JPS62142767A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPS62142767A JPS62142767A JP28623985A JP28623985A JPS62142767A JP S62142767 A JPS62142767 A JP S62142767A JP 28623985 A JP28623985 A JP 28623985A JP 28623985 A JP28623985 A JP 28623985A JP S62142767 A JPS62142767 A JP S62142767A
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- Japan
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- film
- power supply
- positive
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- photoreceptor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
木゛発明は、アモルファスシリコンを用いた電子写真感
光体の特性向上を可能にした電子写真感光体の製造方法
に関するものである。
光体の特性向上を可能にした電子写真感光体の製造方法
に関するものである。
〈従来の技術〉
現在実用化されている電子写真感光体は、アモルファス
セレン（ａ−３ｅ）やアモルファス砒素セレン（ａ−Ａ
ｓ２Ｓｅ３）等のセレン系Ｈ’Ｈ，硫化カドミウム粉末
？灯機樹脂中に分散した樹脂分散型材料、有機系材料等
に大きく分けることができる。しかし、これらいずれの
材料も公害等の理由から、代替材料の開発が望まれ、近
年では上記感光体材料に代ってアモルファスシリコン（
以下、ａ−５ｉという）が注目を集めている。
セレン（ａ−３ｅ）やアモルファス砒素セレン（ａ−Ａ
ｓ２Ｓｅ３）等のセレン系Ｈ’Ｈ，硫化カドミウム粉末
？灯機樹脂中に分散した樹脂分散型材料、有機系材料等
に大きく分けることができる。しかし、これらいずれの
材料も公害等の理由から、代替材料の開発が望まれ、近
年では上記感光体材料に代ってアモルファスシリコン（
以下、ａ−５ｉという）が注目を集めている。
ａ−３ｉは、従来の電子写真感光体材料と異なり無公害
であり、且つ、高い光感度？有し、さらにビッカース強
度が１５００〜２０００ ｋｇ−藺−２と非常に硬い等
、多くの優れた特性を有しているため、理想的な感光体
材料と考えられている。“電子写真感光体材料は、基本
的に高い帯電保持能と高い光感度の両者を兼ね備えてい
ることが要求される。ａ−５ｉの高い光感度（優れた光
導上特性）全有効に使用するために、現在では表面及び
基板側ＶＣ７Ｉ！気的ブロッキング層分設けて帯電の保
持を図る構造が一般的となってｈる。このようにしてａ
−３ｉを用いて電子写真感光体として良好な基本的特性
を得ることができ、一部実用に供されている。
であり、且つ、高い光感度？有し、さらにビッカース強
度が１５００〜２０００ ｋｇ−藺−２と非常に硬い等
、多くの優れた特性を有しているため、理想的な感光体
材料と考えられている。“電子写真感光体材料は、基本
的に高い帯電保持能と高い光感度の両者を兼ね備えてい
ることが要求される。ａ−５ｉの高い光感度（優れた光
導上特性）全有効に使用するために、現在では表面及び
基板側ＶＣ７Ｉ！気的ブロッキング層分設けて帯電の保
持を図る構造が一般的となってｈる。このようにしてａ
−３ｉを用いて電子写真感光体として良好な基本的特性
を得ることができ、一部実用に供されている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、ａ−５ｉ全用いた電子写真感光体は、最
終的な特性において未だ不充分であり、改善すべき問題
点が存在する。
終的な特性において未だ不充分であり、改善すべき問題
点が存在する。
その一つはコピー上に現れる白斑である。これまでの電
