JPS62296151A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 く技術分野〉 この発明は、複写機等のように電子写真法を用いる装置
や原稿読取装置において使用される感光体に関する。

〈従来技術とその欠点〉 従来、電子写真装置等の感光体の先程電体を構成する光
導電体材料としては、Ｓｅ、ＣｄＳ、Ｚｎｏ等の無殿光
導電体材料またはＰＶＫ−ＴＮＦ等に代表される有機元
厚重体材料が用いられていた。しかし、これらの光導電
体材料は光怒度１分光特性、ＳＮ比（明抵抗／暗抵抗）
、耐久性および人体への安全性等において必ずしも満足
されろものではなく、ある程度の妥協のもとに個々の状
況に応じて使用されているのが現状であっ１こ。

そこで、近年高い光感度、高耐久性、無公害性等の優れ
た特徴を有するアモルファス状態の８１およびその化合
物からなる光導電材料の実用（ヒが期待されている。と
ころが、アモルファス状態のＳｉおよびその化合物は、
酸化されやすく、特に電子写真法のプロセス内のコロナ
放電によって発生するオゾンによって酸化されて、５ｉ
Ｏｙという化合物となり、この５ｉｎＹが吸水性に冨み
感光体の表面で水分層を形成し、この水分層が光導電材
料表面に形成される静電潜１象（画像）を１ン動させや
す（するため、画（１乱れが生じてしまう欠点があった
。

〈発明の目的〉 この発明１よ、光ぶ電体表面でのＳｉの酸化を防止し、
静電潜像（画伽乱れを防止するコーティング層を形成し
た電子写真用感光体を提供することを目的とする。

〈発明の構成および効果〉 この発明はアモルファス状態のＳｔおよびその化合物か
らなる光導電体表面をアモルファス状態の以下に表す組
成膜でコーティングしたことを特徴とする。

上記のように構成したことによりこの発明によれば、（
Ａｄｚ　Ｏｘ　）＋−χＨχ、但し、０≦χ≦５（ｗｔ
％）は安定しており、この組成膜により光導電体がコー
ティングされているため、光導電体のＳｔの酸化が防止
され、５ｉＯＶの加工物が生成されなくなり感光体表面
に水分層が形成されなくなる。したがって、水分層によ
る静電ｆＩ像画像の流れがな（なり品質の良い画像を得
ることができる。

〈実施例〉 第２図はこの発明の実施例である感光体の光導電層およ
びコーティング層を形成するＣＶＤ法を用いた製造装置
の概略構成図である。

反応室２は密閉され、排気系バルブ７を操作することに
より真空ポンプ８．８により排気が行われる。また、反
応室２内には補助バルブ９を操作することによりガスコ
ントローラー０に調整された原料混合ガスが流入される
。反応室２内には電極１１．１１が配置され、高周波型
′ｔＡ１２から１亀 ３．５６ＭＨｚの奔周波電力が印加される。この電極１
１．１１の間には円筒状の基体１が装着される。この円
筒状の基体ｌは支持体４上にｉ！置され、モータ６によ
り回転される。また、この基体１の表面はドラムヒータ
３により常時一定温度に保たれる。

上記のような装置を用いて本発明の実施例である感光体
を作成する工程を説明する。第１図ＩＡ）は成膜の条件
を表した図である。

基体１にはアルミニウム製の円筒体を用いた。

この基体ｌはフロン超音波洗浄層および蕪気洗浄層にお
いて充分に表面を洗浄した後、反応室２内の支持体４に
装着する。次に排気バルブ７を開き真空ポンプ８によっ
て反応室２内の排気を行う。

