JPS605880A - 水素化アモルフアスシリコン製造装置 - Google Patents
水素化アモルフアスシリコン製造装置Info
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- JPS605880A JPS605880A JP11333883A JP11333883A JPS605880A JP S605880 A JPS605880 A JP S605880A JP 11333883 A JP11333883 A JP 11333883A JP 11333883 A JP11333883 A JP 11333883A JP S605880 A JPS605880 A JP S605880A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、水素化アモルファスシリコン製造装置に関す
るものである。さらに詳しくは、本発明は、原料カスの
グロー放電による分解を利用する水素化アモルファスシ
リコン製造具４の改良に関するものである。
るものである。さらに詳しくは、本発明は、原料カスの
グロー放電による分解を利用する水素化アモルファスシ
リコン製造具４の改良に関するものである。
グロー放電を利用して水、に化アモルファス（Ｊ１品質
）シリコン層を形成する方法として、支持体が置かれて
いる減圧系に原字゛１カス（シランもしくはシラン誘導
体、水素カス、あるいはその他の添加成分を含むガス）
を導入し、そこでグロー放電を行なわせることにより原
料ガスを分解して、該支持体表面上に水素化アモルファ
スシリコン層を積層形成する方法が知られている。この
方法は、Ｇ Ｄ −ＣＶ Ｄ （ｃｔｏｗ ＤＩＳＣＨ
ＡＲＧＥ−ＣＩＩＥＭＩＧＡＬ ＶＡＰＯＲＤＥＰＯ８
ＩＴＩＯＮ）法とも呼ばれ、水素化アモルファスシリコ
ンを形成する方法として一般的に利用されている。
）シリコン層を形成する方法として、支持体が置かれて
いる減圧系に原字゛１カス（シランもしくはシラン誘導
体、水素カス、あるいはその他の添加成分を含むガス）
を導入し、そこでグロー放電を行なわせることにより原
料ガスを分解して、該支持体表面上に水素化アモルファ
スシリコン層を積層形成する方法が知られている。この
方法は、Ｇ Ｄ −ＣＶ Ｄ （ｃｔｏｗ ＤＩＳＣＨ
ＡＲＧＥ−ＣＩＩＥＭＩＧＡＬ ＶＡＰＯＲＤＥＰＯ８
ＩＴＩＯＮ）法とも呼ばれ、水素化アモルファスシリコ
ンを形成する方法として一般的に利用されている。
このＣＤ−ＣＶＤ法は一般に、各種の形ｙ八：の製造装
置を利用して行なわれるが、それらの水素化アモルファ
スシリコン製造装置に共通していることは、グロー放電
発生器を内部に収納した害閉容器の形ｍ；にあるグロー
放電装置、該放電装置に原料カスを供給するだめのガス
供給系（原料ガス供３１′ｉ系）、該放電装置を真空状
態とするための真空１ノ１気系、および該放電装置に不
活性気体を導入するためのリーク系を含むことである。
置を利用して行なわれるが、それらの水素化アモルファ
スシリコン製造装置に共通していることは、グロー放電
発生器を内部に収納した害閉容器の形ｍ；にあるグロー
放電装置、該放電装置に原料カスを供給するだめのガス
供給系（原料ガス供３１′ｉ系）、該放電装置を真空状
態とするための真空１ノ１気系、および該放電装置に不
活性気体を導入するためのリーク系を含むことである。
」−記の構成からなる製造装置を利用して水素化アモル
ファスシリコン（ａ−３ｉＨ）からなる層を形成する操
作は次のようにして行なわれる。
ファスシリコン（ａ−３ｉＨ）からなる層を形成する操
作は次のようにして行なわれる。
まず、グロー放電装置の内部に支持体を置いたのち、真
空１ノ１気系を作動させてグロー放電装置の内部を高真
空の状態とする。次に、ガス供給系を介して、原料カス
（シランもしくはシラン誘導体、水素カス、あるいはそ
の他の添加成分を含むガス、たとえば、メタン、エタン
などの炭化水素、六弗化エタンなどのハロゲン含有化合
物、水素化ホウ；もなどのホウ素含有化合物）および希
釈ガス（窒素ガスなど）をグロー放電装置に導入し、次
いでグロー放電を発生させる。このグロー放電によって
原料ガスは分解され、その一部もしくは大部分は前記支
持体表面に積層されて水素化アモルファスシリコン層と
なる。そして最後に、リーク系より窒素ガスなどの不活
