JPS60170932A - 成膜方法 - Google Patents
成膜方法Info
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- JPS60170932A JPS60170932A JP2599184A JP2599184A JPS60170932A JP S60170932 A JPS60170932 A JP S60170932A JP 2599184 A JP2599184 A JP 2599184A JP 2599184 A JP2599184 A JP 2599184A JP S60170932 A JPS60170932 A JP S60170932A
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、グロー放電により円筒状基体の表面に一アモ
ルファスシリコン層を形成する成膜方法に関する。
ルファスシリコン層を形成する成膜方法に関する。
一般に、電子写真装置などにおいては、ａ−５ｅ。
５ｅ−Ｔｅ、 ＺｎＯ，有機光導電体（ｏ、ｐ、ｃ）な
どの感光体を用いているが、近年アモルファス・シリコ
ン（以下ａ−８ｉと書く。）が、耐熱性。
どの感光体を用いているが、近年アモルファス・シリコ
ン（以下ａ−８ｉと書く。）が、耐熱性。
長寿命、無公害、高い光感度等の利点を爾することから
注目をあびてきている。
注目をあびてきている。
このａ −Ｓ ｉ感光体は、８ｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６等の
Ｓｉを含むガスのグロー放電により成膜される。
Ｓｉを含むガスのグロー放電により成膜される。
第１図は従来のａ−８ｉ感光体の成膜装置の側断面図で
あり、基台１上に反応容器としての真空チャンバー２を
気密可能に装着し、図示しない油拡散ポンプ及びロータ
リーポンプで真空チャンバー２内を１０ Ｔｏｒｒに減
圧するように構成される。真空チャンバー２内の基台１
にはドラム保持装置３が駆動装置４によシ回転可能に立
設されている。ドラム保持装置３はＡ】等の春型性材料
で作られたドラム状基体５を装着することができると共
に、ヒーター６を有してドラム状基体５を１５０〜２５
０°Ｃの間の所定温度に加熱することができるように構
成される。
あり、基台１上に反応容器としての真空チャンバー２を
気密可能に装着し、図示しない油拡散ポンプ及びロータ
リーポンプで真空チャンバー２内を１０ Ｔｏｒｒに減
圧するように構成される。真空チャンバー２内の基台１
にはドラム保持装置３が駆動装置４によシ回転可能に立
設されている。ドラム保持装置３はＡ】等の春型性材料
で作られたドラム状基体５を装着することができると共
に、ヒーター６を有してドラム状基体５を１５０〜２５
０°Ｃの間の所定温度に加熱することができるように構
成される。
またドラム保持装置３の周囲には、ガス導入部７が、こ
のドラム保持装置３０捷わりを取り囲むように配置され
る。ガス導入部７のドラム保持装置ｔｉｆ ３に保持さ
れたドラム状基体５の外周面に対向する内周面は、複数
個のカス噴出孔８をイコするとともに電圧の印加により
放電を可能とする電（り９を兼ねている。ガス導入部７
はパイプ１ （＋を介して真空チャンバー２外のパルプ
１１により真空チャンバー２内に導くガスの流動が調節
されるように構成されている。このパルプ１１を開にし
て、ＳｉＨ４，８ｉ２Ｈ６等のＳｉを含むカスまたはＳ
ｉを含むカスとＣ，Ｏ，ＮのいＪ゛れかを含むガス及び
周期律表第■ａ族または第ｖａ族のいずれかの元素を含
むガスとの混合ガスを真空チャンバー２内に導入する。
のドラム保持装置３０捷わりを取り囲むように配置され
る。ガス導入部７のドラム保持装置ｔｉｆ ３に保持さ
れたドラム状基体５の外周面に対向する内周面は、複数
個のカス噴出孔８をイコするとともに電圧の印加により
放電を可能とする電（り９を兼ねている。ガス導入部７
はパイプ１ （＋を介して真空チャンバー２外のパルプ
