JPS59100468A - 静電記録方法 - Google Patents
静電記録方法Info
- Publication number
- JPS59100468A JPS59100468A JP21106582A JP21106582A JPS59100468A JP S59100468 A JPS59100468 A JP S59100468A JP 21106582 A JP21106582 A JP 21106582A JP 21106582 A JP21106582 A JP 21106582A JP S59100468 A JPS59100468 A JP S59100468A
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- JP
- Japan
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- latent image
- image
- polarity
- recording method
- photosensitive body
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G13/00—Electrographic processes using a charge pattern
- G03G13/04—Exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
- G03G13/045—Charging or discharging distinct portions of the charge pattern on the recording material, e.g. discharging non-image areas, contrast enhancement
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、たとえばレーザ光利用の画像形成装置等に
有用な静電記録方法の技術分野に属する。
有用な静電記録方法の技術分野に属する。
従来、レーザ光利用の画像形成装置による静電記録方法
は、次のとおりである。すなわち、第１図に示すように
、たとえば５ｅまたは５ｅ−Ｔｅ系のＰ型光導電体でち
るドラム状感光体１に正極性の直流コロナ帯電器２によ
シ正の表面電位〆Ｓを形成し、次いで７８０ ｎｍの半
導体レーザ光６のスキャニングによシ感九体１上を光像
照射して静電潜像ＦＬを形Ｊ５５ｆる。感光体１上をレ
ーザ光ろでスキャ〜すると、第２図（（イ）に示すよう
に、感光体１上で、バックグラウンドに対応する部分（
白地部分）は＋６００Ｖ程度の電位が形成され、壕だ、
レーザ光で書き込まｉた部分は＋５０Ｖ８度の残留電位
が形成されている。前記残留電位部分に黒色トナーで現
、像を行な？、には・午とえば＋６５０Ｖ程度の直流現
画像バ諸アス２０’を現像器４１と感光体１との間に□
印力口・し、□正に帯電した黒色トナー４を感□光体１
・上に供給する。そうすると１．、黒色トナー４は、第
２図（司に示すように、感光体１の高電位部分に付着せ
ずに、低電位部分に付着する。感光体１上に付着した正
の黒色ｉナーＴは、給紙カセツ）・７より供給される記
録用紙８に負極性の転写コロナ器５で転写され名。転写
後、記録用紙８ば、微速ベルト９等で搬送され、ヒート
ロール１０等の定着器でトナ□二像を□永久画像とする
。なお、感光体１上に残留した未転写：与Ｌ ’ｒＲ看
、交流除電コロナ器１１に、ｒ、シ゛示電荷を除去し左
後、ブレード１２等のクリーニング装置によって感光体
１上から除去される。感光体１上に残留した正電荷は、
除電ランプ１６によシ消去され、この後、感光体１ば２
回転目の画像形成工程に移る。
は、次のとおりである。すなわち、第１図に示すように
、たとえば５ｅまたは５ｅ−Ｔｅ系のＰ型光導電体でち
るドラム状感光体１に正極性の直流コロナ帯電器２によ
シ正の表面電位〆Ｓを形成し、次いで７８０ ｎｍの半
導体レーザ光６のスキャニングによシ感九体１上を光像
照射して静電潜像ＦＬを形Ｊ５５ｆる。感光体１上をレ
ーザ光ろでスキャ〜すると、第２図（（イ）に示すよう
に、感光体１上で、バックグラウンドに対応する部分（
白地部分）は＋６００Ｖ程度の電位が形成され、壕だ、
レーザ光で書き込まｉた部分は＋５０Ｖ８度の残留電位
