JPH0212265A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPH0212265A JPH0212265A JP16447988A JP16447988A JPH0212265A JP H0212265 A JPH0212265 A JP H0212265A JP 16447988 A JP16447988 A JP 16447988A JP 16447988 A JP16447988 A JP 16447988A JP H0212265 A JPH0212265 A JP H0212265A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ産業上の利用分野
この発明はアモルファスシリコン（以下、ａ −Ｓｉと
いう、）系材料からなる電子写真感光体の製造方法に関
する。
いう、）系材料からなる電子写真感光体の製造方法に関
する。
（ｂ）従来の技術
導電性基体上にａ −Ｓｉ層を形成した電子写真感光体
く以下、ａ−３ｉ怒光体という。）は、無公害、高光怒
度、高硬度（Ｈｖ ： １５００〜２０００ ｋｇ ／
ｖａ ”）等の多くの優れた特性を有しているため理
想的な感光材料として開発が進められている。
く以下、ａ−３ｉ怒光体という。）は、無公害、高光怒
度、高硬度（Ｈｖ ： １５００〜２０００ ｋｇ ／
ｖａ ”）等の多くの優れた特性を有しているため理
想的な感光材料として開発が進められている。
ａ−５ｉ感光体は一般的にはプラズマＣＶＤ法。
スパッタリング法等の方法により製造されている、プラ
ズマＣＶＤ法は、アルミニウム等の感光体基体を装着し
た真空層中にモノシラン、ジシラン等の原料ガスを導入
し、高周波電力印加によるグロー放電によって原料ガス
を分解して、導電性基体上にａ−Ｓｉ層を堆積させるも
のである。またスパッタリング法はＳｉウェハをターゲ
ットとし、Ｈ２およびＡｒ、 Ｈｅ等の不活性ガスを導
入し高周波電力を印加したグロー放電を行うことにより
ターゲットをスパッタして導電性基体上にａ −５ｉ層
を堆積させるものである。
ズマＣＶＤ法は、アルミニウム等の感光体基体を装着し
た真空層中にモノシラン、ジシラン等の原料ガスを導入
し、高周波電力印加によるグロー放電によって原料ガス
を分解して、導電性基体上にａ−Ｓｉ層を堆積させるも
のである。またスパッタリング法はＳｉウェハをターゲ
ットとし、Ｈ２およびＡｒ、 Ｈｅ等の不活性ガスを導
入し高周波電力を印加したグロー放電を行うことにより
ターゲットをスパッタして導電性基体上にａ −５ｉ層
を堆積させるものである。
（Ｃ１発明が解決しようとする課題
しかしながら上述したような方法でａ −Ｓｉ感光体を
形成した場合、 ■ 成膜速度が遅い。
形成した場合、 ■ 成膜速度が遅い。
■ 原料ガスの利用効率が悪い。
■ 非常に多くの粉末状の５ｉ−Ｈポリマーが副産物と
して生成され、堆積中に導電性基体表面に付着して堆積
欠陥を生じさせる。
して生成され、堆積中に導電性基体表面に付着して堆積
欠陥を生じさせる。
■ 光導電層が充分な光感度を有するために導電性基体
を加熱しなければならない。
を加熱しなければならない。
等の問題があり、コスト高２歩留まりが悪い等の欠点が
ある。
ある。
そこで従来、磁場中の電子とマイクロ波との共鳴現象を
利用してプラズマを発生さセ成膜を行う電子サイクロト
ロン共鳴法（以下、ＥＣＲ法という、）による成膜装置
が用いられるようになっていた。このＥＣＲ法成膜装置
によれば、■ 比較的低い圧力（１０４〜１０− ’
ｔｏｒｒ）で安定したプラズマを生成することができる
ので、反応種の２次反応を抑えて５ｉ−Ｈポリマー等の
発生を防止できる。。
利用してプラズマを発生さセ成膜を行う電子サイクロト
ロン共鳴法（以下、ＥＣＲ法という、）による成膜装置
が用いられるようになっていた。このＥＣＲ法成膜装置
によれば、■ 比較的低い圧力（１０４〜１０− ’
ｔｏｒｒ）で安定したプラズマを生成することができる