子写真感光体の場合、コピー上の白斑（以下、画像白斑
という）は、通常絶縁破壊によるものと考えられる。し
かしながら、ａ−５ｉの場合、絶縁破壊によるものの他
に、膜の異常成長が原因となる画像白斑が存在する。こ
の膜の異常成長は成膜途中のイオン・ダメージ、及び基
板（Ａノドラム）上の微少な異物が原因となって基板か
ら起り膜の表面ではイボ状の突起となってｒる。このよ
うな膜の異常成長によるイボ状突起は感光体として使用
初期に、あるいは繰り返し使用後に画像白斑となって現
れてくる。電子写真の場合、一部分でも画像白斑が存在
すれば実使用上問題であるため、感光体の膜の異常成長
により、感光体膜にイボ状突起が生じないようにするこ
とが非常に重要である。また、この膜の異常成長はこれ
までの他の感光体材料にはみられないａ−３ｉ独特のも
のであるため、ａ−５ｉ電子写真感光体の実用化におい
て取組まねばならない最も重要な課題であると考えられ
る。
子写真感光体の場合、コピー上の白斑（以下、画像白斑
という）は、通常絶縁破壊によるものと考えられる。し
かしながら、ａ−５ｉの場合、絶縁破壊によるものの他
に、膜の異常成長が原因となる画像白斑が存在する。こ
の膜の異常成長は成膜途中のイオン・ダメージ、及び基
板（Ａノドラム）上の微少な異物が原因となって基板か
ら起り膜の表面ではイボ状の突起となってｒる。このよ
うな膜の異常成長によるイボ状突起は感光体として使用
初期に、あるいは繰り返し使用後に画像白斑となって現
れてくる。電子写真の場合、一部分でも画像白斑が存在
すれば実使用上問題であるため、感光体の膜の異常成長
により、感光体膜にイボ状突起が生じないようにするこ
とが非常に重要である。また、この膜の異常成長はこれ
までの他の感光体材料にはみられないａ−３ｉ独特のも
のであるため、ａ−５ｉ電子写真感光体の実用化におい
て取組まねばならない最も重要な課題であると考えられ
る。
現在では、膜の異常成長を少なくするために、基板表面
の清浄化及び成膜反応室内の清浄化全行ない、極力異常
成長の原因となる異物を除去することで対策を行ってい
るが、必ずしも充分とは言えない。
の清浄化及び成膜反応室内の清浄化全行ない、極力異常
成長の原因となる異物を除去することで対策を行ってい
るが、必ずしも充分とは言えない。
また、通常ａ−５ｉは、原料ガスとしてモノシラン（Ｓ
ｉＨ，’）ガスを用い、容量結合型のプラズマＣＶＤ装
置を用いる場合、アノード側（電力供給電極と反対側、
即ちアース側）に基板を置き、比較的低い供給電力で作
製している。このように低い供給電力で作製する理由は
、高い供給電力で作製すると成膜を支配するラジカルの
量も増加するが、正に帯電したイオン等も増加し、プラ
ズマのダメージにより、膜質の低下が生じ、極端な場合
には膜の異常成長にも繋がるためである。その結果、低
い供給電力で作製することになるが、この場合、成膜速
度も小さくなり感光体のように、数１０μｍの厚膜を必
要とする場合では、作製に多大な時間が力弓１り量産技
術上からも好り、 ＜ない。
ｉＨ，’）ガスを用い、容量結合型のプラズマＣＶＤ装
置を用いる場合、アノード側（電力供給電極と反対側、
即ちアース側）に基板を置き、比較的低い供給電力で作
製している。このように低い供給電力で作製する理由は
、高い供給電力で作製すると成膜を支配するラジカルの
量も増加するが、正に帯電したイオン等も増加し、プラ
ズマのダメージにより、膜質の低下が生じ、極端な場合
には膜の異常成長にも繋がるためである。その結果、低
い供給電力で作製することになるが、この場合、成膜速
度も小さくなり感光体のように、数１０μｍの厚膜を必
要とする場合では、作製に多大な時間が力弓１り量産技
術上からも好り、 ＜ない。
末完＃１は、上記諸点に鑑みて成されたものであり、ａ
−５ｉ膜の成膜方法を検討することにより膜の異常成長
をおさえ、感光体の信頼性の向上を図すた新規な′電子
写真感光体の製造方法を提供することを目的としたもの
である。
−５ｉ膜の成膜方法を検討することにより膜の異常成長
をおさえ、感光体の信頼性の向上を図すた新規な′電子