が形成されている。前記残留電位部分に黒色トナーで現
、像を行な？、には・午とえば＋６５０Ｖ程度の直流現
画像バ諸アス２０’を現像器４１と感光体１との間に□
印力口・し、□正に帯電した黒色トナー４を感□光体１
・上に供給する。そうすると１．、黒色トナー４は、第
２図（司に示すように、感光体１の高電位部分に付着せ
ずに、低電位部分に付着する。感光体１上に付着した正
の黒色ｉナーＴは、給紙カセツ）・７より供給される記
録用紙８に負極性の転写コロナ器５で転写され名。転写
後、記録用紙８ば、微速ベルト９等で搬送され、ヒート
ロール１０等の定着器でトナ□二像を□永久画像とする
。なお、感光体１上に残留した未転写：与Ｌ ’ｒＲ看
、交流除電コロナ器１１に、ｒ、シ゛示電荷を除去し左
後、ブレード１２等のクリーニング装置によって感光体
１上から除去される。感光体１上に残留した正電荷は、
除電ランプ１６によシ消去され、この後、感光体１ば２
回転目の画像形成工程に移る。
しかしながら、前記静電記録方法では、殆んど白地のバ
ックグラウンド中に、情報となる文字や図形が多少ある
だけなので、換言すると、感光体１上に、は高電位部分
が低電位部分よシも圧倒的に・：、：′。
ックグラウンド中に、情報となる文字や図形が多少ある
だけなので、換言すると、感光体１上に、は高電位部分
が低電位部分よシも圧倒的に・：、：′。
多いので、細線やこみ入ったパターンを、ボケやｔｌｌ
）７． （’′めな□い、再現性の良い画像に形成する
ことが困難である・ま１だ７５′系ある“は５°−′′
系０感光体は、レーザ光に対する分光感度が良好でない
ので、直流コロナ放電によっても表面電位が良好に形成
されなかったシ、表面電位が形成されても、周囲の温度
が高くなると急激にその表面電位が低下□するとい□う
不都合もあった。
）７． （’′めな□い、再現性の良い画像に形成する
ことが困難である・ま１だ７５′系ある“は５°−′′
系０感光体は、レーザ光に対する分光感度が良好でない
ので、直流コロナ放電によっても表面電位が良好に形成
されなかったシ、表面電位が形成されても、周囲の温度
が高くなると急激にその表面電位が低下□するとい□う
不都合もあった。
この発明は前記事情に鑑みてなされたものであシ、レー
ザ元利、用の画像形成装置によシ、岬線やこみ入ったパ
□ターンを有する原稿でも再現憔よく良好な複写画像を
形成することのできる静電記録方法を提供することを目
的とするものである。
ザ元利、用の画像形成装置によシ、岬線やこみ入ったパ
□ターンを有する原稿でも再現憔よく良好な複写画像を
形成することのできる静電記録方法を提供することを目
的とするものである。
前記目的を達成するだめのこの発明の概要は、レーザ光
に対する分光感度が良好で、かつ、正負両極性の帯電態
をする像支持体表面にレーザ光で静電潜像を形成し、次
いでコロナ帯電によシ前記静電潜像とは逆の極性の静電
潜像に反転させ、これを現像可視化することによって、
角現件のある良好な画像を形成することを特徴とするも
のである。
に対する分光感度が良好で、かつ、正負両極性の帯電態
をする像支持体表面にレーザ光で静電潜像を形成し、次
いでコロナ帯電によシ前記静電潜像とは逆の極性の静電
潜像に反転させ、これを現像可視化することによって、
角現件のある良好な画像を形成することを特徴とするも
のである。
この発明の一実施例について図面を参照しながら説明す
る。
る。
この発明の方法に使用する像支持体たとえば感光体は、
第３図に示すように、感光体基層６０上に、少なくとも
水素を含有するアモルファスシリコン層６１を、高抵抗
層３２および６ろで、挾持してなる三層を成層してなる
。
第３図に示すように、感光体基層６０上に、少なくとも
水素を含有するアモルファスシリコン層６１を、高抵抗
層３２および６ろで、挾持してなる三層を成層してなる
。
アモルファスシリコン層６１は、従来のアモルファスシ
リコン感光体におけるのと同様である。
リコン感光体におけるのと同様である。
高抵抗層６２および６３は、炭素、酸素および窒素のい
ずれか１種以上と水素とを含有するアモルファスシリコ
ンで形成するのが好ましい。好ましくは、前記高抵抗層
ろ２および６６、は、たとえばＣ１ｌ、基、Ｃ’１ｉ３
ＣＨ２基、ｃＨ３’ｃＨ，、ＣＨ，、基等の低級アルキ
ル基を有し、好ましくはＣＨ８基を有しており、５ｉ−
Ｃ１１２−５ｉのような結合様式を有する炭素の含有量
は無視可能の程度に少ないものであえ。また、前記アモ