性ガスをグロー放電装置内に導入して、その内部を常圧
に戻し、水素化アモルファスシリコン層が付設された支
持体を取り出す。
空１ノ１気系を作動させてグロー放電装置の内部を高真
空の状態とする。次に、ガス供給系を介して、原料カス
（シランもしくはシラン誘導体、水素カス、あるいはそ
の他の添加成分を含むガス、たとえば、メタン、エタン
などの炭化水素、六弗化エタンなどのハロゲン含有化合
物、水素化ホウ；もなどのホウ素含有化合物）および希
釈ガス（窒素ガスなど）をグロー放電装置に導入し、次
いでグロー放電を発生させる。このグロー放電によって
原料ガスは分解され、その一部もしくは大部分は前記支
持体表面に積層されて水素化アモルファスシリコン層と
なる。そして最後に、リーク系より窒素ガスなどの不活
性ガスをグロー放電装置内に導入して、その内部を常圧
に戻し、水素化アモルファスシリコン層が付設された支
持体を取り出す。
以上の操作が終了したのち、新たな支持体をグロー放電
装置内に置き、上記の操作を繰り返すことにより、同様
にして水素化アモルファスシリコン層が旧設された支持
体を得ることができる。すなわち、 ＩＩＱにはこのよ
うな操作を繰り返すことにより所望の数の水素化アモル
ファスシリコン層が付設された支持体を製造している。
装置内に置き、上記の操作を繰り返すことにより、同様
にして水素化アモルファスシリコン層が旧設された支持
体を得ることができる。すなわち、 ＩＩＱにはこのよ
うな操作を繰り返すことにより所望の数の水素化アモル
ファスシリコン層が付設された支持体を製造している。
」−記の装置を用いた水素化アモルファスシリコンの製
造方法は作業性にも優れており、実用的に優れた方法で
あるが、本発明者の検討によると、得られるａ−３ｉＨ
層にピンホールが発生しやすいとの欠点があることがわ
かった。たとえは、ａ−３ｉＨ層の代表的な用途の一つ
として、光４電性層としての利用が知られているが、ピ
ンホールが発生したａ−３ｉＨ層は、その層にバイアス
を印加した時に導通が発生するため、光導電層として用
いることかできないとの問題がある。
造方法は作業性にも優れており、実用的に優れた方法で
あるが、本発明者の検討によると、得られるａ−３ｉＨ
層にピンホールが発生しやすいとの欠点があることがわ
かった。たとえは、ａ−３ｉＨ層の代表的な用途の一つ
として、光４電性層としての利用が知られているが、ピ
ンホールが発生したａ−３ｉＨ層は、その層にバイアス
を印加した時に導通が発生するため、光導電層として用
いることかできないとの問題がある。
本発明者は、ＧＤ−ＣＶＤ法を利用する水素化アモルフ
ァスシリコンの製造方が、において発生するピンポール
の原因の究明を行なった結果、原本゛）カスのグロー放
電による分解生成物で未だ支持体に積層せず空中を粉末
状にて浮遊していたもの、あるいは支持体以外に４＝Ｊ
着した分解生成物などが製造工程の−・サイクル終了時
のリーク工程において、原料カス供給系に逆流してその
系内に４＝Ｊ着もしくは堆積し、次の製造サイクルにお
ける原料カスの供給時に原字゛ｌガスと一緒にグロー放
゛Ｉシ装置内に・９人されて、不純物として支１１体表
面に付着するか、あるいは積層されるａ−３ｉＨ層に混
入することが上記ピンホールの発生の主原因であること
を見いだした。そしてこのような不純物の混入は、水素
化アモルファスシリコン製造装置のリーク系の配置を従
来の装置における配置とは相違させて、カス供給系に付
設することにより回避することが可能とｄることを見い
出して本発明に到達した。
ァスシリコンの製造方が、において発生するピンポール
の原因の究明を行なった結果、原本゛）カスのグロー放
電による分解生成物で未だ支持体に積層せず空中を粉末
状にて浮遊していたもの、あるいは支持体以外に４＝Ｊ
着した分解生成物などが製造工程の−・サイクル終了時
のリーク工程において、原料カス供給系に逆流してその
系内に４＝Ｊ着もしくは堆積し、次の製造サイクルにお
ける原料カスの供給時に原字゛ｌガスと一緒にグロー放
゛Ｉシ装置内に・９人されて、不純物として支１１体表
面に付着するか、あるいは積層されるａ−３ｉＨ層に混
入することが上記ピンホールの発生の主原因であること
を見いだした。そしてこのような不純物の混入は、水素
化アモルファスシリコン製造装置のリーク系の配置を従
来の装置における配置とは相違させて、カス供給系に付
