JPS5919335B2 - 電子写真法 - Google Patents
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- JPS5919335B2 JPS5919335B2 JP51141110A JP14111076A JPS5919335B2 JP S5919335 B2 JPS5919335 B2 JP S5919335B2 JP 51141110 A JP51141110 A JP 51141110A JP 14111076 A JP14111076 A JP 14111076A JP S5919335 B2 JPS5919335 B2 JP S5919335B2
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- insulating layer
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- charge
- photoreceptor
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- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
- G03G5/14713—Macromolecular material
- G03G5/14747—Macromolecular material obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- G03G5/14782—Cellulose and derivatives
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/22—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20
- G03G15/226—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20 where the image is formed on a dielectric layer covering the photoconductive layer
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、表面絶縁性層を有する感光体を用い、ポジ−
ポジ（またはネガ−ネガ）とポジ−ネガ（またはネガ−
ポジ）の複写像を帯電極性の切り換えだけで得ることの
できる電子写真法に関する。
ポジ（またはネガ−ネガ）とポジ−ネガ（またはネガ−
ポジ）の複写像を帯電極性の切り換えだけで得ることの
できる電子写真法に関する。
電子写真感光体として従来実用化されてきたものとして
はＳｅ、Ｓｅ系合金、酸化亜鉛、硫化カドミウム等の光
導電性物質の層を導電性基板の上に設けたものが代表的
なものであるが、これらはいずれも正帯電か負帯電のど
ちらか一方の極性でのみ使用することが可能なものであ
る。これらの感光体が両極性での使用に耐え得ないのは
、一方の極性で帯電性が悪かつたり、あるいは一方の極
性の荷電キャリヤーが動きにくく、感度が悪いか、バル
ク中にトラップされた空間電荷が感光体中に蓄積されて
残留電位が上昇したりすることが原因である。例えば、
Ｓｅ系の感材の場合、負帯電すると表面の負電荷による
電場の作用により導電性基板から正電荷担体が注入され
、見かけ上帯電量を小さくして感光体としての感度を低
下させたり、あるいは、内部に存在する負電荷のトラッ
プ中心のため、負帯電、露光をくり返すと、感光体中に
負の空間電荷が蓄積されて残留電位が上昇し、くり返し
特性が悪くなるなどの問題がある。一方、通常の電子写
真プロセスと感光体に対し、米国特許第３０４１１６７
号によれば、光導電性層上に密着した表面絶縁層を有す
る感光体を用い、第１次帯電、全面露光、第一次帯電と
逆極性の第二次帯電、像露光のプロセスにより静電潜像
を形成する方法が記載されている。
はＳｅ、Ｓｅ系合金、酸化亜鉛、硫化カドミウム等の光
導電性物質の層を導電性基板の上に設けたものが代表的
なものであるが、これらはいずれも正帯電か負帯電のど
ちらか一方の極性でのみ使用することが可能なものであ
る。これらの感光体が両極性での使用に耐え得ないのは
、一方の極性で帯電性が悪かつたり、あるいは一方の極
性の荷電キャリヤーが動きにくく、感度が悪いか、バル
ク中にトラップされた空間電荷が感光体中に蓄積されて
残留電位が上昇したりすることが原因である。例えば、
Ｓｅ系の感材の場合、負帯電すると表面の負電荷による
電場の作用により導電性基板から正電荷担体が注入され
、見かけ上帯電量を小さくして感光体としての感度を低
