JPS59167017A - アルミニウムあるいはアルミニウム合金のスパツタ方法 - Google Patents
アルミニウムあるいはアルミニウム合金のスパツタ方法Info
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- JPS59167017A JPS59167017A JP4089683A JP4089683A JPS59167017A JP S59167017 A JPS59167017 A JP S59167017A JP 4089683 A JP4089683 A JP 4089683A JP 4089683 A JP4089683 A JP 4089683A JP S59167017 A JPS59167017 A JP S59167017A
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は改善されたアルミニウムあるいはアルミニウム
合金のスパッタ方法に関する。
合金のスパッタ方法に関する。
（ｂｌ 従来技術と問題点
半導体装置を製造する際に、アルミニウムあるいはアル
ミニウム合金が電極配線に用いられており、半導体装置
がＩＣ，ＬＳＩと高集積化、高密度化するに従って電極
配線も益々微細になり複雑になって高精度パターンが要
求されている。通常、電極配線を形成するにはアルミニ
ウムあるいはアルミニウム合金膜を被着した後にパター
ンニングを行なうが、その膜の被着形成が半導体装置の
品質、信頼性に重要な関係がある。
ミニウム合金が電極配線に用いられており、半導体装置
がＩＣ，ＬＳＩと高集積化、高密度化するに従って電極
配線も益々微細になり複雑になって高精度パターンが要
求されている。通常、電極配線を形成するにはアルミニ
ウムあるいはアルミニウム合金膜を被着した後にパター
ンニングを行なうが、その膜の被着形成が半導体装置の
品質、信頼性に重要な関係がある。
従来よりアルミニウムあるいはアルミニウム合金膜の被
着には蒸着法又はスパッタ法が用いられており、最近で
はスパッタ法が特に多用されるようになってきた。
着には蒸着法又はスパッタ法が用いられており、最近で
はスパッタ法が特に多用されるようになってきた。
その理由はスパッタ法で被着した膜が、蒸着法で被着し
た膜に比べて、均一な結晶粒の膜が得られ易いこと、突
起が少ないこと２段差部分の被覆性（ステンプカバレー
ジ）が比較的良好なこと。
た膜に比べて、均一な結晶粒の膜が得られ易いこと、突
起が少ないこと２段差部分の被覆性（ステンプカバレー
ジ）が比較的良好なこと。
合金膜の被着が容易なことなどの利点があるためで、且
つインライン化や自動化も容易であるからである。 し
かしながら、電極配線は凹凸のある表面上で多層構造に
積層する場合が多く、現状の段差部分での被覆性（ステ
ンプカバレージ）は決して十分なものではない。今後、
更に多層化し段差が大きくなれば、電極配線において信
頼性上の問題が生しることが十分に予想される。
つインライン化や自動化も容易であるからである。 し
かしながら、電極配線は凹凸のある表面上で多層構造に
積層する場合が多く、現状の段差部分での被覆性（ステ
ンプカバレージ）は決して十分なものではない。今後、
更に多層化し段差が大きくなれば、電極配線において信
頼性上の問題が生しることが十分に予想される。
（Ｃ１発明の目的
本発明は、このような問題点を解決してステップカバレ
ージの良いアルミニウムあるいはアルミニウム合金膜の
スパック方法を提案するものである。
ージの良いアルミニウムあるいはアルミニウム合金膜の
スパック方法を提案するものである。
（ｄ） 発明の構成
その目的は、アルミニウムあるいはアルミニウム合金を
ターゲットにして、半導体基板上に該アルミニウムある
いはアルミニウム合金をスパッタする際に、同時にアル
ミニウム化合物を含むガスを処理室に導入し、該アルミ
ニウム化合物ガスを分解してなるアルミニウムを堆積す
るアルミニウムあるいはアルミニウム合金のスパッタ方
法によって達成される。
ターゲットにして、半導体基板上に該アルミニウムある
いはアルミニウム合金をスパッタする際に、同時にアル
ミニウム化合物を含むガスを処理室に導入し、該アルミ
ニウム化合物ガスを分解してなるアルミニウムを堆積す
るアルミニウムあるいはアルミニウム合金のスパッタ方
法によって達成される。
（ｅｌ 発明の実施例
以下１図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は従来のスパック装置の一例の概要断面図を示し
ており、処理室１内において陽極２側に半導体基板３を
保持し、陰極４側にターゲット５を載置して、排気口６
より真空排気し、ガス流入ロアよりアルゴン（Ａｒ）ガ
スを流入させる。
ており、処理室１内において陽極２側に半導体基板３を
保持し、陰極４側にターゲット５を載置して、排気口６