写真感光体の製造方法を提供することを目的としたもの
である。
く問題点を解決するための手段〉
上記の目的を達成するため、大発明は導電性支持体上に
アモルファスシリコンを主成分とする光導電層をプラズ
マＣＶＤ法によって形成するようＶＣなした電子写真感
光体の製造方法において、原料ガスとしてジシラン（Ｓ
ｉ２Ｈ，、）ガスを用い、上記の導′１匡性支持体をＲ
、Ｆ 、電力供給電極とすると共に、このＲ，Ｆ、’ｌ
１ｆｉ力供給電極とした導電性支持体に正の直流バイア
ス電位を重畳してなるように構成している。
アモルファスシリコンを主成分とする光導電層をプラズ
マＣＶＤ法によって形成するようＶＣなした電子写真感
光体の製造方法において、原料ガスとしてジシラン（Ｓ
ｉ２Ｈ，、）ガスを用い、上記の導′１匡性支持体をＲ
、Ｆ 、電力供給電極とすると共に、このＲ，Ｆ、’ｌ
１ｆｉ力供給電極とした導電性支持体に正の直流バイア
ス電位を重畳してなるように構成している。
即ち、大発明では、容量結合型のプラズマＣＶＤ装置を
用い、導電性支持体をＲ，Ｆ、電力供給電画とし、かつ
、この″成極に、アースに対して正の直流バイアス電位
を印加し、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）ガスのグロー放電分
解によってａ−５ｉ悪感光を作製するようにしている。
用い、導電性支持体をＲ，Ｆ、電力供給電画とし、かつ
、この″成極に、アースに対して正の直流バイアス電位
を印加し、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）ガスのグロー放電分
解によってａ−５ｉ悪感光を作製するようにしている。
く作 用〉
上記した従来のＳｉＨ４による成膜速度の欠点を克服す
るために、大発明においては原料ガスとして高速成膜か
可能なジシラン（Ｓｉ２Ｈｓ ）ガスを用い、かつ、成
膜乞支配するラジカルの飛来が多いと考えられるＲ、Ｆ
、？ｌｉ極側（カソード側）ＩＣ導電性支持体を配置し
た。ここで、供給電力を高める等、最適条件を見出した
結果、従来の製造方法に比して約１０倍の成膜速度が得
られた。
るために、大発明においては原料ガスとして高速成膜か
可能なジシラン（Ｓｉ２Ｈｓ ）ガスを用い、かつ、成
膜乞支配するラジカルの飛来が多いと考えられるＲ、Ｆ
、？ｌｉ極側（カソード側）ＩＣ導電性支持体を配置し
た。ここで、供給電力を高める等、最適条件を見出した
結果、従来の製造方法に比して約１０倍の成膜速度が得
られた。
また、支持体（基体）を置いたＲ、 Ｆ、 ７１！極側
（カソード側）は負の自己バイアスがかかっており、正
イオンの同突が激しく、膜質の低下、つまリ、膜の異常
成長か顕著になってしまうことが考えられるが、大発明
においては、この負の自己バイアスケ相殺するように、
Ｒ，Ｆ、電極に正の直流バイアス直位を印加した。この
ようにして、Ｓｉ２Ｈ６で高速成膜の得られる作製条件
、即ち高い供給電力で成膜を行った結果、５ｉＨａの場
合に比べ、約１０倍の成膜速度が得られたのみならず異
常成長の全く無い膜の成長を成し得た。
（カソード側）は負の自己バイアスがかかっており、正
イオンの同突が激しく、膜質の低下、つまリ、膜の異常
成長か顕著になってしまうことが考えられるが、大発明
においては、この負の自己バイアスケ相殺するように、
Ｒ，Ｆ、電極に正の直流バイアス直位を印加した。この
ようにして、Ｓｉ２Ｈ６で高速成膜の得られる作製条件
、即ち高い供給電力で成膜を行った結果、５ｉＨａの場
合に比べ、約１０倍の成膜速度が得られたのみならず異
常成長の全く無い膜の成長を成し得た。
〈実施例〉
次に具体的に実施例をあげて大発明の詳細な説明する。
＠１図は未発明により作製されるａ−３ｉ電子写真感光
体の構造例を示す模式図である。
体の構造例を示す模式図である。
＠１図において、夏は基板、２は基板側電気的ブロッキ
ング層、３は光導電層、４は表面ブロッキング層であり
、この表面ブロッキング層４は表面保護層の機能を持ち
、ａ−３ｉに窒素又は炭素を添加したバンドギャップの
大きい膜を用い、その膜厚は、０．００５〜０．１μｍ