設することにより回避することが可能とｄることを見い
出して本発明に到達した。
すなわち本発明は、グロー放電装置、該放電装置に原料
ガスを供給するためのガス供給系、該放電装置を真空状
態とするための真空排気系、および該放゛−し装置に不
活性気体を心入するためのリーク系を含む水素化アモル
ファスシリコン製造’Ａ ｌ’１において、該リーク系
が上記ガス供給系に旧設されていることを特徴とする装
置からなるものである。
ガスを供給するためのガス供給系、該放電装置を真空状
態とするための真空排気系、および該放゛−し装置に不
活性気体を心入するためのリーク系を含む水素化アモル
ファスシリコン製造’Ａ ｌ’１において、該リーク系
が上記ガス供給系に旧設されていることを特徴とする装
置からなるものである。
次に本発明を添付図面を参照しながら詳しく説明する。
第１図は、静電複写装置で用いられるドラム型感光体を
ＧＤ−ＣＶＤ法を利用して製造する際なとに従来より用
いられているペルジャー型水素化アモルファスシリコン
製造装置の構成を示す図である。
ＧＤ−ＣＶＤ法を利用して製造する際なとに従来より用
いられているペルジャー型水素化アモルファスシリコン
製造装置の構成を示す図である。
すなわち、第１図のペルジャー型水素化アモルファスシ
リコン製造装置は、基本的に、グロー放電装置１１、該
放電装置に原料ガスを供給するためのカス供給系１２、
該放電装置を真空状ｙＥとするための真空υ１気系１３
、および詠放電装置に不活性気体を導入するだめのリー
ク系１４かも構成されている。従来の装置では、リーク
系１４は第１１図に７１＜されているように真空刊気系
１３に旧設されている。
リコン製造装置は、基本的に、グロー放電装置１１、該
放電装置に原料ガスを供給するためのカス供給系１２、
該放電装置を真空状ｙＥとするための真空υ１気系１３
、および詠放電装置に不活性気体を導入するだめのリー
ク系１４かも構成されている。従来の装置では、リーク
系１４は第１１図に７１＜されているように真空刊気系
１３に旧設されている。
第１図の装置を用いて、静電複写装置で用いられるトラ
ム型感光体（導電性トラム型支持体の表面に水素化アモ
ルファスシリコン光導電層が旧設されたもの）を製造す
る方法を例にとって、該装置の操作を次に述べる。
ム型感光体（導電性トラム型支持体の表面に水素化アモ
ルファスシリコン光導電層が旧設されたもの）を製造す
る方法を例にとって、該装置の操作を次に述べる。
まずグロー放電装置ｉ’ｉ ｌ １の回転支持台（陰極
）１５」−に導電性ドラム型支持体１６を置いた後、真
空１ノ１気系１３を作動させてグロー放電装置１１の内
部を高真空の状態とする。次に、ガス供給系１２を介し
て、原料ガス（シランもしくはシランｌｉｄ導体、水、
（・５カス、および所望により、炭ふ原ｒ−含有化合物
、ハロゲン含有化合物、ホウ素含有化合物など）そして
窒よガスなどの希釈ガスをグロー放゛屯装置１１に・６
人する。これらのカスは、ガス供給系１２を通り、原料
ガス放出口１２ａからグロー放電装置１１内に放出され
る。
）１５」−に導電性ドラム型支持体１６を置いた後、真
空１ノ１気系１３を作動させてグロー放電装置１１の内
部を高真空の状態とする。次に、ガス供給系１２を介し
て、原料ガス（シランもしくはシランｌｉｄ導体、水、
（・５カス、および所望により、炭ふ原ｒ−含有化合物
、ハロゲン含有化合物、ホウ素含有化合物など）そして
窒よガスなどの希釈ガスをグロー放゛屯装置１１に・６
人する。これらのカスは、ガス供給系１２を通り、原料
ガス放出口１２ａからグロー放電装置１１内に放出され
る。
ドラム型支持体１６はグロー放電装：ξ内で、電気的加
熱装置１７により間接的に加熱される。
熱装置１７により間接的に加熱される。
次に、原料カス放出１１（アース電極）１２ａとドラム
型支持体（陰極）１５との間に高圧電源１８により高電
圧が印加され、これによって、グロー放電装置１１内に
放出された原料ガス等を介するグロー放電が発生し、原
料カスが分解する。
型支持体（陰極）１５との間に高圧電源１８により高電
圧が印加され、これによって、グロー放電装置１１内に
放出された原料ガス等を介するグロー放電が発生し、原
料カスが分解する。
この原料ガスの分解生成物は回転ドにあるトラム型支持
体１５の表面に付着し積層される。なお。
体１５の表面に付着し積層される。なお。