下させたり、あるいは、内部に存在する負電荷のトラッ
プ中心のため、負帯電、露光をくり返すと、感光体中に
負の空間電荷が蓄積されて残留電位が上昇し、くり返し
特性が悪くなるなどの問題がある。一方、通常の電子写
真プロセスと感光体に対し、米国特許第３０４１１６７
号によれば、光導電性層上に密着した表面絶縁層を有す
る感光体を用い、第１次帯電、全面露光、第一次帯電と
逆極性の第二次帯電、像露光のプロセスにより静電潜像
を形成する方法が記載されている。
このプロセスに用いられる感光体は第１図に示すように
表面絶縁層３、光導電性層２、導電性基板１の三層を基
本構成とし、表面絶縁層３は光導電性層２が感じる輻射
線に対して透過性である。
表面絶縁層３、光導電性層２、導電性基板１の三層を基
本構成とし、表面絶縁層３は光導電性層２が感じる輻射
線に対して透過性である。
このプロセスを第２図を参照して簡単に説明すると、上
記のような構成の感光性部材の透明の表面絶縁性層３を
まずある極性に帯電し（ａ図）、次いで一様露光をして
表面の電荷と逆極性の電荷を絶縁性層３と光導電性層２
の境界に形成し（ｂ図）、第一次帯電とは逆極性の帯電
を施し表面電荷を中和するとともに導電性基板１に前記
境界に存在する電荷とは逆極性の電荷を誘起させ（ｃ図
）、次いで像露光して境界に存在している電荷を光照射
・ 部に対応して放電させ、静電潜像を絶縁性層３と光
導電性層２の境界に形成する（ｄ図）方法である。この
感光体は絶縁層一ヒにて現像、転写、クリーニング等の
処理を遂行するものであるため、長い寿命を有すること
、また光導電性層が表面絶縁層によつておおわれている
ことから毒性に対する配慮が不要であることなど、種々
の長所がある。
記のような構成の感光性部材の透明の表面絶縁性層３を
まずある極性に帯電し（ａ図）、次いで一様露光をして
表面の電荷と逆極性の電荷を絶縁性層３と光導電性層２
の境界に形成し（ｂ図）、第一次帯電とは逆極性の帯電
を施し表面電荷を中和するとともに導電性基板１に前記
境界に存在する電荷とは逆極性の電荷を誘起させ（ｃ図
）、次いで像露光して境界に存在している電荷を光照射
・ 部に対応して放電させ、静電潜像を絶縁性層３と光
導電性層２の境界に形成する（ｄ図）方法である。この
感光体は絶縁層一ヒにて現像、転写、クリーニング等の
処理を遂行するものであるため、長い寿命を有すること
、また光導電性層が表面絶縁層によつておおわれている
ことから毒性に対する配慮が不要であることなど、種々
の長所がある。
また、この感光体を使用するプロセスにおいては、正の
荷電キヤリヤ一と負の荷電キヤリヤ一が両方共感光体中
を流れることから、空間電荷の蓄積が少ないことも一つ
の特長であるが、しかしながら前述のような感光体では
、導電性基板から荷電キヤリヤ一の注入が行なわれ、先
に述べたように感光体の感度が低下したり、あるいはＳ
／Ｎ（信号／雑音比）が悪くなつて帯電極性を逆にして
使用する場合には良好な画像が得られていない。従つて
、本発明の目的は、従来のような欠点のない電子写真用
感光体を使用してポジ画像およびネガ画像を選択的に得
ることのできる電子写真法を提供することである。
荷電キヤリヤ一と負の荷電キヤリヤ一が両方共感光体中
を流れることから、空間電荷の蓄積が少ないことも一つ
の特長であるが、しかしながら前述のような感光体では
、導電性基板から荷電キヤリヤ一の注入が行なわれ、先
に述べたように感光体の感度が低下したり、あるいはＳ
／Ｎ（信号／雑音比）が悪くなつて帯電極性を逆にして
使用する場合には良好な画像が得られていない。従つて
、本発明の目的は、従来のような欠点のない電子写真用
感光体を使用してポジ画像およびネガ画像を選択的に得
ることのできる電子写真法を提供することである。
本発明は従来の感光体を改良し、両極性での使用を可能
としたものであつて、その結果、現像剤を変更せず帯電
極性を切り変えるだけでポジ−ポジ（またはネガ−ネガ
）とネガ−ポジ（またはポジ−ネガ）のコピーを任意に
選択して得ることができるようにしたものである。
としたものであつて、その結果、現像剤を変更せず帯電
極性を切り変えるだけでポジ−ポジ（またはネガ−ネガ
）とネガ−ポジ（またはポジ−ネガ）のコピーを任意に
選択して得ることができるようにしたものである。
また本発明による感光体はその表面に絶縁層を有するこ
とに由来する前記のような長所をあわせ持つたものであ
る。本発明方法で使用する感光体は第３図に示すように
導電性基板１上に中間絶縁層４、光導電性層２、表面絶
縁層３をこの順に積層したものである〇上記光導電性層
３としては、種々の無機あるいは有機光導電性物質を用
いることができる。例えば無定形Ｓｅは、本発明にとつ
て望ましい材料である。また耐結晶化性を向上させるた
