JPS62196669A - 光導電体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 この発明は、複写機等のように電子写真法を用いる装置
や原稿読取装置等において使用される光導電体の製造方
法に関する。

〈発明の概要〉 この発明の光導電体の製造方法は、要約すれば、基体を
堆積室内に装着する際に低ダスト量の気体を流通させて
、この基体の表面へのダストの付着を防止することによ
り、アモルファスシリコン膜に欠陥が生じないようにす
るものである。

〈発明の背景〉 複写機等のように電子写真法を用いる装置や原稿読取装
置等では、画像を形成する光導電層を構成するために種
々の光導電体を用いている。このような光導電体として
従来から使用されるものに、Ｓｅ、ＣｄＳ、ＺｎＯ等の
無機光導電材料やＰＶＫ−ＴＮＦに代表される有機光導
電材料がある。ところが、これらの従来からの光導電材
料は光感度３分光感度、ＳＮ比（明抵抗／暗抵抗）ある
いは耐久性や人体への安全性等の光導電体として要求さ
れる性質が必ずしも全てに亙って充分満足されるもので
はなく、ある程度の妥協のもとに個々のケースに応じて
選択して使用されているのが現状であった。

一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）からなる光導
電体が、高い光感度、高耐久性および無公害等の優れた
特徴を有し、優秀な光導電材料として実用化が期待され
ている。ところが、このように優れた特徴を有するアモ
ルファスシリコンの光導電体も、電子写真法で画像を形
成した場合に中間調に白抜は等が現れ画像品質が低下す
るという欠点が生じ大きな問題となっている。このよう
な画像欠陥の原因は、堆積したアモルファスシリコン膜
の断面観察により、基体表面に付着した異物によってア
モルファスシリコン膜の成長過程に異常が生じるためで
あることが発見された。この異常は大半が半球状の突起
となって現れ、この突起の直径が３０μｍを越えると画
像欠陥が発生するようになる。

したがって、光導電体の製造に当たっては、基体表面を
できるだけ清浄にしてアモルファスシリコン膜を形成す
る必要があるので、従来より、堆積室をクリーンルーム
内に設置するとともに、基体を十分に洗浄してから堆積
室内に装着する等の処置が採られていた。このような方
法によれば、大気中の塵埃や基体の製造段階で付着した
切削粉および切削油等を取り除くことはできる。ところ
が、作業者の体等から出たダストが堆積室を開いて基体
を装着する際に付着することまで従来の方法で防ぐこと
はできず、アモルファスシリコン膜の異常成長を十分に
防ぐことは困難であった。

〈発明の目的〉 この発明は、このような事情に迄みなされたものであっ
て、基体を堆積室内に装着する際に低ダスト量の気体を
流通させてこの基体の表面へのダストの付着を防止する
ことにより、アモルファスシリコン膜に欠陥が生じるこ
とのない光導電体の製造方法を提供することを目的とす
る。

〈発明の構成および効果〉 この発明の光導電体の製造方法は、堆積室内に基体を装
着し、排気口から空気を排気するとともにガス導入口か
ら反応ガスを導入して堆積室内を所定の雰囲気に設定し
、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法によりこの基体の表面にアモ
ルファスシリコン膜を形成する光導電体の製造方法にお
いて、堆積室を開いて基体を装着する際に、堆積室の周
囲に低ダスト量の気体を導入するとともに排気口から排
気を行い、堆積室内にこの低ダスト量の気体を流通させ
ることを特徴とする。

この発明の光導電体の製造方法を上記のように構成する
と、作業者の体等から出て周囲に浮遊するダストは、基
体を装着する際に低ダスｌの清浄な気体の流れに運ばれ
て堆積室内の排気口から排出されるので、基体表面に付
着する量が極めて少なくなる。したがって、この発明は
、アモルファスシリコン膜の異常成長をなくすことによ
り画像欠陥を防止し、光導電体としてのアモルファスシ
リコンの実用化に貢献することができる。

〈実施例〉 第１図はこの発明の実施に使用するアモルファスシリコ
ン膜の製造装置の概略縦断面図である。

この実施例は、グロー放電法によりアモルファスシリコ
ン膜を形成する場合を示す。堆積室１は、・上面が蓋２
によって開口可能となる筒状の密閉容器であり、下端側
に排気口３が設けられ排気バルブ４を介して真空ポンプ
５に接続されて、堆積室１内の排気ができるようになっ
ている。この堆積室１内には、外部の駆動装置１１によ
って回転可能となり内部にヒータを設けた支持体６が設
けられ、その周囲を覆うように電極７．７が配置されて
いる。この電極７．７は、高周波電源８の一方の端子に
接続されている。高周波電源８の他方の端子は接地され
、また、支持体６も表面を導電体で形成するとともに接
地されているので、電極７．７と支持体６との間でグロ
ー放電が行われる、また、電極７，７には、ガス導入口
が分散して開口され、ガス導入バルブ９を介して反応ガ
スが堆積室１内に導入されるようになっている。