より真空排気し、ガス流入ロアよりアルゴン（Ａｒ）ガ
スを流入させる。
ターゲット５はアルミニウム（ＡＩ）又はＡ１合金材料
であり、減圧度を５ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒとし、バイ
アス電圧を加えた周波数１３．５６ＭＨ２Ｏ高周波電力
８を印加して半導体基板３上に八ｌ又は１合金膜を被着
形成する。ここに、旧合金とは例えば数％あるいはそれ
以下の銅又はシリコンを含む合金のことである。
であり、減圧度を５ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒとし、バイ
アス電圧を加えた周波数１３．５６ＭＨ２Ｏ高周波電力
８を印加して半導体基板３上に八ｌ又は１合金膜を被着
形成する。ここに、旧合金とは例えば数％あるいはそれ
以下の銅又はシリコンを含む合金のことである。
しかし、かようなスパッタ方法は大量生産に適している
が、必ずしもステップカバレージは良くない。従って、
本発明ではＡＩ化合物を分解してＡＩ膜を被着する所謂
化学気相成長膜を若干付加するものである。
が、必ずしもステップカバレージは良くない。従って、
本発明ではＡＩ化合物を分解してＡＩ膜を被着する所謂
化学気相成長膜を若干付加するものである。
第２図は本発明にかかるスパッタ法に基づく処理装置の
一実施例の概要断面図を示している。図示のように、処
理室１にガス流入口１０よりアルゴン（＾ｒ）ガスを流
入すると同時に、他の分岐ガス流入口１１から水素（Ｈ
２）ガスをキャリアガスとしてへ１化合物ガスを流入さ
せる。ＡＩ化合物ガスとしては、例えばトリイソブチル
アルミニウムやメチルアルミニウム等のようなアルミニ
ウムのアルキル化合物が最も適しているが、塩化アルミ
ニウムなどを用いてもよい。このようなＡＩ化合物を充
虜したボンベ１２を恒温槽１３内で一定温度に保ち、Ｈ
２ガスをキャリアガスとしてＡＩ化合物ガスを処理室に
流入する。＾ｌ化合物ガスの圧力を１〜２ Ｘ １０−
３Ｔｏｒｒ位にし、残りのガスをＡｒガスにして処理室
１内のトータル圧力を５Ｘ１０−３Ｔｏｒｒ程度に保つ
。
一実施例の概要断面図を示している。図示のように、処
理室１にガス流入口１０よりアルゴン（＾ｒ）ガスを流
入すると同時に、他の分岐ガス流入口１１から水素（Ｈ
２）ガスをキャリアガスとしてへ１化合物ガスを流入さ
せる。ＡＩ化合物ガスとしては、例えばトリイソブチル
アルミニウムやメチルアルミニウム等のようなアルミニ
ウムのアルキル化合物が最も適しているが、塩化アルミ
ニウムなどを用いてもよい。このようなＡＩ化合物を充
虜したボンベ１２を恒温槽１３内で一定温度に保ち、Ｈ
２ガスをキャリアガスとしてＡＩ化合物ガスを処理室に
流入する。＾ｌ化合物ガスの圧力を１〜２ Ｘ １０−
３Ｔｏｒｒ位にし、残りのガスをＡｒガスにして処理室
１内のトータル圧力を５Ｘ１０−３Ｔｏｒｒ程度に保つ
。
また、処理室１内の半導体基板３は加熱器１４によって
２００〜３００℃に加熱しておき、バイアス電圧を加え
た高周波電力８を両電極間に印加する。そうすると、ス
パッタによって半導体基板３上にＡｔあるいはＡ１合金
膜を被着すると同時に、半導体基板上で耐化合物が気相
分解し、その気相分解したＡＩ膜がスパッタしたＡＩ膜
と共にカバレージ良く被着する。尚、図において１５は
被着効率を良（し、且つ半導体基板への衝撃を緩和させ
るためのマグネット、１６は操作前に流入配管中の不要
ガスを排出するためのガスパーシロである。
２００〜３００℃に加熱しておき、バイアス電圧を加え
た高周波電力８を両電極間に印加する。そうすると、ス
パッタによって半導体基板３上にＡｔあるいはＡ１合金
膜を被着すると同時に、半導体基板上で耐化合物が気相
分解し、その気相分解したＡＩ膜がスパッタしたＡＩ膜
と共にカバレージ良く被着する。尚、図において１５は
被着効率を良（し、且つ半導体基板への衝撃を緩和させ
るためのマグネット、１６は操作前に流入配管中の不要
ガスを排出するためのガスパーシロである。
上記の例は気相分解して被着する膜が純へ１膜の場合で
あるが、ＡＩ化合物に他の化合物（例えばモノシランな
ど）を混入すればＡ１合金膜を気相分解して被着するこ
とも可能である。
あるが、ＡＩ化合物に他の化合物（例えばモノシランな
ど）を混入すればＡ１合金膜を気相分解して被着するこ
とも可能である。
（ｆｌ 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明によればステッ
プカバレージの優れたアルミニウムあるいはアルミニウ
ム合金がスパッタ方法で効率良く被着されるために半導
体装置の高信頼化に極めて寄与するものである。
プカバレージの優れたアルミニウムあるいはアルミニウ
ム合金がスパッタ方法で効率良く被着されるために半導
体装置の高信頼化に極めて寄与するものである。
第１図は従来のスパック装置の概要断面図、第２図は本