１１により真空チャンバー２内に導くガスの流動が調節
されるように構成されている。このパルプ１１を開にし
て、ＳｉＨ４，８ｉ２Ｈ６等のＳｉを含むカスまたはＳ
ｉを含むカスとＣ，Ｏ，ＮのいＪ゛れかを含むガス及び
周期律表第■ａ族または第ｖａ族のいずれかの元素を含
むガスとの混合ガスを真空チャンバー２内に導入する。
また８ｉを含むガスまたはＳｉを含むカスと１［１１の
ガスとの混合ガスは、ドラム状基体５の外側に設けであ
る電極９のカス噴出孔８から第１図に示すごとく電極９
とほぼ同軸を不するように対向配設されたドラム状基体
５に向けて噴きつけられる構造となっている。真空チャ
ンバー２内のガス圧が０．１〜０．５’ｌＩ’ｏｒｒＯ
間の所定の値になるように排気系を調整した彼、電極９
に’ｆＴｔ源１２から１３．５６ＭＨｚの高周波電力（
以下ＲＦ。
ガスとの混合ガスは、ドラム状基体５の外側に設けであ
る電極９のカス噴出孔８から第１図に示すごとく電極９
とほぼ同軸を不するように対向配設されたドラム状基体
５に向けて噴きつけられる構造となっている。真空チャ
ンバー２内のガス圧が０．１〜０．５’ｌＩ’ｏｒｒＯ
間の所定の値になるように排気系を調整した彼、電極９
に’ｆＴｔ源１２から１３．５６ＭＨｚの高周波電力（
以下ＲＦ。
パワーと書く。）１０〜５００Ｗを印加すると電極９と
ドラム状基体５との間にＳｉを含むガスまだはＳｉを含
むガスと他のガスとの混合ガスのプラズマ状態が発生し
、ａ−８ｉ層の成膜が開始される。
ドラム状基体５との間にＳｉを含むガスまだはＳｉを含
むガスと他のガスとの混合ガスのプラズマ状態が発生し
、ａ−８ｉ層の成膜が開始される。
ことでａ−８ｉ層の成膜に寄与しなかった残留ガスは、
排気口１３、ダストトラップ１４及びメカニカルプース
タボング１５、ロータリーポンプ１６を通過した後、図
示しない排ガス処理装置を経て安全に外気に排出される
。
排気口１３、ダストトラップ１４及びメカニカルプース
タボング１５、ロータリーポンプ１６を通過した後、図
示しない排ガス処理装置を経て安全に外気に排出される
。
ところが第１図に示すようなａ−８ｉ感光体の成膜装置
では、真空チャンバー２内のガスかドラム状基体５と′
電極９との間隙の気相で反応した事によって生ずるＳｉ
重合体等の生成物や、電極９０表面に着膜した後、剥離
したａ−８ｉ膜の一部等がゴミとしてドラム状基体５上
に付着し、ピンホールや膜はがれの原因となる。これは
ガスが電極９のカス噴出孔８からドラム状基体５に向か
ってほぼ垂直に吹きつけられることにより生ずる問題で
ある。
では、真空チャンバー２内のガスかドラム状基体５と′
電極９との間隙の気相で反応した事によって生ずるＳｉ
重合体等の生成物や、電極９０表面に着膜した後、剥離
したａ−８ｉ膜の一部等がゴミとしてドラム状基体５上
に付着し、ピンホールや膜はがれの原因となる。これは
ガスが電極９のカス噴出孔８からドラム状基体５に向か
ってほぼ垂直に吹きつけられることにより生ずる問題で
ある。
そこで、第２図の様なａ−８ｉ感光体の成膜装（代が提
案されている。これは）Ｊス噴出孔８が真空チャンバー
２の長手方向の一方だけに設けられており、真空チャン
バー２外のパルプ１１を開くことによりバイブ１０を通
してカスが真空チャンバー２の上部から下部にドラム状
基体５０表面に平行に流れるようになっている。このた
め、Ｓｉ重合体、ａ−８ｉ膜の一部等のゴミがドラム状
基体５０表面に付着することなく、残留ガスと供に排気
口１３から排出され、ピンホールや膜はがれのないａ−
８ｉ感光体の成膜を行うことができる。
案されている。これは）Ｊス噴出孔８が真空チャンバー
２の長手方向の一方だけに設けられており、真空チャン
バー２外のパルプ１１を開くことによりバイブ１０を通
してカスが真空チャンバー２の上部から下部にドラム状
基体５０表面に平行に流れるようになっている。このた
め、Ｓｉ重合体、ａ−８ｉ膜の一部等のゴミがドラム状
基体５０表面に付着することなく、残留ガスと供に排気