実施例では、基体１０を筒状のアルミニウムで構成し、
この周面にアモルファスシリコン膜を形成することによ
り複写機の感光体ドラムに使用する場合を示す。この基
体１０は、上記のように構成された堆積室１のＭ２を開
き内部の支持体６に嵌め込んで装着する。アモルファス
シリコン膜の形成は、まず蓋２を閉じて堆積室１内を密
閉した後に排気口３から排気を行い、同時にガス導入バ
ルブ９を開いて電極７，７のガス導入口から反応ガスを
導入して、堆積室１内を所定の雰囲気に設定する。基体
１０は、取り付けられた支持体６の内部のヒータによっ
て加熱され、かつ、駆動装置１１によって回転させられ
る。この状態で電極７．７と支持体６との間に高周波電
源８からの高周波電力を加えるとグロー放電が発生して
基体１０の周面にアモルファスシリコン膜が形成される
。

この発明は、上記手順による光導電体の製造方法におい
て、堆積室１をクリーンブース１２で取り囲むとともに
、基体１０の装着時に排気口３から排気を行うことによ
り実施される。クリーンブース１２は、堆積室１の周囲
を覆い、天井部に設けたフィルタ１３を介してのみ外気
と導通する部屋である。フィルタ１３は、クラス１００
以下の清浄な空気だけを透過するＨＥＰＡフィルタであ
る。このように構成されたクリーンブース１２内で堆積
室１の蓋２を開は排気バルブ４を開いて排気口３から排
気を行うと、第２図の矢印で示すような空気の流れが生
じる。この空気の流れは、まず外気からフィルタ１３を
介して低ダスＨｉの空気がクリーンブース１２内に流れ
込み、蓋２を開いた開口部からさらに堆積室１内に流れ
込んで排気口３から排出される。このため、作業者がク
リーンブース１２内で堆積室１内への基体１０の装着作
業を行う際に、体等から出たダストもこの空気の流れに
運ばれて排気口３から排出される。したがって、基体ｌ
Ｏの表面にはフィルタ１３を通った清浄な空気が常に流
れることになるので、ダスト等が付着することがほとん
どない。そして、基体１０の装着が終わると再び蓋２を
閉じ堆積室１内を密閉し、アモルファスシリコン膜の形
成工程に入る。

以下に、従来の製造方法とこの実施例あ製造方法とによ
って基体１０の表面にアモルファスシリコン膜を形成し
、複写機の感光体ドラムとした場合を比較する。このア
モルファスシリコン膜の形成条件は、第３図に示す通り
である。この条件で形成された３層のアモルファスシリ
コン膜の断面図を第４図に示す。ここで、１４は基体１
０の表面に形成された下地層であり、１５は光導電層で
あり、１６は表面保護層である。このようにして製造さ
れた感光体ドラムにおける１−当たりのアモルファスシ
リコンの異常成長個所の数を比較した結果を第５図に示
す。この図から明らがなように、異常成長個所の数は何
れの大きさの異常成長についても、従来例より実施例の
方法で製造した感光体ドラムの方が大幅に減少している
。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施に使用するアモルファスシリコ
ン膜の製造装置の概略断面図、第２図は同装置内の空気
の流れを説明する概略断面図、第３図は実施例と従来例
との比較のためのアモルファスシリコン膜形成条件を示
す図、第４図は同条件によって形成された３層のアモル
ファスシリコン膜の部分断面図、第５図は実施例と従来
例との異常成長個所の数の比較結果を示す図である。 １−堆積室、３−排気口、１〇−基体。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）堆積室内に基体を装着し、排気口から空気を排気
   するとともにガス導入口から反応ガスを導入して堆積室
   内を所定の雰囲気に設定し、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法に
   よりこの基体の表面にアモルファスシリコン膜を形成す
   る光導電体の製造方法において、 堆積室を開いて基体を装着する際に、堆積室の周囲に低
   ダスト量の気体を導入するとともに排気口から排気を行
   い、堆積室内にこの低ダスト量の気体を流通させること
   を特徴とする光導電体の製造方法。