JPS62151565A - 光導電体の成膜装置 - Google Patents
光導電体の成膜装置Info
- Publication number
- JPS62151565A JPS62151565A JP29482285A JP29482285A JPS62151565A JP S62151565 A JPS62151565 A JP S62151565A JP 29482285 A JP29482285 A JP 29482285A JP 29482285 A JP29482285 A JP 29482285A JP S62151565 A JPS62151565 A JP S62151565A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- film forming
- substrate
- amorphous silicon
- wall surface
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
この発明は、複写機等のように電子写真法を用いる装置
や原稿読取装置において使用される光４電体の成膜装置
に関する。
や原稿読取装置において使用される光４電体の成膜装置
に関する。
〈発明の概要〉
この発明の光導電体の成膜装置は、要約すれば、不活性
ガスのエアーカーテンにより反応室の内壁面上に粉体が
付着するのを防ぎ、成膜されたアモルファスシリコン膜
に欠陥が生しるのを防止しようとするものである。
ガスのエアーカーテンにより反応室の内壁面上に粉体が
付着するのを防ぎ、成膜されたアモルファスシリコン膜
に欠陥が生しるのを防止しようとするものである。
〈従来技術とその欠点〉
複写機等のように電子写真法を用いる装置や原稿読取装
置等では、画像を形成する光町重体を構成するものとし
て種々の光４電材料を用いている。このような光導電材
料として従来から使用されているものに、Ｓｅ、ＣｄＳ
、ＺｎＯ等の無機先ｍ電材料やＩ） Ｖ Ｋ −Ｔ Ｎ
Ｆに代表される有機光導電材料がある。ところが、こ
れらの従来がらの光導電材料は光感度２分光感度、ＳＮ
仕（明抵抗／暗抵抗）あるいは耐久性や人体への安全性
等の光）、ｌ電体として要求される性質が必ずしも全て
に亘って充分に満足されるものではなく、ある程度の妥
協のもとに個々のゲースに応じて選択して使用されてい
るのが現状であった。
置等では、画像を形成する光町重体を構成するものとし
て種々の光４電材料を用いている。このような光導電材
料として従来から使用されているものに、Ｓｅ、ＣｄＳ
、ＺｎＯ等の無機先ｍ電材料やＩ） Ｖ Ｋ −Ｔ Ｎ
Ｆに代表される有機光導電材料がある。ところが、こ
れらの従来がらの光導電材料は光感度２分光感度、ＳＮ
仕（明抵抗／暗抵抗）あるいは耐久性や人体への安全性
等の光）、ｌ電体として要求される性質が必ずしも全て
に亘って充分に満足されるものではなく、ある程度の妥
協のもとに個々のゲースに応じて選択して使用されてい
るのが現状であった。
一方、アモルファスシリコン（ａ−５ｉ）からなる光導
電体が高い光感度、高耐久Ｉ生および無公害等の優れた
特徴を有し、優秀な光導電月料として実用化が期待され
ている。ところが、ごのようにすぐれた特性を有するア
モルファスシリコンの光導電体も、成膜時に表面に欠陥
が生じ、例えば複写機の感光体として使用したような場
合にコピーに白斑が生じる等の画像品質の低下を来すと
いう欠点を有している。この欠陥の原因を第３図に示す
従来の成膜装置の場合で説明する。この成膜装置でアモ
ルファスシリコン膜の形成を行うと１、導入ガスの反応
によって反応室６の内壁面である外壁３の内側面に粉体
が生成付着する。ところがこの粉体は、導入ガスの流動
に伴って内壁面から剥がれ基体１表面に付着する場合が
あり、この付着した粉体が前述の光感電体の欠陥の原因
となる〈発明の目的〉 この発明は、このような事情に鑑みなされたものであっ
て、不活性ガスのエアーカーテンによって反応室の内壁
面に粉体が付着するのを防止することにより、欠陥を防
止し画像品質が低下するこのない光導電体の成膜装置を
提供することを目的とする。
電体が高い光感度、高耐久Ｉ生および無公害等の優れた
特徴を有し、優秀な光導電月料として実用化が期待され
ている。ところが、ごのようにすぐれた特性を有するア
モルファスシリコンの光導電体も、成膜時に表面に欠陥
が生じ、例えば複写機の感光体として使用したような場
合にコピーに白斑が生じる等の画像品質の低下を来すと
いう欠点を有している。この欠陥の原因を第３図に示す
従来の成膜装置の場合で説明する。この成膜装置でアモ
ルファスシリコン膜の形成を行うと１、導入ガスの反応
によって反応室６の内壁面である外壁３の内側面に粉体
が生成付着する。ところがこの粉体は、導入ガスの流動
に伴って内壁面から剥がれ基体１表面に付着する場合が