口１３から排出され、ピンホールや膜はがれのないａ−
８ｉ感光体の成膜を行うことができる。
ところが、第２図の様なａ−８ｉ感光体の成膜装置によ
りドラム状基体５の表面に成膜を行うとガスの流れる方
向に清って、膜厚及び電気的特性に大きなばらつきが生
じることが見い出された。例えば第３図けＳｉＨ４ガス
を用いて２時間の成膜を行った時のａ−８ｉ層の膜厚の
ばらつきを示すものである。ここでカス導入孔側という
のは第２図に示すＡ領域であり、ガス吸引孔側は１３領
域である。第３図かられかるように膜厚はガス導入孔側
か厚くガス吸引孔側が助くなる。又電気的特性について
もが、２図に示すａ −１３１感光体の成膜装置により
成膜されたａ Ｓｉ感光体を用いてコロナ帯電を行なっ
たところ表面電位にばらつきが生じることがわかった。
りドラム状基体５の表面に成膜を行うとガスの流れる方
向に清って、膜厚及び電気的特性に大きなばらつきが生
じることが見い出された。例えば第３図けＳｉＨ４ガス
を用いて２時間の成膜を行った時のａ−８ｉ層の膜厚の
ばらつきを示すものである。ここでカス導入孔側という
のは第２図に示すＡ領域であり、ガス吸引孔側は１３領
域である。第３図かられかるように膜厚はガス導入孔側
か厚くガス吸引孔側が助くなる。又電気的特性について
もが、２図に示すａ −１３１感光体の成膜装置により
成膜されたａ Ｓｉ感光体を用いてコロナ帯電を行なっ
たところ表面電位にばらつきが生じることがわかった。
これはガス導入孔側には未反応カスが滞留するのに対し
ガス吸引孔側にはカス導入孔側で一礼励起して使い古し
たガスが再度励起して滞留することによるもので、プラ
ズマ分光器でプラズマ状態をｍ、測する事によって明ら
かになったものである。
ガス吸引孔側にはカス導入孔側で一礼励起して使い古し
たガスが再度励起して滞留することによるもので、プラ
ズマ分光器でプラズマ状態をｍ、測する事によって明ら
かになったものである。
本発明は、上記事情にもとづいてなされたもので、ａ−
８ｉ層の膜厚及び電気的特性のばらつきが少ない均一特
性のａ−８ｉ悪感光の成膜方法を提供することを目的と
する。
８ｉ層の膜厚及び電気的特性のばらつきが少ない均一特
性のａ−８ｉ悪感光の成膜方法を提供することを目的と
する。
本発明は、上記目的を達成するために、円筒状基体表面
からの距離が、カスの流れる方向に沿って異なって設け
られた電極に電力を印加して成膜し、ａ−８ｉ層の膜厚
及び電気的特性のばらつきが少ない均一特性のａ−８ｉ
７１８光体の成膜が可能な成膜方法である。
からの距離が、カスの流れる方向に沿って異なって設け
られた電極に電力を印加して成膜し、ａ−８ｉ層の膜厚
及び電気的特性のばらつきが少ない均一特性のａ−８ｉ
７１８光体の成膜が可能な成膜方法である。
以下、本発明の一実施例を図を参照しながら説明する。
・１〜４図は本発明の一実施例である成膜方法を用いる
に適したａ−８ｉ悪感光の成膜装置である。
に適したａ−８ｉ悪感光の成膜装置である。
これは第２図に示すａ−８ｉ悪感光の成膜装置と同様、
ガス噴出孔８が真空チャンバー２の長手方向の一方だけ
に設けられていてガスの流れは７Ｎ空チヤンバー２の上
部から下部にドラム状基体５０表面に平行である。とこ
ろが電析９の形状がテーパ状になっている点で８ｐ、２
図に示す装置と異なってい８゜このためドラム状基体５
０表面と電極９の内側面との距離がガスの流れる方向に
沼って異なった状態となっている。即ちガス導入孔側の
Ｃ領域では距離が短く、ガス吸引孔側のＤ領域では距離
が長くなっている。この理由は以下に述べることにする
。
ガス噴出孔８が真空チャンバー２の長手方向の一方だけ
に設けられていてガスの流れは７Ｎ空チヤンバー２の上
部から下部にドラム状基体５０表面に平行である。とこ
ろが電析９の形状がテーパ状になっている点で８ｐ、２
図に示す装置と異なってい８゜このためドラム状基体５
０表面と電極９の内側面との距離がガスの流れる方向に
沼って異なった状態となっている。即ちガス導入孔側の
Ｃ領域では距離が短く、ガス吸引孔側のＤ領域では距離