めにＡｓを０．１〜５％含んだＳｅとＡｓの合金は、同
様に望ましい特性を示す。また増感の目的でＴｅあるい
はＡｓを１〜５０％含んだＳｅ合金、あるいはＴｅまた
はＡｓの含有量が異なる二組成を重ね合わせてなるもの
等も同様に用いることができる。またそれらは電気的特
性を制御するためにＦ，Ｃｌ等のハロゲン元素や、Ｔｌ
，Ｉｎ等の周期律表第ｂ層元素を少量含んでいてもよい
。またＣｄＳやＺｎＯ等の光導電性物質を用いてもよい
。また有機光導電性物質としては、ＰＶＫ−ＴＮＦ系の
ようにＰＶＫを化学増感材で増感したもの、あるいは色
素により増感したもの、あるいは色素をバインダー中に
分散させたもの等を用いることができる。なお、光導電
性層の厚さは５〜２００μの範囲であることが望ましい
。本発明方法に用いる感光体の表面絶縁層３としては高
抵抗で電荷を保持することができ、耐摩耗強度の大きい
ものであることが望ましく、さらに光導電性層２が感じ
る輻射線に対して透過性であることが要求される。
とに由来する前記のような長所をあわせ持つたものであ
る。本発明方法で使用する感光体は第３図に示すように
導電性基板１上に中間絶縁層４、光導電性層２、表面絶
縁層３をこの順に積層したものである〇上記光導電性層
３としては、種々の無機あるいは有機光導電性物質を用
いることができる。例えば無定形Ｓｅは、本発明にとつ
て望ましい材料である。また耐結晶化性を向上させるた
めにＡｓを０．１〜５％含んだＳｅとＡｓの合金は、同
様に望ましい特性を示す。また増感の目的でＴｅあるい
はＡｓを１〜５０％含んだＳｅ合金、あるいはＴｅまた
はＡｓの含有量が異なる二組成を重ね合わせてなるもの
等も同様に用いることができる。またそれらは電気的特
性を制御するためにＦ，Ｃｌ等のハロゲン元素や、Ｔｌ
，Ｉｎ等の周期律表第ｂ層元素を少量含んでいてもよい
。またＣｄＳやＺｎＯ等の光導電性物質を用いてもよい
。また有機光導電性物質としては、ＰＶＫ−ＴＮＦ系の
ようにＰＶＫを化学増感材で増感したもの、あるいは色
素により増感したもの、あるいは色素をバインダー中に
分散させたもの等を用いることができる。なお、光導電
性層の厚さは５〜２００μの範囲であることが望ましい
。本発明方法に用いる感光体の表面絶縁層３としては高
抵抗で電荷を保持することができ、耐摩耗強度の大きい
ものであることが望ましく、さらに光導電性層２が感じ
る輻射線に対して透過性であることが要求される。
具体的には高分子フイルム、例えばウレタン樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリエステル樹脂、弗素樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリエチレン樹脂、錯酸セルローズ樹脂、ポ
リ塩化ビニル樹脂等のフイルム、あるいは無機絶縁材料
例えばＳｉＯ２，Ａｌ，Ｏ３等によるガラス、セラミツ
クス等が用いられるものである。なお、表面絶縁層３の
厚さは５〜５０μの範囲であることが望ましい。導電性
基板１と光導電性層２との間に介在する中間絶縁層４と
しては、高抵抗であつて荷電キヤリヤ一の注入を阻止す
るものでなければならない。
キシ樹脂、ポリエステル樹脂、弗素樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリエチレン樹脂、錯酸セルローズ樹脂、ポ
リ塩化ビニル樹脂等のフイルム、あるいは無機絶縁材料
例えばＳｉＯ２，Ａｌ，Ｏ３等によるガラス、セラミツ
クス等が用いられるものである。なお、表面絶縁層３の
厚さは５〜５０μの範囲であることが望ましい。導電性
基板１と光導電性層２との間に介在する中間絶縁層４と
しては、高抵抗であつて荷電キヤリヤ一の注入を阻止す
るものでなければならない。
さらに導電性基板１及び光導電性層２との接着性がよい
ことを要するが、透光性である必要はない。具体的には
表面絶縁層３として用いられる高分子フイルム及び無機
絶縁材料としてあげたものは、何れもこの中間絶縁層と
して用いることができる。中間絶縁層の膜厚は０，１〜
２０μの範囲であることが望ましい。導電性支持体とし
ては、導電性であればよく、例えばアルミニウム、銅、
ニツケル、錫等の金属導電体、樹脂フイルムに導電加工
したもの、あるいは吸湿性の紙、紙の土にアルミ箔を付
着したもの等があげられる。
ことを要するが、透光性である必要はない。具体的には
表面絶縁層３として用いられる高分子フイルム及び無機
絶縁材料としてあげたものは、何れもこの中間絶縁層と
して用いることができる。中間絶縁層の膜厚は０，１〜
２０μの範囲であることが望ましい。導電性支持体とし
ては、導電性であればよく、例えばアルミニウム、銅、
ニツケル、錫等の金属導電体、樹脂フイルムに導電加工
