JPS59169129A - 高融点金属あるいは高融点金属シリサイドの成膜方法 - Google Patents
高融点金属あるいは高融点金属シリサイドの成膜方法Info
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- JPS59169129A JPS59169129A JP4488383A JP4488383A JPS59169129A JP S59169129 A JPS59169129 A JP S59169129A JP 4488383 A JP4488383 A JP 4488383A JP 4488383 A JP4488383 A JP 4488383A JP S59169129 A JPS59169129 A JP S59169129A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は改善された高融点金属あるいは高融点金属シリ
サイドのスパッタ方法に関する。
サイドのスパッタ方法に関する。
（ｂｌ 従来技術と問題点
半導体装置を製造する際に、表面に電極配線が形成され
ており、且つ半導体装置がＩＣ，ＬＳＩと高集積化、高
密度化されるに従ってこのような電極配線も益々微細化
し複雑になって高精度パターンが要求されるようになっ
てきた。このような電極配線において、多層配線構造に
なると従来の柔らかいアルミニウム（Ａｌ）に代わり、
最近では高融点金属あるいは高融点金属シリサイドから
なる電極配線が使用されるようになっており、それは硬
くて精度良いパターンが作成され易いためである。
ており、且つ半導体装置がＩＣ，ＬＳＩと高集積化、高
密度化されるに従ってこのような電極配線も益々微細化
し複雑になって高精度パターンが要求されるようになっ
てきた。このような電極配線において、多層配線構造に
なると従来の柔らかいアルミニウム（Ａｌ）に代わり、
最近では高融点金属あるいは高融点金属シリサイドから
なる電極配線が使用されるようになっており、それは硬
くて精度良いパターンが作成され易いためである。
ところで、電極配線を形成するには、その膜湊被着した
後にパターンニングを行なうが、その膜被着が半導体装
置の品質、信頼性に重要な影響を与える。高融点金属あ
るいは高融点金属シリサイド膜など電極配線の形成には
専ら蒸着法又はスパッタ法が用いられている。
後にパターンニングを行なうが、その膜被着が半導体装
置の品質、信頼性に重要な影響を与える。高融点金属あ
るいは高融点金属シリサイド膜など電極配線の形成には
専ら蒸着法又はスパッタ法が用いられている。
その内、スパッタ法で被着した膜は蒸着ムで被着した膜
に比べて、均一な結晶粒の膜が得られ易いこと１段差部
分の被覆性（ステップカバレージ）が比較的良好なこと
２合金膜の被着が容易な、となどの利点が多（、そのた
めスパック法の方が現在多用される傾向にある。しかし
ながら、今ｈ一層高集積化して高度に多層構造に積層さ
れる場合、現状のスパッタ方法による被覆性（ステップ
カバレージ）は決して満足なものではない。近い将来、
電極配線において信頼性上の問題が生しる恐れが十分に
考えられる。
に比べて、均一な結晶粒の膜が得られ易いこと１段差部
分の被覆性（ステップカバレージ）が比較的良好なこと
２合金膜の被着が容易な、となどの利点が多（、そのた
めスパック法の方が現在多用される傾向にある。しかし
ながら、今ｈ一層高集積化して高度に多層構造に積層さ
れる場合、現状のスパッタ方法による被覆性（ステップ
カバレージ）は決して満足なものではない。近い将来、
電極配線において信頼性上の問題が生しる恐れが十分に
考えられる。
（Ｃ１発明の目的
本発明は、このような問題点を解消したステップカバレ
ージの良い高融点金属あるいは高融点金属シリサイド膜
のスパッタ方法を提案するものである。
ージの良い高融点金属あるいは高融点金属シリサイド膜
のスパッタ方法を提案するものである。
ｆｄ＋ 発明の構成
その目的は、高融点金属あるいは高融点金属シリサイド
をターゲットにして、半導体基板上に該高融点金属ある
いは高融点金属シリサイドをスパッタするに際し、高融
点金属化合物あるいは高融点金属化合物とシリコン化合
物との混合化合物を含むガスを処理室に導入して同時に
該化合物ガスを分解してなる高融点金属あるいは高融点
金属シリサイドを堆積する高融点金属あるいはそのシリ
サイドのスパッタ方法によって達成することができる。
をターゲットにして、半導体基板上に該高融点金属ある
いは高融点金属シリサイドをスパッタするに際し、高融
点金属化合物あるいは高融点金属化合物とシリコン化合
物との混合化合物を含むガスを処理室に導入して同時に
該化合物ガスを分解してなる高融点金属あるいは高融点
金属シリサイドを堆積する高融点金属あるいはそのシリ
サイドのスパッタ方法によって達成することができる。
（ｅ） 発明の実施例
以下２図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は従来のマグネトロンスパック装置の一例の概要
