JPS58158916A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｔａ） 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にアルミニウ
ムよりな゛る電極・配線の形成方法に関する。
ムよりな゛る電極・配線の形成方法に関する。
（ｂｌ 従来技術と問題点
従来半導体装置の電極・配線は、アルミニウム（ＡＮ）
などの金属を真空蒸着法やスパッタ法により基板表面に
被着せしめ、形成された金属薄膜をフォトエツチング法
によって選択的に除去することにより形成していた。
などの金属を真空蒸着法やスパッタ法により基板表面に
被着せしめ、形成された金属薄膜をフォトエツチング法
によって選択的に除去することにより形成していた。
これらの方法は簡単に比較的良質な金属薄膜を得ること
が出来るが、ＬＳＩのように微細な素子を高密度に集積
化する場合には、基板表面に各種の薄膜が積層されるた
め、基板表面の凹凸が激しくなり、しばしばその段差の
部分で配線の断線を生じ、半導体装置の製造歩留や信頼
度の低下を招く。
が出来るが、ＬＳＩのように微細な素子を高密度に集積
化する場合には、基板表面に各種の薄膜が積層されるた
め、基板表面の凹凸が激しくなり、しばしばその段差の
部分で配線の断線を生じ、半導体装置の製造歩留や信頼
度の低下を招く。
上記断を生じる原因は、真空蒸着法やスパッタ法が粒子
の飛翔に方向性を有するためであって、そのためセルフ
シャドー効果と呼ばれる現象を生じ、基板表面の凹凸！
部や壁面を金属薄膜で一様に被覆することが出来ないこ
とによる。
の飛翔に方向性を有するためであって、そのためセルフ
シャドー効果と呼ばれる現象を生じ、基板表面の凹凸！
部や壁面を金属薄膜で一様に被覆することが出来ないこ
とによる。
この問題を解消するには、アルミニウム（Ａ７りをプラ
ズマ気相成長（ＣＶＤ）法に・より被着せしめる方法が
用いられる。
ズマ気相成長（ＣＶＤ）法に・より被着せしめる方法が
用いられる。
ところがエレクトロマ、イグレーシロンによるアルミニ
ウム（ＡＩｌ）電極・配線の断線が生じ・るのを防ぐに
は、アルミニウム（ＡＩｌ）中に銅（Ｃｕ）等を数〔％
〕含ませることが必要である。
ウム（ＡＩｌ）電極・配線の断線が生じ・るのを防ぐに
は、アルミニウム（ＡＩｌ）中に銅（Ｃｕ）等を数〔％
〕含ませることが必要である。
このようにアルミニウム（／ｌり薄膜中に銅（Ｃｕ）等
を含有せしめることは、前述の真空蒸着法やスバ・シタ
法では可能であるが、段差部を十分に被覆し得るプラズ
マＣＶＤ法では未だ実用に供し得る方法が見出されてい
ない。
を含有せしめることは、前述の真空蒸着法やスバ・シタ
法では可能であるが、段差部を十分に被覆し得るプラズ
マＣＶＤ法では未だ実用に供し得る方法が見出されてい
ない。
（Ｃ） 発明の目的
本発明の目的は段差部を均一に被覆し、しかも鋼（Ｃｕ
）等の他の金属を含有してエレクトロマイグレーシロン
を生じることのない、アルミニウム（／ｌ）電極・配線
を形成し得る半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
）等の他の金属を含有してエレクトロマイグレーシロン
を生じることのない、アルミニウム（／ｌ）電極・配線
を形成し得る半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
＋ｄ） 発明の構成
アルミニウムのハロゲン化合物もしくはアルキル化合物
と、′銅、銀、マグネシウ°ム、亜鉛、ガリウム、ゲル
マニウム、シリコンの中から選ばれた少なくとも一つの
元素のハロゲン化合物もしくはアルキル化合物との混合
気体をプラズマ解離せしめることにより、前記アルミニ
ウムと前記選ばれた少なくと声一つの元素との固溶体よ
りなる薄膜を被処理基板上に形成する工程を含むことに