あり、この付着した粉体が前述の光感電体の欠陥の原因
となる〈発明の目的〉 この発明は、このような事情に鑑みなされたものであっ
て、不活性ガスのエアーカーテンによって反応室の内壁
面に粉体が付着するのを防止することにより、欠陥を防
止し画像品質が低下するこのない光導電体の成膜装置を
提供することを目的とする。
〈発明の構成および効果〉
この発明の光導電体の成膜装置は、反応室内に基体を収
納して、気相成長法によりこの基体の表面にアモルファ
スシリコン膜を形成する光導電体の成膜装置において、 反応室の内壁面上に不活性ガスによるエアーカーテンを
敷設したことを特徴とする。
納して、気相成長法によりこの基体の表面にアモルファ
スシリコン膜を形成する光導電体の成膜装置において、 反応室の内壁面上に不活性ガスによるエアーカーテンを
敷設したことを特徴とする。
この発明を上記のように構成すると、導入ガスがエアー
カーテンに妨げられて反応室の内壁面に触れることがな
くなるので、この内壁面に粉体が生成付着するというよ
うなことがなくなる。このため、光導電体の表面に粉体
が付着することもなくなり、白斑等の原因となる欠陥が
生じることもなくなる。また、内壁面に粉体が付着しな
いことにより、反応室内の清掃が容易になるという効果
も得ることができる。したがって、この発明は、アモル
ファスシリコンを用いた光導電体が成膜過程における原
因により画像品質の低下を招くのを防止するとともに、
清掃作業が容易となることがら作業性の向上を図ること
ができる。
カーテンに妨げられて反応室の内壁面に触れることがな
くなるので、この内壁面に粉体が生成付着するというよ
うなことがなくなる。このため、光導電体の表面に粉体
が付着することもなくなり、白斑等の原因となる欠陥が
生じることもなくなる。また、内壁面に粉体が付着しな
いことにより、反応室内の清掃が容易になるという効果
も得ることができる。したがって、この発明は、アモル
ファスシリコンを用いた光導電体が成膜過程における原
因により画像品質の低下を招くのを防止するとともに、
清掃作業が容易となることがら作業性の向上を図ること
ができる。
〈実施例〉
第１図はこの発明の実施例である光導電体の成膜装置の
縦断面正面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線における断面
図である。
縦断面正面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線における断面
図である。
この実施例は、グロー放電法によりアモルファスシリコ
ン膜を基体上に形成する場合を示す。基体ｌは、円筒形
のアルミニウムからなるドラムであり、外部の駆動装置
により回転駆動される支持体２に装着される。支持体２
に装着された基体ｌの周囲を同心円状に覆うように外壁
３が形成され、上蓋４および底板５とによって内部を密
閉し、反応室６を形成している。この外壁３の内側面は
、グロー放電のための電極を形成している。上蓋４には
ガス導入ロアが開口され、アモルファスシリコンの原料
となる導入ガスが反応室６内に導入される。また、底板
５には排気口８が開口され、反応室６内の気圧を一定に
保つことができる。実施例は、この成膜装置における外
壁３の内側面（反応室６の内壁面）上にエアーカーテン
９を敷設することにより構成される。このエアーカーテ
ン９は、上蓋４の周端付近に等間隔で多数開口されたノ
ズル１０から噴出する不活性ガスにより敷設される。
ン膜を基体上に形成する場合を示す。基体ｌは、円筒形
のアルミニウムからなるドラムであり、外部の駆動装置
により回転駆動される支持体２に装着される。支持体２
に装着された基体ｌの周囲を同心円状に覆うように外壁
３が形成され、上蓋４および底板５とによって内部を密
閉し、反応室６を形成している。この外壁３の内側面は
、グロー放電のための電極を形成している。上蓋４には
ガス導入ロアが開口され、アモルファスシリコンの原料
となる導入ガスが反応室６内に導入される。また、底板
５には排気口８が開口され、反応室６内の気圧を一定に
保つことができる。実施例は、この成膜装置における外
壁３の内側面（反応室６の内壁面）上にエアーカーテン
９を敷設することにより構成される。このエアーカーテ
ン９は、上蓋４の周端付近に等間隔で多数開口されたノ
ズル１０から噴出する不活性ガスにより敷設される。
上記のように構成されたこの実施例の成膜装置と第３図
に示す従来の成膜装置とを用いて複写機における感光体
ドラムの光導電体を形成し、そのコピーにおける白斑の
多少を評価した。これらの光感電体の成膜条件は第４図
に示す通りである。
に示す従来の成膜装置とを用いて複写機における感光体
ドラムの光導電体を形成し、そのコピーにおける白斑の
多少を評価した。これらの光感電体の成膜条件は第４図
に示す通りである。
このうち第１層は基体１表面に直接形成する下地層であ