断面図を示しており、処理室１内において陽極２側に半
導体基板３を保持し、陰極４側にターゲット５を載置し
て、排気口６より真空排気し、ガス流入ロアよりアルゴ
ン（Ａｒ＞ガスを流入させる。ターゲット５はモリブデ
ン（Ｍｏ＞ 。
断面図を示しており、処理室１内において陽極２側に半
導体基板３を保持し、陰極４側にターゲット５を載置し
て、排気口６より真空排気し、ガス流入ロアよりアルゴ
ン（Ａｒ＞ガスを流入させる。ターゲット５はモリブデ
ン（Ｍｏ＞ 。
タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ） 、クン′タル（
Ｔａ）等の高融点金属あるいはそのシリサイＶをポいる
。また、減圧度は５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ程度？こし
、バイアス電圧を加えた周波数１３．５６ＭＨ２Ｏ高周
波電力８を印加して半導体基板３上に高融点金属あるい
は高融点金属シリサイド膜を被着形成する。
Ｔａ）等の高融点金属あるいはそのシリサイＶをポいる
。また、減圧度は５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ程度？こし
、バイアス電圧を加えた周波数１３．５６ＭＨ２Ｏ高周
波電力８を印加して半導体基板３上に高融点金属あるい
は高融点金属シリサイド膜を被着形成する。
図中、９はマグネットで、このようなマグネットを取り
つけると被着効率が良くなり、また半導体基板への衝撃
を緩和させることができる。
つけると被着効率が良くなり、また半導体基板への衝撃
を緩和させることができる。
しかし、かような従来のスパッタ方法は生産性は良いが
、必ずしもステップカバレージは十分でない。従って、
本発明では化合物を分解して膜を被着する所謂化学気相
成長膜を少し加えるものである。
、必ずしもステップカバレージは十分でない。従って、
本発明では化合物を分解して膜を被着する所謂化学気相
成長膜を少し加えるものである。
第２図は本発明にかかるスパッタ法に基づくスパッタ装
置の一実施例の概要断面図を示している。
置の一実施例の概要断面図を示している。
図示のように、処理室１にガス流入口１０よりアルゴン
（Ａｒ）ガスを流入すると同時に、他の分岐ガス流入口
１１から水素（Ｈ２）ガス又はアルゴンガスをキャリ−
アガスとして高融点金属化合物あるいは高融点金属化合
物とシリコン化合物との混合化合物ガスを流入させる。
（Ａｒ）ガスを流入すると同時に、他の分岐ガス流入口
１１から水素（Ｈ２）ガス又はアルゴンガスをキャリ−
アガスとして高融点金属化合物あるいは高融点金属化合
物とシリコン化合物との混合化合物ガスを流入させる。
高融点金属化合物は例えば塩化モリブデン（ＭｏＣＩｓ
） 、塩化チタン（ＴｉＣＩ４ ） 、塩化タンタル
（ＴａＣｌ３）等の何れかを用い、高融点金属シリサイ
ド膜を被着形成する場合にはそれにモノシラン（ＳｉＨ
４）を混合した混合化合物とする。
） 、塩化チタン（ＴｉＣＩ４ ） 、塩化タンタル
（ＴａＣｌ３）等の何れかを用い、高融点金属シリサイ
ド膜を被着形成する場合にはそれにモノシラン（ＳｉＨ
４）を混合した混合化合物とする。
このような化合物あるいは混合化合物は、これを充填し
たボンへ１２を恒温槽１３内で一定温度に保ち、上記し
たキャリアガスによって処理室に流入させる。この化合
物ガスの圧力を１〜２×１０ ’ Ｔｏｒｒ程度にし、
残りのガスをＡｒガスにして処理室１内のトータル圧力
を５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ程度に保持する。
たボンへ１２を恒温槽１３内で一定温度に保ち、上記し
たキャリアガスによって処理室に流入させる。この化合
物ガスの圧力を１〜２×１０ ’ Ｔｏｒｒ程度にし、
残りのガスをＡｒガスにして処理室１内のトータル圧力
を５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ程度に保持する。
一方、処理室１内の半導体基板３は加熱器１１によって
２００〜３００℃に加熱しておき、バイアス電圧を加え
た高周波電力８を両電極間に印加する。そうすると、ス
パックによって半導体基板３上にスパッタ膜を被着する
と同時に、半導体基板上で上記の化合物が気相分解して
半導体基板に被着する際、スパック膜と共にカバレージ
良（被膜が形成される。尚、図において１５は操作前に
流入配管中の不要ガスを排出するためのガスバーシロを
示す。
２００〜３００℃に加熱しておき、バイアス電圧を加え
た高周波電力８を両電極間に印加する。そうすると、ス
パックによって半導体基板３上にスパッタ膜を被着する
と同時に、半導体基板上で上記の化合物が気相分解して
半導体基板に被着する際、スパック膜と共にカバレージ
良（被膜が形成される。尚、図において１５は操作前に
流入配管中の不要ガスを排出するためのガスバーシロを
示す。
（ｆｌ 発明の効果
以上の説明から判るように、本発明によればステップカ
バレージの優れた高融点金属あるいは高融点金属シリサ
イド膜をスパック方法で効率良く被着させることができ
