JPS59100514A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS59100514A JPS59100514A JP21014182A JP21014182A JPS59100514A JP S59100514 A JPS59100514 A JP S59100514A JP 21014182 A JP21014182 A JP 21014182A JP 21014182 A JP21014182 A JP 21014182A JP S59100514 A JPS59100514 A JP S59100514A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas
- chamber
- plasma
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
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- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＜ａ） 発明の技術分野
本発明は集積回路基板等の試料上に絶縁腺貰たは金属膜
を成膜させる平行平板型プラズマＣＶＤ装置に係り、特
に試料上にアルミニウム膜全被着形成させるに有効な装
置の改良に関する。
を成膜させる平行平板型プラズマＣＶＤ装置に係り、特
に試料上にアルミニウム膜全被着形成させるに有効な装
置の改良に関する。
（ｂ） 技術の背景
プラズマＣＶＤ装置の特長は低温フ”ラズマにより、高
融点シリサイド膜又は高融点金属のモリブデン（Ｍｏ）
又はタングステン（Ｗ）等を成膜δせるイオンプレーテ
ング法であり、膜成長速度が大きく良質の結晶膜全低温
で形成することにある。
融点シリサイド膜又は高融点金属のモリブデン（Ｍｏ）
又はタングステン（Ｗ）等を成膜δせるイオンプレーテ
ング法であり、膜成長速度が大きく良質の結晶膜全低温
で形成することにある。
また、プラズマＯＶＤ法により成長した８ｉＮ膜、５ｉ
ＯＮ膜、ＳｉＯ膜は半導体素子の最終カバー膜または漸
開絶縁膜として利用されつ＼ラフ、従来の０ＶＤ−Ｐ２
Ｏ膜に比して耐湿性、鵜食性に優れ、しかもナトリウム
イオン汚染に対して良好なパックベーション効果が得ら
れるため近年プラズマＣＶＤ法が半導体プロセスの主流
となっている。
ＯＮ膜、ＳｉＯ膜は半導体素子の最終カバー膜または漸
開絶縁膜として利用されつ＼ラフ、従来の０ＶＤ−Ｐ２
Ｏ膜に比して耐湿性、鵜食性に優れ、しかもナトリウム
イオン汚染に対して良好なパックベーション効果が得ら
れるため近年プラズマＣＶＤ法が半導体プロセスの主流
となっている。
（Ｃ） 従来技術と問題点
第１図は従来のプラズマＣＶＤ装置を示す構成図である
。
。
図においてチャンバｌ内に化合物ガス全供給するガス導
入管２の先端にガス噴出口８金有する上部電極４と半導
体ウェハ５を載置する下部電極６で構成される平行平板
型プラズマＣＶＤ装置でおって、下部電極に高周波高圧
Ｃ１８，５６ＭＨｚ）’ｔマ 印加して両電極間にプラスηを発生させる。
入管２の先端にガス噴出口８金有する上部電極４と半導
体ウェハ５を載置する下部電極６で構成される平行平板
型プラズマＣＶＤ装置でおって、下部電極に高周波高圧
Ｃ１８，５６ＭＨｚ）’ｔマ 印加して両電極間にプラスηを発生させる。
ガス誘導管２及びガス噴出口８を外して化合物ガスを導
入する。これによりプラズマ放電による電界エネルギー
により、化合物ガス盆活性化し、ガス反応により半導体
ウェハ５上に所定の金属膜又は絶縁膜を被着形成させる
。
入する。これによりプラズマ放電による電界エネルギー
により、化合物ガス盆活性化し、ガス反応により半導体
ウェハ５上に所定の金属膜又は絶縁膜を被着形成させる
。
また成膜速度を加速させ、良質の膜質を得るため加熱用
ヒータ７を備え更にチャンバー１内ヲ一ｒ 定圧に減圧するため、排気口８全４して減圧排気する。
ヒータ７を備え更にチャンバー１内ヲ一ｒ 定圧に減圧するため、排気口８全４して減圧排気する。
このように構成させる装置？用いて行なうプラズマＯＶ
Ｄ法は成膜成長速度が大きく良質の結晶膜を低温で形成
する利点がある反面、気相中で化学反応全利用するため
、形成した薄膜の特性はどのような反応を用いたかとい
うこと＼共に基板温度、ガス成分や流量、反応装置の形
状瓜応糸の清浄度等に大きく依存する。
Ｄ法は成膜成長速度が大きく良質の結晶膜を低温で形成
する利点がある反面、気相中で化学反応全利用するため
、形成した薄膜の特性はどのような反応を用いたかとい
うこと＼共に基板温度、ガス成分や流量、反応装置の形
状瓜応糸の清浄度等に大きく依存する。
一般にチャンバｌ内に反応ガスの残留物で汚染され、特
にチャンバ内壁に吸着する残留水によジ被着形成膜には
酸素（０，）の取り込みが多いため、従来より一般的な
配線材として用いられるアルミニウムｍ（Ａ／）または
シリコン（８ｊ）とフルミニラム合金膜はスパッタ法又
