JPS6299462A - 光導電体の製造方法 - Google Patents
光導電体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6299462A JPS6299462A JP24015785A JP24015785A JPS6299462A JP S6299462 A JPS6299462 A JP S6299462A JP 24015785 A JP24015785 A JP 24015785A JP 24015785 A JP24015785 A JP 24015785A JP S6299462 A JPS6299462 A JP S6299462A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drum
- amorphous silicon
- silicon film
- reaction chamber
- photoconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
この発明は、複写機等のように電子写真法を用いる装置
や原稿読取装置において使用される光導電体の製造方法
に関する。
や原稿読取装置において使用される光導電体の製造方法
に関する。
〈発明の）既要〉
この発明の光導電体の製造方法は、要約すれば、ヒータ
を用いずにイオンボンバード法を用いて基体を加熱する
ことにより、ダストの発生源であるヒータを反応室内か
ら排除し、アモルファスシリコン膜に欠陥が生じるのを
防止しようとするものである。
を用いずにイオンボンバード法を用いて基体を加熱する
ことにより、ダストの発生源であるヒータを反応室内か
ら排除し、アモルファスシリコン膜に欠陥が生じるのを
防止しようとするものである。
〈従来技術とその欠点〉
複写機等のように電子写真法を用いる装置や原稿読取装
置では、画像を形成する光導電層を構成するために種々
の光導電体を用いている。このような光導電体として従
来から使用されるものに、Ｓｅ、ＣｄＳ、ＺｎＯ等の無
機光導電材料やＰＶＫ−ＴＮＦに代表される′４−Ｔ機
光導電材料がある。
置では、画像を形成する光導電層を構成するために種々
の光導電体を用いている。このような光導電体として従
来から使用されるものに、Ｓｅ、ＣｄＳ、ＺｎＯ等の無
機光導電材料やＰＶＫ−ＴＮＦに代表される′４−Ｔ機
光導電材料がある。
ところが、これらの従来からの光導電材料は光感度１分
光感度、ＳＮ比（明抵抗／暗抵抗）あるいは耐久性や人
体への安全性等の光導電体として要求される性質が必ず
しも全てに亘って充分満足されるものではなく、ある程
度の妥協のもとに個々のケースにおいて選択して使用さ
れているのが現状であった。一方、アモルファスシリコ
ン（ａ −３ｉ）からなる光導電体が、高い光感度、高
耐久性および無公害等の優れた特徴を有し、優秀な光導
電材料として実用化が期待されている。
光感度、ＳＮ比（明抵抗／暗抵抗）あるいは耐久性や人
体への安全性等の光導電体として要求される性質が必ず
しも全てに亘って充分満足されるものではなく、ある程
度の妥協のもとに個々のケースにおいて選択して使用さ
れているのが現状であった。一方、アモルファスシリコ
ン（ａ −３ｉ）からなる光導電体が、高い光感度、高
耐久性および無公害等の優れた特徴を有し、優秀な光導
電材料として実用化が期待されている。
このアモルファスシリコン膜を基体の表面に形成するた
めの従来の光導電体の製造方法を第２図の装置の概略図
に基づいて説明する。第２図は、光導電体として複写機
の感光体ドラムを製造する場合を示すものであり、この
ため基体は筒状のアルミニウムのドラム１からなり、こ
のトラム１の外周側面上にアモルファスシリコン膜が形
成される。このドラム１は、まず反応室２内のドラムヒ
ータ３に装着される。ドラムヒータ３は、ドラムＩの内
径に密着して嵌まり込み、表面を均一に加熱することが
できる電熱器である。ドラム１がセットされると、反応
室２内を反応ガスの所定の雰囲気に設定し、ドラム１の