ある。
と、′銅、銀、マグネシウ°ム、亜鉛、ガリウム、ゲル
マニウム、シリコンの中から選ばれた少なくとも一つの
元素のハロゲン化合物もしくはアルキル化合物との混合
気体をプラズマ解離せしめることにより、前記アルミニ
ウムと前記選ばれた少なくと声一つの元素との固溶体よ
りなる薄膜を被処理基板上に形成する工程を含むことに
ある。
＋ｅ＋ 発明の実施例
以下本発明を一実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例に使用したプラズマＣＶＤ装
置を示す要部断面図で、１は被処理基板で例えばシリコ
ン（Ｓｔ）基板、２は上記シリコン（Ｓｉ）基板を搭載
する石英ホルダ、３は石英よりなる反応管、４はキャッ
プ、５は電熱ヒータ、６は商周波コイル、７は排気口、
８は反応ガス導入口であ、以上ば従来のプラズマＣＶＤ
装置と変るところはない。本実施例では上記ガス導入口
８よリアルミニウム（ＡＪ）及び混合する金属のハロゲ
ン化合物またはアルキル化合物の供給装置を付設した。
置を示す要部断面図で、１は被処理基板で例えばシリコ
ン（Ｓｔ）基板、２は上記シリコン（Ｓｉ）基板を搭載
する石英ホルダ、３は石英よりなる反応管、４はキャッ
プ、５は電熱ヒータ、６は商周波コイル、７は排気口、
８は反応ガス導入口であ、以上ば従来のプラズマＣＶＤ
装置と変るところはない。本実施例では上記ガス導入口
８よリアルミニウム（ＡＪ）及び混合する金属のハロゲ
ン化合物またはアルキル化合物の供給装置を付設した。
即ち、１１はＡｌ化合物の供給装置で、内部に／ｌ化合
物２例えば塩化アルミニウム（ＡＡＣ４！５）１２を収
容する。このＡβＣＩ！、は常温では個体であるので、
ヒータ１３で凡そ１２０（’Ｃ）に加熱し、溶融してお
く、１４は混合する金属の供給装置で、内部に混合する
金属１例えば四塩化珪素（ＳｉＣ１ｌ、）１５を収容す
る。この５ｉＣＪ、’１５は冷却器１６により凡そ一２
Ｏ（”Ｃ）に冷却して液化する。
物２例えば塩化アルミニウム（ＡＡＣ４！５）１２を収
容する。このＡβＣＩ！、は常温では個体であるので、
ヒータ１３で凡そ１２０（’Ｃ）に加熱し、溶融してお
く、１４は混合する金属の供給装置で、内部に混合する
金属１例えば四塩化珪素（ＳｉＣ１ｌ、）１５を収容す
る。この５ｉＣＪ、’１５は冷却器１６により凡そ一２
Ｏ（”Ｃ）に冷却して液化する。
次に本実施例のアルミニウム（ＡＪ）電極・配線の形成
方法を説明する。
方法を説明する。
同図に示す如く多数のＳｉ基板１を搭載したホルダ２を
電熱ヒータ５に対応する所定位置に挿入し、排気ロアよ
り排気しながらガス導入口８より上記ＡｌＣｌ！、に５
ｉＣｊ！、を混合したガスを水素（Ｈｌ）をキャリアガ
スとして導入し、内部の圧力（反応圧力）を凡そ１（Ｔ
ｏｒ−ｒ）とする。
電熱ヒータ５に対応する所定位置に挿入し、排気ロアよ
り排気しながらガス導入口８より上記ＡｌＣｌ！、に５
ｉＣｊ！、を混合したガスを水素（Ｈｌ）をキャリアガ
スとして導入し、内部の圧力（反応圧力）を凡そ１（Ｔ
ｏｒ−ｒ）とする。
上記反応ガスは、本実施例ではＡｌＣ１，，１２及びＳ
ｉＣｌ ４１５内にそれぞれＨ３を約２０（ｍｆｆ／
分〕の割合で導入してバブルせしめることにより、ＡＩ
ＩＣＥｌ、及び５ｉＣＩｔ４を気化せしめて送出し、更
にこれをＨ，（流量凡そ１１／分）で希釈して反応管３
内に導入した。
ｉＣｌ ４１５内にそれぞれＨ３を約２０（ｍｆｆ／
分〕の割合で導入してバブルせしめることにより、ＡＩ
ＩＣＥｌ、及び５ｉＣＩｔ４を気化せしめて送出し、更
にこれをＨ，（流量凡そ１１／分）で希釈して反応管３
内に導入した。
一方Ｓｉ基板１は電熱ヒータ５により凡そ３００（”Ｃ
）に加熱する。このようにして高周波コイル６より凡そ
ｌ （ｋＷ）の高周波電力を印加する。
）に加熱する。このようにして高周波コイル６より凡そ
ｌ （ｋＷ）の高周波電力を印加する。
