JPS58104015A - 堆積膜の製造装置 - Google Patents
堆積膜の製造装置Info
- Publication number
- JPS58104015A JPS58104015A JP19961181A JP19961181A JPS58104015A JP S58104015 A JPS58104015 A JP S58104015A JP 19961181 A JP19961181 A JP 19961181A JP 19961181 A JP19961181 A JP 19961181A JP S58104015 A JPS58104015 A JP S58104015A
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- Japan
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- electrode
- film
- deposited film
- gas
- heater
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、放電、殊にグロー放電を利用して、水素化シ
リコン膜、水素化ハロダン化シリコン膜、水素化炭化シ
リコン換或いは水素化窒化シリコン膜を形成するに有効
な堆積膜の製造装置に関する。
リコン膜、水素化ハロダン化シリコン膜、水素化炭化シ
リコン換或いは水素化窒化シリコン膜を形成するに有効
な堆積膜の製造装置に関する。
堆積膜形成用の原料ガスを減圧にし得る堆積室内に所定
圧で所要の堆積膜形成用の原料ガスを導入し、放電によ
るプラズマ現象を利用して所定の支持体上に所望の特性
を有する堆積膜を形成する場合、゛堆積膜の形成に伴な
って未堆積の化学種が電極や堆積室の内壁で冷却されて
生成すると推、察し得る粉末状シリコン化合物が支持体
上に付着し、堆積膜にピンホールを生じさせる、或いは
又排気装置内に前記粉末状シリコン化合物が流入するこ
とにより、前記排気装置の排気能力の低下を導く等の悪
影響が観察されている。
圧で所要の堆積膜形成用の原料ガスを導入し、放電によ
るプラズマ現象を利用して所定の支持体上に所望の特性
を有する堆積膜を形成する場合、゛堆積膜の形成に伴な
って未堆積の化学種が電極や堆積室の内壁で冷却されて
生成すると推、察し得る粉末状シリコン化合物が支持体
上に付着し、堆積膜にピンホールを生じさせる、或いは
又排気装置内に前記粉末状シリコン化合物が流入するこ
とにより、前記排気装置の排気能力の低下を導く等の悪
影響が観察されている。
本発明は、斯かる点に鑑み成されたものであって、粉末
状シリコン化合物を生成せしめることなく、所望の特性
を有し、良品質の堆積膜を有利に製造し得る堆積膜の製
造装置を提供することを目的とする。
状シリコン化合物を生成せしめることなく、所望の特性
を有し、良品質の堆積膜を有利に製造し得る堆積膜の製
造装置を提供することを目的とする。
本発明の堆積膜の製造装置は、減圧にし得る一積室内に
所定圧で堆積膜形成用の原料ガスを導入し、放電によっ
て前記ガスを分解して堆積室内の所定位置に配設した堆
積膜形成用の支持体上に堆積膜を形成する堆積膜の製造
装置において、前記唯積室内に配置されている電極に同
電極加熱用ヒーターを設け、この電極加熱用ヒーターに
よシ１ＧＧ℃以上好ましくは１５０℃以上に加熱する・
ことＫよシ、膜形成時に粉末状シリコン化合物が生成す
るのを有効に阻止することができる装置である。
所定圧で堆積膜形成用の原料ガスを導入し、放電によっ
て前記ガスを分解して堆積室内の所定位置に配設した堆
積膜形成用の支持体上に堆積膜を形成する堆積膜の製造
装置において、前記唯積室内に配置されている電極に同
電極加熱用ヒーターを設け、この電極加熱用ヒーターに
よシ１ＧＧ℃以上好ましくは１５０℃以上に加熱する・
ことＫよシ、膜形成時に粉末状シリコン化合物が生成す
るのを有効に阻止することができる装置である。
以下、本発明を図面に示す実施例装置に従うて具体的に
説明する。
説明する。
尚、以下の説明では、煩雑さを避けるためｋｍ−８１：
Ｈ膜の製造法に就て述べるが、本発明は、斯かる＊−８
１：Ｈ膜の製造法のみに限定されるものではなく、ａ−
８１：Ｘ：Ｈ膜（Ｘ；ハロダン原子）、ａ−８１ｘＮ１
−１：Ｈ膜ｔ ａ−８１ｙＣ１−ｙ：Ｈ展の製造法に適
用されるものである。殊に、光導電特性の要求される畦