が長くなっている。この理由は以下に述べることにする
。
第５図は、一般に第２図に示す様な装置においてドラム
状基体５０表面と電極９の内側面との距離を樵々に変化
させることによって得られたグラフであり距離が増加す
るに従って、成膜速度は上昇する傾向があることを示し
ている。
状基体５０表面と電極９の内側面との距離を樵々に変化
させることによって得られたグラフであり距離が増加す
るに従って、成膜速度は上昇する傾向があることを示し
ている。
また、第３図かられかるようにガス導入孔からの距離が
増加するに従って、成膜速度は下降する傾向がある。
増加するに従って、成膜速度は下降する傾向がある。
以上の事を考え合わせると、膜厚の均一性を得る為には
、カス尋人孔から離れるに従ってドラム状〃：体５０表
面と電極９の内側面との距離を犬きくすればよいことが
わかる。例えば第３図によると、ドラム状基体５の長手
方向の両端でＣ成膜速度３３μｍ ／ Ｈの差がある。
、カス尋人孔から離れるに従ってドラム状〃：体５０表
面と電極９の内側面との距離を犬きくすればよいことが
わかる。例えば第３図によると、ドラム状基体５の長手
方向の両端でＣ成膜速度３３μｍ ／ Ｈの差がある。
そこで第５図によると３３μｍ／１］の成膜速度の差を
解消。
解消。
するには、カス導入孔側とカス吸引孔側とで電極間距離
に１０ｍｍの差があればよいことがわかる。このことか
ら第４図におけるＣ領域の電極量比Ｓ！＃ ａとＤ領域
のｕｌ、極間距離すとの差ｂ −ａがｌ Ｑ ｍａｎで
あれば均一な膜厚を持つａ−８ｉ悪感光を成膜すること
が解る。
に１０ｍｍの差があればよいことがわかる。このことか
ら第４図におけるＣ領域の電極量比Ｓ！＃ ａとＤ領域
のｕｌ、極間距離すとの差ｂ −ａがｌ Ｑ ｍａｎで
あれば均一な膜厚を持つａ−８ｉ悪感光を成膜すること
が解る。
以上の様（（構成された成膜装置を用いて、本発明の５
’ｉ ｆＪ：大力、去を説明する。
’ｉ ｆＪ：大力、去を説明する。
まず真空チャンバー２を図示しない油拡赦ポンプ、ロー
タリーポンプにより５ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒまで真空
に引く。そしてドラム状基体５を駆動装置４によって回
転させながらヒーター６によって２００°Ｃに加熱させ
、パルプ１１を開いてパイプ１０よりＳ ｒ Ｈ４ガス
５００ＳＭＣＣを真空チャンバー２内に導入し、内部の
ガス圧がＱ、５Ｔｏｒｒになる様、メカニカルブースタ
ーポンプ１５とロータリーポンプ１６で排気する。
タリーポンプにより５ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒまで真空
に引く。そしてドラム状基体５を駆動装置４によって回
転させながらヒーター６によって２００°Ｃに加熱させ
、パルプ１１を開いてパイプ１０よりＳ ｒ Ｈ４ガス
５００ＳＭＣＣを真空チャンバー２内に導入し、内部の
ガス圧がＱ、５Ｔｏｒｒになる様、メカニカルブースタ
ーポンプ１５とロータリーポンプ１６で排気する。
次に電極９に電源１２よ＃） １３．５６ ＭＨｚ の
１４ 、 Ｆ、パワーを３００Ｗ印加する。このときＳ
ｉＨ４カスは矢印に示すようにガス噴出孔８より噴出さ
れ、ガス導入部７内を一ト降する。このようにすると真
空チャンバー２におけるグロー故知、によりＳ ｉ −
Ｈ，８ｉ −Ｈ２，Ｓ １−Ｈａなどのラジカルが形成
されドラム状基体５上には約２時間の成膜時間でａ−８
ｉ層が成膜さｉする。
１４ 、 Ｆ、パワーを３００Ｗ印加する。このときＳ
ｉＨ４カスは矢印に示すようにガス噴出孔８より噴出さ
れ、ガス導入部７内を一ト降する。このようにすると真
空チャンバー２におけるグロー故知、によりＳ ｉ −
Ｈ，８ｉ −Ｈ２，Ｓ １−Ｈａなどのラジカルが形成
されドラム状基体５上には約２時間の成膜時間でａ−８
ｉ層が成膜さｉする。
−力、輿望テヤイバー２内のＳｉＨ４ガスはメカニカル
ブースターポンプ１５．ロータリーポンプ１６により排