したもの、あるいは吸湿性の紙、紙の土にアルミ箔を付
着したもの等があげられる。
上記感光体を用い、米国特許第３０４１１６７号明細書
に記載されたプロセス、すなわち第一次帯電、全面露光
、第一次帯電と逆極性の第二次帯電、像露光からなるプ
ロセスのもとで静電潜像を形成させることにより、安定
性のよい良質のコピーを得ることができる。
に記載されたプロセス、すなわち第一次帯電、全面露光
、第一次帯電と逆極性の第二次帯電、像露光からなるプ
ロセスのもとで静電潜像を形成させることにより、安定
性のよい良質のコピーを得ることができる。
さらに、第一次帯電と第二次帯電の極性を同時に両方と
も逆にすることにより、現像剤を変更することなく、コ
ピー画像を反転させることができる。中間絶縁層を有す
る感光体を用いて反転像を得ることを特徴とする本発明
のプロセスを第４図、第５図を参照して簡単に説明する
と、第３図に示したような構成の感光体の表面絶縁性層
３をまずある極性（第４図の場合は正、第５図の場合は
負）に帯電し（ａ図）、次いで一様露光をして表面の電
荷と逆極性の電荷を表面絶縁性層３と光導電性層２の境
界に形成するように光導電性層２を分極させ（ｂ図）、
第一次帯電とは逆極性の帯電を施し表面電荷を中和する
（ｃ図）。
も逆にすることにより、現像剤を変更することなく、コ
ピー画像を反転させることができる。中間絶縁層を有す
る感光体を用いて反転像を得ることを特徴とする本発明
のプロセスを第４図、第５図を参照して簡単に説明する
と、第３図に示したような構成の感光体の表面絶縁性層
３をまずある極性（第４図の場合は正、第５図の場合は
負）に帯電し（ａ図）、次いで一様露光をして表面の電
荷と逆極性の電荷を表面絶縁性層３と光導電性層２の境
界に形成するように光導電性層２を分極させ（ｂ図）、
第一次帯電とは逆極性の帯電を施し表面電荷を中和する
（ｃ図）。
その後、像露光して光照射部の分極を放電させて消去し
、静電潜像を表面絶縁性層３と光導電性層２の境界に形
成する（ｄ図）。この分極による静電潜像をある極性に
帯電したトナー粒子で現像する場合、例えば第４図、第
５図で示すように正帯電したトナー５を用いた場合、負
極性の潜像に対しては第４図ｅのように潜像に対応して
、また正極性の潜像に対しては第５図ｅのように周辺電
場効果（Ｅｄｇｅｅｆｆｅｃｔ）のため像部分周辺の光
導電層２の表面に負電荷が誘起され、その部分にトナー
５が吸引されてネガ像ができる。ただし、後者の場合は
周辺電場効果のある場所だけが現像されるため線画像に
は適用できるが、連続階調の再現には使用できない。連
続階調の再現をする場合は、第６図に示すように現像電
極６を設け、現像電極６の電圧をコントロールして静電
潜像と等しい電位が電極６に生じるようにしておく。
、静電潜像を表面絶縁性層３と光導電性層２の境界に形
成する（ｄ図）。この分極による静電潜像をある極性に
帯電したトナー粒子で現像する場合、例えば第４図、第
５図で示すように正帯電したトナー５を用いた場合、負
極性の潜像に対しては第４図ｅのように潜像に対応して
、また正極性の潜像に対しては第５図ｅのように周辺電
場効果（Ｅｄｇｅｅｆｆｅｃｔ）のため像部分周辺の光
導電層２の表面に負電荷が誘起され、その部分にトナー
５が吸引されてネガ像ができる。ただし、後者の場合は
周辺電場効果のある場所だけが現像されるため線画像に
は適用できるが、連続階調の再現には使用できない。連
続階調の再現をする場合は、第６図に示すように現像電
極６を設け、現像電極６の電圧をコントロールして静電
潜像と等しい電位が電極６に生じるようにしておく。
第５図ｄの場合、この条件で感光板表面には負電荷が誘
起され、はじめ電荷密度が最も大きかつた部分の正電荷
は中和され、逆にもともと正電荷密度のゼロの部分には
、電荷密度が最も大きかつた正電荷と同じ負電荷密度が
生じる。中間部分にはもとの正電荷に逆比例する過剰の
負電荷が生じる。それ故、パウダークラウド法などで正
帯電したトナー５を用いて現像すると、連続階調再現性
のよい反転像が得られる。以下の実施例によつて本発明
を更に具体的に説明する。実施例 アルミニウム支持体上にウレタン樹脂を厚さ約５μに塗
布し、その上に真空蒸着法によりＳｅの厚さ６０μの膜
を形成させる。
起され、はじめ電荷密度が最も大きかつた部分の正電荷
は中和され、逆にもともと正電荷密度のゼロの部分には
、電荷密度が最も大きかつた正電荷と同じ負電荷密度が
生じる。中間部分にはもとの正電荷に逆比例する過剰の
負電荷が生じる。それ故、パウダークラウド法などで正
帯電したトナー５を用いて現像すると、連続階調再現性
のよい反転像が得られる。以下の実施例によつて本発明
を更に具体的に説明する。実施例 アルミニウム支持体上にウレタン樹脂を厚さ約５μに塗
