導
電体として要求される性質が必ずしも全てに亘って充分
に満足されるものではなく、ある程度の妥協のもとに個
々のケースに応じて選択して使用されているのが現状で
あった。
一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）からなる光導
電体が高い光感度、高耐久性および無公害等の優れた特
徴を有し、優秀な光導電材料として実用化が期待されて
いる。ところが、このようにすくれた特性を有するアモ
ルファスシリコンの光導電体も、成膜時に表面に欠陥が
生じるために、例えば複写機の感光体として使用したよ
うな場合にコピーに白斑が生じる等の画像品質の低下を
来すという欠点を有している。
電体が高い光感度、高耐久性および無公害等の優れた特
徴を有し、優秀な光導電材料として実用化が期待されて
いる。ところが、このようにすくれた特性を有するアモ
ルファスシリコンの光導電体も、成膜時に表面に欠陥が
生じるために、例えば複写機の感光体として使用したよ
うな場合にコピーに白斑が生じる等の画像品質の低下を
来すという欠点を有している。
このような光導電体の欠陥の原因の一つとして、成膜時
の基体表面への粉体の付着が考えられる。例えば、第３
図に示す従来のグロー放電法による成膜装置でアモルフ
ァスシリコン膜の形成を行うと、外壁３の内側面と上Ｍ
４および底板５の内側面とが交差する隅部でガス導入ロ
アから反応室６内に導入した導入ガスが澱みを生じるの
で、これらの内側面上でこの導入ガスが反応し粉体とな
って反応室の内壁に生成付着することになる。この粉体
は、導入ガスの流動に伴って容易に剥がれるので、基体
表面にこの剥がれた粉体が落下付着する場合があり、こ
の付着した粉体が前述の光専゛電体の欠陥の原因となる
と考えられる。
の基体表面への粉体の付着が考えられる。例えば、第３
図に示す従来のグロー放電法による成膜装置でアモルフ
ァスシリコン膜の形成を行うと、外壁３の内側面と上Ｍ
４および底板５の内側面とが交差する隅部でガス導入ロ
アから反応室６内に導入した導入ガスが澱みを生じるの
で、これらの内側面上でこの導入ガスが反応し粉体とな
って反応室の内壁に生成付着することになる。この粉体
は、導入ガスの流動に伴って容易に剥がれるので、基体
表面にこの剥がれた粉体が落下付着する場合があり、こ
の付着した粉体が前述の光専゛電体の欠陥の原因となる
と考えられる。
〈発明の目的〉
この発明は、このような事情に鑑みなされたものであっ
て、反応室の内壁を平面と凹曲面のみで形成することに
より、内壁に粉体が付着しないようにして基体表面に成
）１りされたアモルファスシリとを目的とする。
て、反応室の内壁を平面と凹曲面のみで形成することに
より、内壁に粉体が付着しないようにして基体表面に成
）１りされたアモルファスシリとを目的とする。
〈発明の構成および効果〉
この発明の光導電体の成膜装置は、反応室内に基体を収
納して、気相成長法によりこの基体の表面にアモルファ
スシリコン膜を形成する光導電体の成膜装置において、
反応室の内壁を平面と凹曲面のみで形成したことを特徴
とする。
納して、気相成長法によりこの基体の表面にアモルファ
スシリコン膜を形成する光導電体の成膜装置において、
反応室の内壁を平面と凹曲面のみで形成したことを特徴
とする。
この発明を上記のように構成すると、反応室内に導入さ
れた導入ガスが内壁の曲面にガイドされてスムーズに排
出されるので流れが円滑になる。
れた導入ガスが内壁の曲面にガイドされてスムーズに排
出されるので流れが円滑になる。
このため、導入ガスが反応室内の隅部で澱むことがなく
り、内壁上で反応して粉体が生成付着するということも
少なくなるので、この粉体が剥離して基体表面に付着す
るということもな（なる。また、粉体の行者が少なくな
るとともに、反応室の内壁が平面と凹曲面とで構成され
隅部がないことから、成膜後の清掃作業が容易になる。
り、内壁上で反応して粉体が生成付着するということも
少なくなるので、この粉体が剥離して基体表面に付着す
るということもな（なる。また、粉体の行者が少なくな
るとともに、反応室の内壁が平面と凹曲面とで構成され
隅部がないことから、成膜後の清掃作業が容易になる。
したがって、この発明は、アモルファスシリコンを用い
た光導電体が成膜過程における粉体の付着によって欠陥
を生じるということがなくなり、画像品質の向上を図る
とともに、成膜工程の作業性の向上にも貢献することが
できる。
た光導電体が成膜過程における粉体の付着によって欠陥
を生じるということがなくなり、画像品質の向上を図る
とともに、成膜工程の作業性の向上にも貢献することが
できる。
〈実施例〉
第１図はこの発明の実施例である光導電体の成膜装置の
縦断面正面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線における断面
図である。
縦断面正面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線における断面
図である。
この実施例は、グロー放電法によりアモルファスシリコ
ン膜を基体上に形成する場合を示す。基体ｌは、円筒形
のアルミニウムからなるドラムであり、外部の駆動装置
により回転駆動される支持体２に装着される。この支持
体２は、基体１の回転を支持する他、周面がグロー放電
のための内側の電極を構成するとともに、内部に設けた
ヒータにより基体１を均一に加熱することができるよう
になっている。この支持体２に装着された基体１の周囲
を同心円状に覆うように外壁３が形成され、上Ｍ４およ
び底板５とによって内部を密閉し、反応室６を形成して
いる。この外壁３の内側面は、グロー放電のための外側
の電極を構成している。上蓋４にはガス導入ロアが開口
され、アモルファスシリコンの原料となる導入ガスを反
応室６内に導入することができるようになっている。ま
た、底板５には排気口８が開口され、反応室６内の気圧
を一定に保つことができる。実施例は、この成膜装置に
おける外壁３と上Ｍ４と底板５との各内側面が形成する
反応室６の内壁を平面と凹曲面のみで形成することによ
り構成される。具体的には、筒状の外壁３と平板状の上
蓋４および底板５とが交差する内壁の隅部を四面９で接
続するごとにより形成され、主にこの外壁３と上Ｍ４お
よび底板５との間に配置したリング状の絶縁体１０の内
周面を凹曲面形状とすることにより実施される上記のよ
うに構成されたこの実施例の成膜装置と第３図に示す従
来の成膜装置とを用いて複写機における感光体ドラムの
光４電体を形成し、そのコピーにおける白斑の多少を評
価した。これらの光導電体の成膜条件は第４図に示す通
りである。