である。基板側ブロッキング層２は基板ｌからの電荷の
注入を阻止するために、ａ−８ｌにホウ素又はリンを添
加した膜厚ｌ〜３μｍの層を用いる場合と、バンドギャ
ップの大きいａ−５ｉＮまたはａ−３ｉＣを用いる場合
がある。バンドギャップの大きいａ−５ｉＮま之はａ−
３ｉＣを基板側ブロッキング層２として用いる場合は、
０．００５〜０．１μｍの厚さとする。ａ−５ｉｆ主体
とする光導電層３は、窒素。
ング層、３は光導電層、４は表面ブロッキング層であり
、この表面ブロッキング層４は表面保護層の機能を持ち
、ａ−３ｉに窒素又は炭素を添加したバンドギャップの
大きい膜を用い、その膜厚は、０．００５〜０．１μｍ
である。基板側ブロッキング層２は基板ｌからの電荷の
注入を阻止するために、ａ−８ｌにホウ素又はリンを添
加した膜厚ｌ〜３μｍの層を用いる場合と、バンドギャ
ップの大きいａ−５ｉＮまたはａ−３ｉＣを用いる場合
がある。バンドギャップの大きいａ−５ｉＮま之はａ−
３ｉＣを基板側ブロッキング層２として用いる場合は、
０．００５〜０．１μｍの厚さとする。ａ−５ｉｆ主体
とする光導電層３は、窒素。
リン、ホウ素を適宜添加し、それらの濃度分布は電子写
真特性を向上させるようＶＣ最適化される。
真特性を向上させるようＶＣ最適化される。
実施例１
第２図は、未発明を実施するに際して用いられる製造装
置の構成例を示す模式図であり、１１はカソード側とし
て配置された導電性支持体（ＡＩドラム）、１２は接地
された真空チャンバ、１３はガス導入口、１４は正の直
流バイアス電源、１５はマツチングボックス、■６は電
力供ｋ 用ＲＦ電源（１３，５６ＭＨｚ ）であり、光
導電層３を形成する主成分のａ−３ｉは、ガス導入口よ
り導入されるジシランガス（Ｓｉ２Ｈｇ）のグロー放電
分解により（プラズマＣＶＤ法により）作製する。製作
装置は第２図に示したように容量結合型を用い、光導電
層３を堆積させるための基板（Ａｆｆｌドラム）ｌｌ’
に電力供給電極とし、かつ、この基板１１には正の直流
バイアス電源１４により負の自己バイアスを打ち消すた
めの正の直流バイアス電位を重畳し、電力供給用ＲＦ電
源（１３，５６ＭＨｚ１６から与えられる電力をインピ
ーダンス整合回路１５全通して印那する。また基板１１
に対向して接地電極を設けており、真空チャンバ１２が
この役目をなしている。反応性ガスとしてジシランガス
を主成分とするガスはマスフローコントローラー全通し
て流ｆｆ１ｋ制御しながら反応室１２へ導入する。反応
室１２内に設置された基板１１は２００〜２５０℃に保
持される。
置の構成例を示す模式図であり、１１はカソード側とし
て配置された導電性支持体（ＡＩドラム）、１２は接地
された真空チャンバ、１３はガス導入口、１４は正の直
流バイアス電源、１５はマツチングボックス、■６は電
力供ｋ 用ＲＦ電源（１３，５６ＭＨｚ ）であり、光
導電層３を形成する主成分のａ−３ｉは、ガス導入口よ
り導入されるジシランガス（Ｓｉ２Ｈｇ）のグロー放電
分解により（プラズマＣＶＤ法により）作製する。製作
装置は第２図に示したように容量結合型を用い、光導電
層３を堆積させるための基板（Ａｆｆｌドラム）ｌｌ’
に電力供給電極とし、かつ、この基板１１には正の直流
バイアス電源１４により負の自己バイアスを打ち消すた
めの正の直流バイアス電位を重畳し、電力供給用ＲＦ電
源（１３，５６ＭＨｚ１６から与えられる電力をインピ
ーダンス整合回路１５全通して印那する。また基板１１
に対向して接地電極を設けており、真空チャンバ１２が
この役目をなしている。反応性ガスとしてジシランガス
を主成分とするガスはマスフローコントローラー全通し
て流ｆｆ１ｋ制御しながら反応室１２へ導入する。反応
室１２内に設置された基板１１は２００〜２５０℃に保
持される。
この光導電層の成膜条件全次表に示す。
このＳＫＩ、て作製した感光体の特性音まとめると次表
の通りである。
の通りである。
この感光体を複写機に装着し、実写試験全行った結果、
非常に鮮明で良好な１ル１質を得た。またハ−フトーン
原稿で画像白斑の評価を行った結果、コピー上に白斑は
全く見られなかった。