布し、その上に真空蒸着法によりＳｅの厚さ６０μの膜
を形成させる。
その時支持体の温度は６０℃から７０℃の間に保つてお
く。ついでＳｅ蒸着膜上に１２μ厚のポリエステルフイ
ルムをエポキシレジンで接着することにより感光体が得
られる。次に、感光体の絶縁層表面を−５．５ＫＶのコ
ロナ放電により帯電し、次いで約１０ルツクス・秒の光
量で全面露光し、さらに＋５．５ＫＶのコロナ放電によ
り帯電し、最後に約１０ルツクス・秒の光量で像露光す
ることにより、約８００Ｖの静電コントラストを有する
静電潜像を得た。
く。ついでＳｅ蒸着膜上に１２μ厚のポリエステルフイ
ルムをエポキシレジンで接着することにより感光体が得
られる。次に、感光体の絶縁層表面を−５．５ＫＶのコ
ロナ放電により帯電し、次いで約１０ルツクス・秒の光
量で全面露光し、さらに＋５．５ＫＶのコロナ放電によ
り帯電し、最後に約１０ルツクス・秒の光量で像露光す
ることにより、約８００Ｖの静電コントラストを有する
静電潜像を得た。
これを負に帯電するトナーと正に帯電するキヤリヤ一か
らなる現像剤でカスケード現像することにより、良質の
ポジ画像が得られた。次に第一次帯電を＋６ＫＶのコロ
ナ放電で行ない、光量１０ルツクス・秒の全面露光、−
５ＫＶのコロナ放電による第二次帯電、光量１０ルツタ
ス・秒の像露光と操作を続けることにより、同一の現像
剤を用いながら反転画像を得ることができた。
らなる現像剤でカスケード現像することにより、良質の
ポジ画像が得られた。次に第一次帯電を＋６ＫＶのコロ
ナ放電で行ない、光量１０ルツクス・秒の全面露光、−
５ＫＶのコロナ放電による第二次帯電、光量１０ルツタ
ス・秒の像露光と操作を続けることにより、同一の現像
剤を用いながら反転画像を得ることができた。
このようにポジ−ポジ（またはネガ−ネガ）とネガ−ポ
ジ（またはポジ−ネガ）の切り変えは、帯電極性の切り
変えだけで容易に行なうことができる。以上に述べた実
施例から明らかなように、本発明方法によれば同一の現
像剤を用いてポジ−ポジ（またはネガ−ネガ）およびネ
ガ−ポジ（またはポジ−ネガ）像を極めて簡単な操作に
より任意に選択的に得ることができる。
ジ（またはポジ−ネガ）の切り変えは、帯電極性の切り
変えだけで容易に行なうことができる。以上に述べた実
施例から明らかなように、本発明方法によれば同一の現
像剤を用いてポジ−ポジ（またはネガ−ネガ）およびネ
ガ−ポジ（またはポジ−ネガ）像を極めて簡単な操作に
より任意に選択的に得ることができる。
第１および２図は従来法を、また第３〜６図は本発明方
法を説明するための図である。
法を説明するための図である。
Claims (1)
- １ 導電性基板１の上に絶縁性層４、光導電性層２、表
面絶縁性層３を順次積層した電子写真用感光体に一次帯
電し、次いで一様露光した後、一次帯電と逆極性の二次
帯電を行つて表面電荷を中和し、その後像露光して静電
潜像を形成すること、または上記一次帯電および二次帯
電の極性を逆にして以下同様に行い静電潜像を形成する
ことを選択的に行ない得ることを特徴とする電子写真法
。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51141110A JPS5919335B2 (ja) | 1976-11-26 | 1976-11-26 | 電子写真法 |
| DE19772752753 DE2752753A1 (de) | 1976-11-26 | 1977-11-25 | Elektrophotographisches verfahren |
| GB49083/77A GB1595463A (en) | 1976-11-26 | 1977-11-25 | Electrophotographic process |
| US05/855,143 US4197119A (en) | 1976-11-26 | 1977-11-28 | Electrophotographic process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51141110A JPS5919335B2 (ja) | 1976-11-26 | 1976-11-26 | 電子写真法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5366232A JPS5366232A (en) | 1978-06-13 |
| JPS5919335B2 true JPS5919335B2 (ja) | 1984-05-04 |
Family