積膜の製造には適切であ・・・る。
Ｈ膜の製造法に就て述べるが、本発明は、斯かる＊−８
１：Ｈ膜の製造法のみに限定されるものではなく、ａ−
８１：Ｘ：Ｈ膜（Ｘ；ハロダン原子）、ａ−８１ｘＮ１
−１：Ｈ膜ｔ ａ−８１ｙＣ１−ｙ：Ｈ展の製造法に適
用されるものである。殊に、光導電特性の要求される畦
積膜の製造には適切であ・・・る。
第１図には、本発明の製造法を具現化する装置の構成を
説明するための模式的説明図が示される。
説明するための模式的説明図が示される。
第１図に於いて、１０１は減圧にし得る堆積室である。
堆積室１０１内には、堆積膜を形成するための基板１０
５と蚊基板１０５を加熱するための基板加熱ヒーター１
０７を埋設した電極１０４−１とを支持するための支持
台１１０がペースプレート１１１上に固設されて設けで
ある。ペースグレー）１１１の下方には、メインパルプ
１１２の開放によって、堆積室１０１内を不図示の排気
装置によって排気して所定の真空度にする様に開口１１
３が設けである。１１４はリークバルブであって、堆積
室１０１内を除々に大気圧に戻す際に使用される。
５と蚊基板１０５を加熱するための基板加熱ヒーター１
０７を埋設した電極１０４−１とを支持するための支持
台１１０がペースプレート１１１上に固設されて設けで
ある。ペースグレー）１１１の下方には、メインパルプ
１１２の開放によって、堆積室１０１内を不図示の排気
装置によって排気して所定の真空度にする様に開口１１
３が設けである。１１４はリークバルブであって、堆積
室１０１内を除々に大気圧に戻す際に使用される。
支持′台１１０の上には堆積室１０１内にグロー放電を
引起ζさせるための一方の電極１０４−１が設けられ、
他方の電極１０４−２は、電極１０４−１に対向する様
に堆積室１０１の上方に設けられる。
引起ζさせるための一方の電極１０４−１が設けられ、
他方の電極１０４−２は、電極１０４−１に対向する様
に堆積室１０１の上方に設けられる。
図の装置に於いては、電極１０４−１はアースに接地さ
れ、電極１０４−２には、マツチング回路１０２を介し
て高周波電源１０３が接続されである。
れ、電極１０４−２には、マツチング回路１０２を介し
て高周波電源１０３が接続されである。
又、粉末状シリコン化合物の形成を阻止すゐためＩ／ｃ
′＃１極１０４−２には未堆積の化学種を曽積させるた
めの加熱ヒーター１０Ｂが設けてあり、該加熱ヒーター
１０８には電源１０９が接続されである。ヒーター１０
８の材質は例えばタングステン、モリブデン等が用いら
れる。
′＃１極１０４−２には未堆積の化学種を曽積させるた
めの加熱ヒーター１０Ｂが設けてあり、該加熱ヒーター
１０８には電源１０９が接続されである。ヒーター１０
８の材質は例えばタングステン、モリブデン等が用いら
れる。
堆積室１０１の上部位には、原料ガスと必要に応じて導
入されるキャリアガスを導入するためのガス導入管１１
５が連結されており、ガス導入管１１５の上流側は、各
々のガス、例えば堆積膜形成用の原料ガスとキャリアガ
スの各々を供給するガス供給ゲンペ（不図示）＃／ｃ＃
ＩＩ続される分枝管１１６−１，１１６−２が設けであ
る。これ等の分枝管は、図に於いては、２本しか示され
ていないが、勿論、供給ガスが３種以上の場合には、３
本以上設けられる−のである。
入されるキャリアガスを導入するためのガス導入管１１
５が連結されており、ガス導入管１１５の上流側は、各
々のガス、例えば堆積膜形成用の原料ガスとキャリアガ
スの各々を供給するガス供給ゲンペ（不図示）＃／ｃ＃
ＩＩ続される分枝管１１６−１，１１６−２が設けであ
る。これ等の分枝管は、図に於いては、２本しか示され
ていないが、勿論、供給ガスが３種以上の場合には、３
本以上設けられる−のである。
−１１７、１１８−１、１１８−２は各々ガス流量調整
用のパルプである。１１９は、堆積室１０１内へのガス
流量を測定するためのガス流量針である。
用のパルプである。１１９は、堆積室１０１内へのガス
流量を測定するためのガス流量針である。
基板加熱ヒーター１０７は電源１０６に接続されてお〕
、基板１０５の温度をコントロールする。
、基板１０５の温度をコントロールする。
第１図に示す装置によって堆積膜を形成するＫは、先ず
堆積室１０１内を所定の真空度ｔでに減圧する。その後
、堆積ｉｉ［１０１内に堆積膜形成用の原料ガス及び必
要に応じてキャリアガス或いは、形成される膜中に不純
物を導入するためのドーパントガス岬を所定の圧力で導