気され、図示されない排ガス処理装置を経て排出される
。
ブースターポンプ１５．ロータリーポンプ１６により排
気され、図示されない排ガス処理装置を経て排出される
。
以上の様にして成膜されたａ−８ｉ悪感光を成膜後、大
気中に取り出して膜厚を測定したところ、第１表に示す
ように２０μｍ±０．５μｍで非常にばらつきが小さか
った。また比較の為、第２図に示す従来の成膜装置によ
って全く同じ条件で成膜を行なったものも第１表に示し
であるが、１１痺Ｊ１ば１７〜２１μｍと非常にばらつ
きが大きかった。捷た電気的特性についても第１表に示
す通り帯電特性のばらつきも極めて少ない事がわかる。
気中に取り出して膜厚を測定したところ、第１表に示す
ように２０μｍ±０．５μｍで非常にばらつきが小さか
った。また比較の為、第２図に示す従来の成膜装置によ
って全く同じ条件で成膜を行なったものも第１表に示し
であるが、１１痺Ｊ１ば１７〜２１μｍと非常にばらつ
きが大きかった。捷た電気的特性についても第１表に示
す通り帯電特性のばらつきも極めて少ない事がわかる。
〔第 １ 表〕
なお、上記実施例では、ドラム状基体５と電接９との距
離がガスの流れる方向で１０ ’ｍ ｍ変化させたが、
この電極間距離は装置依存性があるので１．０ ＋ｎｍ
に限定するものではない。
離がガスの流れる方向で１０ ’ｍ ｍ変化させたが、
この電極間距離は装置依存性があるので１．０ ＋ｎｍ
に限定するものではない。
また、上記実施例では、電極９を線形に変化させだが、
装置ｔ Ｋよっては非線形が望ましいという事も考えら
れる。例えば第３図及び第５１図のグラフが非線形の場
合にはＩＪｘ極９の形状は非線形が望ましい事になる。
装置ｔ Ｋよっては非線形が望ましいという事も考えら
れる。例えば第３図及び第５１図のグラフが非線形の場
合にはＩＪｘ極９の形状は非線形が望ましい事になる。
第６図は、本発明の他の実施例を適用したものであり、
真空チャンバー２の内部にドラム状基体５を５つ並列に
配設して成膜する成膜装置ｄである。第７図ｆｄ 、こ
の族１莫装置を第６図のＩＣ方向力）ら見た場合のドラ
ム状基体と矩１撓との位ｊ４関係を説明するための図で
ある。この成膜装置では、一対の対向電極１７をに１〔
隔して立設し、その間に５つのドラム状基体５を対向′
電極１７と実質的に平行に並列に配設する。ここで対向
電極１７は＃Ｇ７図を見てわかるようにドラム状基体５
０表面との距離が下部に行＜ｔｌど犬きくなる様に構成
きれている。電源１２から１３５６ＭＨｚのＲ、Ｆ 、
パワーを印加することにより対向電極１７とドラム状
基体５．！：の間ＫＳｉを含むガスまたはＳｒを含むガ
スと他のガスとの混合ガスのプラズマ状態が発生し、ａ
−８ｒＪ＠の成膜か行われる。これにより膜厚及び電気
的特性にほらつきの少ないａ−８ｉ悪感光を量産するこ
とができる。
真空チャンバー２の内部にドラム状基体５を５つ並列に
配設して成膜する成膜装置ｄである。第７図ｆｄ 、こ
の族１莫装置を第６図のＩＣ方向力）ら見た場合のドラ
ム状基体と矩１撓との位ｊ４関係を説明するための図で
ある。この成膜装置では、一対の対向電極１７をに１〔
隔して立設し、その間に５つのドラム状基体５を対向′
電極１７と実質的に平行に並列に配設する。ここで対向
電極１７は＃Ｇ７図を見てわかるようにドラム状基体５
０表面との距離が下部に行＜ｔｌど犬きくなる様に構成
きれている。電源１２から１３５６ＭＨｚのＲ、Ｆ 、
パワーを印加することにより対向電極１７とドラム状
基体５．！：の間ＫＳｉを含むガスまたはＳｒを含むガ
スと他のガスとの混合ガスのプラズマ状態が発生し、ａ
−８ｒＪ＠の成膜か行われる。これにより膜厚及び電気
的特性にほらつきの少ないａ−８ｉ悪感光を量産するこ
とができる。
なト、第６図及び第７図に示す成膜装置ではドラム状基
体を５つ配設したがその数はこれに限られない。
体を５つ配設したがその数はこれに限られない。
以−ヒ説明したように本発明によれば、ａ Ｓｊ層の膜
