JPS62198872A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、アモルファスシリコンを主体とした電子写真
感光体の製造方法の改良に関するものである。

〈従来の技術〉 現在実用化されている電子写真感光体は、アモルファス
セレン（ａ−５ｅ）やアモルファスセレンひ素（ａ　　
Ａｓ２Ｓｅ３　）等のセレン系材料、硫化カドミウム粉
末を樹脂中に分散したＣｄＳ系材料、および有機系材料
を用いたものに大別できる。これらの内、セレン系材料
およびＣｄＳ系材料を用いた感光体は、耐熱性、保存安
定性に問題があり、また毒性を有するため簡単に廃棄す
ることができず、回収しなければならないという制約が
ある。

また、有機系材料を用いた感光体は保存安定性および毒
性に関しては問題が少ない反面、耐久性において他の材
料を用いた感光体より劣っている。

一方、アモルファスシリコンを主体とした電子写真感光
体（以下ａ−５ｉ感光体と略記する）は、優れた光感度
、耐久性、耐熱性、保存安定性、無公害性など電子写真
感光体として理想的な特性を兼ね備えているため、最も
重要な感光体の一つとして注目されている。

〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながらａ−３ｉ悪感光は、セレン系、ＣｄＳ系、
有機系等の感光体には見られなかった新たな問題点を有
しており、その実用化≦こあだって大きな障害となって
いる。

この問題点の一つが次に述べる膜欠陥の発生である。

ａ−５ｉ悪感光は、最も一般的には、真空槽内にモノシ
ランガスあるいはジシランガス等の原料ガスを導入し、
高周波電圧印加によるグロー放電を行なうことで前記の
原料ガスを分解し、導電性支持体上にアモルファスシリ
コンを主体とする感光層を堆積させる、いわゆるブラズ
ヤＣｖＤ法により製造されている。このようなプラズマ
ＣＶＤ法により作製したａ−３ｉ悪感光には、通常感光
膜全域にわたって直径数／ＡＡｍ−１００ｐの粒状突起
様の膜欠陥が見られる。このような膜欠陥は、感光体を
電子写真プロセスに適用した際に白斑、白抜は等の著し
い画像欠陥となって現われることがあり、特に高温雰囲
気中においては２０μｍ程屯 度０微小な膜欠陥であっても大きな＼像欠陥をひきおこ
すため、重大な問題となっている。従って前記膜欠陥の
発生を極力抑える事が強く望まれている。

本発明は、上記問題点に鑑みて創案されたものであり、
膜欠陥のない優れた感光体を得ることができる電子写真
感光体カ會廿唸の製造方法を提供することを目的として
いる。

〈問題点を解決するための手段及び作用〉本発明者らは
上記問題点を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、前記膜
欠陥の主な原因が真空槽内に導電性支持体を設置した後
、真空排気する際に装置内のダストが舞い上がり導電性
支持体上に付着するためであることを見出だした。この
導電性支持体上に付着したダストは数μｍ程度の大きさ
であっても、その上に堆積した感光膜が異常成長し、直
径子〜数十μｍの粒状突起様の欠陥を生ずることがしば
しばあり、このような微小なダストを真空槽内から完全
に除去することは側底不可能であり、従って後述する本
発明の製造方法が極めて有効である。

即ち、本発明の特徴はプラズマＣＶＤ法等により導電性
支持体上にアモルファスシリコンを主体とする感光膜を
堆積させる電子写真感光体の製造方法において、支持体
上に感光層を堆積する直前に、前記導電性支持体をＳ　
ｉ　Ｆ４　　ガス等のフッ化シリコン系ガスによるグロ
ー放電プラズマにさらす点にある。

導電性支持体を真空槽内に設置した後、真空排気、導電
性支持体加熱、原料ガス導入等の手順を経てグロー放電
を開始する直前までの間に導電性支持体表面へ付着する
ダストの大部分は、シリコンと水素より成るポリマー状
化合物である。導電性支持体をＳｉＦ４　ガス等のフッ
化シリコン系ガスによるグロー放電プラズマにさらすと
、導電性支持体表面に付着した前記のポリマー状化合物
は完全（こ分解され除去されるため、ダスト付着の殆ど
ない清浄な支持体表面を得ることができる。続いて原料
ガス導入およびグロー放電を行ない清浄な導電性支持体
上にアモルファスシリコンを主体とする感光膜を堆積さ
せるすることにより、感光膜の異常成長が大幅に減少し
、膜欠陥のない優れた感光体が得られることになる。

