JPS62151564A - 感光体の成膜装置 - Google Patents
感光体の成膜装置Info
- Publication number
- JPS62151564A JPS62151564A JP29482185A JP29482185A JPS62151564A JP S62151564 A JPS62151564 A JP S62151564A JP 29482185 A JP29482185 A JP 29482185A JP 29482185 A JP29482185 A JP 29482185A JP S62151564 A JPS62151564 A JP S62151564A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film forming
- chamber
- reaction chamber
- pipe
- forming apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
この発明は、複写機等の電子写真法を用いる装置に使用
される感光体の成膜装置に関する。
される感光体の成膜装置に関する。
〈発明の概要〉
この発明の感光体の成膜装置は、反応ガスを導入管の両
端側から供給することにより、反応室内への反応ガスの
供給を均一に行おうとするものである。
端側から供給することにより、反応室内への反応ガスの
供給を均一に行おうとするものである。
〈従来技術とその欠点〉
感光体に用いられる光導電材料として従来から使用され
るものに、Ｓｅ、ＣｄＳ、ＺｎＯ等の無機光導電材料や
ＰＶＫ−’ｒＮＦに代表される有機光導電材料がある。
るものに、Ｓｅ、ＣｄＳ、ＺｎＯ等の無機光導電材料や
ＰＶＫ−’ｒＮＦに代表される有機光導電材料がある。
ところが、これらの光導電材料は光感度２分光感度、Ｓ
Ｎ比（明抵抗／暗抵抗）あるいは耐久性や人体への安全
性等の感光体として要求される性質が必ずしも全てに亘
って十分満足されるものではなく、ある程度の妥協のも
とに個々のケースに応じて選択して使用されているのが
現状であった。一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ
）からなる感光体が、高い光感度、高耐久性および無公
害等の優れた特徴を有し、優秀な光導電材料として実用
化が期待されている。
Ｎ比（明抵抗／暗抵抗）あるいは耐久性や人体への安全
性等の感光体として要求される性質が必ずしも全てに亘
って十分満足されるものではなく、ある程度の妥協のも
とに個々のケースに応じて選択して使用されているのが
現状であった。一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ
）からなる感光体が、高い光感度、高耐久性および無公
害等の優れた特徴を有し、優秀な光導電材料として実用
化が期待されている。
ところが、このようなアモルファスシリコンを用いた感
光体も、アモルファスシリコン膜形成過程における反応
ガスの不均一から位置によって特性にムラが生じ、画像
品質を低下させるという欠点が生じていた。
光体も、アモルファスシリコン膜形成過程における反応
ガスの不均一から位置によって特性にムラが生じ、画像
品質を低下させるという欠点が生じていた。
このような反応ガスの不均一の原因を第４図に基ツいて
説明する。第４図は、アモルファスシリコン膜を形成す
る基体１の周囲に管状の８本の導入管２を等間隔で平行
に配置し、さらに周囲を電極３で取り囲んだ形式の装置
を示す。基体１は、回転軸４に伴って回転するとともに
内部のヒータによって加熱される。電極３で取り囲まれ
た反応室内５は、導入管２に設けられた複数のノズルか
ら噴出する反応ガスを導入し、排気口６からの減圧によ
り一定の圧力に維持される。このとき従来の成膜装置は
、供給管７の供給口を導入管２の一端側にしか接続せず
、反応ガスをこの導入管２の一端側からのみ供給するよ
うにしていた。このため、導入管２内での供給側と封止
側とで圧力に差が生じ、ノズルからの反応ガスの噴出量
が不均一になる。したがって、従来の成膜装置は導入管
２の供給側と封止側とで反応室内５の反応ガス濃度が異
なることとなり、基体ｌ上に形成されるアモルファスシ
リコン膜の特性が影響を受けることになる。
説明する。第４図は、アモルファスシリコン膜を形成す
る基体１の周囲に管状の８本の導入管２を等間隔で平行
に配置し、さらに周囲を電極３で取り囲んだ形式の装置
を示す。基体１は、回転軸４に伴って回転するとともに
内部のヒータによって加熱される。電極３で取り囲まれ
た反応室内５は、導入管２に設けられた複数のノズルか
ら噴出する反応ガスを導入し、排気口６からの減圧によ
り一定の圧力に維持される。このとき従来の成膜装置は
、供給管７の供給口を導入管２の一端側にしか接続せず
、反応ガスをこの導入管２の一端側からのみ供給するよ
うにしていた。このため、導入管２内での供給側と封止
側とで圧力に差が生じ、ノズルからの反応ガスの噴出量