これらの操作の間、真空υ１気系１３の作動は、バイパ
ス系１９を適宜調整しなから継続される。
ス系１９を適宜調整しなから継続される。
クロー放電を所定の時間性ないドラム型支持体１５の表
面−Ｌに分解生成物を所定の厚さに積層させ、水素化ア
モルファスシリコン層を得る。そして最後に、リーク系
１４から窒素カスなどの不活性カスをグロー放電装置１
１内にゆっくり導入して、その内部を常圧に戻し、水ふ
化アモルファスシリコン層が旧設されたドラム型支持体
１６を取り出す。
面−Ｌに分解生成物を所定の厚さに積層させ、水素化ア
モルファスシリコン層を得る。そして最後に、リーク系
１４から窒素カスなどの不活性カスをグロー放電装置１
１内にゆっくり導入して、その内部を常圧に戻し、水ふ
化アモルファスシリコン層が旧設されたドラム型支持体
１６を取り出す。
本発明名か見い出したところによれは、−１ｚ記のリー
ク系１４からの不活＋１ガスの尋人を行なった際に、原
本ｌカスの分解生成物で末だ支持体１６の表面にｊｓ′
ｌ１層せず、空中を粉末状にて浮遊していたもの、ある
いは支持体以外に付着していた分解生成物などが、原料
ガス放出Ｌｌ ｌ ２ ａから原料ガス供給系１２に逆
流してその系内に刺着もしくは堆積する。そして、次の
製造サイクルにおける原＃ｌガスの供給時に、それらの
付着もしくは堆積した分解生成物などが原料カスおよび
箱状ガスと一緒にグロー放電装置内に＋ｌｊｌ導度され
て、不純物として支持体表面に付着するか、あるいは積
層されるａ−３ｉＨ層に混入し、これらがａ−３ｉＨ層
のピンホールの原因となる。
ク系１４からの不活＋１ガスの尋人を行なった際に、原
本ｌカスの分解生成物で末だ支持体１６の表面にｊｓ′
ｌ１層せず、空中を粉末状にて浮遊していたもの、ある
いは支持体以外に付着していた分解生成物などが、原料
ガス放出Ｌｌ ｌ ２ ａから原料ガス供給系１２に逆
流してその系内に刺着もしくは堆積する。そして、次の
製造サイクルにおける原＃ｌガスの供給時に、それらの
付着もしくは堆積した分解生成物などが原料カスおよび
箱状ガスと一緒にグロー放電装置内に＋ｌｊｌ導度され
て、不純物として支持体表面に付着するか、あるいは積
層されるａ−３ｉＨ層に混入し、これらがａ−３ｉＨ層
のピンホールの原因となる。
」−記の問題点の解決を可能とした本発明の装置は、前
述のように、す・−り系が原料カスの供給系に旧設され
ていることを特徴としている。
述のように、す・−り系が原料カスの供給系に旧設され
ていることを特徴としている。
原料カスの供給系にリーク系を付設した構成としては各
種の１ム様があり、その例としては、０′５２１Ａに示
した三カコ・ンクを利用する構成、および第３図に示し
た原料カス供給系の途中にリーク系を挿入する構成など
を挙げることができる。
種の１ム様があり、その例としては、０′５２１Ａに示
した三カコ・ンクを利用する構成、および第３図に示し
た原料カス供給系の途中にリーク系を挿入する構成など
を挙げることができる。
すなわち前慴の構成は、第１図の原料ガス供給系１２の
途中に設けられている開閉コンク１２ｂを、第２図の三
方コック１２ｃに置き変え、その部分にリーク系となる
管１４ａを付設した構成である。リーク系をこのような
構成とした場合の操作は、原料ガスのグロー放電装置へ
の導入を正方コック１２ｃを介して行ない、次いで前述
のような従来方法に従って原料ガスのグロー放電分解を
完了させたのち、−ミ方コンク１２ｃの切り換えを行な
うことにより、リーク系１４ａからリークが行なわれる
。すなわち、リーク系１４ａから導入される不活性ガス
は三方コック１２ｃを介し、原料ガス供給系１２を通っ
てグロー放電装置１’ｌに供給されるため、クロ、−放
電装置内において浮遊なとの状態で残存している分解生
成物などの不純物が原料ガス供給系１２内に逆流するこ
とはなくそのような不純物は真空排気系１３より外部に
ｔｅｌ出される。
途中に設けられている開閉コンク１２ｂを、第２図の三
方コック１２ｃに置き変え、その部分にリーク系となる
管１４ａを付設した構成である。リーク系をこのような
構成とした場合の操作は、原料ガスのグロー放電装置へ
の導入を正方コック１２ｃを介して行ない、次いで前述
のような従来方法に従って原料ガスのグロー放電分解を
完了させたのち、−ミ方コンク１２ｃの切り換えを行な
うことにより、リーク系１４ａからリークが行なわれる
