JPH0360177B2 - - Google Patents
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- JPH0360177B2 JPH0360177B2 JP4089683A JP4089683A JPH0360177B2 JP H0360177 B2 JPH0360177 B2 JP H0360177B2 JP 4089683 A JP4089683 A JP 4089683A JP 4089683 A JP4089683 A JP 4089683A JP H0360177 B2 JPH0360177 B2 JP H0360177B2
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- -1 aluminum compound Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- NRQNMMBQPIGPTB-UHFFFAOYSA-N methylaluminum Chemical compound [CH3].[Al] NRQNMMBQPIGPTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は改善されたアルミニウムあるいはアル
ミニウム合金のスパツタ方法に関する。
ミニウム合金のスパツタ方法に関する。
(b) 従来技術と問題点
半導体装置を製造する際に、アルミニウムある
いはアルミニウム合金が電極配線に用いられてお
り、半導体装置がIC，LSIと高集積化，高密度化
するに従つて電極配線も益々微細になり複雑にな
つて高精度パターンが要求されている。通常、電
極配線を形成するにはアルミニウムあるいはアル
ミニウム合金膜を被着した後にパターンニングを
行なうが、その膜の被着形成が半導体装置の品
質，信頼性に重要な関係がある。
いはアルミニウム合金が電極配線に用いられてお
り、半導体装置がIC，LSIと高集積化，高密度化
するに従つて電極配線も益々微細になり複雑にな
つて高精度パターンが要求されている。通常、電
極配線を形成するにはアルミニウムあるいはアル
ミニウム合金膜を被着した後にパターンニングを
行なうが、その膜の被着形成が半導体装置の品
質，信頼性に重要な関係がある。
従来よりアルミニウムあるいはアルミニウム合
金膜の被着には蒸着法又はスパツタ法が用いられ
ており、最近ではスパツタ法が特に多用されるよ
うになつてきた。
金膜の被着には蒸着法又はスパツタ法が用いられ
ており、最近ではスパツタ法が特に多用されるよ
うになつてきた。
その理由はスパツタ法で被着した膜が、蒸着法
で被着した膜に比べて、均一な結晶粒の膜が得ら
れ易いこと，突起が少ないこと，段差部分の被覆
性（ステツプカバレージ）が比較的良好なこと，
合金膜の被着が容易なことなどの利点があるため
で、且つインライン化や自動化も容易であるから
である。しかしながら、電極配線は凹凸のある表
面上で多層構造に積層する場合が多く、現状の段
差部分での被覆性（ステツプカバレージ）は決し
て十分なものではない。今後、更に多層化し段差
が大きくなれば、電極配線において信頼性上の問
題が生じることが十分に予想される。
で被着した膜に比べて、均一な結晶粒の膜が得ら
れ易いこと，突起が少ないこと，段差部分の被覆
性（ステツプカバレージ）が比較的良好なこと，
合金膜の被着が容易なことなどの利点があるため
で、且つインライン化や自動化も容易であるから
である。しかしながら、電極配線は凹凸のある表
面上で多層構造に積層する場合が多く、現状の段
差部分での被覆性（ステツプカバレージ）は決し
て十分なものではない。今後、更に多層化し段差
が大きくなれば、電極配線において信頼性上の問
題が生じることが十分に予想される。
(c) 発明の目的
本発明は、このような問題点を解決してステツ
プカバレージの良いアルミニウムあるいはアルミ
ニウム合金膜のスパツタ方法を提案するものであ
る。
プカバレージの良いアルミニウムあるいはアルミ
ニウム合金膜のスパツタ方法を提案するものであ
る。
(d) 発明の構成
その目的は、アルミニウムあるいはアルミニウ
ム合金をターゲツトにして、半導体基板上に該ア
ルミニウムあるいはアルミニウム合金をスパツタ
する際に、同時にアルミニウム化合物を含むガス
を処理室に導入し、該アルミニウム化合物ガスを
分解してなるアルミニウムを堆積するアルミニウ
ムあるいはアルミニウム合金のスパツタ方法によ
つて達成される。
ム合金をターゲツトにして、半導体基板上に該ア
ルミニウムあるいはアルミニウム合金をスパツタ
する際に、同時にアルミニウム化合物を含むガス