ので、反応種の２次反応を抑えて５ｉ−Ｈポリマー等の
発生を防止できる。。
■ 電子のエネルギーが高く、プラズマＣＶＤ法と比較
して原料ガスの分解、励起、イオン化が著しく向上する
。
して原料ガスの分解、励起、イオン化が著しく向上する
。
■ 適度なイオン衝撃により導電性基体加熱なしでも光
感度の良い光導電層を得ることができる等の利点がある
。
感度の良い光導電層を得ることができる等の利点がある
。
しかしながらこのＥＣＲ法の成膜装置には、成膜時にマ
イクロ波導入窓付近で薄膜の堆積が生じ、マイクロ波が
充分にプラズマ室に導入されなくなってしまう問題があ
った。これは、マイクロ波の加熱によって導入窓付近の
温度が上昇して低抵抗の薄膜が堆積することにより、マ
イクロ波が反射されてしまうためであると考えられる。
イクロ波導入窓付近で薄膜の堆積が生じ、マイクロ波が
充分にプラズマ室に導入されなくなってしまう問題があ
った。これは、マイクロ波の加熱によって導入窓付近の
温度が上昇して低抵抗の薄膜が堆積することにより、マ
イクロ波が反射されてしまうためであると考えられる。
この発明は、マイクロ波導入窓付近での薄膜の堆積を防
止する電子写真感光体の製造方法を提供することを目的
とする。
止する電子写真感光体の製造方法を提供することを目的
とする。
（ｄ）課題を解決するための手段
この発明は、ＥＣＲ法の成膜装置で光導電層を形成する
ときに、原料ガスとしてハロゲンを含む原料ガスまたは
、エツチングガスを混入した原料ガスを用いたことを特
徴としている。
ときに、原料ガスとしてハロゲンを含む原料ガスまたは
、エツチングガスを混入した原料ガスを用いたことを特
徴としている。
（ｅ）作用
この発明によれば、エツチングガスまたはハロゲンを含
む原料ガスによりマイクロ波導入窓付近で堆積する薄膜
がエツチングされ、マイクロ波導入窓から導入されるマ
イクロ波が反射されてしまうことがなくなる。したがっ
てプラズマの発生が充分に行われて成膜が進行される。
む原料ガスによりマイクロ波導入窓付近で堆積する薄膜
がエツチングされ、マイクロ波導入窓から導入されるマ
イクロ波が反射されてしまうことがなくなる。したがっ
てプラズマの発生が充分に行われて成膜が進行される。
（ｆ）実施例
第４図はＥＣＲ堆積装置の概略図である。
装置はプラズマ室１と堆積室２とを有している。プラズ
マ室１と堆積室２とはプラズマ引出窓で通じており、図
示しない油拡散ポンプ、油回転ポンプにより真空排気さ
れる。プラズマ室１は空胴共振器構成でなり、導波管４
から２．４５ＧＨｚのマイクロ波が導入される。なお、
マイクロ波導入窓５はマイクロ波が通過できる石英ガラ
ス板で構成されている。従来成膜時にこのマイクロ波導
入窓５に薄膜の堆積が生じ、マイクロ波がプラズマ室１
に導入されなくなっていた。この発明はそれを防止する
ためのものである。プラズマ室１にはＨ，Ｉｌｅ、 Ｎ
、、 Ａｒ等の不活性ガスが導入される。プラズマ室１
の周囲には磁気コイル６．７が配置されている。磁気コ
イル６はプラズマ発生磁界（８７５Ｇ ）を発生させ、
磁気コイル７はプラズマ室１で発生したプラズマを堆積
室２に引き出すための発散磁界を発生する。
マ室１と堆積室２とはプラズマ引出窓で通じており、図
示しない油拡散ポンプ、油回転ポンプにより真空排気さ
れる。プラズマ室１は空胴共振器構成でなり、導波管４
から２．４５ＧＨｚのマイクロ波が導入される。なお、
マイクロ波導入窓５はマイクロ波が通過できる石英ガラ
ス板で構成されている。従来成膜時にこのマイクロ波導
入窓５に薄膜の堆積が生じ、マイクロ波がプラズマ室１
に導入されなくなっていた。この発明はそれを防止する
ためのものである。プラズマ室１にはＨ，Ｉｌｅ、 Ｎ
、、 Ａｒ等の不活性ガスが導入される。プラズマ室１
の周囲には磁気コイル６．７が配置されている。磁気コ
イル６はプラズマ発生磁界（８７５Ｇ ）を発生させ、
磁気コイル７はプラズマ室１で発生したプラズマを堆積
室２に引き出すための発散磁界を発生する。
堆積室２にはたとえばＩｋｌ等からなるドラム状の導電
