JPS6132811B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6132811B2 JPS6132811B2 JP14777176A JP14777176A JPS6132811B2 JP S6132811 B2 JPS6132811 B2 JP S6132811B2 JP 14777176 A JP14777176 A JP 14777176A JP 14777176 A JP14777176 A JP 14777176A JP S6132811 B2 JPS6132811 B2 JP S6132811B2
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- JP
- Japan
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- electrode
- reaction chamber
- wafer
- main surface
- opposite
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、キヤバシタ型プラズマ処理装置に関
し、特にその反応室構造の改良に関するものであ
る。
し、特にその反応室構造の改良に関するものであ
る。
従来のキヤバシタ型プラズマCVD装置は、電
極が反応ガスに対してむき出しになつているた
め、反応生成物質が電極に付着してフレークとな
りやすく、これがウエハ上に降つて歩留減少をま
た電極の腐飾が生ずる。これらを軽減するために
ひんぱんに洗浄が必要とされるという問題点をも
つている。
極が反応ガスに対してむき出しになつているた
め、反応生成物質が電極に付着してフレークとな
りやすく、これがウエハ上に降つて歩留減少をま
た電極の腐飾が生ずる。これらを軽減するために
ひんぱんに洗浄が必要とされるという問題点をも
つている。
本発明の目的は、このような問題点を解決した
新規なキヤバシタ型プラズマ処理装置を提供する
ことにある。
新規なキヤバシタ型プラズマ処理装置を提供する
ことにある。
本発明の実施例の概要は、被処理体を保持する
一方の電極をおおう石英カバーを設けて反応がな
されるべき場所を当該一方の電極の近傍に限定す
ることにより他方の電極が反応生成物質で汚染さ
れるのを防止するようにした点にある。石英カバ
ーは支持部材に取外し自在に装着するのが好まし
く、それによつて洗浄のための取外しを容易に
し、一層ウエハ上の異物発生防止および電極の寿
命を延長させることができる。
一方の電極をおおう石英カバーを設けて反応がな
されるべき場所を当該一方の電極の近傍に限定す
ることにより他方の電極が反応生成物質で汚染さ
れるのを防止するようにした点にある。石英カバ
ーは支持部材に取外し自在に装着するのが好まし
く、それによつて洗浄のための取外しを容易に
し、一層ウエハ上の異物発生防止および電極の寿
命を延長させることができる。
次に、添付図面を参照して本発明の好ましい実
施例を説明する。図示される本発明の一実施例に
よるキヤバシタ型プラズマCVD装置は、中央部
に排気用の孔を有する支持部材１０と、絶縁枠１
２を介してこの支持部材１０に対向するようにそ
の上方に配置された上方電極１４とをそなえる。
これら支持部材１０、絶縁枠１２、及び上方電極
１４により規定される空間内には、上方電極１４
と対向するように配置されたホルダ兼用の下方電
極１８と、この下方電極をおおう石英カバー２６
とが配置されている。下方電極１８の上面には半
導体などからなる被処理ウエハ２２が載置され、
その下方にはヒータ２０が載置されている。下方
電極１８の中央部の孔に連通する反応ガス導入管
１６は、プラズマ気相反応によりシリコンナイト
ライドを堆積させるための反応ガス（N2＋SiH4
あるいはSiH4＋NH3＋N2）を導入するためのもの
である。石英カバー２６は支持部材１０に取外し
自在に取付けられており、支持部材１０とともに
反応室２８を規定している。なお、２４は高周波
電源であり、電極１４，１８間につながれてい
る。
施例を説明する。図示される本発明の一実施例に
よるキヤバシタ型プラズマCVD装置は、中央部
に排気用の孔を有する支持部材１０と、絶縁枠１
２を介してこの支持部材１０に対向するようにそ
の上方に配置された上方電極１４とをそなえる。
これら支持部材１０、絶縁枠１２、及び上方電極
１４により規定される空間内には、上方電極１４
と対向するように配置されたホルダ兼用の下方電
極１８と、この下方電極をおおう石英カバー２６
とが配置されている。下方電極１８の上面には半
導体などからなる被処理ウエハ２２が載置され、
その下方にはヒータ２０が載置されている。下方
電極１８の中央部の孔に連通する反応ガス導入管
１６は、プラズマ気相反応によりシリコンナイト
ライドを堆積させるための反応ガス（N2＋SiH4
あるいはSiH4＋NH3＋N2）を導入するためのもの
である。石英カバー２６は支持部材１０に取外し
自在に取付けられており、支持部材１０とともに
反応室２８を規定している。なお、２４は高周波
電源であり、電極１４，１８間につながれてい
る。
上記実施例の構成において、高周波電源２４の
出力電圧により、反応室２８に導入された反応ガ
スをプラズマ化すると、ウエハ２２の表面上にシ
リコンナイトライドの堆積膜を得ることができ
る。この場合、石英カバー２６を設けてあるため
反応生成物が上方電極１４に付着してフレークを
生ずるといつた事態は殆んどなくなる。その上、
石英カバー２６が支持部材１０に取外し自在に装
着されているので、石英カバー２６を簡単に取外
して洗浄したり、交換したりすることができ、ウ
エハ上の異物発生防止による歩留向上および電極