周囲両側に配置された放電電極４．４間に高周波電力が
印加される。すると、この放電電極４，４間にグロー放
電が発生し、ドラムヒータ３によって加熱されたドラム
１の表面にアモルファスシリコン膜が形成される。
めの従来の光導電体の製造方法を第２図の装置の概略図
に基づいて説明する。第２図は、光導電体として複写機
の感光体ドラムを製造する場合を示すものであり、この
ため基体は筒状のアルミニウムのドラム１からなり、こ
のトラム１の外周側面上にアモルファスシリコン膜が形
成される。このドラム１は、まず反応室２内のドラムヒ
ータ３に装着される。ドラムヒータ３は、ドラムＩの内
径に密着して嵌まり込み、表面を均一に加熱することが
できる電熱器である。ドラム１がセットされると、反応
室２内を反応ガスの所定の雰囲気に設定し、ドラム１の
周囲両側に配置された放電電極４．４間に高周波電力が
印加される。すると、この放電電極４，４間にグロー放
電が発生し、ドラムヒータ３によって加熱されたドラム
１の表面にアモルファスシリコン膜が形成される。
ところが、このような従来の光導電体の製造方法により
アモルファスシリコン膜を形成すると、膜上に欠陥を生
じる場合が多くなり、膜形成を終えたドラム１を感光体
ドラムとして複写機にセットし複写を行った場合にコピ
ーに白斑が生じる等の不都合が発生していた。このよう
なアモルファスシリコン膜上に生ずる欠陥の原因として
は、アモルファスシリコン膜形成前からドラム１の表面
上が汚れている場合と、アモルファスシリコン膜形成時
にドラム１」二に反応室２内のダストが付着する場合と
が考えられる。アモルファスシリコン膜形成前からのド
ラム１表面の汚れについては、前処理の洗浄行程を確実
に行うことにより防ＩＩ：することができる。ところが
、反応室２内はアモルファスシリコン膜の形成を行う度
ごとにＣＦ４ガスによるドライエツチングにより清掃を
行うので、反応室２内にドラムヒータ３があるとこのド
ラムヒータ３の外装材であるステンレス材も同時にエツ
チングされこれによりダストが発生ずることになる。こ
のため、従来の方法では、このダストが次の膜形成の際
にも反応室２内に残るためにアモルファスシリコン膜形
成時にドラム１上にダストが付着するのを完全に防止す
ることができなかった。
アモルファスシリコン膜を形成すると、膜上に欠陥を生
じる場合が多くなり、膜形成を終えたドラム１を感光体
ドラムとして複写機にセットし複写を行った場合にコピ
ーに白斑が生じる等の不都合が発生していた。このよう
なアモルファスシリコン膜上に生ずる欠陥の原因として
は、アモルファスシリコン膜形成前からドラム１の表面
上が汚れている場合と、アモルファスシリコン膜形成時
にドラム１」二に反応室２内のダストが付着する場合と
が考えられる。アモルファスシリコン膜形成前からのド
ラム１表面の汚れについては、前処理の洗浄行程を確実
に行うことにより防ＩＩ：することができる。ところが
、反応室２内はアモルファスシリコン膜の形成を行う度
ごとにＣＦ４ガスによるドライエツチングにより清掃を
行うので、反応室２内にドラムヒータ３があるとこのド
ラムヒータ３の外装材であるステンレス材も同時にエツ
チングされこれによりダストが発生ずることになる。こ
のため、従来の方法では、このダストが次の膜形成の際
にも反応室２内に残るためにアモルファスシリコン膜形
成時にドラム１上にダストが付着するのを完全に防止す
ることができなかった。
〈発明の目的〉
この発明は、このような事情に鑑みなされたものであっ
て、基体の加熱をヒータによらずイオンボンバード法に
よって行うことにより、ダスト発生源であるヒータを反
応室内から排除し、アモルファスシリコン膜に欠陥が生
じるのを防止することができる光導電体の製造方法を提
供することを目的とする。
て、基体の加熱をヒータによらずイオンボンバード法に
よって行うことにより、ダスト発生源であるヒータを反
応室内から排除し、アモルファスシリコン膜に欠陥が生
じるのを防止することができる光導電体の製造方法を提
供することを目的とする。
〈発明の構成および効果〉