性基体８が装着される。導電性基体８は支持体により回
転可能に支持され、それにより表面上に均一にａ−Ｓｉ
が堆積される。堆積室２にはａ−ｓｉＮの原料ガスが導
入される。原料ガスには通常、原料の水素化合物等が用
いられるが、この発明の成膜方法では原料を含む原料ガ
スにエツチングガスを混入したり、また原料のハロゲン
化合物を原料ガスとして用い、これによりマイクロ波導
入窓５付近に薄膜が堆積してしまうのを防止している。
性基体８が装着される。導電性基体８は支持体により回
転可能に支持され、それにより表面上に均一にａ−Ｓｉ
が堆積される。堆積室２にはａ−ｓｉＮの原料ガスが導
入される。原料ガスには通常、原料の水素化合物等が用
いられるが、この発明の成膜方法では原料を含む原料ガ
スにエツチングガスを混入したり、また原料のハロゲン
化合物を原料ガスとして用い、これによりマイクロ波導
入窓５付近に薄膜が堆積してしまうのを防止している。
なお原料とは通常ａ −５ｉ層のベースとなるＳｉを指
すが、ａ −３ｉ層をｐ型半導体またはｎ型半導体とし
て形成する場合にはＢ等をドープするためのＢを（ｐ型
半導体）、Ｐ等をドープするためのＰを（ｎ型半導体）
を含む。
すが、ａ −３ｉ層をｐ型半導体またはｎ型半導体とし
て形成する場合にはＢ等をドープするためのＢを（ｐ型
半導体）、Ｐ等をドープするためのＰを（ｎ型半導体）
を含む。
具体的なエツチングガスとしてはＮＦ：ｌ 、 ５ｉＣ
ｈ、 Ｃ１ｚ 、 ＨＣＩ 、 ＨＦ等が用いられる。
ｈ、 Ｃ１ｚ 、 ＨＣＩ 、 ＨＦ等が用いられる。
なお、ａ −３ｉ悪感光の光導電層（後述するように、
ａ −５ｉ感光体はブロッキング層、光導電層９表面層
を有している。）を成膜するとき、エツチングガスとし
てＣ，Ｓ等を含むもの、たとえばＣＦａ 、 Ｃ２Ｆ４
． ＣＪ８、 ＣＨｈ、 ＳＦ４ 、 ＣＣｌ４． Ｃ
ＣＩ□Ｆ、、 ＣＣＩ：ＩＦ等を用いるとＣ１Ｓ等がコ
ンタミネーションとして層中に取り込まれ、光導電層の
特性が変化してしまうことがあるので好ましくない。ま
たエツチングガスを原料ガスに混入させる他に原料ガス
そのものにハロゲン化合物を用いても良（、Ｓｉ原料の
ハロゲン化合物としては、５ｉＨ２Ｃｈ 、 ５ｉｌｌ
ＣＩ３．５ｉｚＦ６ 、５ｉＨＩＦ 、 ５ｉｌ１２Ｆ
ｚ、 ５ｉＨＦ２等が、ＢまたはＰ原料のハロゲン化合
物としてはＢＦ３ 、 ＰＦ３． ＰＦｓ等がある以下
、ａ −Ｓｉ層の成膜方法の説明をする。
ａ −５ｉ感光体はブロッキング層、光導電層９表面層
を有している。）を成膜するとき、エツチングガスとし
てＣ，Ｓ等を含むもの、たとえばＣＦａ 、 Ｃ２Ｆ４
． ＣＪ８、 ＣＨｈ、 ＳＦ４ 、 ＣＣｌ４． Ｃ
ＣＩ□Ｆ、、 ＣＣＩ：ＩＦ等を用いるとＣ１Ｓ等がコ
ンタミネーションとして層中に取り込まれ、光導電層の
特性が変化してしまうことがあるので好ましくない。ま
たエツチングガスを原料ガスに混入させる他に原料ガス
そのものにハロゲン化合物を用いても良（、Ｓｉ原料の
ハロゲン化合物としては、５ｉＨ２Ｃｈ 、 ５ｉｌｌ
ＣＩ３．５ｉｚＦ６ 、５ｉＨＩＦ 、 ５ｉｌ１２Ｆ
ｚ、 ５ｉＨＦ２等が、ＢまたはＰ原料のハロゲン化合
物としてはＢＦ３ 、 ＰＦ３． ＰＦｓ等がある以下
、ａ −Ｓｉ層の成膜方法の説明をする。
ａ−３ｉ悪感光は一般に第５図に示すような構造でなる
。すなわち、／１等からなる導電性基体８上に、ブロッ
キング層ＩＬ光導電層１２、表面層１３の三層のａ −
３ｉ層が成膜されたものである。ブロッキング層１１は
Ｂを含むａ −５ｉ ： Ｎ ： ０：Ｈ：Ｘ（ハロゲ
ン）からなる層、光導電層１２はＢを含むａＳｉ：１１
：Ｘからなる層、表面層１３はａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｘから
なる層である。
。すなわち、／１等からなる導電性基体８上に、ブロッ
キング層ＩＬ光導電層１２、表面層１３の三層のａ −
３ｉ層が成膜されたものである。ブロッキング層１１は
Ｂを含むａ −５ｉ ： Ｎ ： ０：Ｈ：Ｘ（ハロゲ
