JPS58152255A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS58152255A JPS58152255A JP3378582A JP3378582A JPS58152255A JP S58152255 A JPS58152255 A JP S58152255A JP 3378582 A JP3378582 A JP 3378582A JP 3378582 A JP3378582 A JP 3378582A JP S58152255 A JPS58152255 A JP S58152255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- layer
- thickness
- insulating layer
- contg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本抛明は電子写真ＫＭいられる感光体に閤すゐものであ
る。
る。
電子写真とは、Ｃ＠Ｆ・カールソン、によって１−３１
都に発−され九文牛・画像などＯ乾式印刷法で参るが、
そのＩ１種々の硝究・−尭によゐ改良工夫か行われ、１
１ｍ複写機などで広く畳重しえ印ｌｌＩ４法となってい
る。この電子写真の中でいくつかとられる方法Ｏうち上
記し九カールン／法の基本原理を以下に簡単に述べる・ 金属性基＠Ｏｊ：に、セレン（８・）、酸化亜鉛しＥｇ
ｏ）ｂｌｌ化カドミウム（Ｃａｌ）、壱犠牟導体など光
導電性を示す材料を、一様な厚みを４つ薄膜として形威
し喪ものを感光体とする。そＯ感光体と電極とＯ聞に暗
状態で；謬す放電を起Ｆ−させ、こＯ感光体ｌ１ｗに帯
電させる。しかる後転岑すべ自画＠＊どＯ被写体を、光
と光学系を用いてこの感光体上Ｋ１１ｌ （すなわち露
光）させる、感光体は光導電性を有していゐので、ζＯ
露光によって被写体からＯ光Ｏ―暗に応じて初期帯電し
ていた電荷が放電すゐことｅｃｔｌｌ、感光体には被写
体の静電的潜像が形成されることＫする。この静電着像
に印刷用微粒子を電気的に吸引させ、それを転写紙に付
着■ｊ！！畜せ為ことＫよって被写体の転写が行われる
Ｏ″ｅｅ参 ↓って、ＬＯ電子写真機を用いた印刷機、九とえｄ複写
機などによって転写される画像などの良否は、この感光
体がもつ性能によって決定的に左右されることＫｔＡＯ
’ｔ？参る。この丸め、感光体Ｏｗｋ能−光感度・暗滅
＊＊＊ ＜電荷保持−力）・光減衰４Ｉ性・機械的強度
・温度安定愉・寿命など一〇技留的向上−改善が精力的
に行われて會でいる。
都に発−され九文牛・画像などＯ乾式印刷法で参るが、
そのＩ１種々の硝究・−尭によゐ改良工夫か行われ、１
１ｍ複写機などで広く畳重しえ印ｌｌＩ４法となってい
る。この電子写真の中でいくつかとられる方法Ｏうち上
記し九カールン／法の基本原理を以下に簡単に述べる・ 金属性基＠Ｏｊ：に、セレン（８・）、酸化亜鉛しＥｇ
ｏ）ｂｌｌ化カドミウム（Ｃａｌ）、壱犠牟導体など光
導電性を示す材料を、一様な厚みを４つ薄膜として形威
し喪ものを感光体とする。そＯ感光体と電極とＯ聞に暗
状態で；謬す放電を起Ｆ−させ、こＯ感光体ｌ１ｗに帯
電させる。しかる後転岑すべ自画＠＊どＯ被写体を、光
と光学系を用いてこの感光体上Ｋ１１ｌ （すなわち露
光）させる、感光体は光導電性を有していゐので、ζＯ
露光によって被写体からＯ光Ｏ―暗に応じて初期帯電し
ていた電荷が放電すゐことｅｃｔｌｌ、感光体には被写
体の静電的潜像が形成されることＫする。この静電着像
に印刷用微粒子を電気的に吸引させ、それを転写紙に付
着■ｊ！！畜せ為ことＫよって被写体の転写が行われる
Ｏ″ｅｅ参 ↓って、ＬＯ電子写真機を用いた印刷機、九とえｄ複写
機などによって転写される画像などの良否は、この感光
体がもつ性能によって決定的に左右されることＫｔＡＯ