を処理室に導入し、該アルミニウム化合物ガスを
分解してなるアルミニウムを堆積するアルミニウ
ムあるいはアルミニウム合金のスパツタ方法によ
つて達成される。
(e) 発明の実施例
以下、図面を参照して実施例によつて詳細に説
明する。第１図は従来のスパツタ装置の一例の概
要断面図を示しており、処理室１内において陽極
２側に半導体基板３を保持し、陰極４側にターゲ
ツト５を載置して、排気口６より真空排気し、ガ
ス流入口７よりアルゴン（Ar）ガスを流入させ
る。ターゲツト５はアルミニウム（Al）又はAl
合金材料であり、減圧度を５×10-3Torrとし、
バイアス電圧を加えた周波数13.56MHzの高周波
電力８を印加して半導体基板３上にAl又はAl合
金膜を被覆形成する。ここに、Al合金とは例え
ば数％あるいはそれ以下の銅又はシリコンを含む
合金のことである。
明する。第１図は従来のスパツタ装置の一例の概
要断面図を示しており、処理室１内において陽極
２側に半導体基板３を保持し、陰極４側にターゲ
ツト５を載置して、排気口６より真空排気し、ガ
ス流入口７よりアルゴン（Ar）ガスを流入させ
る。ターゲツト５はアルミニウム（Al）又はAl
合金材料であり、減圧度を５×10-3Torrとし、
バイアス電圧を加えた周波数13.56MHzの高周波
電力８を印加して半導体基板３上にAl又はAl合
金膜を被覆形成する。ここに、Al合金とは例え
ば数％あるいはそれ以下の銅又はシリコンを含む
合金のことである。
しかし、かようなスパツタ方法は大量生産に適
しているが、必ずしもステツプカバーレージは良
くない。従つて、本発明ではAl化合物を分解し
てAl膜を被着する所謂化学気相成長膜を若干付
加するものである。
しているが、必ずしもステツプカバーレージは良
くない。従つて、本発明ではAl化合物を分解し
てAl膜を被着する所謂化学気相成長膜を若干付
加するものである。
第２図は本発明にかかるスパツタ法に基づく処
理装置の一実施例の概要断面図を示している。図
示のように、処理室１にガス流入口１０よりアル
ゴン（Ar）ガスを流入すると同時に、他の分岐
ガス流入口１１から水素（H2）ガスをキヤリア
ガスとしてAl化合物ガスを流入させる。Al化合
物ガスとしては、例えばトリイソブチルアルミニ
ウムやメチルアルミニウム等のようなアルミニウ
ムのアルキル化合物が最も適しているが、塩化ア
ルミニウムなどを用いてもよい。このようなAl
化合物を充填したボンベ１２を恒温槽１３内で一
定温度に保ち、H2ガスをキヤリアガスとしてAl
化合物ガスを処理室に流入する。Al化合物ガス
の圧力を１〜２×10-3Torr位にし、残りのガス
をArガスにして処理室１内のトータル圧力を５
×10-3Torr程度に保つ。
理装置の一実施例の概要断面図を示している。図
示のように、処理室１にガス流入口１０よりアル
ゴン（Ar）ガスを流入すると同時に、他の分岐
ガス流入口１１から水素（H2）ガスをキヤリア
ガスとしてAl化合物ガスを流入させる。Al化合
物ガスとしては、例えばトリイソブチルアルミニ
ウムやメチルアルミニウム等のようなアルミニウ
ムのアルキル化合物が最も適しているが、塩化ア
ルミニウムなどを用いてもよい。このようなAl
化合物を充填したボンベ１２を恒温槽１３内で一
定温度に保ち、H2ガスをキヤリアガスとしてAl
化合物ガスを処理室に流入する。Al化合物ガス
の圧力を１〜２×10-3Torr位にし、残りのガス
をArガスにして処理室１内のトータル圧力を５
×10-3Torr程度に保つ。
また、処理室１内の半導体基板３は加熱器１４
によつて200〜300℃に加熱しておき、バイアス電
圧を加えた高周波電力８を両電極間に印加する。
そうすると、スパツタによつて半導体基板３上に
AlあるいはAl合金膜を被着すると同時に、半導
体基板上でAl化合物が気相分解し、その気相分
解したAl膜がスパツタしたAl膜と共にカバレー
ジ良く被着する。尚、図において１５は被着効率
を良くし、且つ半導体基板への衝撃を緩和させる
ためのマグネツト、１６は操作前に流入配管中の
不要ガスを排出するためのガスパージ口である。
によつて200〜300℃に加熱しておき、バイアス電
圧を加えた高周波電力８を両電極間に印加する。
そうすると、スパツタによつて半導体基板３上に
AlあるいはAl合金膜を被着すると同時に、半導
体基板上でAl化合物が気相分解し、その気相分
解したAl膜がスパツタしたAl膜と共にカバレー
ジ良く被着する。尚、図において１５は被着効率
を良くし、且つ半導体基板への衝撃を緩和させる
ためのマグネツト、１６は操作前に流入配管中の
不要ガスを排出するためのガスパージ口である。
上記の例は気相分解して被着する膜が純Al膜