が不均一になる。したがって、従来の成膜装置は導入管
２の供給側と封止側とで反応室内５の反応ガス濃度が異
なることとなり、基体ｌ上に形成されるアモルファスシ
リコン膜の特性が影響を受けることになる。
このような事情は、第５図および第６回に示す成膜装置
においても同様である。第５図では、導入管２が基体１
の両側に２本だけ配置され、供給管７はこの導入管２の
一端側に接続されて反応ガスを供給する。また、電極３
はこれらの導入管２の内側に形成されている。そして、
反応ガスは、この電極３の内側面から基体１に向けて噴
出する。なお、この場合反応室内５は外壁８に取り囲ま
れる。第６図は、基体１の周囲を取り囲む円筒形状の電
極３とそのさらに周囲を取り囲む円筒形状の外壁４との
隙間が導入管２となり、供給管７は外壁８の側面中央部
に接続されて導入管２に反応ガスを供給する。この場合
、反応室内５は電極３に取り囲まれることになる。この
第５図および第６図に示す成膜装置においても、第４図
の場合と同様に基体１の軸方向において導入管２からの
反応ガスの噴出量が異なり、濃度ムラが生じることにな
る。
においても同様である。第５図では、導入管２が基体１
の両側に２本だけ配置され、供給管７はこの導入管２の
一端側に接続されて反応ガスを供給する。また、電極３
はこれらの導入管２の内側に形成されている。そして、
反応ガスは、この電極３の内側面から基体１に向けて噴
出する。なお、この場合反応室内５は外壁８に取り囲ま
れる。第６図は、基体１の周囲を取り囲む円筒形状の電
極３とそのさらに周囲を取り囲む円筒形状の外壁４との
隙間が導入管２となり、供給管７は外壁８の側面中央部
に接続されて導入管２に反応ガスを供給する。この場合
、反応室内５は電極３に取り囲まれることになる。この
第５図および第６図に示す成膜装置においても、第４図
の場合と同様に基体１の軸方向において導入管２からの
反応ガスの噴出量が異なり、濃度ムラが生じることにな
る。
〈発明の目的〉
この発明は、このような事情に鑑みなされたものであっ
て、反応ガスを導入管の両端側から供給することにより
、反応室内での濃度ムラを無くし特性の均一なアモルフ
ァスシリコン膜を形成する感光体の成膜装置を提供する
ことを目的とする。
て、反応ガスを導入管の両端側から供給することにより
、反応室内での濃度ムラを無くし特性の均一なアモルフ
ァスシリコン膜を形成する感光体の成膜装置を提供する
ことを目的とする。
〈発明の構成および効果〉
この発明の感光体の成膜装置は、供給管から供給される
反応ガスを反応室内に配置した導入管の複数のノズルを
介して導入し、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法により、この反
応室内に収納した基体の表面にアモルファスシリコン膜
を形成する感光体の成膜装置において、 供給管の供給口を反応室内に配置した導入管の両端に接
続し、反応ガスをこの導入管の両端側から供給するよう
にしたことを特徴とする。
反応ガスを反応室内に配置した導入管の複数のノズルを
介して導入し、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法により、この反
応室内に収納した基体の表面にアモルファスシリコン膜
を形成する感光体の成膜装置において、 供給管の供給口を反応室内に配置した導入管の両端に接
続し、反応ガスをこの導入管の両端側から供給するよう
にしたことを特徴とする。
この発明を上記のように構成すると、導入管内でのガス
の圧力が軸方向の位置にかかわらず略一定となるので、
ノズルから噴出する反応ガスの量もほぼ一定となる。こ
のため、反応室内の反応ガスの濃度が軸方向に不均一と
なるようなことがなくなり、基体上へのアモルファスシ
リコン膜の形成が均一に行われる。したがって、この発
明の成膜装置によってアモルファスシリコン膜を形成さ
れた感光体は、特性が軸方向においても均一となり高い
品質の画像を得ることができる。
の圧力が軸方向の位置にかかわらず略一定となるので、
ノズルから噴出する反応ガスの量もほぼ一定となる。こ
のため、反応室内の反応ガスの濃度が軸方向に不均一と
なるようなことがなくなり、基体上へのアモルファスシ
リコン膜の形成が均一に行われる。したがって、この発
明の成膜装置によってアモルファスシリコン膜を形成さ
れた感光体は、特性が軸方向においても均一となり高い
品質の画像を得ることができる。
〈実施例〉
第１図（Ａ）はこの発明の実施例である成膜装置の縦断
面正面図、第１図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−１３線にお
ける断面図である。
面正面図、第１図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−１３線にお
ける断面図である。
この実施例の成膜装置は、第４図に示す従来例と同様に
基体１の周囲に８本の導入管２を配置し、さらにこれを
電極４で覆うことにより反応室内５を形成したものであ