入する。例えば、ａ−８１：Ｈ１！を基板１０５上に形
成するのであれば、Ｓ量Ｈ４ｆスとＨ２ガス、或いは８
量Ｈ４ｆスとＨ・ガス、或いはａｔ２ａ４とＨ・等が適
量比で堆積室１０１内に導入される。
堆積室１０１内を所定の真空度ｔでに減圧する。その後
、堆積ｉｉ［１０１内に堆積膜形成用の原料ガス及び必
要に応じてキャリアガス或いは、形成される膜中に不純
物を導入するためのドーパントガス岬を所定の圧力で導
入する。例えば、ａ−８１：Ｈ１！を基板１０５上に形
成するのであれば、Ｓ量Ｈ４ｆスとＨ２ガス、或いは８
量Ｈ４ｆスとＨ・ガス、或いはａｔ２ａ４とＨ・等が適
量比で堆積室１０１内に導入される。
ａ−８１：ＩＩＩ（）形成の場合には、ドーパントガス
としては、例えばＢ！Ｈ４，ＣＨ３Ｉ Ｎｕ、等が使用
される。
としては、例えばＢ！Ｈ４，ＣＨ３Ｉ Ｎｕ、等が使用
される。
基板１０５は、加熱手段１０７によって予め所定の適正
温度まで加熱しておく。例えばａ−８１：Ｈ膜の場合に
は、２００〜４００℃である。
温度まで加熱しておく。例えばａ−８１：Ｈ膜の場合に
は、２００〜４００℃である。
ヒの様にして堆積膜形成の準備が整った後に、高周波電
源１０３とヒータ電源１０９とをＯＮ状態にし、電極１
０４−１ｔｌＧ４−２との関にグー一放電を生起させて
ずスデラズｉ雰囲気を形成すると共に、電極１０４−２
をと−ｆｉ −１０８Ｋ ヨーｖて加熱する。上記の様
な手ＪＩＫ従って例えばａ−８１：Ｈ展を粉末状シリコ
ン化合物を形成することなしに基板１０５へ堆積させる
ことがで龜た。
源１０３とヒータ電源１０９とをＯＮ状態にし、電極１
０４−１ｔｌＧ４−２との関にグー一放電を生起させて
ずスデラズｉ雰囲気を形成すると共に、電極１０４−２
をと−ｆｉ −１０８Ｋ ヨーｖて加熱する。上記の様
な手ＪＩＫ従って例えばａ−８１：Ｈ展を粉末状シリコ
ン化合物を形成することなしに基板１０５へ堆積させる
ことがで龜た。
第２図（ａ）は、本発明の別Ｏ実施態様例を説明する模
式的説明図である。第２図（ｂ）は、電極並びにヒータ
ーの配置構造を説明するためのものである。
式的説明図である。第２図（ｂ）は、電極並びにヒータ
ーの配置構造を説明するためのものである。
第２図（＊ＩＦＣ示される装置例は、減圧にし得る堆積
室２０１内に円筒状の電極２０２と電極の機能を兼ねた
円筒状の基［２０３が同心円的に配設されており、電極
２０２と基板２０３の間隔は５０ｍである。基板２０３
の内ｓＫは基板加熱用ヒーター２０４が設けられておシ
、又、電極２０２の周凹には粉末状シリコン化合物の生
成を阻止する丸めの加熱ヒーター２０５が設ける。電極
２０２はベースプレー）２０６に固定さ・：：ｈている
支持部材２０７忙堅固に付設されている。又、基板２０
３はモーター２０８によ）回転させることができる。
室２０１内に円筒状の電極２０２と電極の機能を兼ねた
円筒状の基［２０３が同心円的に配設されており、電極
２０２と基板２０３の間隔は５０ｍである。基板２０３
の内ｓＫは基板加熱用ヒーター２０４が設けられておシ
、又、電極２０２の周凹には粉末状シリコン化合物の生
成を阻止する丸めの加熱ヒーター２０５が設ける。電極
２０２はベースプレー）２０６に固定さ・：：ｈている
支持部材２０７忙堅固に付設されている。又、基板２０
３はモーター２０８によ）回転させることができる。
堆積室２０１内に導入されるガス社、堆積１ｉ１２０１
の上方に付設されているガス導入管２０９を通じて不図
示のガスーンペよシ噛積＠２０１内に供給される。
の上方に付設されているガス導入管２０９を通じて不図
示のガスーンペよシ噛積＠２０１内に供給される。
第１図は本発明の実施例装置の構成を説明するための模
式的説明図、第２図（ａ）は他の実施例装置の構成を説
明する為の模式的説明図、館２図（ｂ）は第２図（ａ）
Ｋ示す装置の電極並びにヒーターの配置を説明する為の
模式的説明図である。 １０１．２０１・・・堆積室 １０４−１．１０４−２，２０２，２０３・・・電極 １０７．１０８，２０４．２０！Ｓ・・・ヒーター１０
６１１０９．２１１ ＄ ２１２・・・ヒーター用電源 １０３．２１０＝高周波電源 ：′１ 第２図（α） 第２図（ｂ）
式的説明図、第２図（ａ）は他の実施例装置の構成を説
明する為の模式的説明図、館２図（ｂ）は第２図（ａ）
Ｋ示す装置の電極並びにヒーターの配置を説明する為の
模式的説明図である。 １０１．２０１・・・堆積室 １０４−１．１０４−２，２０２，２０３・・・電極 １０７．１０８，２０４．２０！Ｓ・・・ヒーター１０