るから、半導体装置の高信頼化に極めて役立つものであ
る。
バレージの優れた高融点金属あるいは高融点金属シリサ
イド膜をスパック方法で効率良く被着させることができ
るから、半導体装置の高信頼化に極めて役立つものであ
る。
第１図は従来のスパック装置の概要断面図、第２図は本
発明にかかるスパッタ装置の概要断面図である。 図中、ｌは処理室、２は陽極、３は半導体基板。
発明にかかるスパッタ装置の概要断面図である。 図中、ｌは処理室、２は陽極、３は半導体基板。
Claims (1)
- 高融点金属あるいは高融点金属シリサイドをターゲ・２
トにして、半導体基板上に該高融点金属あるいは高融点
金属シリサイドをスパックするに際し、高融点金属化合
物あるいは高融点金属化合物とシリコン化合物との混合
化合物を含むガスを処理室に導入して同時に該化合物ガ
スを分解してなる高融点金属あるいは高融点金属シリサ
イドを堆積することを特徴とする高融点金属あるいは高
融・点金属シリサイドの゛スパッタ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4488383A JPS59169129A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 高融点金属あるいは高融点金属シリサイドの成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4488383A JPS59169129A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 高融点金属あるいは高融点金属シリサイドの成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59169129A true JPS59169129A (ja) | 1984-09-25 |
| JPH0414493B2 JPH0414493B2 (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=12703885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4488383A Granted JPS59169129A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 高融点金属あるいは高融点金属シリサイドの成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59169129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61245525A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | 金属薄膜の製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023077221A (ja) | 2021-11-24 | 2023-06-05 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法 |
| JP2023129266A (ja) | 2022-03-03 | 2023-09-14 | 信越化学工業株式会社 | 金属酸化膜形成用組成物、パターン形成方法、及び金属酸化膜形成方法 |
| JP2024008372A (ja) | 2022-07-08 | 2024-01-19 | 信越化学工業株式会社 | 金属酸化膜形成用組成物、パターン形成方法、及び金属酸化膜形成方法 |
| JP2024068637A (ja) | 2022-11-08 | 2024-05-20 | 信越化学工業株式会社 | 金属含有膜形成用化合物、金属含有膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56147434A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP4488383A patent/JPS59169129A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56147434A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61245525A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | 金属薄膜の製造方法 |
| JPH0420980B2 (ja) * | 1985-04-23 | 1992-04-07 | Fujitsu Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0414493B2 (ja) | 1992-03-13 |
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