厚及び電気的特性のばらつきが少ない均ｒ蒋件のａ、−
８ｉ悪感光の成膜が可能である。
厚及び電気的特性のばらつきが少ない均ｒ蒋件のａ、−
８ｉ悪感光の成膜が可能である。
第１図及び第２図は、従来のａ−８ｉ悪感光の族１莫装
置の側断面図、第３図は第２図の装置におけるカス導入
孔からの距離と成膜速度の関係を示すグラフ、第４図は
本発明の一笑施例である成膜方法を用いるに適したａ−
８ｉ悪感光の成；漢装置の側断面図、第５図は電極間距
離と成膜速１現の関係を示すグラフ、第６図は、本発明
の一実施例である成膜方法を用いるに適したａ−Ｓｉ感
光体の量産装置の側断面図、第７図は第６図の成膜装置
を第６図のＥ方向から見た場合の電極とドラム状基体と
の位置関係を説明するだめの図である。 ５・・・円筒状基体（ドラム状基体）、９・・・箱、極
、１７・・・平板電極（対向電極）。 第 １ 図 第 ３ 図 第５図 電極用距離〔携担〕 第 ６ 図 第 ７ 図
置の側断面図、第３図は第２図の装置におけるカス導入
孔からの距離と成膜速度の関係を示すグラフ、第４図は
本発明の一笑施例である成膜方法を用いるに適したａ−
８ｉ悪感光の成；漢装置の側断面図、第５図は電極間距
離と成膜速１現の関係を示すグラフ、第６図は、本発明
の一実施例である成膜方法を用いるに適したａ−Ｓｉ感
光体の量産装置の側断面図、第７図は第６図の成膜装置
を第６図のＥ方向から見た場合の電極とドラム状基体と
の位置関係を説明するだめの図である。 ５・・・円筒状基体（ドラム状基体）、９・・・箱、極
、１７・・・平板電極（対向電極）。 第 １ 図 第 ３ 図 第５図 電極用距離〔携担〕 第 ６ 図 第 ７ 図
Claims (4)
- （１）電析に電力を印加し、導入したガスで放電させる
ことにより円筒状基体の表面にアモルファス／リコン層
を成膜する方法において、この円筒状基体表面からの距
離がカスの流れる方向に溜って異なって設けられた電極
に電力を印加して成膜することを特徴とする成膜方法。 - （２）前記円筒状基体表面と前記′＃ａ、極との距離が
、カスを吸引する側よりカスを導入する側の方が短いこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の成膜方法。 - （３）前記電極が前記円筒状基体とほぼ同軸を有するよ
うに対向配設した円筒状電極であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項又は第２項いずれかに記載の成膜方
法。 - （４）前記電極が一対の平板電極であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項又は第２項いずれかに記載の成
膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2599184A JPS60170932A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2599184A JPS60170932A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170932A true JPS60170932A (ja) | 1985-09-04 |
Family
ID=12181179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2599184A Pending JPS60170932A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60170932A (ja) |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP2599184A patent/JPS60170932A/ja active Pending
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