る。供給管７は、先端が上下に二股に分かれそれぞれ上
蓋９および底板ｌＯを貫通して反応室内５の導入管２の
両端に接続される。なお、この供給管７は、上下に分岐
後導入管２に接続されるまでの管路長が上下同じになる
ように配管されている。導入管２は、円筒形状の基体１
の周囲を等間隔で同心円状に取り囲んだ管であり、上下
の両端を供給管７の先端の供給口にそれぞれ接続されて
接続部の周囲をパツキン材ｌｌで封止されている。また
、この導入管２は、上下に等間隔に複数開口された孔か
らなるノズルにより、供給管７から供給される反応ガス
を反応室内５で半径方向の両側に噴出させる。
基体１の周囲に８本の導入管２を配置し、さらにこれを
電極４で覆うことにより反応室内５を形成したものであ
る。供給管７は、先端が上下に二股に分かれそれぞれ上
蓋９および底板ｌＯを貫通して反応室内５の導入管２の
両端に接続される。なお、この供給管７は、上下に分岐
後導入管２に接続されるまでの管路長が上下同じになる
ように配管されている。導入管２は、円筒形状の基体１
の周囲を等間隔で同心円状に取り囲んだ管であり、上下
の両端を供給管７の先端の供給口にそれぞれ接続されて
接続部の周囲をパツキン材ｌｌで封止されている。また
、この導入管２は、上下に等間隔に複数開口された孔か
らなるノズルにより、供給管７から供給される反応ガス
を反応室内５で半径方向の両側に噴出させる。
上記のように構成されたこの実施例の成膜装置は、まず
内部のヒータにより加熱するとともに回転軸４を駆動し
て基体１を回転させ、排気口６から反応室内５の排気を
行う。また、供給管７から供給された反応ガスを導入管
２のノズルから噴出させることにより反応室内５を所定
の雰囲気に設定する。そして、電極３に高周波電圧を印
加してグロー放電を起こさせ、基体１の表面にアモルフ
ァスシリコン股を形成する。
内部のヒータにより加熱するとともに回転軸４を駆動し
て基体１を回転させ、排気口６から反応室内５の排気を
行う。また、供給管７から供給された反応ガスを導入管
２のノズルから噴出させることにより反応室内５を所定
の雰囲気に設定する。そして、電極３に高周波電圧を印
加してグロー放電を起こさせ、基体１の表面にアモルフ
ァスシリコン股を形成する。
この実施例で示す第１図の成膜装置を使用した場合と、
従来の第４図に示す成膜装置を使用した場合とで感光体
の特性を比較した結果を示す。成膜はいずれも第７図に
示す条件で行った。また、評価条件は、感光体のドラム
周速が２５４．４ ｃｍ／秒、コロナ電流が９０μＡ、
バイアスが１６５Ｖであり、感光体の成膜時における下
、中、上の各位置で測定を行った。この測定結果を第８
図に示す。この結果からも明らかなように、初期電位、
感度５電価保持率および残留電位のいずれもが従来例で
は上下に差があるのに対して、実施例ではこの差がほと
んど生じない。従って、この実施例の成膜装置は、感光
体の成膜装置内における位置による特性の差をほとんど
生じないようにすることができ、画像品質の向上に貢献
することができるなお、第２図および第３図は、それぞ
れ従来の第５図および第６図に示す成膜装置にこの発明
を実施した場合の実施例を示すものである。これらの実
施例は、従来供給管７の供給口を導入管２の一端側また
は中央部にのみ接続していたものを、両端に接続するよ
うにしている。これらの実施例においても、同様の試験
を行った結果、初期電位、感度および電荷保持率の上下
の差がいずれも２〜３％以内に収まり、残留電位も上下
で一定となって、第１図に示す場合と同様の効果を得る
ことができた。
従来の第４図に示す成膜装置を使用した場合とで感光体
の特性を比較した結果を示す。成膜はいずれも第７図に
示す条件で行った。また、評価条件は、感光体のドラム
周速が２５４．４ ｃｍ／秒、コロナ電流が９０μＡ、
バイアスが１６５Ｖであり、感光体の成膜時における下
、中、上の各位置で測定を行った。この測定結果を第８
図に示す。この結果からも明らかなように、初期電位、
感度５電価保持率および残留電位のいずれもが従来例で
は上下に差があるのに対して、実施例ではこの差がほと
んど生じない。従って、この実施例の成膜装置は、感光
体の成膜装置内における位置による特性の差をほとんど
生じないようにすることができ、画像品質の向上に貢献
することができるなお、第２図および第３図は、それぞ
れ従来の第５図および第６図に示す成膜装置にこの発明
を実施した場合の実施例を示すものである。これらの実
施例は、従来供給管７の供給口を導入管２の一端側また
は中央部にのみ接続していたものを、両端に接続するよ
うにしている。これらの実施例においても、同様の試験
を行った結果、初期電位、感度および電荷保持率の上下
の差がいずれも２〜３％以内に収まり、残留電位も上下
で一定となって、第１図に示す場合と同様の効果を得る
ことができた。
第１図（Ａ）、（Ｂ）はこの発明の実施例である感光体
の成膜装置の縦断面正面図およびＢ−Ｂ線における断面
図、第２図（Ａ）、（Ｂ）はこの発明の他の実施例であ