ン）からなる層、光導電層１２はＢを含むａＳｉ：１１
：Ｘからなる層、表面層１３はａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｘから
なる層である。
く例１〉
第１図はＣ２Ｓを含まないエツチングガスを原料ガス中
に混入した場合のａ −５ｉ層成膜条件を表した図であ
る。図示するようにブロッキング層。
に混入した場合のａ −５ｉ層成膜条件を表した図であ
る。図示するようにブロッキング層。
光導電層５表面層のそれぞれにエツチング効果を示す５
ｉＦａを混入し、１．５時間の成膜処理を行ったが、Ｓ
ｉＦ４によりマイクロ波導入窓５付近に堆積する薄膜が
エツチングされるので成膜途中でマイクロ波が反射され
てしまうことがなく良好な成膜処理を行うことができた
。また成膜終了後マイクロ波導入窓５付近での薄膜の堆
積は見られなかった。なお、この例ではＣ１Ｓを含まな
いエンチングガスを用いているため、コンタミネーショ
ンの影響はない。
ｉＦａを混入し、１．５時間の成膜処理を行ったが、Ｓ
ｉＦ４によりマイクロ波導入窓５付近に堆積する薄膜が
エツチングされるので成膜途中でマイクロ波が反射され
てしまうことがなく良好な成膜処理を行うことができた
。また成膜終了後マイクロ波導入窓５付近での薄膜の堆
積は見られなかった。なお、この例ではＣ１Ｓを含まな
いエンチングガスを用いているため、コンタミネーショ
ンの影響はない。
く例２〉
第２図はａ−Ｓｉの層ごとにそれぞれ異なるエツチング
ガスを混入した場合の成膜条件を表した図であり、この
例ではブロッキング層にはＮＦ、を、光導電層にはＳｉ
Ｆ＜を、表面層にはＣＦ、をそれぞれ混入している。こ
の場合ブロッキング層にはＮが、表面層にはＣがそれぞ
れ取り込まれるが、ブロッキング層１表面層の役割上そ
れらはむしろ望ましく、これらが取り込まれることの悪
影響はない。このようなエツチングガスをン昆大して〈
例１〉と同様の成膜処理を行ったところマイクロ波導入
窓５に薄膜が堆積することなく、良好な成膜を行うこと
ができた。
ガスを混入した場合の成膜条件を表した図であり、この
例ではブロッキング層にはＮＦ、を、光導電層にはＳｉ
Ｆ＜を、表面層にはＣＦ、をそれぞれ混入している。こ
の場合ブロッキング層にはＮが、表面層にはＣがそれぞ
れ取り込まれるが、ブロッキング層１表面層の役割上そ
れらはむしろ望ましく、これらが取り込まれることの悪
影響はない。このようなエツチングガスをン昆大して〈
例１〉と同様の成膜処理を行ったところマイクロ波導入
窓５に薄膜が堆積することなく、良好な成膜を行うこと
ができた。
〈例３〉
さらにハロゲンを含む原料ガス例えば５ｉＨｚＣＩ□を
用いて成膜処理を行った。この成膜条件を第３図に示す
。このようなハロゲンを含む原料ガスを用いることによ
り、コンタミネーションがなく良好な成膜を行うことが
できる。この場合も上記の例と同様にマイクロ波導入窓
５に薄膜が堆積するとこなく、良好な成膜を行うことが
できた。
用いて成膜処理を行った。この成膜条件を第３図に示す
。このようなハロゲンを含む原料ガスを用いることによ
り、コンタミネーションがなく良好な成膜を行うことが
できる。この場合も上記の例と同様にマイクロ波導入窓
５に薄膜が堆積するとこなく、良好な成膜を行うことが
できた。
なお上記３例において、その成膜速度は２３μｍ程度、
原料ガスの利用効率は４９％程度でありプラズマＣＶＤ
装置を用いた場合に比べ速く、しかも効率良（成膜処理
を行うことができる。また、成膜途中で粉末状の５ｔ−
Ｈポリマーが発生することがないので成膜欠陥が生じる
こともない。
原料ガスの利用効率は４９％程度でありプラズマＣＶＤ
装置を用いた場合に比べ速く、しかも効率良（成膜処理
を行うことができる。また、成膜途中で粉末状の５ｔ−
Ｈポリマーが発生することがないので成膜欠陥が生じる
こともない。
なお、この発明の成膜の方法は電子写真感光体の製造に
限らず、太陽電池２イメージセンサ、液晶とａ−３ｔと