非常に鮮明で良好な１ル１質を得た。またハ−フトーン
原稿で画像白斑の評価を行った結果、コピー上に白斑は
全く見られなかった。
比較例
上記の実施例と特性を比較するため、以下の条件で従来
の技術により光導電層を作製した。尚、木比較例におけ
る先導五層以外は、上記実施例と同じ条件で作製した。
の技術により光導電層を作製した。尚、木比較例におけ
る先導五層以外は、上記実施例と同じ条件で作製した。
この条件は、基板を接地電位とし、５ｉＨａｋ原料ガス
とした場合に、最適化を行ったものである。この様にし
て作製した感光体の電気特性は、上記の実施例とほぼ同
じであった。ただし、成膜速度については、大発明のそ
れに比して約Ｈ８と小さく、しかも複写機に装管して実
写試験を行った結果、コピー上に微小な白斑が見られ、
満足する特性ではなかった。
とした場合に、最適化を行ったものである。この様にし
て作製した感光体の電気特性は、上記の実施例とほぼ同
じであった。ただし、成膜速度については、大発明のそ
れに比して約Ｈ８と小さく、しかも複写機に装管して実
写試験を行った結果、コピー上に微小な白斑が見られ、
満足する特性ではなかった。
実施例２
光導″ＦＬｉ３ｋＲＦ１！力密度をパラメータとして０
．３〜２（Ｗ／（至）２）と変化させ、その他は上記の
実施例と同様の条件で作製した。このようにして作製し
た光導電層を有するａ Ｓｉ感光体を評価した結果、
電気特性において高電力で作製した方が良好であった。
．３〜２（Ｗ／（至）２）と変化させ、その他は上記の
実施例と同様の条件で作製した。このようにして作製し
た光導電層を有するａ Ｓｉ感光体を評価した結果、
電気特性において高電力で作製した方が良好であった。
ただし、あまり高電力にしすぎると、膜のハクリが生じ
るので、作製条件として良好な電力範囲が存在する。
るので、作製条件として良好な電力範囲が存在する。
その結果を次に示す。
従って、ＲＦ電力密度は０．６〜Ｉ、 ７ Ｗ／ｃ−２
で成膜することが望ましいう なお、大発明は上記実施例に限定されるものではなく）
、種々の変形が可能であることは言うまでもない。また
、上記実施例における正のＤＣノイイアスの値は未発１
月を限定するものではなく、用いる製造装置の形状、そ
の池の条件により、種々異なる値となることは言う捷で
もない。要はＲ，Ｆ。
で成膜することが望ましいう なお、大発明は上記実施例に限定されるものではなく）
、種々の変形が可能であることは言うまでもない。また
、上記実施例における正のＤＣノイイアスの値は未発１
月を限定するものではなく、用いる製造装置の形状、そ
の池の条件により、種々異なる値となることは言う捷で
もない。要はＲ，Ｆ。
”＋（ｆ、カ供給′准極に生ずる負の自己バイアステ相
殺する大きさの正のＤＣバイアス電位の値となすことが
好適である。
殺する大きさの正のＤＣバイアス電位の値となすことが
好適である。
〈発明の効果〉
以上のように、未発明によれば、ａ −Ｓ ｉ感光体の
光導電層を、導電性支持体ｋＲ，Ｆ、ｉ力供給電極とし
、かつ゛、この電極−で正のＤＣバイアスを印加し、ジ
シラン（Ｓｉ２Ｈｓ）ガスの高電力によるグロー放電分
解により作製することによって、成膜速度が著しく大き
くなり、かつ、異常成長等の欠陥の少ない均一な膜を形
成することができ、その結果としてコピー面上の白斑の
少ないａ−５ｉ悪感光を安価に安定して供給することが
出来る。
光導電層を、導電性支持体ｋＲ，Ｆ、ｉ力供給電極とし
、かつ゛、この電極−で正のＤＣバイアスを印加し、ジ
シラン（Ｓｉ２Ｈｓ）ガスの高電力によるグロー放電分
解により作製することによって、成膜速度が著しく大き
くなり、かつ、異常成長等の欠陥の少ない均一な膜を形
成することができ、その結果としてコピー面上の白斑の
少ないａ−５ｉ悪感光を安価に安定して供給することが
出来る。
第１図は未発明にしたがって作製される電子写真感光体
の構造例を示す模式図、第２図は未発明を実施するに際
して用いられる製造装置の構成例を示す模式図である。 １：２ｉ１．板、２：基板側ブロッキング層、３：光導
電層、４：表面ブロッキング層、ｌｌ：導電性支持体（