。すなわち、リーク系１４ａから導入される不活性ガス
は三方コック１２ｃを介し、原料ガス供給系１２を通っ
てグロー放電装置１’ｌに供給されるため、クロ、−放
電装置内において浮遊なとの状態で残存している分解生
成物などの不純物が原料ガス供給系１２内に逆流するこ
とはなくそのような不純物は真空排気系１３より外部に
ｔｅｌ出される。
従って、次の製造サイクルの開始に際して原料カスを新
たにカス供給系１２を通してグロー放電装置ｌｌ内に０
１給する場合において、第１図に示した従来型の装置で
問題となったグロー放電装置ｌｌ内への不純物の混入は
、そのリーク系を第２図のような構成とすることにより
有効に防止することができる。すなわち、そのような不
純物の７１．Ｂ人に起因するａ−３ｉＨ層におけるピン
ホールの発生を防〈ことができる。
たにカス供給系１２を通してグロー放電装置ｌｌ内に０
１給する場合において、第１図に示した従来型の装置で
問題となったグロー放電装置ｌｌ内への不純物の混入は
、そのリーク系を第２図のような構成とすることにより
有効に防止することができる。すなわち、そのような不
純物の７１．Ｂ人に起因するａ−３ｉＨ層におけるピン
ホールの発生を防〈ことができる。
次に、第３図に示したオ、も成は、第１図の原料カス供
給系１２の途中に設けられている開閉コンク１２ｂの＋
ｉｉｉ方（原料ガス放出１−１に近い側）で、かつ該開
閉コンク１２ｂの近傍の位置に、開閉コック１４ｂを介
してリーク系となる’ｉｉ’ ｌ ４ ｃを旧設した構
成である。リーク系をこのような構成とした場合の操作
は、原料ガスのグロー放電装置１１への・り入を、リー
ク系の開閉コック１４ｂを閉じた状態で実施し、次いで
ａ−５ｉＨ層の形成を完１したのちに、今度は原料カス
供給系の開閉コック１２ｂを閉し、リーク系の開閉コッ
ク１４ｂを１５）１けて、リーク系１４ｃを介するリー
ク操作が行なわれる。すなわち、リーク系１４ｃから４
込される不活性ガスは原料ガス供給系１２を通ってグロ
ー放電装置１１に供給されるため、グロー放゛屯装置内
において浮遊などの状態で残存している分解生成物など
の不純物が原料カス供給系１２内に逆流することはなく
、そのような不純物は真空１ノ１気系１３より外部にυ
）出される。
給系１２の途中に設けられている開閉コンク１２ｂの＋
ｉｉｉ方（原料ガス放出１−１に近い側）で、かつ該開
閉コンク１２ｂの近傍の位置に、開閉コック１４ｂを介
してリーク系となる’ｉｉ’ ｌ ４ ｃを旧設した構
成である。リーク系をこのような構成とした場合の操作
は、原料ガスのグロー放電装置１１への・り入を、リー
ク系の開閉コック１４ｂを閉じた状態で実施し、次いで
ａ−５ｉＨ層の形成を完１したのちに、今度は原料カス
供給系の開閉コック１２ｂを閉し、リーク系の開閉コッ
ク１４ｂを１５）１けて、リーク系１４ｃを介するリー
ク操作が行なわれる。すなわち、リーク系１４ｃから４
込される不活性ガスは原料ガス供給系１２を通ってグロ
ー放電装置１１に供給されるため、グロー放゛屯装置内
において浮遊などの状態で残存している分解生成物など
の不純物が原料カス供給系１２内に逆流することはなく
、そのような不純物は真空１ノ１気系１３より外部にυ
）出される。
従って、」二足の第２図に示した三カコックを利用した
構成の場合と同様に、第３図の構成でもグロー放電装置
内への不純物の４９人を有効に防ＩＩ−することができ
、そのような不純物の混入に起因するａ−３ｉＨ層にお
けるピンホールの発生を防ぐことができる。
構成の場合と同様に、第３図の構成でもグロー放電装置
内への不純物の４９人を有効に防ＩＩ−することができ
、そのような不純物の混入に起因するａ−３ｉＨ層にお
けるピンホールの発生を防ぐことができる。
本発明における原料カス供給系へのリーク系の旧設は上
記の構成に限られるものではなく、たとえば従来型の水
素化アモルファスシリコン′！Ａ造装置の原料カス供給
系に一般的に設けられている窒素ガスなどの６釈ガスの
供給系をリーク系とじて利用するような構成であっても
よく、そのほかにも各種の構成をとることができる。
記の構成に限られるものではなく、たとえば従来型の水
素化アモルファスシリコン′！Ａ造装置の原料カス供給
系に一般的に設けられている窒素ガスなどの６釈ガスの
供給系をリーク系とじて利用するような構成であっても
よく、そのほかにも各種の構成をとることができる。