を積層した光情報記録デバイスの製造等にも応用可能で
ある。
限らず、太陽電池２イメージセンサ、液晶とａ−３ｔと
を積層した光情報記録デバイスの製造等にも応用可能で
ある。
（ｇ１発明の効果
この発明の電子写真感光体の製造方法によれば、ａ−Ｓ
ｉ層の成膜時にマイクロ波導入窓に薄膜が堆積してしま
うのを防止することができるので、成膜時間が長時間で
あっても安定してマイクロ波をマイクロ波導入窓から導
入させることができ、良好な成膜を行うことができる。
ｉ層の成膜時にマイクロ波導入窓に薄膜が堆積してしま
うのを防止することができるので、成膜時間が長時間で
あっても安定してマイクロ波をマイクロ波導入窓から導
入させることができ、良好な成膜を行うことができる。
第１図はアモルファスシリコン層の成膜条件の一例を示
した図であり、第２図、第３図は同成膜条件の他の例を
示した図である。また第４図はＥＣＲ法の成膜装置の概
略図、第５図は電子写真感光体の構造を表した図である
。 一導波管、 一マイクロ波導入窓（石英ガラス） −導電性基体、 ■−プロフキング層、 ２−光導電層、 ３−表面層。
した図であり、第２図、第３図は同成膜条件の他の例を
示した図である。また第４図はＥＣＲ法の成膜装置の概
略図、第５図は電子写真感光体の構造を表した図である
。 一導波管、 一マイクロ波導入窓（石英ガラス） −導電性基体、 ■−プロフキング層、 ２−光導電層、 ３−表面層。
Claims (1)
- （１）アモルファスシリコン層を電子サイクロトロン共
鳴法により形成するに際し、 ハロゲンを含む原料ガスまたは、エッチングガスを混入
した原料ガスを用いたことを特徴とする電子写真感光体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16447988A JPH0212265A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16447988A JPH0212265A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212265A true JPH0212265A (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=15793956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16447988A Pending JPH0212265A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0212265A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002335835A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-26 | Shimano Inc | 両軸受リールのドラグ調整機構 |
| JP2011050399A (ja) * | 2010-12-16 | 2011-03-17 | Shimano Inc | 両軸受リールのドラグ調整機構 |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP16447988A patent/JPH0212265A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002335835A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-26 | Shimano Inc | 両軸受リールのドラグ調整機構 |
| JP2011050399A (ja) * | 2010-12-16 | 2011-03-17 | Shimano Inc | 両軸受リールのドラグ調整機構 |
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