’ｔ？参る。この丸め、感光体Ｏｗｋ能−光感度・暗滅
＊＊＊ ＜電荷保持−力）・光減衰４Ｉ性・機械的強度
・温度安定愉・寿命など一〇技留的向上−改善が精力的
に行われて會でいる。
しかしながら、感光体性能としてＯ上記諸４Ｉ性にはＩ
いに相反する性質の％の４あって、同時にそれらの性能
を向上１１ｆ−１，４にはいくりかＯｗＡ難な点が存在
する。′ｅ、夏いに番為１度―是するような条件範■に
妥協調節され丸部光体が製作されているＯが現状で参為
。
いに相反する性質の％の４あって、同時にそれらの性能
を向上１１ｆ−１，４にはいくりかＯｗＡ難な点が存在
する。′ｅ、夏いに番為１度―是するような条件範■に
妥協調節され丸部光体が製作されているＯが現状で参為
。
ＩＩ １ ｍｌに従来Ｏ感光体Ｏ断面構造を示す、金属
性基１［１上に感光体としてＯ感光性物質の層２を形成
し、多くはそＯ上ＫＩＩ−属６が存在する。基１［１は
機械的強ＩＩが大暑〈軽量であること、を走置の酸化膜
が有効に！１１用できるとともあってアル０１ム（ムｔ
）金属４［が主に用いられている。容量書法と呼ばれ纂
作會方式では、感光体層２は高抵抗で光導電ｗｋ＃料で
ある（Ｊｌｌ或いはＺ＊０１１１Ｃ）粉末（粒１１が歇
ｍ１ｌｌｌで）をビニール系などの樹１１に分散し九１
０〜１１００ＩＡ１１１度の厚みＯものであゐ・そのＩ
ＩＫＭ％／％られ為保譲膜墨は、ポリエチレｙテレフタ
レート中ｐｖｘ（ポリビニールカルバゾール）などから
なる過電は厚みが１Ｏ−２０ｓ解ＳｔＯ透＠東絶縁膜で
ある。ヒ０ＰＶＩＩ：膜を使用し九ととＫよゐ特徴は、
紫外−２ングで感光体を照射すみととによって感光体層
表面の電位な零電位まで下けｈＦ−とがで會ａｔｏｍ去
がし中ずいというむとである。
性基１［１上に感光体としてＯ感光性物質の層２を形成
し、多くはそＯ上ＫＩＩ−属６が存在する。基１［１は
機械的強ＩＩが大暑〈軽量であること、を走置の酸化膜
が有効に！１１用できるとともあってアル０１ム（ムｔ
）金属４［が主に用いられている。容量書法と呼ばれ纂
作會方式では、感光体層２は高抵抗で光導電ｗｋ＃料で
ある（Ｊｌｌ或いはＺ＊０１１１Ｃ）粉末（粒１１が歇
ｍ１ｌｌｌで）をビニール系などの樹１１に分散し九１
０〜１１００ＩＡ１１１度の厚みＯものであゐ・そのＩ
ＩＫＭ％／％られ為保譲膜墨は、ポリエチレｙテレフタ
レート中ｐｖｘ（ポリビニールカルバゾール）などから
なる過電は厚みが１Ｏ−２０ｓ解ＳｔＯ透＠東絶縁膜で
ある。ヒ０ＰＶＩＩ：膜を使用し九ととＫよゐ特徴は、
紫外−２ングで感光体を照射すみととによって感光体層
表面の電位な零電位まで下けｈＦ−とがで會ａｔｏｍ去
がし中ずいというむとである。
カールソン法と呼ばれる作像方式では、主に高抵抗で光
導電性材料であ為無定形セレン（８・）を数μ惰〜ＩＱ
Ｑｊｓ一度Ｏ厚みにして形成し九もＯを感光体層２とし
て用いるむとが多い、最近になって１ｅ中Ｃ櫨８を用い
丸部光体よ勤も耐熱性、化学的安定性が感かに優れ、硬
度４２０〜３０倍と大暑〈寿命が畏（とれ為先導電性材
料として、重置―者らＫよってア峰ル７アスシリコンが
開発され＊ （ａｌｌｍ ＄器−１１１ｓ１！号、＊願
昭８Ｉ−１８４１８４１号参ｊｌｌ）、ζＯアモルファ
スシリコン（以下＠ −８鳳と略す）を感光体層２とす
ると＊Ｏ感光体層の厚みは約１０ｊ１ｍ〜５０Ｊｌｌｌ
薯度であ）、感光体層の形成に＃ｉいわゆるプラズマＣ
ＶＤ味（高周波グ四−放電による８１Ｈａなどのガスの
分解）が用いられている。こＯ時Ｏ１１＠ｔ）絶縁保護
眉墨は約１メ渭以下である。
導電性材料であ為無定形セレン（８・）を数μ惰〜ＩＱ
Ｑｊｓ一度Ｏ厚みにして形成し九もＯを感光体層２とし
て用いるむとが多い、最近になって１ｅ中Ｃ櫨８を用い
丸部光体よ勤も耐熱性、化学的安定性が感かに優れ、硬
度４２０〜３０倍と大暑〈寿命が畏（とれ為先導電性材
料として、重置―者らＫよってア峰ル７アスシリコンが