ID=15284392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51141110A Expired JPS5919335B2 (ja) | 1976-11-26 | 1976-11-26 | 電子写真法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4197119A (ja) |
| JP (1) | JPS5919335B2 (ja) |
| DE (1) | DE2752753A1 (ja) |
| GB (1) | GB1595463A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0227703B2 (ja) * | 1983-04-06 | 1990-06-19 | Asahi Kasei Kogyo Kk |
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|---|---|---|---|---|
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| DE2952471A1 (de) * | 1978-12-26 | 1980-07-17 | Canon Kk | Elektrophotographisches verfahren und einrichtung zu dessen durchfuehrung |
| US4496232A (en) * | 1980-01-07 | 1985-01-29 | Bell & Howell | Apparatus for and methods of making bimodal electrophotographic copies |
| KR890004869B1 (ko) * | 1984-08-10 | 1989-11-30 | 후지쑤 가부시끼가이샤 | 전자사진인쇄에 있어서 토우너 화상의 형성방법 |
| JPS6479752A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-24 | Seiko Epson Corp | Organic electrophotographic sensitive body |
| US6645686B1 (en) | 2002-07-23 | 2003-11-11 | Xerox Corporation | Electrophotographic imaging members |
| US7440157B2 (en) * | 2006-03-02 | 2008-10-21 | Fury Technologies Corporation | Optically addressed spatial light modulator and method |
Family Cites Families (4)
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| US3676117A (en) * | 1967-10-20 | 1972-07-11 | Katsuragawa Denki Kk | Method of electrophotography |
| US3677751A (en) * | 1968-11-30 | 1972-07-18 | Ricoh Kk | Polarity reversal electrophotography |
-
1976
- 1976-11-26 JP JP51141110A patent/JPS5919335B2/ja not_active Expired
-
1977
- 1977-11-25 GB GB49083/77A patent/GB1595463A/en not_active Expired
- 1977-11-25 DE DE19772752753 patent/DE2752753A1/de not_active Ceased
- 1977-11-28 US US05/855,143 patent/US4197119A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0227703B2 (ja) * | 1983-04-06 | 1990-06-19 | Asahi Kasei Kogyo Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1595463A (en) | 1981-08-12 |
| US4197119A (en) | 1980-04-08 |
| DE2752753A1 (de) | 1978-06-01 |
| JPS5366232A (en) | 1978-06-13 |
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