ルファスシリコンは、その赤外分光光度ベクトルによシ
１．賓二ＣＨ３、 Ｓ’ｉ −ＣＩＩ、” Ｃｌｌ３、Ｓ ４− ＣＨ２Ｃ
Ｈ２ＣＨ３が同定可能である。この発明の方法における
感光体を、前記のような三層構造にすると、□正負両極
の帯電態を有することができると共に、レーザ光に対す
る分光感度ｍ”ｓ０６ル灰にまで広げることができる。
ずれか１種以上と水素とを含有するアモルファスシリコ
ンで形成するのが好ましい。好ましくは、前記高抵抗層
ろ２および６６、は、たとえばＣ１ｌ、基、Ｃ’１ｉ３
ＣＨ２基、ｃＨ３’ｃＨ，、ＣＨ，、基等の低級アルキ
ル基を有し、好ましくはＣＨ８基を有しており、５ｉ−
Ｃ１１２−５ｉのような結合様式を有する炭素の含有量
は無視可能の程度に少ないものであえ。また、前記アモ
ルファスシリコンは、その赤外分光光度ベクトルによシ
１．賓二ＣＨ３、 Ｓ’ｉ −ＣＩＩ、” Ｃｌｌ３、Ｓ ４− ＣＨ２Ｃ
Ｈ２ＣＨ３が同定可能である。この発明の方法における
感光体を、前記のような三層構造にすると、□正負両極
の帯電態を有することができると共に、レーザ光に対す
る分光感度ｍ”ｓ０６ル灰にまで広げることができる。
前記三層構造の感光体は、たとえば次のようにして製造
することができる。
することができる。
すなわち１．５ｉＨ４７５’ＳＣＣＭと（、’Ｈ，／Ｓ
乙Ｈ４流量比が２００％であるＣＨ４ガスとの混合ガス
に、’Ｑ、４Ｔｏγγの圧力下、２２０℃に加熱しなが
ら、２５１１７の高周波電力のグロー放電をす、ること
によって＼プラズマを形成し、□該プラ□ズマを感光体
基板６０の表面に１” ａ ｍ”’間接触させることに
よって、感光体基板５０の表面に約５ｏ”ｏｆの厚みの
第１の高抵抗層６２を□形□成する。
乙Ｈ４流量比が２００％であるＣＨ４ガスとの混合ガス
に、’Ｑ、４Ｔｏγγの圧力下、２２０℃に加熱しなが
ら、２５１１７の高周波電力のグロー放電をす、ること
によって＼プラズマを形成し、□該プラ□ズマを感光体
基板６０の表面に１” ａ ｍ”’間接触させることに
よって、感光体基板５０の表面に約５ｏ”ｏｆの厚みの
第１の高抵抗層６２を□形□成する。
次いで１．ＳＺ ＃４１８０ＳＯＯＭに、ｏ、５Ｔｏｒ
ｒの圧力下、２２０℃に加熱しながら、５ＯＦの高周波
電力のグロー放電をすることによって、ブ１シズマを形
成し、該プラズマを前記第１の高抵抗層６２表面に６時
間接触させることによって、前記第１の高抵抗層６２上
に水素含有のアモルファスノリコン＃３１を約１８μｍ
の厚みに形成する。
ｒの圧力下、２２０℃に加熱しながら、５ＯＦの高周波
電力のグロー放電をすることによって、ブ１シズマを形
成し、該プラズマを前記第１の高抵抗層６２表面に６時
間接触させることによって、前記第１の高抵抗層６２上
に水素含有のアモルファスノリコン＃３１を約１８μｍ
の厚みに形成する。
その後、第１の高抵抗層６２を形成するのや同様。条件
エア、前記水素含有あア％ ／Ｌ−７ア７；リコン層上
に、約ｓｏｏ、Ｊの厚みの第２の高抵抗層６６を形成す
る。
エア、前記水素含有あア％ ／Ｌ−７ア７；リコン層上
に、約ｓｏｏ、Ｊの厚みの第２の高抵抗層６６を形成す
る。
以上のようにして得られる感光体の分光感度は、第４図
に示すように１．７２０ ｎ、ｍにピークを有すると共
にｓｏｏｙＬｍｔで有効である。 ・次に、前記感光
体番装備す２画像形成装置による静電記録方法について
述べる。
に示すように１．７２０ ｎ、ｍにピークを有すると共
にｓｏｏｙＬｍｔで有効である。 ・次に、前記感光
体番装備す２画像形成装置による静電記録方法について
述べる。
先ず、直流の負極性コロナ帯電器により、前記感光体の
表面にたとえば一６００Ｖの全面均一帯電を行なう。次
いで、第５図＜Ａ）に示すように、７８゜’ ｎ、ｍの
レーザ光で、原稿中のパターンに対応する信号に応じて
、感光体表面に光像照射を行ない、レーザ光で書き込ん
だ部分の電位をたとえば一５０Ｖ□ にまで減衰させる
。次いで、直流の正極性コロナ帯電、器で感光体の表面
を正極性に帯電させる。第５図（句に示すように、正極
性のコロナ帯電量を前記負極性のコロナ帯電量を２倍傾
すると、レーザ光で書き込んだ部分は＋５５０Ｖ、白地
のバックグラウンド□部分は＋７０Ｖの電位にすること
ができる。すなわち、潜像の極性を反転させることにょ
シ、ネガからポジへの変換が行なわれている。書き込ん
だ部分を高電位とする感光体を現像器に供し、−一件の