開発され＊ （ａｌｌｍ ＄器−１１１ｓ１！号、＊願
昭８Ｉ−１８４１８４１号参ｊｌｌ）、ζＯアモルファ
スシリコン（以下＠ −８鳳と略す）を感光体層２とす
ると＊Ｏ感光体層の厚みは約１０ｊ１ｍ〜５０Ｊｌｌｌ
薯度であ）、感光体層の形成に＃ｉいわゆるプラズマＣ
ＶＤ味（高周波グ四−放電による８１Ｈａなどのガスの
分解）が用いられている。こＯ時Ｏ１１＠ｔ）絶縁保護
眉墨は約１メ渭以下である。
これら上述し九１１畿Ｏ感光体などにおいては、次Ｏよ
うな欠点を有してい丸、Ｃ−８中ＰＶ［ｆｋどは有書物
質であると共に、ａ−ｓｉよシも光感度が低い。オ九カ
ールソン法において＆−８１を感光体とし走時には、絶
縁保護眉墨は上述しえように約１１１ＩＷｓ以下と薄く
しなければならず、摩耗を防いだ〉電荷保持能力を高め
為丸めの厚みとしては不充分であゐ、ζＯ絶縁層の厚み
を厚くすると、これに帯電し良電荷が光照射によりても
消失（放電）しＫ＜＜なり残音電位が大きくなってしｔ
うからである。
うな欠点を有してい丸、Ｃ−８中ＰＶ［ｆｋどは有書物
質であると共に、ａ−ｓｉよシも光感度が低い。オ九カ
ールソン法において＆−８１を感光体とし走時には、絶
縁保護眉墨は上述しえように約１１１ＩＷｓ以下と薄く
しなければならず、摩耗を防いだ〉電荷保持能力を高め
為丸めの厚みとしては不充分であゐ、ζＯ絶縁層の厚み
を厚くすると、これに帯電し良電荷が光照射によりても
消失（放電）しＫ＜＜なり残音電位が大きくなってしｔ
うからである。
し九がって重置−は、感光体Ｏ性能を低下させることな
く叙上Ｏ種々の問題点を除去或いは郷決し良電子写真用
感光体を提供することにある。
く叙上Ｏ種々の問題点を除去或いは郷決し良電子写真用
感光体を提供することにある。
すなわち本発明による電子写真用感光体は容量書法とい
われる作像方式に用いられゐ１−８１感光体であって、
グツズｖｃＶＤ法で作製されえ充分な厚みを有し九絶縁
層を具備しえことを特徴とする・ 以下本発明を実施例に基づいて詳ＭＫＩ！―する。
われる作像方式に用いられゐ１−８１感光体であって、
グツズｖｃＶＤ法で作製されえ充分な厚みを有し九絶縁
層を具備しえことを特徴とする・ 以下本発明を実施例に基づいて詳ＭＫＩ！―する。
壕ず、ｋｌなどＯ金属性基板上Ｋｍ−８１感光体層を形
成するＯであるが、過電Ｏ複写機に用いられる感光体基
板は円筒形、いわゆるドクム状のもＯである。そ〇九め
この実施例Ｋｓｉ−いて４基板としてＪ１ｔｉＢ００Ｓ
Ｏｋｔ１１１８００３０１１円筒形ドラム内１１１１４
−φ、厚み３■、長１ＢＳＯｓ＋）を用いている。基板
上に構成すゐ各層の断面構造を第２ＷＡに示す。ζζで
１は基板、２は１−８１感光体層。
成するＯであるが、過電Ｏ複写機に用いられる感光体基
板は円筒形、いわゆるドクム状のもＯである。そ〇九め
この実施例Ｋｓｉ−いて４基板としてＪ１ｔｉＢ００Ｓ
Ｏｋｔ１１１８００３０１１円筒形ドラム内１１１１４
−φ、厚み３■、長１ＢＳＯｓ＋）を用いている。基板
上に構成すゐ各層の断面構造を第２ＷＡに示す。ζζで
１は基板、２は１−８１感光体層。
墨は＊Ｗａ縁層、４祉基板側Ｏ絶縁層である・ａ−８１
感光体層Ｏ形成法としては特願昭５５−１１１１＄Ｉ！
！或いは善履１１ＳＩ−１！！４１１４１号に述べ九と
同様な方法で劇作す為、すなわち、Ｈ１ガスで希釈され
九１１１１４ 、 ＩＩＦ・などＯガス（不純物添加を
する必ＩＮがある時には、同時１１（ｌｓｌ［−中ＰＨ
。
感光体層Ｏ形成法としては特願昭５５−１１１１＄Ｉ！
！或いは善履１１ＳＩ−１！！４１１４１号に述べ九と
同様な方法で劇作す為、すなわち、Ｈ１ガスで希釈され
九１１１１４ 、 ＩＩＦ・などＯガス（不純物添加を
する必ＩＮがある時には、同時１１（ｌｓｌ［−中ＰＨ
。
などＯガスも１入する）を高周液（ＩＦ）電源を用いて
０７ＩＩ−放電で分子ＩＩＪ畜せてａ−１１膜を生成さ
せ為１株−いわゆ為グツズマＣＶＤ＠による成膜法−を