６１１０９．２１１ ＄ ２１２・・・ヒーター用電源 １０３．２１０＝高周波電源 ：′１ 第２図（α） 第２図（ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 減圧し得る唯積室内に所定圧で水素化シリコン換、
水素化ハロダン化シリコン膜、水素化炭化シリコン膜又
は水素化窒化シリコン膜形成用の原料ガスを導入し、放
電によって前記ガスを分解して唯積室内の所定位置に配
設した堆積膜形成用の支持体上に堆積膜を形成する堆積
膜の製造装置に於いて、前記堆積室１ｑＫ配置した電極
に、膜形成時に粉末状シリコン化合物が生成するのを阻
止するための電極加熱ヒーターを設けたことを特徴とす
る堆積膜の製造装置。 ２ 支持体が電極の機能を兼ねる特許請求の範囲第１項
記載の堆積膜の製造製置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19961181A JPS58104015A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 堆積膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19961181A JPS58104015A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 堆積膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58104015A true JPS58104015A (ja) | 1983-06-21 |
Family
ID=16410732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19961181A Pending JPS58104015A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 堆積膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58104015A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119520A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質シリコン合金堆積法及び装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5372460A (en) * | 1976-12-10 | 1978-06-27 | Hitachi Ltd | Plasma cvd unit |
| JPS55154563A (en) * | 1979-05-18 | 1980-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture of covered tool material |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP19961181A patent/JPS58104015A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5372460A (en) * | 1976-12-10 | 1978-06-27 | Hitachi Ltd | Plasma cvd unit |
| JPS55154563A (en) * | 1979-05-18 | 1980-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture of covered tool material |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119520A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質シリコン合金堆積法及び装置 |
| JPH0573250B2 (ja) * | 1986-11-07 | 1993-10-14 | Kogyo Gijutsuin |
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