り、第２層は光導電層であり、第３層はこの光導電層を
保護するための保護層である。この条件で形成した感光
体ドラムを使用して複写を行い、コピー上の白斑の多少
を評価した結果を第５図に示す。第５図からも明らかな
ように、実施例の感光体ドラムを使用した場合には直径
１一種以上の白斑は認められず、それより小さい白斑も
わずかにしか発生していなかった。これに対して、従来
例の感光体ドラムでは直径１關以上の白斑か散見され、
特に０．５ ｖａ■未溝の白斑は極めて多数に亘ってい
る。したがって、この実施例の成膜装置を使用して複写
機の感光体ドラムを製造した場合には、コピー品質の向
上を図ることができる。
り、第２層は光導電層であり、第３層はこの光導電層を
保護するための保護層である。この条件で形成した感光
体ドラムを使用して複写を行い、コピー上の白斑の多少
を評価した結果を第５図に示す。第５図からも明らかな
ように、実施例の感光体ドラムを使用した場合には直径
１一種以上の白斑は認められず、それより小さい白斑も
わずかにしか発生していなかった。これに対して、従来
例の感光体ドラムでは直径１關以上の白斑か散見され、
特に０．５ ｖａ■未溝の白斑は極めて多数に亘ってい
る。したがって、この実施例の成膜装置を使用して複写
機の感光体ドラムを製造した場合には、コピー品質の向
上を図ることができる。
第１図はこの発明の実施例である光導電体の成膜装置の
縦断面正面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線における断面
図、第３図は従来の成膜装置の縦断面正面図、第４図は
実施例と従来例との比較を行った際の成膜条件を示す図
、第５図は同比較結果を示す図である。 ■−基体、９−エアーカーテン。
縦断面正面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線における断面
図、第３図は従来の成膜装置の縦断面正面図、第４図は
実施例と従来例との比較を行った際の成膜条件を示す図
、第５図は同比較結果を示す図である。 ■−基体、９−エアーカーテン。
Claims (1)
- （１）反応室内に基体を収納して、気相成長法によりこ
の基体の表面にアモルファスシリコン膜を形成する光導
電体の成膜装置において、 反応室の内壁面上に不活性ガスによるエアーカーテンを
敷設したことを特徴とする光導電体の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29482285A JPS62151565A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 光導電体の成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29482285A JPS62151565A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 光導電体の成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62151565A true JPS62151565A (ja) | 1987-07-06 |
Family
ID=17812697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29482285A Pending JPS62151565A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 光導電体の成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62151565A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102943251A (zh) * | 2012-12-05 | 2013-02-27 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 一种用于提升pecvd镀膜均匀性的装置 |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29482285A patent/JPS62151565A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102943251A (zh) * | 2012-12-05 | 2013-02-27 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 一种用于提升pecvd镀膜均匀性的装置 |
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