とるＯｆあ為・ζ０ａ−８１膜Ｏ中にはＨやＦｌ［子が
あるＳ＊金含有てお勤、會九８１０黴小な単結晶なども
Ｓ在しているＯで広義Ｋ１１１ｍされ九ア毫ル７アス状
箇でＴｏる。ζ０ａ−１１感光体層の厚みは約１０〜１
００５ｓｌｌ！Ｉｔであるが、本ｉｕｉｏｗ像は、ζ０
ａ−１１１感光体層Ｏ上に形成されゐ絶縁膜の材質と厚
拳に参ゐ。
０７ＩＩ−放電で分子ＩＩＪ畜せてａ−１１膜を生成さ
せ為１株−いわゆ為グツズマＣＶＤ＠による成膜法−を
とるＯｆあ為・ζ０ａ−８１膜Ｏ中にはＨやＦｌ［子が
あるＳ＊金含有てお勤、會九８１０黴小な単結晶なども
Ｓ在しているＯで広義Ｋ１１１ｍされ九ア毫ル７アス状
箇でＴｏる。ζ０ａ−１１感光体層の厚みは約１０〜１
００５ｓｌｌ！Ｉｔであるが、本ｉｕｉｏｗ像は、ζ０
ａ−１１１感光体層Ｏ上に形成されゐ絶縁膜の材質と厚
拳に参ゐ。
すなわち、ζＯｓＩ縁膜は誘電率が大暑〈可視光波長領
域で逓−であゐアモルファス會化シリコ／８１Ｎア膜或
いはアモルファス炭化シリコン８１．Ｃ。
域で逓−であゐアモルファス會化シリコ／８１Ｎア膜或
いはアモルファス炭化シリコン８１．Ｃ。
膜（Ｘおよび１は酸分Ｏ量をあもわす添え字、以下ａ−
８輸Ｎｙ 、＠−ｇｔｘｃ７と略す）であってグツズｌ
ＣＶＤ法で製作されている。しかも既述し九ように従東
ではこの絶縁層がプ冨ツキング層として用いられている
ので約り一以下の厚み（過常数ｘＬ位である）であつえ
−１本発明では厚与は厚く約１７１１１１〜！ ０４０
厚みで形成させるのである。
８輸Ｎｙ 、＠−ｇｔｘｃ７と略す）であってグツズｌ
ＣＶＤ法で製作されている。しかも既述し九ように従東
ではこの絶縁層がプ冨ツキング層として用いられている
ので約り一以下の厚み（過常数ｘＬ位である）であつえ
−１本発明では厚与は厚く約１７１１１１〜！ ０４０
厚みで形成させるのである。
これらの結縁材料は場合によっては基職とａ−８１感光
体層Ｏ闇に形成しても良いのであるが、その時には厚み
は０．１ＪＩＩｌ以下（筒型しくは１０Ｇ−ｚｏｏＸ）
と薄くする必要がある。
体層Ｏ闇に形成しても良いのであるが、その時には厚み
は０．１ＪＩＩｌ以下（筒型しくは１０Ｇ−ｚｏｏＸ）
と薄くする必要がある。
グツズ−ｖＣｊＤ法によって得られるａ −８１ｚＮｙ
或いはａ −８１ＸＣＦ Ｋはグロー放電分鱗ＫＨｓガ
スに希釈され九Ｂ１１４ガスなどｏｇｙ層ガス、Ｎ、ガ
スに希釈され九ｃｍ １４ガスなどを用いるので、ＩＩ
Ｊ［子或いはＨ，Ｎ原子を微結晶シリコンと共に會むの
でこれらも広義Ｏア毫ル７アス状態Ｏ膜である。
或いはａ −８１ＸＣＦ Ｋはグロー放電分鱗ＫＨｓガ
スに希釈され九Ｂ１１４ガスなどｏｇｙ層ガス、Ｎ、ガ
スに希釈され九ｃｍ １４ガスなどを用いるので、ＩＩ
Ｊ［子或いはＨ，Ｎ原子を微結晶シリコンと共に會むの
でこれらも広義Ｏア毫ル７アス状態Ｏ膜である。
次に、これら各層Ｏ製作条件を説明する。
（イ） ａ −８１ｚＮｙ膜を絶縁層としえ場合：第２
ＩＩＫ示し九４０を構成する九めｏ４層の製作条件を第
１表に示す。
ＩＩＫ示し九４０を構成する九めｏ４層の製作条件を第
１表に示す。
ａ−１１１１１１！２（）劇作条件及び膜厚は上記（イ
）の場合と同じである。
）の場合と同じである。
前述しえように１ζＯａ −１１１，Ｃア膜Ｏ中にはＨ
原子及びＮＪＩ［子が會壕れている。ζＯ顧作条件で得
られ大館２１１０構造０４０を感光体ｌとすゐ。
原子及びＮＪＩ［子が會壕れている。ζＯ顧作条件で得
られ大館２１１０構造０４０を感光体ｌとすゐ。
ここではＣ，Ｈ，＃スがＮ、ガスＯ中に希釈されえもの
を用い九が、Ｃ雪Ｉ４ガス以外の責化水嵩ガスでも良い
・ これｂＯ感感光ドラムを１！４時閣暗願応書せ九後、容
量書法によゐ作像方式に従って像露光帯電特性を一定し
て拳え、感光体ムＯ艙呆について以下に！ｌべる。
を用い九が、Ｃ雪Ｉ４ガス以外の責化水嵩ガスでも良い