は蒸着法により形成でれるアルミニウム膜に対して抵抗
値が一桁高いため、プラズマＯＶＤ法によるアルミニウ
ム膜形成は不適とされている。
にチャンバ内壁に吸着する残留水によジ被着形成膜には
酸素（０，）の取り込みが多いため、従来より一般的な
配線材として用いられるアルミニウムｍ（Ａ／）または
シリコン（８ｊ）とフルミニラム合金膜はスパッタ法又
は蒸着法により形成でれるアルミニウム膜に対して抵抗
値が一桁高いため、プラズマＯＶＤ法によるアルミニウ
ム膜形成は不適とされている。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記の欠点に鑑み集積回路の回路構成に有効な
低抵抗でし力・も良質のアルミニツム薄膜形成全可能と
するプラズマ０ＶＤ装置の提供全目的とする。
低抵抗でし力・も良質のアルミニツム薄膜形成全可能と
するプラズマ０ＶＤ装置の提供全目的とする。
（ｅ） 発明の構成
上記目的は本発明によれは試料上に所望の被膜を形成さ
せる平行乎板盤プラズマＯＶＤ装置であって、該ＯＶＤ
装置のチャンバ内を加熱する加熱機構金偏えることによ
って達せられる。
せる平行乎板盤プラズマＯＶＤ装置であって、該ＯＶＤ
装置のチャンバ内を加熱する加熱機構金偏えることによ
って達せられる。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面により詳述する。
第２図は本発明の一実施例であるチャンバ外壁周辺に加
熱機構を備えたプラズマ０ＶＤ装置を示す構成図、第８
図は本発明の一実施例である加熱機構を示す針視図であ
る。
熱機構を備えたプラズマ０ＶＤ装置を示す構成図、第８
図は本発明の一実施例である加熱機構を示す針視図であ
る。
図において、ステンレス部材で形成されるチャンバ１１
の外壁周辺部にラバヒータ１２を取付ける。ラバヒータ
１２は第８図に示すように耐熱性絶縁材１８に抵抗線１
４′ｆｔ埋込形成して、形成するものでａｒ＠性を持た
せ円筒状のチャンバｌｌ’に包み込むように取イつける
ことによりチャンバ１１内の温度を一定（１５０〜８５
Ｕ’Ｏ）に加熱する。
の外壁周辺部にラバヒータ１２を取付ける。ラバヒータ
１２は第８図に示すように耐熱性絶縁材１８に抵抗線１
４′ｆｔ埋込形成して、形成するものでａｒ＠性を持た
せ円筒状のチャンバｌｌ’に包み込むように取イつける
ことによりチャンバ１１内の温度を一定（１５０〜８５
Ｕ’Ｏ）に加熱する。
これによってチャンバ１１内の内壁に付着する残留水を
乾燥除去し、散索による汚染を阻止するものである。し
かる後に一定圧に減圧（１Ｔｏｒｒ）維持し基板＠直音
５０〜１０００に刀■熱する。ウェハ１５を載置する下
部電極１６に高周波高圧を印力口してプジズマ葡発生さ
せるとともにガス誘導管１７を外してトリメチルアルミ
ニウムｌ！（ＯＨ，）。
乾燥除去し、散索による汚染を阻止するものである。し
かる後に一定圧に減圧（１Ｔｏｒｒ）維持し基板＠直音
５０〜１０００に刀■熱する。ウェハ１５を載置する下
部電極１６に高周波高圧を印力口してプジズマ葡発生さ
せるとともにガス誘導管１７を外してトリメチルアルミ
ニウムｌ！（ＯＨ，）。
の化付物ガスに水素ガス（Ｈ２）又はアルゴンガス（Ａ
ｒ）’ｅ添加して導入する。化合物ガスはプラズマによ
り活性化され、ガス反応によりウェハ１５上にアルミニ
ウムの薄膜を形成する。
ｒ）’ｅ添加して導入する。化合物ガスはプラズマによ
り活性化され、ガス反応によりウェハ１５上にアルミニ
ウムの薄膜を形成する。
本実施例によれば高周波電源金５０ＫＨｚ〜１８５６Ｍ
Ｈｚの範囲内で成膜されるアルミ膚の抵抗値は従来ｌＯ
Ωｅ ｆｆｉ程［でｈっだものが１０ ΩＩＩｃＩＩＬ
に向上することが確認された。即ち従来の気相中におけ
る膜成長時に酸素の取り込みが阻止できた為と考案式れ
ステップカバレッヂ（Ｓｔｏｐ Ｃｏｖｅｒａｇｅ ）
ャンバ内に収容する複数の赤外線ランプで構成される加
熱機構を示す図でろり、０）図は側面図、（ロ）図は平
面図である。
Ｈｚの範囲内で成膜されるアルミ膚の抵抗値は従来ｌＯ
Ωｅ ｆｆｉ程［でｈっだものが１０ ΩＩＩｃＩＩＬ
に向上することが確認された。即ち従来の気相中におけ
る膜成長時に酸素の取り込みが阻止できた為と考案式れ
ステップカバレッヂ（Ｓｔｏｐ Ｃｏｖｅｒａｇｅ ）
ャンバ内に収容する複数の赤外線ランプで構成される加
熱機構を示す図でろり、０）図は側面図、（ロ）図は平
面図である。
図において中央全円形にくり抜いた上部及び下部フレー
ム１８．１９間にタングステン等の抵抗線を組込みハロ
ゲンガスを封入した複数の赤外線ランプ２０を載盤に配
列し、台座２１に固定しチャンバ１１内に設置しチャン
バ１１の内壁に沿って設けることにより同様の効果が得
られる。
ム１８．１９間にタングステン等の抵抗線を組込みハロ
ゲンガスを封入した複数の赤外線ランプ２０を載盤に配
列し、台座２１に固定しチャンバ１１内に設置しチャン
バ１１の内壁に沿って設けることにより同様の効果が得
られる。
（ω 発明の効果