る成膜装置の縦断面正面図およびＢ−Ｂ線における断面
図、第３図（Ａ）。 （Ｂ）はこの発明のさらに他の実施例である成膜装置の
縦断面正面図およびＢ−Ｂ線における断面図である。第
４図（Ａ）、 （Ｂ）は従来の感光体の成膜装置の縦
断面正面図およびＢ−ｒ３線における断面図、第５図（
Ａ）、 （Ｂ）は従来の他の成膜装置の縦断面正面図
およびＢ−Ｂ線における断面図、第６図（Ａ）、 （
Ｂ）は従来のさらに他の成膜装置の縦断面正面図および
Ｂ−Ｂ線における断面図である。第７図は実施例と従来
例との比較のために製造した感光体の成腰条件を示す図
、第８図はこの実施例と従来例とにおける感光体の特性
の測定結果を示す図である。 １−基体、２−導入管、５−反応室内、７−供給管。
の成膜装置の縦断面正面図およびＢ−Ｂ線における断面
図、第２図（Ａ）、（Ｂ）はこの発明の他の実施例であ
る成膜装置の縦断面正面図およびＢ−Ｂ線における断面
図、第３図（Ａ）。 （Ｂ）はこの発明のさらに他の実施例である成膜装置の
縦断面正面図およびＢ−Ｂ線における断面図である。第
４図（Ａ）、 （Ｂ）は従来の感光体の成膜装置の縦
断面正面図およびＢ−ｒ３線における断面図、第５図（
Ａ）、 （Ｂ）は従来の他の成膜装置の縦断面正面図
およびＢ−Ｂ線における断面図、第６図（Ａ）、 （
Ｂ）は従来のさらに他の成膜装置の縦断面正面図および
Ｂ−Ｂ線における断面図である。第７図は実施例と従来
例との比較のために製造した感光体の成腰条件を示す図
、第８図はこの実施例と従来例とにおける感光体の特性
の測定結果を示す図である。 １−基体、２−導入管、５−反応室内、７−供給管。
Claims (1)
- （１）供給管から供給される反応ガスを反応室内に配置
した導入管の複数のノズルを介して導入し、ＣＶＤ法ま
たはＰＶＤ法により、この反応室内に収納した基体の表
面にアモルファスシリコン膜を形成する感光体の成膜装
置において、 供給管の供給口を反応室内に配置した導入管の両端に接
続し、反応ガスをこの導入管の両端側から供給するよう
にしたことを特徴とする感光体の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29482185A JPS62151564A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 感光体の成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29482185A JPS62151564A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 感光体の成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62151564A true JPS62151564A (ja) | 1987-07-06 |
Family
ID=17812685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29482185A Pending JPS62151564A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 感光体の成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62151564A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0353066A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-07 | Sekiyu Kodan | スパッタリング装置 |
| US5198387A (en) * | 1989-12-01 | 1993-03-30 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for in-situ doping of deposited silicon |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29482185A patent/JPS62151564A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0353066A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-07 | Sekiyu Kodan | スパッタリング装置 |
| US5198387A (en) * | 1989-12-01 | 1993-03-30 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for in-situ doping of deposited silicon |
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