・ これｂＯ感感光ドラムを１！４時閣暗願応書せ九後、容
量書法によゐ作像方式に従って像露光帯電特性を一定し
て拳え、感光体ムＯ艙呆について以下に！ｌべる。
〔１〕露光・帯電
感光体ムに露光・帯電畜せる九めに光をタングステンー
ラ／プ（ＷＬ）で１．Ｏｊｘ、ｓ＠−照射し、同時Ｋ１
１ｌで正帯覚書せえ、その結果、ｌＩｍ電位は光を照射
し九とζろ及び照射しないとζろＯいずれＯ場所ＦＬＣ
ｓＰいても約ｘｏｏｏｖ”ｔ’あつ九ｍ −ｔｃｎ。
ラ／プ（ＷＬ）で１．Ｏｊｘ、ｓ＠−照射し、同時Ｋ１
１ｌで正帯覚書せえ、その結果、ｌＩｍ電位は光を照射
し九とζろ及び照射しないとζろＯいずれＯ場所ＦＬＣ
ｓＰいても約ｘｏｏｏｖ”ｔ’あつ九ｍ −ｔｃｎ。
感光体Ｏ電荷分布をＩＥ３閣（＠）Ｋ示す、ｌ領域は光
照射をし九ところであ〉、ｌ領域は光照射をしないとこ
ろである。
照射をし九ところであ〉、ｌ領域は光照射をしないとこ
ろである。
こＯように帯電は、従来例０ａ−８１膜のみ（或いは厚
みの薄いプロッキンダ層を有し九場合も含む）の時Ｏ１
１面電位が約５ｏｏｖｓ＊鵞でであることと比較すると
、嬉かに高覧Ｊ妬自為Ｏｆある。
みの薄いプロッキンダ層を有し九場合も含む）の時Ｏ１
１面電位が約５ｏｏｖｓ＊鵞でであることと比較すると
、嬉かに高覧Ｊ妬自為Ｏｆある。
それは厚く形成され九嵌面Ｏ絶縁層にも帯電を分ａｉｉ
せて％／％ゐからと考えられる。
せて％／％ゐからと考えられる。
〔璽〕潜像形成
上記（１〕０遥薯を＠良感光体ムに潜像形成させゐ九め
に１そＯＩＩけい光灯（ＦＬ） テ２．Ｏ１ｘ、ｎ−食
面に露光照射した。その結果〔！〕Ｋおける光照射１１
０１１面電位は５ｏｏｖとなｐ暗部電位はｌｌ０Ｖ”ｅ
あつえ、その時の感光体の電荷分布を第３図（ｂ） Ｋ
示す。
に１そＯＩＩけい光灯（ＦＬ） テ２．Ｏ１ｘ、ｎ−食
面に露光照射した。その結果〔！〕Ｋおける光照射１１
０１１面電位は５ｏｏｖとなｐ暗部電位はｌｌ０Ｖ”ｅ
あつえ、その時の感光体の電荷分布を第３図（ｂ） Ｋ
示す。
このように＊１１１露光による電気潜像が―郁８ｏ。
Ｖ、暗部１１０ Ｖと充分な比をもって形成されること
が判つ九のである。
が判つ九のである。
像Ｏ消去の方法は、全面露光と交流帯電によって行われ
、そＯ結果すべての部分の電位が一８ｏｖとなり九。
、そＯ結果すべての部分の電位が一８ｏｖとなり九。
ζＯ感光体ドラムを用いて試験的な複写機を製作し１Ｉ
ＩＩＫｉｌ像を転写してみたところ通常０Ｉｌｌ書操作
で鮮明な陽画（ポジ）→陰画（ネガ）の転軍曹を得るこ
とができえ、ＩＫ像器を変え正帯電の成分トナーを用い
て反転ｉｉ＊を行なつ九ところ同じく鮮明な陽画（ポジ
）→陽画（ポジ）Ｏ転写像を得るととに成功しえ。
ＩＩＫｉｌ像を転写してみたところ通常０Ｉｌｌ書操作
で鮮明な陽画（ポジ）→陰画（ネガ）の転軍曹を得るこ
とができえ、ＩＫ像器を変え正帯電の成分トナーを用い
て反転ｉｉ＊を行なつ九ところ同じく鮮明な陽画（ポジ
）→陽画（ポジ）Ｏ転写像を得るととに成功しえ。
このようにカールノン法と違い光照射部が高電位であゐ
えめ重置Ｗｊ４０感光体では反転現像が可能なのである
。
えめ重置Ｗｊ４０感光体では反転現像が可能なのである
。
感光体ＢＫｋ％Ａでも上述したＣＩ）及び（１）と同じ
作像特性を調べてみ九とζろ、＃を埋同様な結果が得ら
れ友。
作像特性を調べてみ九とζろ、＃を埋同様な結果が得ら
れ友。
これら０ ＊ −８１ｇＮｙ、ａ −ｓｔ！ｃ、膜ｏ＊
＋を調ぺてみ九とζろ、約１ｊ解薯度から効果があられ
れ始め約２０ｊ嘱１１度の厚み壕で効果が期待できるこ
とが判つ九。
＋を調ぺてみ九とζろ、約１ｊ解薯度から効果があられ
れ始め約２０ｊ嘱１１度の厚み壕で効果が期待できるこ
とが判つ九。
次に感光体ムＯ分光感ＩＩ！特性を調べてみ九とζろ第
４園に示すように正帯電と負帯電とでは異なる分光路Ｉ
Ｉ！特性を示し九、４１１に負帯電では、可視光Ｏ縁か