この発明の光導電体の製造方法は、５ｊＨ４等からなる
反応ガスを導入した反応室内に基体を収めて加熱し、こ
の基体を挟むように配置した電極に高周波電力を印加す
ることにより、この基体の表面にアモルファスシリコン
膜を形成するグロー放電法による光導電体の製造方法に
おいて、基体の加熱を、反応室内に不活性ガスを満たし
た上で電極に高周波電力を印加するイオンボンバード法
を用いて行うことを特徴とする。
反応ガスを導入した反応室内に基体を収めて加熱し、こ
の基体を挟むように配置した電極に高周波電力を印加す
ることにより、この基体の表面にアモルファスシリコン
膜を形成するグロー放電法による光導電体の製造方法に
おいて、基体の加熱を、反応室内に不活性ガスを満たし
た上で電極に高周波電力を印加するイオンボンバード法
を用いて行うことを特徴とする。
この発明の光導電体の製造方法を上記のように構成する
と、基体の加熱のためのヒータが不要となり反応室内か
ら排除することができるので、清掃の際のドライエツチ
ングによりダストが発生ずるということがなくなる。こ
のため、反応室内のダストの発生原因を取り除くことが
できるので、アモルファスシリコン膜形成の際に基体」
−にダストが付着することもなくなり、したがってアモ
ルファスシリコン膜に欠陥が生じるのを防止することが
できる。
と、基体の加熱のためのヒータが不要となり反応室内か
ら排除することができるので、清掃の際のドライエツチ
ングによりダストが発生ずるということがなくなる。こ
のため、反応室内のダストの発生原因を取り除くことが
できるので、アモルファスシリコン膜形成の際に基体」
−にダストが付着することもなくなり、したがってアモ
ルファスシリコン膜に欠陥が生じるのを防止することが
できる。
〈実施例〉
第１図はこの発明の実施例である光導電体の製造方法を
説明するためのアモルファスシリコン膜形成装置の概略
図である。
説明するためのアモルファスシリコン膜形成装置の概略
図である。
この実施例の光導電体の製造方法を説明する。
アモルファスシリコン膜を形成する基体としては、従来
例と同じくアルミニウムの筒状のドラムｌを使用する。
例と同じくアルミニウムの筒状のドラムｌを使用する。
このドラム１は、フロン超音波洗浄槽および蒸気洗浄槽
において充分に表面を洗浄した後、反応室２内の支持体
５に装着する。この支持体５は、反応室２外の駆動装置
６と連結することによりドラム１を回転させることがで
きる。このようにしてドラム１のセントを終了すると、
排気バルブ７を開き真空ポンプ８によって反応室２内の
排気を行う。そして、補助バルブ９を開いてマスフロー
コントローラ１０により不活性ガスとしてＡｒガスのみ
を反応室２内に導入する。このとき、排気バルブ７を調
節して反応室２内の圧力が１．０ Ｔｏｒｒに保たれる
ようにする。このように反応室２内の雰囲気を設定した
後に放電電極４．４間に高周波電源１１から４ Ｍｔｌ
ｚ、 ５００ Ｗの高周波電力を印加する。すると、
ドラム１はイオンボンバード（ｉｏｎ ｂｏｍｂａｒｄ
ｍｅｎｔ）されて温度が上昇し、高周波電力印加後５０
分でこの温度上昇がほぼ飽和して３００°Ｃとなる。こ
のようにしてイオンボンバード法によりドラム１を加熱
した後に、再び排気バルブ７を開き真空ポンプ８によっ
て反応を開いてマスフローコントローラ１０によって所
定の混合比に調整された反応ガスを反応室２内に流入さ
せる。反応ガスは、ＳｉＨ４に、Ｈ２ベースのＢ２Ｈ６
、Ｎｏ、ＣＨ，またはＨ２のうち少な（とも一種類以上
のガスを目的に応じて所定の混合比に調整したものであ
る。このようにして反応室２内を反応ガスの雰囲気に設
定してからは、従来と同様にグロー放電法によりドラム
１の表面にアモルファスシリコン膜を形成する。なお、
高周波電源１１は、１〜４． Ｍ Ｉｌｚのものを使用
する４のが好ましい。
において充分に表面を洗浄した後、反応室２内の支持体
５に装着する。この支持体５は、反応室２外の駆動装置
６と連結することによりドラム１を回転させることがで
きる。このようにしてドラム１のセントを終了すると、