ドラム・カソード）、１２：真空チャンバ（アース）、
１３：ガス導入口、１４；正の直流バイアス電源、１５
：マッチングボ・ノクス、１６：電力供給用ＲＦ電源（
１３，５６ＭＨｚ ）。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第２図
の構造例を示す模式図、第２図は未発明を実施するに際
して用いられる製造装置の構成例を示す模式図である。 １：２ｉ１．板、２：基板側ブロッキング層、３：光導
電層、４：表面ブロッキング層、ｌｌ：導電性支持体（
ドラム・カソード）、１２：真空チャンバ（アース）、
１３：ガス導入口、１４；正の直流バイアス電源、１５
：マッチングボ・ノクス、１６：電力供給用ＲＦ電源（
１３，５６ＭＨｚ ）。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性支持体上にアモルファスシリコンを主成分と
する光導電層をプラズマＣＶＤ法によって形成するよう
になした電子写真感光体の製造方法において、 原料ガスとしてジシラン（Ｓｉ＿２Ｈ＿６）ガスを用い
、 上記導電性支持体をＲ．Ｆ．電力供給電極とすると共に
該Ｒ．Ｆ．電力供給電極とした上記導電性支持体に正の
直流バイアス電位を重畳してなることを特徴とする電子
写真感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28623985A JPS62142767A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28623985A JPS62142767A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62142767A true JPS62142767A (ja) | 1987-06-26 |
Family
ID=17701778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28623985A Pending JPS62142767A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62142767A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0196659A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体の製造方法 |
| DE112009004581T5 (de) | 2009-03-04 | 2012-09-06 | Fuji Electric Co., Ltd | Schichtherstellungsverfahren und Schichtherstellungsvorrichtung |
| JP2019024090A (ja) * | 2013-11-06 | 2019-02-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Ｄｃバイアス変調による、粒子発生抑制装置 |
-
1985
- 1985-12-17 JP JP28623985A patent/JPS62142767A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0196659A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体の製造方法 |
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| US8586484B2 (en) | 2009-03-04 | 2013-11-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Film forming method and film forming apparatus |
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