ら黄色帯波長領域において、正帯電に比し感度が低下し
ていることが判り良、ζＯことは感光体Ａにおいては例
えば墨色と緑色など少くとも二色現像がフィルターなし
で行なえゐことを意味している。ζ〇九め感光体ムを３
つＯ領域（それぞれＷ、Ｇ、ｌ領域とする）Ｋ分け、そ
の各々０１１賊Ｏ光隔射条件を変えて作像爽験を行なっ
てみえ。ここで、ｌ領域には白色光を照射し、Ｇ領域に
は白色光を緑色フィルターを透過させ九光を照射し、ｌ
領域は光照射せずＫおき、同時に負コ四す放電によって
帯電させた。このプロ竜スに＆ける感光体ムＯ電荷分布
を第５図（ａ） Ｋ示す０次に同じ条件で光照射させな
がら正：Ｉｍ！す放電をさせえ、ζ０時の感光体ムＯ電
荷分布は第５１１！伽）Ｋ示すようＫなつ九。
４園に示すように正帯電と負帯電とでは異なる分光路Ｉ
Ｉ！特性を示し九、４１１に負帯電では、可視光Ｏ縁か
ら黄色帯波長領域において、正帯電に比し感度が低下し
ていることが判り良、ζＯことは感光体Ａにおいては例
えば墨色と緑色など少くとも二色現像がフィルターなし
で行なえゐことを意味している。ζ〇九め感光体ムを３
つＯ領域（それぞれＷ、Ｇ、ｌ領域とする）Ｋ分け、そ
の各々０１１賊Ｏ光隔射条件を変えて作像爽験を行なっ
てみえ。ここで、ｌ領域には白色光を照射し、Ｇ領域に
は白色光を緑色フィルターを透過させ九光を照射し、ｌ
領域は光照射せずＫおき、同時に負コ四す放電によって
帯電させた。このプロ竜スに＆ける感光体ムＯ電荷分布
を第５図（ａ） Ｋ示す０次に同じ条件で光照射させな
がら正：Ｉｍ！す放電をさせえ、ζ０時の感光体ムＯ電
荷分布は第５１１！伽）Ｋ示すようＫなつ九。
こＯ作像過１ｉＫよってＷＩＩＫおける表面電位は一１
１５Ｖ％Ｇ部における表面電位は−ｌフＱＶ％Ｂ部の表
面電位は＋４００Ｖと、Ｗ、Ｂ、ＧＫ応じえ電気潜像が
形成でき、上述しえ少くと４二色以上の現像ができるこ
とが確かめられ九のである。
１５Ｖ％Ｇ部における表面電位は−ｌフＱＶ％Ｂ部の表
面電位は＋４００Ｖと、Ｗ、Ｂ、ＧＫ応じえ電気潜像が
形成でき、上述しえ少くと４二色以上の現像ができるこ
とが確かめられ九のである。
以上述べて１１えように本発明によ石線光体を用いるこ
とによシ、すぐれ良画像及び応用１１１１０広い１写装
置をＩＩ供することがで亀るＯ″ｅあゐ。
とによシ、すぐれ良画像及び応用１１１１０広い１写装
置をＩＩ供することがで亀るＯ″ｅあゐ。
第１１ｅｌは、ＩＩ図面縁層を有した電子軍真用Ｏ感光
体ＯＷｆｒ１Ｍ構造図。 第２ａｌｌは、重置＠による電子写真用Ｏ感光体の断面
構造図例。 第１ＩＩ （ａ） 、 （１＋）は、重置１１による感
光体に作像操作し九ときの電荷分布状態を示す閣であっ
て、（ａ）は僚露光・帯電０ｉａ１１を、（ｋｌは潜像
形成１０４のを図示すゐ。 第４ｍは、重置＠による感光体に正帯電・負帯電させ友
と龜Ｏ分光感度−一を示すグラブ。 第Ｓ図（ｍｌ 、 （ｂ）は１本発明による感光体に液
長範ＩＩＯ異なる光を照射し作像操作をし走時の電荷分
布状態を示し、（ａ）は負；■す放電による帯電をさせ
九場合、へ１は（ａ） ０蕾に正コロナ放電による帯電
をさせ友場合を各々図示するものである。 １・・・基板；２・・・ａ−１１１感光体層；６・・・
ＩＩ図面縁層；４・・・基板側絶縁層。 特許出願人：スタンレー電気株式金社 代層人：弁珊士海津保三 岡 ：弁運士 平 山 −幸 第１図 第２図 （０ン
（０〕“ １° −キ
ー ｇ−一士一−３＼ 第４１１ 第５囮 （０） （ｂ） −３く−→２→０２ 手続補正書（自ＪＡ） 昭和５８年１ 月１１日 特許庁長官 着杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許 願第３３７８１５号２Ｊ１０４称
電子写真用感光体 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都目黒区中目黒２丁目９喬１３号４、代理