排気バルブ７を開き真空ポンプ８によって反応室２内の
排気を行う。そして、補助バルブ９を開いてマスフロー
コントローラ１０により不活性ガスとしてＡｒガスのみ
を反応室２内に導入する。このとき、排気バルブ７を調
節して反応室２内の圧力が１．０ Ｔｏｒｒに保たれる
ようにする。このように反応室２内の雰囲気を設定した
後に放電電極４．４間に高周波電源１１から４ Ｍｔｌ
ｚ、 ５００ Ｗの高周波電力を印加する。すると、
ドラム１はイオンボンバード（ｉｏｎ ｂｏｍｂａｒｄ
ｍｅｎｔ）されて温度が上昇し、高周波電力印加後５０
分でこの温度上昇がほぼ飽和して３００°Ｃとなる。こ
のようにしてイオンボンバード法によりドラム１を加熱
した後に、再び排気バルブ７を開き真空ポンプ８によっ
て反応を開いてマスフローコントローラ１０によって所
定の混合比に調整された反応ガスを反応室２内に流入さ
せる。反応ガスは、ＳｉＨ４に、Ｈ２ベースのＢ２Ｈ６
、Ｎｏ、ＣＨ，またはＨ２のうち少な（とも一種類以上
のガスを目的に応じて所定の混合比に調整したものであ
る。このようにして反応室２内を反応ガスの雰囲気に設
定してからは、従来と同様にグロー放電法によりドラム
１の表面にアモルファスシリコン膜を形成する。なお、
高周波電源１１は、１〜４． Ｍ Ｉｌｚのものを使用
する４のが好ましい。
この実施例の光導電体の製造方法を上記のように構成す
ると、ドラム１は、イオンボンバード法により一旦３０
０“Ｃまで加熱された後、反応室２内に反応ガスを導入
するまでの間に２５０℃まで低下する。しかしながら、
グロー放電法による放電が開始されると１５分後には温
度は２８０℃まで上昇し、その後その温度を維持するこ
とができる。アモルファスシリコン膜を多層構造とする
ためにその後反応室２内の反応ガスを入れ換えた場合に
も、その度に温度が約５０℃近く低下するが、高周波電
力を印加してグロー放電が開始されるとほぼ１５分でも
との設定値に戻る。
ると、ドラム１は、イオンボンバード法により一旦３０
０“Ｃまで加熱された後、反応室２内に反応ガスを導入
するまでの間に２５０℃まで低下する。しかしながら、
グロー放電法による放電が開始されると１５分後には温
度は２８０℃まで上昇し、その後その温度を維持するこ
とができる。アモルファスシリコン膜を多層構造とする
ためにその後反応室２内の反応ガスを入れ換えた場合に
も、その度に温度が約５０℃近く低下するが、高周波電
力を印加してグロー放電が開始されるとほぼ１５分でも
との設定値に戻る。
このため、この実施例の光導電体の製造方法は、ドラム
１を加熱するためのドラムヒータが不要となり反応室２
内から排除することができるので、清掃の際のドライエ
ソヂングによりダストが発生ずるということがなくなる
。したがって、反応室２内のダストの発生原因を取り除
くことができるので、アモルファスシリコン膜形成の際
にドラム１上にダストが付着することもなくなり、アモ
ルファスシリコン膜に欠陥が生じるのを防止する１の加
熱用に用いることができるので、装置が簡略化される。
１を加熱するためのドラムヒータが不要となり反応室２
内から排除することができるので、清掃の際のドライエ
ソヂングによりダストが発生ずるということがなくなる
。したがって、反応室２内のダストの発生原因を取り除
くことができるので、アモルファスシリコン膜形成の際
にドラム１上にダストが付着することもなくなり、アモ
ルファスシリコン膜に欠陥が生じるのを防止する１の加
熱用に用いることができるので、装置が簡略化される。
以下に、従来の光導電体の製造方法とこの実施例の光導
電体の製造方法とによって、第３図に示す条件でドラム
１の表面上に３層のアモルファスシリコン膜を形成し、
これを複写機の感光体ドラムとして使用した場合の、コ
ピーに生ずる白斑の多少を比較する。複写の条件は、ド
ラム周速２５４゜４層ｃｍ／秒〕、コロナ電流９０〔μ
Δ〕、バイアス１６４（Ｖ）とする。このときの感光体
の初期表面電位は５００（Ｖ）であった。第４図は、上
記の条件で各感光体ドラムについて複写を行い、このコ