以上詳細に説明したようにプラズマ０ＶＤ装置に本発明
の加熱機構を備えることにより、成膜される金属膜又は
絶縁膜は酸化物の取り込みの少ない良質の膜質が得られ
、特にアルミニウム膜は従来に比して低抵抗の膜質が得
られその効果は大きいＱ
の加熱機構を備えることにより、成膜される金属膜又は
絶縁膜は酸化物の取り込みの少ない良質の膜質が得られ
、特にアルミニウム膜は従来に比して低抵抗の膜質が得
られその効果は大きいＱ
第１図は従来のプ２ズマＯＶＤ装置を示す構成図、第２
因は本発明の一実施例であるチャンバ外壁周辺に加熱機
構金偏えたプラズマＯＶＤ装置を示す構成図、第８図は
本発明の一実施例である加熱機構を示す斜視図、第４図
の←）、（ロ）図は本発明の他の実施例であるチャンバ
内に収容する複数の赤外線ランプで構成される加熱機構
を示す図でめり、（イ）図は側面図、（ロ）図は平面図
である。 図中１１・・・チャンバ、１２・・・ラバヒータ、１８
・・・耐熱性絶縁材、１４・・抵抗線、１５・・ウエノ
・、１６・・・下部電極、１７・・・ガス誘導管、１８
・・上部フレーム、１９・下部フレーム、２０・・・赤
外線ランプ、２１・・台座。 第 １目 寥２ 日
因は本発明の一実施例であるチャンバ外壁周辺に加熱機
構金偏えたプラズマＯＶＤ装置を示す構成図、第８図は
本発明の一実施例である加熱機構を示す斜視図、第４図
の←）、（ロ）図は本発明の他の実施例であるチャンバ
内に収容する複数の赤外線ランプで構成される加熱機構
を示す図でめり、（イ）図は側面図、（ロ）図は平面図
である。 図中１１・・・チャンバ、１２・・・ラバヒータ、１８
・・・耐熱性絶縁材、１４・・抵抗線、１５・・ウエノ
・、１６・・・下部電極、１７・・・ガス誘導管、１８
・・上部フレーム、１９・下部フレーム、２０・・・赤
外線ランプ、２１・・台座。 第 １目 寥２ 日
Claims (1)
- 試料上に所望の被膜を形成させる平行平板型プラズマＣ
ＶＤ装置でろって、該ＯＶＤ装置のチャンバ内を加熱す
る加熱機構金偏えたこと全特徴とするプラズマＣＶＤ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21014182A JPS59100514A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21014182A JPS59100514A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59100514A true JPS59100514A (ja) | 1984-06-09 |
Family
ID=16584450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21014182A Pending JPS59100514A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59100514A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62165910A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JPH03288613A (ja) * | 1990-04-05 | 1991-12-18 | Kobe Steel Ltd | プラスチック成形機用スクリュー |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4993984A (ja) * | 1972-10-04 | 1974-09-06 | ||
| JPS5785220A (en) * | 1980-11-18 | 1982-05-27 | Fujitsu Ltd | Plasma cvd device |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP21014182A patent/JPS59100514A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4993984A (ja) * | 1972-10-04 | 1974-09-06 | ||
| JPS5785220A (en) * | 1980-11-18 | 1982-05-27 | Fujitsu Ltd | Plasma cvd device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62165910A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JPH03288613A (ja) * | 1990-04-05 | 1991-12-18 | Kobe Steel Ltd | プラスチック成形機用スクリュー |
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