人 ６、 補正により増加する発明の数 なしく１）明細書
、第７頁箇３行ノｒ８１ＦｓＪ ｉ ｒ８１Ｆｄに訂正
する。 （２）同書、第７頁第１０行の「単結晶なども混在して
いるので」をｒ多結晶なども混在してし）ることもある
のでＪに訂正する０ （３）同書、第８頁第１θ行の「グロー放電分解に」を
ｒグロー放電分解時にｊに訂正する。
体ＯＷｆｒ１Ｍ構造図。 第２ａｌｌは、重置＠による電子写真用Ｏ感光体の断面
構造図例。 第１ＩＩ （ａ） 、 （１＋）は、重置１１による感
光体に作像操作し九ときの電荷分布状態を示す閣であっ
て、（ａ）は僚露光・帯電０ｉａ１１を、（ｋｌは潜像
形成１０４のを図示すゐ。 第４ｍは、重置＠による感光体に正帯電・負帯電させ友
と龜Ｏ分光感度−一を示すグラブ。 第Ｓ図（ｍｌ 、 （ｂ）は１本発明による感光体に液
長範ＩＩＯ異なる光を照射し作像操作をし走時の電荷分
布状態を示し、（ａ）は負；■す放電による帯電をさせ
九場合、へ１は（ａ） ０蕾に正コロナ放電による帯電
をさせ友場合を各々図示するものである。 １・・・基板；２・・・ａ−１１１感光体層；６・・・
ＩＩ図面縁層；４・・・基板側絶縁層。 特許出願人：スタンレー電気株式金社 代層人：弁珊士海津保三 岡 ：弁運士 平 山 −幸 第１図 第２図 （０ン
（０〕“ １° −キ
ー ｇ−一士一−３＼ 第４１１ 第５囮 （０） （ｂ） −３く−→２→０２ 手続補正書（自ＪＡ） 昭和５８年１ 月１１日 特許庁長官 着杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許 願第３３７８１５号２Ｊ１０４称
電子写真用感光体 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都目黒区中目黒２丁目９喬１３号４、代理
人 ６、 補正により増加する発明の数 なしく１）明細書
、第７頁箇３行ノｒ８１ＦｓＪ ｉ ｒ８１Ｆｄに訂正
する。 （２）同書、第７頁第１０行の「単結晶なども混在して
いるので」をｒ多結晶なども混在してし）ることもある
のでＪに訂正する０ （３）同書、第８頁第１θ行の「グロー放電分解に」を
ｒグロー放電分解時にｊに訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） １１１１に絶縁層を敵けえア壁ルツアスシリ；
ン感光体において ａＳＳ層は、シランガス及び窒素＃
メな含むガスを用いて高ｌｌｌ液によるグレー放電分解
で１−９４０厚み範囲で形成され九ア峰ル７アス電化シ
リ；ン屓であることを４１像とす為電子写真用感光体。 ２） ｌ！面Ｋｌｋ縁層を殻けえアモルファスシリコ
ン感光体において、該絶縁層は、シランガス及び九とえ
ばＣｓＬなどＯ炭化水嵩系ガスを含むガスを用いて高周
波によゐグレー放電分解で１〜２０ａｌ１１４０１１み
範囲で形成され九アモルファス炭化シリツン膜であるこ
とを特徴とする電子写真用感光体・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3378582A JPS58152255A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3378582A JPS58152255A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58152255A true JPS58152255A (ja) | 1983-09-09 |
Family