ピーサンプルの白斑の個数をＡ ４ Ｉ’ｌ＋ １枚あ
たりに換算した結果を示す。第４図から明らかなように
、白斑の個数は、従来の光導電体の製造方法で製造した
感光体ドラムよりもこの実施例の製造方法で製造した感
光体ドラムの方が、いずれの大きさの白斑についても大
幅に減少している。
電体の製造方法とによって、第３図に示す条件でドラム
１の表面上に３層のアモルファスシリコン膜を形成し、
これを複写機の感光体ドラムとして使用した場合の、コ
ピーに生ずる白斑の多少を比較する。複写の条件は、ド
ラム周速２５４゜４層ｃｍ／秒〕、コロナ電流９０〔μ
Δ〕、バイアス１６４（Ｖ）とする。このときの感光体
の初期表面電位は５００（Ｖ）であった。第４図は、上
記の条件で各感光体ドラムについて複写を行い、このコ
ピーサンプルの白斑の個数をＡ ４ Ｉ’ｌ＋ １枚あ
たりに換算した結果を示す。第４図から明らかなように
、白斑の個数は、従来の光導電体の製造方法で製造した
感光体ドラムよりもこの実施例の製造方法で製造した感
光体ドラムの方が、いずれの大きさの白斑についても大
幅に減少している。
第１図はこの発明の実施例である光導電体の製造方法を
説明するためのアモルファスシリコン膜形成装置の概略
図、第２図は従来のアモルファスシリコン膜形成装置の
概略図、第３図は従来例と実施例の比較のために製造し
た感光体ドラムのアモルファスシリコン膜形成条件を示
す図、第４図は従来例と実施例とにおける白斑の個数の
比較結果を示す図である。 １−ドラム（基体）、２−反応室、 ４−放電電極。
説明するためのアモルファスシリコン膜形成装置の概略
図、第２図は従来のアモルファスシリコン膜形成装置の
概略図、第３図は従来例と実施例の比較のために製造し
た感光体ドラムのアモルファスシリコン膜形成条件を示
す図、第４図は従来例と実施例とにおける白斑の個数の
比較結果を示す図である。 １−ドラム（基体）、２−反応室、 ４−放電電極。
Claims (1)
- （１）ＳｉＨ＿４等からなる反応ガスを導入した反応室
内に基体を収めて加熱し、この基体を挟むように配置し
た電極に高周波電力を印加することにより、この基体の
表面にアモルファスシリコン膜を形成するグロー放電法
による光導電体の製造方法において、 基体の加熱を、反応室内に不活性ガスを満たした上で電
極に高周波電力を印加するイオンボンバード法を用いて
行うことを特徴とする光導電体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24015785A JPS6299462A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 光導電体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24015785A JPS6299462A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 光導電体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6299462A true JPS6299462A (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=17055340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24015785A Pending JPS6299462A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 光導電体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6299462A (ja) |
-
1985
- 1985-10-24 JP JP24015785A patent/JPS6299462A/ja active Pending
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