ン膜を基体上に形成する場合を示す。基体ｌは、円筒形
のアルミニウムからなるドラムであり、外部の駆動装置
により回転駆動される支持体２に装着される。この支持
体２は、基体１の回転を支持する他、周面がグロー放電
のための内側の電極を構成するとともに、内部に設けた
ヒータにより基体１を均一に加熱することができるよう
になっている。この支持体２に装着された基体１の周囲
を同心円状に覆うように外壁３が形成され、上Ｍ４およ
び底板５とによって内部を密閉し、反応室６を形成して
いる。この外壁３の内側面は、グロー放電のための外側
の電極を構成している。上蓋４にはガス導入ロアが開口
され、アモルファスシリコンの原料となる導入ガスを反
応室６内に導入することができるようになっている。ま
た、底板５には排気口８が開口され、反応室６内の気圧
を一定に保つことができる。実施例は、この成膜装置に
おける外壁３と上Ｍ４と底板５との各内側面が形成する
反応室６の内壁を平面と凹曲面のみで形成することによ
り構成される。具体的には、筒状の外壁３と平板状の上
蓋４および底板５とが交差する内壁の隅部を四面９で接
続するごとにより形成され、主にこの外壁３と上Ｍ４お
よび底板５との間に配置したリング状の絶縁体１０の内
周面を凹曲面形状とすることにより実施される上記のよ
うに構成されたこの実施例の成膜装置と第３図に示す従
来の成膜装置とを用いて複写機における感光体ドラムの
光４電体を形成し、そのコピーにおける白斑の多少を評
価した。これらの光導電体の成膜条件は第４図に示す通
りである。
このうち第１は基体１表面に直接形成する下地層であり
、第２層は光導電層であり、第３層はこの光導電層を保
護するための保護層である。この条件で形成した感光体
ドラムを使用して複写を行い、コピー上の白斑の多少を
評価した結果を第５図に示す。このときの複写条件は、
ドラム周速が２５４．４ｃｍ／秒、コロナ電流が９０μ
Ａ、バイアス電圧が１６４Ｖである。また、このときの
ドラム表面電位は５００Ｖであった。第５図から明らか
なように、実施例の感光体ドラムを使用した場合には、
直径ｌ１以上の白斑はほとんど認められず、それより小
さい白斑もわずかにしか発生していなかった。これに対
して、従来例の感光体ドラムでは、直径１龍以上の白斑
が散見され、特に０．５１ｍ未満の白斑は極めて多数に
亙って観察された。したがって、この実施例の成膜装置
を使用して複写機の感光体ドラムを製造した場合には、
コピー品質の向上を図ることができる。
、第２層は光導電層であり、第３層はこの光導電層を保
護するための保護層である。この条件で形成した感光体
ドラムを使用して複写を行い、コピー上の白斑の多少を
評価した結果を第５図に示す。このときの複写条件は、
ドラム周速が２５４．４ｃｍ／秒、コロナ電流が９０μ
Ａ、バイアス電圧が１６４Ｖである。また、このときの
ドラム表面電位は５００Ｖであった。第５図から明らか
なように、実施例の感光体ドラムを使用した場合には、
直径ｌ１以上の白斑はほとんど認められず、それより小
さい白斑もわずかにしか発生していなかった。これに対
して、従来例の感光体ドラムでは、直径１龍以上の白斑
が散見され、特に０．５１ｍ未満の白斑は極めて多数に
亙って観察された。したがって、この実施例の成膜装置
を使用して複写機の感光体ドラムを製造した場合には、
コピー品質の向上を図ることができる。
第１図はこの発明の実施例である光導電体の成膜装置の
縦断面正面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線における断面
図、第３図は従来の成膜装置の縦断面正面図、第４図は
実施例と従来例との比較を行った際の成膜条件を示す図
、第５図は同比較結果を示す図である。 ■−基体、３−外壁、４−上蓋、５−底板、６−反応室
、９−凹面。
縦断面正面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線における断面
図、第３図は従来の成膜装置の縦断面正面図、第４図は
実施例と従来例との比較を行った際の成膜条件を示す図
、第５図は同比較結果を示す図である。 ■−基体、３−外壁、４−上蓋、５−底板、６−反応室
、９−凹面。
Claims (1)
- （１）反応室内に基体を収納して、気相成長法によりこ
の基体の表面にアモルファスシリコン膜を形成する光導
電体の成膜装置において、 反応室の内壁を平面と凹曲面のみで形成したことを特徴
とする光導電体の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29482485A JPS62151567A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 光導電体の成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29482485A JPS62151567A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 光導電体の成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62151567A true JPS62151567A (ja) | 1987-07-06 |
Family
ID=17812724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29482485A Pending JPS62151567A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 光導電体の成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62151567A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003104524A1 (ja) * | 2002-06-10 | 2003-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29482485A patent/JPS62151567A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003104524A1 (ja) * | 2002-06-10 | 2003-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
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