ID=12396117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3378582A Pending JPS58152255A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58152255A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0187655A2 (en) * | 1985-01-09 | 1986-07-16 | Hitachi, Ltd. | Electrophotographic photosensitive device |
| EP0219982A2 (en) * | 1985-09-30 | 1987-04-29 | Xerox Corporation | Overcoated amorphous silicon imaging members |
| JPS63175868A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| US4923775A (en) * | 1988-12-23 | 1990-05-08 | Xerox Corporation | Photoreceptor overcoated with a polysiloxane |
| JP2009219853A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 電気掃除機 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145537A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Preparation of electrophotographic image forming material |
| JPS56115573A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoconductive element |
-
1982
- 1982-03-05 JP JP3378582A patent/JPS58152255A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145537A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Preparation of electrophotographic image forming material |
| JPS56115573A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoconductive element |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0187655A2 (en) * | 1985-01-09 | 1986-07-16 | Hitachi, Ltd. | Electrophotographic photosensitive device |
| EP0219982A2 (en) * | 1985-09-30 | 1987-04-29 | Xerox Corporation | Overcoated amorphous silicon imaging members |
| JPS63175868A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| US4923775A (en) * | 1988-12-23 | 1990-05-08 | Xerox Corporation | Photoreceptor overcoated with a polysiloxane |
| JP2009219853A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 電気掃除機 |
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