発明にかかるスパッタ装置の概要断面図である。 図中、１は処理室、２は陽極、３は半導体基板。 ４は陰極、５はターゲット、６は排気０．７゜１０．１
１はガス流入口、８は印加電力、１２はボンベ、１３は
恒温槽、１４は加熱器、１５はマグネソト、１６はガス
バーシロを示している。
発明にかかるスパッタ装置の概要断面図である。 図中、１は処理室、２は陽極、３は半導体基板。 ４は陰極、５はターゲット、６は排気０．７゜１０．１
１はガス流入口、８は印加電力、１２はボンベ、１３は
恒温槽、１４は加熱器、１５はマグネソト、１６はガス
バーシロを示している。
Claims (1)
- アルミニウムあるいはアルミニウム合金をターゲットに
して、半導体基板上に該アルミニウムあるいはアルミニ
ウム合金をスパッタする際に、同時にアルミニウム化合
物を含むガスを処理室に導入し、該アルミニウム化合物
ガスを分解してなるアルミニウムを堆積することを特徴
とするアルミニウムあるいはアルミニウム合金のスパッ
タ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4089683A JPS59167017A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | アルミニウムあるいはアルミニウム合金のスパツタ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4089683A JPS59167017A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | アルミニウムあるいはアルミニウム合金のスパツタ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59167017A true JPS59167017A (ja) | 1984-09-20 |
| JPH0360177B2 JPH0360177B2 (ja) | 1991-09-12 |
Family
ID=12593269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4089683A Granted JPS59167017A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | アルミニウムあるいはアルミニウム合金のスパツタ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59167017A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61245525A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | 金属薄膜の製造方法 |
| JPS6270571A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-04-01 | ユナイテッド キングドム アトミック エナ↓−ヂイ オ↓−ソリテイ | スパツタイオンメツキにより基板上に被覆を形成する方法 |
| JP2005068558A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-17 | Canon Inc | ナノ構造体及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-03-11 JP JP4089683A patent/JPS59167017A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61245525A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | 金属薄膜の製造方法 |
| JPH0420980B2 (ja) * | 1985-04-23 | 1992-04-07 | Fujitsu Ltd | |
| JPS6270571A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-04-01 | ユナイテッド キングドム アトミック エナ↓−ヂイ オ↓−ソリテイ | スパツタイオンメツキにより基板上に被覆を形成する方法 |
| JP2005068558A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-17 | Canon Inc | ナノ構造体及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0360177B2 (ja) | 1991-09-12 |
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