黒色トナーで現像し、以後、従来における。のと同様に
して記録用紙に複写画像を形成することができる。
表面にたとえば一６００Ｖの全面均一帯電を行なう。次
いで、第５図＜Ａ）に示すように、７８゜’ ｎ、ｍの
レーザ光で、原稿中のパターンに対応する信号に応じて
、感光体表面に光像照射を行ない、レーザ光で書き込ん
だ部分の電位をたとえば一５０Ｖ□ にまで減衰させる
。次いで、直流の正極性コロナ帯電、器で感光体の表面
を正極性に帯電させる。第５図（句に示すように、正極
性のコロナ帯電量を前記負極性のコロナ帯電量を２倍傾
すると、レーザ光で書き込んだ部分は＋５５０Ｖ、白地
のバックグラウンド□部分は＋７０Ｖの電位にすること
ができる。すなわち、潜像の極性を反転させることにょ
シ、ネガからポジへの変換が行なわれている。書き込ん
だ部分を高電位とする感光体を現像器に供し、−一件の
黒色トナーで現像し、以後、従来における。のと同様に
して記録用紙に複写画像を形成することができる。
、早よの茹＜、□正負両極性の帯電器を有する感光体表
面に負極性のコロナ帯電をした後、レーザ光で負極性の
静電潜像を形成し、次いで正極性のコロナ帯電によシ前
記負極性の静電潜像を正極性に反転し、負極性のトナー
で現像可視化すると、感光体上の書き込み部分が正極性
であるのに対しバックグラウンド部分は負極性で（ｄな
いので、負極性のトナーは正極性静電潜像を正確かつ再
現性良く現像可視化することができる。特に原稿のパタ
ーンが細く、かつ、複雑であっても、再現性の良好な、
ニジミやボケのない複写画像を形成することができる。
面に負極性のコロナ帯電をした後、レーザ光で負極性の
静電潜像を形成し、次いで正極性のコロナ帯電によシ前
記負極性の静電潜像を正極性に反転し、負極性のトナー
で現像可視化すると、感光体上の書き込み部分が正極性
であるのに対しバックグラウンド部分は負極性で（ｄな
いので、負極性のトナーは正極性静電潜像を正確かつ再
現性良く現像可視化することができる。特に原稿のパタ
ーンが細く、かつ、複雑であっても、再現性の良好な、
ニジミやボケのない複写画像を形成することができる。
また、前記三層構造の感光体は、第６図に示すように、
−６００Ｖの負帯電後１５秒が経過しても表面電位はも
との値の６０％以上を保持しておシ、また、第７図に示
すように、帯電と露光との〈シ返えしにもかかわらず、
つまシ、複写画像の形成を何回〈シ返えしても、表面電
位Δの低下および残留電位Ｈの上昇が認められないので
、常に鮮明な複写画像を形成することができる。
−６００Ｖの負帯電後１５秒が経過しても表面電位はも
との値の６０％以上を保持しておシ、また、第７図に示
すように、帯電と露光との〈シ返えしにもかかわらず、
つまシ、複写画像の形成を何回〈シ返えしても、表面電
位Δの低下および残留電位Ｈの上昇が認められないので
、常に鮮明な複写画像を形成することができる。
以上、この発明の一実施例について詳述したが、この発
明は前記実施例に限定されるものではなく、この発明の
要旨を変更しない範囲内で適宜に変形して実施すること
ができるのはいうまでもない。
明は前記実施例に限定されるものではなく、この発明の
要旨を変更しない範囲内で適宜に変形して実施すること
ができるのはいうまでもない。
この発明によると、原稿パターンが細線やこみ入った模
様であうでもボケやニジミを有することなく鮮明に複写
することができ、しかも、再現性よく複写画像を形成す
ることができる。
様であうでもボケやニジミを有することなく鮮明に複写
することができ、しかも、再現性よく複写画像を形成す
ることができる。
第１図は従来の画像形成装置を示す説明図、第２図（４
および（ロ）は、従来の感光体による静電潜像の形成お
よび反転現像を示す説明図、第６図はこの発明に係る方
法において使用する感光体の構造を示す一部断面図、第
４図は前記感光体の分光感度を示す特性図、第５図（（
イ）および（′Ｈ）は前記感光体による静電潜像の形成
および械性反転による現像を示す説明図、爾６図は前記
感光体の表面電位保持特性を示す特性図、並びに第７図
は前記感光体の疲労特性を示す特性図である。 １・・・感光体、６０・・・感光体基板、ろ１・・・ア
モルファスシリコン層、６２．６６′・・・高抵抗層。 第 ２ 図 １ 。 ｋ 棺十
および（ロ）は、従来の感光体による静電潜像の形成お
よび反転現像を示す説明図、第６図はこの発明に係る方
法において使用する感光体の構造を示す一部断面図、第