の場合であるが、Al化合物に他の化合物（例え
ばモノシランなど）を混入すればAl合金膜を気
相分解して被着することも可能である。
の場合であるが、Al化合物に他の化合物（例え
ばモノシランなど）を混入すればAl合金膜を気
相分解して被着することも可能である。
(f) 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ばステツプカバレージの優れたアルミニウムある
いはアルミニウム合金がスパツタ方法で効率良く
被着されるために半導体装置の高信頼化に極めて
寄与するものである。
ばステツプカバレージの優れたアルミニウムある
いはアルミニウム合金がスパツタ方法で効率良く
被着されるために半導体装置の高信頼化に極めて
寄与するものである。
第１図は従来のスパツタ装置の概要断面図、第
２図は本発明にかかるスパツタ装置の概要断面図
である。 図中、１は処理室、２は陽極、３は半導体基
板、４は陰極、５はターゲツト、６は排気口、
７，１０，１１はガス流入口、８は印加電力、１
２はボンベ、１３は恒温槽、１４は加熱器、１５
はマグネツト、１６はガスパージ口を示してい
る。
２図は本発明にかかるスパツタ装置の概要断面図
である。 図中、１は処理室、２は陽極、３は半導体基
板、４は陰極、５はターゲツト、６は排気口、
７，１０，１１はガス流入口、８は印加電力、１
２はボンベ、１３は恒温槽、１４は加熱器、１５
はマグネツト、１６はガスパージ口を示してい
る。
Claims (1)
- １ アルミニウムあるいはアルミニウム合金をタ
ーゲツトにして、半導体基板上に該アルミニウム
あるいはアルミニウム合金をスパツタする際に、
同時にアルミニウム化合物を含むガスを処理室に
導入し、該アルミニウム化合物ガスを分解してな
るアルミニウムを堆積することを特徴とするアル
ミニウムあるいはアルミニウム合金のスパツタ方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4089683A JPS59167017A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | アルミニウムあるいはアルミニウム合金のスパツタ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4089683A JPS59167017A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | アルミニウムあるいはアルミニウム合金のスパツタ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59167017A JPS59167017A (ja) | 1984-09-20 |
| JPH0360177B2 true JPH0360177B2 (ja) | 1991-09-12 |
Family
ID=12593269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4089683A Granted JPS59167017A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | アルミニウムあるいはアルミニウム合金のスパツタ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59167017A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61245525A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | 金属薄膜の製造方法 |
| GB8516580D0 (en) * | 1985-07-01 | 1985-08-07 | Atomic Energy Authority Uk | Coating improvements |
| JP4865200B2 (ja) * | 2003-08-07 | 2012-02-01 | キヤノン株式会社 | ナノ構造体及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-03-11 JP JP4089683A patent/JPS59167017A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59167017A (ja) | 1984-09-20 |
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