第１図は、従来より用いら、れているペルジャー型水素
化アモルファスシリコン製造装置の構成を示す図である
。 第２図および第３図は、本発明に従う原料カス供給系と
リーク系との組合わせの構成を示す図である。 １１ニゲロー放電装置 １２：原料ガス供給系、１２ａ：原料カス放出［１，１
２ｂ＝開閉コンク、１２ｃ：正方コンク１３ ： ３’
に空１」１気系 １４、リーク系、１４ａ＋ リーク系、１４ｂ ：開閉
コンク、１４Ｃ：リーク系 １５：回転支持台 １６：４屯性ドラム型支持体 １７：電気加熱装置 １８二高圧電源 １９：バイパス系
化アモルファスシリコン製造装置の構成を示す図である
。 第２図および第３図は、本発明に従う原料カス供給系と
リーク系との組合わせの構成を示す図である。 １１ニゲロー放電装置 １２：原料ガス供給系、１２ａ：原料カス放出［１，１
２ｂ＝開閉コンク、１２ｃ：正方コンク１３ ： ３’
に空１」１気系 １４、リーク系、１４ａ＋ リーク系、１４ｂ ：開閉
コンク、１４Ｃ：リーク系 １５：回転支持台 １６：４屯性ドラム型支持体 １７：電気加熱装置 １８二高圧電源 １９：バイパス系
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １゜グロー放’ｊｈ装置、該放電装置に原料ガスを供給
するだめのカス供給系、ｌｉＡ放電装置を真空状疋：と
するための真空排気系、および該放電装置に不活性気体
を導入するためのリーク系を含む水素化アモルファスシ
リコンＶ ＆ ”Ａ 置において、該リーク系か上記ガ
ス供給系に旧設されていることを４ろ徴とする装置。 ２゜該カス供給系への該リーク系の４−ｔ ｉ没か、三
方コ・ンクを介して達成されていることを特徴とする特
、：１請求の範囲第１項記載の水素化アモルファスシリ
コン製造装置。 ３゜グロー放電装置がペルジャー型のものであることを
特徴とする特ａ１請求の範囲第１項もしくは第２ゲ１記
載の水素化アモルファスシリコン製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11333883A JPS605880A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 水素化アモルフアスシリコン製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11333883A JPS605880A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 水素化アモルフアスシリコン製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605880A true JPS605880A (ja) | 1985-01-12 |
Family
ID=14609710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11333883A Pending JPS605880A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 水素化アモルフアスシリコン製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605880A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102534558A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-07-04 | 刘汝强 | 一种能实现上、下进气切换的化学气相沉积炉及其应用 |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP11333883A patent/JPS605880A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102534558A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-07-04 | 刘汝强 | 一种能实现上、下进气切换的化学气相沉积炉及其应用 |
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