また、この時同時にドラムヒータ３の電源を入れ、基体
ｌの表面を均一に２８０°Ｃに上昇させ、以降この温度
で保たれるようになる。補助バルブ９を開いてガスコン
トローラ１０から所定の混合比に調整された原料混合ガ
スを反応室２内に流入させる。この時、排気バルブ７を
調整して反応室２内の圧力は０　、　５　Ｔｏｒｒに保
たれるようにする。このようにして反応室２内の雰囲気
が設定された後、電極１１．１１間に高周波電源１２か
らの１３．５６ＭＴｌｚの高周波電力を印加することに
より、この電極１１．１１間にグロー放電を起こさせ、
ドラムヒータ３によって加熱されたドラム１の表面に膜
圧０．６μｍのアモルファスＳｉ膜第１層（Ｃ）を形成
する。このアモルファスＳｔ膜第１層（Ｃ１は基体ｌか
らのキャリアの注入を防止する膜である。同様にして前
記アモルファスＳｉ膜第１層（Ｃ１の上に厚さ３０μｍ
のアモルファスＳｉ膜第２ｉ（８１を形成する。このア
モルファスＳｔ膜第２層（Ｂ］が光導電体であり、キャ
リアの生成および輸送の働きをする。次に、この光導電
体（Ｂ）の表面にオーバーコート層囚を形成する。前記
アモルファスＳｔ膜第１層（Ｃ）、第２層（８１と同様
に、排気バルブ７に真空ポンプ８によって真空室２内の
排気を行う。この時、ドラムヒータ３により基体１の表
面温度を１２０℃に上昇させ、以降この温度を保持する
。次に、補助バルブ９を全開にし、ガスコントローラ１
０から所定の混合比に調整された原料混合ガスを反応室
２内に流入させる。この原料混合ガスは粉末状のＡＩ！
、（ＯＣＨ（ＣＨ２）　ｚ　）　ｓとＮ２との混合物で
あり総流量は１０１０００ｓｅとする。また、原料混合
ガスの温度は基体１の温度より低めの温度（１１０°Ｃ
以下）とする。この原料混合ガスの温度および基体１の
温度により、生成されるオーバーコート５の（Ａｌ２Ｏ
２）とＩＩとの組成比が決定される。この時の反応室２
内の圧力は０　、　２　Ｔｏｒｒとなるように調節する
。この後、光周波型＃１２をオンして電極１１．１１る
。このオーバーコート層囚の膜圧は０．０３μｍとした
。

第１図（Ｂｌはこのようにして形成された感光体の断面
図である。アモルファスＳｉ膜第１７５ｆＣ１上に光４
電体（Ｂ）が形成され、この光導電［８表面にオーバー
コートＪｉＪＡが形成されている。

このようにして形成された感光体を複写機に装着し、高
湿度下で一層枚の画像を形成し、形成画像の品質評価を
行った。第３図はその結果を表した図であり、横軸は湿
度、縦軸は画像品質を表している。図において実線は本
発明の感光体を使用して画像形成を行った結果であり、
破線は（，１２０：ｌ）Ｈの変わりに従来の５ｉＣ−Ｈ
をオーバーコート層として上記本実施例の感光体と同様
の条件で作製した感光体を用いた複写機で形成した画像
の品質評価結果である。また、評価の条件はドラム周速
２５４．　４ｃｍ／ｓｅｃ　、　、　　コロナ電流μＡ
、バイアス電圧１６４Ｖ、　　ドラム温度３１℃、初期
表面電位は５００■であった。図においても明らかなよ
うに、本発明の感光体を用いて形成した画像では９０％
の高湿度化においても品質のよい画像を得ることができ
たのに対し、従来の感光体を用いた複写機においては、
７０％の湿度化において画像品質の低下が見られた。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）は本発明の感光体の作成条件を表した図で
、第≠図（Ｂｌは上記の作成条件によって得られた感光
体の断面を表した図、第２図は本発明の感光体と従来の
感光体を用いて形成した画像の品質評価を表した図、第
３図は本発明の感光体および従来の感光体を製造する製
造装置の概略構成図である。 Ａ−オーバーコート層（（Ａ４−２０：ｌ　）−Ｈ）、
Ｂ−光導電体。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）アモルファス状態のＳｉおよびその化合物からな
   る光導電体表面をアモルファス状態の以下に表す組成の
   膜でコーティングしたことを特徴とする感光体。 （Ａｌ＿２Ｏ＿３）＿１−ｘＨｘ 但し、０≦ｘ≦０．５（ｗｔ％）。