寿命を大幅に延長させる上で有益である。
出力電圧により、反応室２８に導入された反応ガ
スをプラズマ化すると、ウエハ２２の表面上にシ
リコンナイトライドの堆積膜を得ることができ
る。この場合、石英カバー２６を設けてあるため
反応生成物が上方電極１４に付着してフレークを
生ずるといつた事態は殆んどなくなる。その上、
石英カバー２６が支持部材１０に取外し自在に装
着されているので、石英カバー２６を簡単に取外
して洗浄したり、交換したりすることができ、ウ
エハ上の異物発生防止による歩留向上および電極
寿命を大幅に延長させる上で有益である。
以上のように本願発明によれば、一方の電極面
にカバー部材を配設することにより、平行平板型
プラズマ装置の利点を活かしつつ当該電極板への
ダメージを低減することができる。
にカバー部材を配設することにより、平行平板型
プラズマ装置の利点を活かしつつ当該電極板への
ダメージを低減することができる。
図面は、本発明の一実施例によるプラズマ
CVD装置を示す要部断面図である。 １０……支持部材、１２……絶縁枠、１４……
上方電極、１６……反応ガス導入管、１８……下
方電極、２０……ヒータ、２２……被処理ウエ
ハ、２４……高周波電源、２６……石英カバー、
２８……反応室。
CVD装置を示す要部断面図である。 １０……支持部材、１２……絶縁枠、１４……
上方電極、１６……反応ガス導入管、１８……下
方電極、２０……ヒータ、２２……被処理ウエ
ハ、２４……高周波電源、２６……石英カバー、
２８……反応室。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) 所定の減圧雰囲気が生成可能な反応室と (b) 上記反応室に設けられ、その一方の主面に被
処理ウエハを設置するための実質的に平坦なウ
エハ設置面を有する第１の電極と (c) 上記反応室の上記第１の電極と対向する他端
に設けられた上記第１の電極と対向する第２の
電極と (d) 上記第２の電極と上記第１の電極と対向する
主面に近接して設けられ上記反応室に面する上
記第２の電極と上記主面のほど全体をおおう絶
縁性カバー部材と (e) 上記第１の電極および第２の電極間に高周波
電力を印加して、反応ガスを励起するための高
周波電源と よりなるプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14777176A JPS5372460A (en) | 1976-12-10 | 1976-12-10 | Plasma cvd unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14777176A JPS5372460A (en) | 1976-12-10 | 1976-12-10 | Plasma cvd unit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5372460A JPS5372460A (en) | 1978-06-27 |
| JPS6132811B2 true JPS6132811B2 (ja) | 1986-07-29 |
Family
ID=15437800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14777176A Granted JPS5372460A (en) | 1976-12-10 | 1976-12-10 | Plasma cvd unit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5372460A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562160A (en) * | 1978-11-01 | 1980-05-10 | Canon Inc | Forming method for film by glow discharge |
| JPS5675565A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacturing method of thin film |
| JPS58104015A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-21 | Canon Inc | 堆積膜の製造装置 |
| JPS5950166A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-23 | Toshiba Corp | グロ−放電による薄膜形成装置 |
| JPS61187375U (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-21 | ||
| JPH01115235U (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-03 | ||
| JP2553256B2 (ja) * | 1991-02-12 | 1996-11-13 | 富士通株式会社 | プラズマ気相成長方法 |
| JP5077748B2 (ja) * | 2007-09-06 | 2012-11-21 | 富士電機株式会社 | 成膜装置 |
-
1976
- 1976-12-10 JP JP14777176A patent/JPS5372460A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5372460A (en) | 1978-06-27 |
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