なお、本発明はプラズマＣＶＤ法以外に、スパッタ法、
蒸着法等の真空槽内でアモルファスシリコンを主体とす
る電子写真感光体を作製する場合にも適用可能である。

〈実施例〉 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。

第１図（ａ）及び（ｂｌはそれぞれ容量結合型プラズマ
ＣＶＤ装置の概略構成を示す縦断面図及び横断面図であ
る。

同図において、１は真空槽３内に設置された導電性支持
体、２は電極である。

導電性支持体ｌは直径１００Ｍ１．長へ３４ｏＩＩｒＭ
の高純度アルミニウム製の円筒体で、十分な溶剤洗浄の
後、真空槽３内に設置される。この状態で、真空槽３内
を１０　”ｔｏｒｒになるまで排気した後、フッ化シリ
コン系エツチングガスであるＳｉＦ　　がスを導入し、
表１のエツチング条件により、導電性支持体１と電極２
との間に高周波電圧を印加してグロー放電を起こし、導
電性支持体ｌの表面に付着したダスト等の付着物のエツ
チングを行う。

表１ 導電性支持体ｌの表面に付着しているダストの大部分は
、シリコンと水素よりなるポリマー状化合物であり、導
電性支持体ｌをフッ化シリコン系エツチングガスによる
グロー放電プラズマにさらすと、支持体表面に付着した
前記のポリマー状化合物は完全に分解され除去される。

なお、フッ化シリコン系エツチングガスとしては、前記
したＳｉＦ４の他に、Ｓｉ２　Ｆ６　、Ｓｉ３　ＦＢ等
の高次のガスを用いても良いことは言うまでもない。

次に、表２の成膜条件により、原料ガス導入およびグロ
ー放電を行い、ダストが除去された清浄な導電性支持体
Ｉ上にアモルファスシリコンを主体とする膜厚３０Ｐｍ
の感光膜を通常のプラズマＣＶＤ法により堆積形成する
。

表２ このようにして形成した電子写真感光体の感光膜の構造
を第２図に示す。同図において、４は下部層、５は第１
の中間層、６はアモルファスシリコン光導電層、７は第
２の中間層、８は表面層である。

コノようにして作製されたアモルファスシリコン感光体
の表面を顕微鏡観察したところ、１０μｍ以上の粒状突
起様の膜欠陥は全く見られなかった。

また、このアモルファスシリコン感光体ヲ市販の電子写
真方式複写機に装着して使用した結果、白斑、白抜は等
の画像欠陥の無い高品位の画像が得られた。

比較例 Ｓ　ｒ　Ｆ４によって導電性支持体１の表面のエラチク
゛１ ン憤を行わない以外は前記実施例と全く同様にして膜厚
３０μｍのａ−５ｉ悪感光を作製した結果、感光体表面
には１０ｕｍ以上の粒状突起様の膜欠陥が１平方センチ
メートル当り約２０個観察された。この感光体を市販の
電子写真方式複写機に装着して使用した結果、複写され
た画像の全面に無数の白斑が現れた。

〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、白斑。

白抜は等の画像欠陥の無い高品位の画像を得ることが出
来る膜欠陥のないアモルファスシリコン感光体を製造す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａｌ及び（ｂｌはそれぞれ本発明の製造方法に
用いられる容量結合型プラズマＣＶＤ装置の概略構成を
示す縦断面図および横断面図、第２図は本発明の製造方
法によって作製されたアモルファスシリコン感光体の感
光膜の構造を模式的に示した図である。 １・・・導電性支持体、２・・・電極、３・・・真空槽
、６・・・光導電層。 代理人　弁理士　杉　山　毅　至（他１名）第１Ｉ！ 濯２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファスシリコンを主体とした電子写真感光体
   の製造工程において、 真空槽内にフッ化シリコン系ガスを導入し、高周波電界
   を印加することにより得られるグロー放電プラズマ中に
   、導電性支持体表面をさらした後、 該導電性支持体上にアモルファスシリコンを主体とした
   感光層を堆積することを特徴とする電子写真感光体の製
   造方法。