４図は前記感光体の分光感度を示す特性図、第５図（（
イ）および（′Ｈ）は前記感光体による静電潜像の形成
および械性反転による現像を示す説明図、爾６図は前記
感光体の表面電位保持特性を示す特性図、並びに第７図
は前記感光体の疲労特性を示す特性図である。 １・・・感光体、６０・・・感光体基板、ろ１・・・ア
モルファスシリコン層、６２．６６′・・・高抵抗層。 第 ２ 図 １ 。 ｋ 棺十
Claims (4)
- （１）像支持体上にＸ戒＼茸糞静電潜像を形成し、この
静電潜像を現像可視化する第１の極性およびこの第１の
極性とは逆極性の両椿性帯電態を有する静電記録方法に
おいて、像支持体、上、に第、１の極性で静電潜像を形
成し、さらにこの形成された静電潜像の極性を反転させ
て第２の極性とした後、この第２の極性の静電潜像を現
像可視化することを特徴とする静電記録方法。 - （２）前記像支持体は、水素含有のアモルファスシリコ
ン層を２層の高抵抗層それぞれで挾持してなる三層構造
の感光層を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の静電記録方法。 - （３）前記高抵抗層が、炭紫、酸素および窒素のいずれ
か１種以上と水素とを含有するアモルファスシリコン層
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項に記載の静電記録方法。 - （４）前記像支持体は、分光感度のピークが７２０ｒＬ
ｍであることを特徴とする特許請求の範囲第２項または
第６項のいずれかに記載の静電記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21106582A JPS59100468A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 静電記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21106582A JPS59100468A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 静電記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59100468A true JPS59100468A (ja) | 1984-06-09 |
Family
ID=16599814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21106582A Pending JPS59100468A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 静電記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59100468A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6385842B1 (en) | 2000-01-14 | 2002-05-14 | Delaware Capital Formation, Inc. | Tube feeder having a zone on which components can pivot |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP21106582A patent/JPS59100468A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6385842B1 (en) | 2000-01-14 | 2002-05-14 | Delaware Capital Formation, Inc. | Tube feeder having a zone on which components can pivot |
| US6478533B2 (en) | 2000-01-14 | 2002-11-12 | Davis, Iii Maurice M. | Method of using a tube feeder for circuit board components |
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