これにより上記導入された反応ガスはプラズマ解鈍し、
Ｓｉが一様に混合した。１１がＳｉ基板１表面に被着し
、第２図に見られる如く基板１表面にＡ７！とＳｉの固
溶体よりなる薄１１２０が形成される。
Ｓｉが一様に混合した。１１がＳｉ基板１表面に被着し
、第２図に見られる如く基板１表面にＡ７！とＳｉの固
溶体よりなる薄１１２０が形成される。
このあとは通常の工程に従って進めてよく、即ち所定の
パターンに従ってフォトエツチングを行い、上記薄膜２
０を選択的に除去する工程を経て第３図に示すように、
所望のＡ／電極・配線２１が得られる。
パターンに従ってフォトエツチングを行い、上記薄膜２
０を選択的に除去する工程を経て第３図に示すように、
所望のＡ／電極・配線２１が得られる。
なお第２図及び第３図において、２２は二酸化シリコン
（Ｓｉｎ、 ）膜等の絶縁膜、２３は電極窓である。
（Ｓｉｎ、 ）膜等の絶縁膜、２３は電極窓である。
このようにして本実施例により得られた半導体装置は、
段差部においてもほぼ一様な厚さに形成され、しかもＳ
ｉ等所望の金属を数〔％〕金含有るＡｌ電極・配線を具
備する。従って従来の製造方法により得られた半導体装
置におけるような、段差部での断線も、エレクトロマイ
グレーシコンによる断線も防止され、製造歩留及び信頼
度が著しく向上する。
段差部においてもほぼ一様な厚さに形成され、しかもＳ
ｉ等所望の金属を数〔％〕金含有るＡｌ電極・配線を具
備する。従って従来の製造方法により得られた半導体装
置におけるような、段差部での断線も、エレクトロマイ
グレーシコンによる断線も防止され、製造歩留及び信頼
度が著しく向上する。
なお本発明を実施するに際し、Ａｌに混合する金属はＳ
ｔに限定されるものではなく、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）
、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇ
ａ）、ゲルマニウム（Ｃｅ）、シリコン（Ｓｉ）の中か
ら選択して使用し得る。
ｔに限定されるものではなく、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）
、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇ
ａ）、ゲルマニウム（Ｃｅ）、シリコン（Ｓｉ）の中か
ら選択して使用し得る。
また本発明は反応ガスとしてＡＪ及び上記混合金属の、
ハロゲン化合物またはアルキル化合物を用いて実施する
のが望ましい。即ち、Ａｌのハロゲン化合物を用いる場
合には、Ｃｕ、 Ａ’ｇ、 Ｍ ｇ ＝Ｚｎ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ｓｔのハロゲン化合物を使用し、 ＡＩｌのアルキ
ル化合物を用いる場合には、Ｚｎ、Ｇａ、 Ｇｅ、
Ｓｉのアルキル化合物を使用して実施し得る。なお混合
する金属は一種類であっても、二種類以上であっても良
い。
ハロゲン化合物またはアルキル化合物を用いて実施する
のが望ましい。即ち、Ａｌのハロゲン化合物を用いる場
合には、Ｃｕ、 Ａ’ｇ、 Ｍ ｇ ＝Ｚｎ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ｓｔのハロゲン化合物を使用し、 ＡＩｌのアルキ
ル化合物を用いる場合には、Ｚｎ、Ｇａ、 Ｇｅ、
Ｓｉのアルキル化合物を使用して実施し得る。なお混合
する金属は一種類であっても、二種類以上であっても良
い。
更に上記一実施例に示した反応圧及び流量や温度は本発
明を限定するものではなく、金属の混合率や形成するＡ
ｇ膜の厚さ等に応じて種々選択し得るものである。
明を限定するものではなく、金属の混合率や形成するＡ
ｇ膜の厚さ等に応じて種々選択し得るものである。
ｆｆｌ 発明の詳細
な説明した如く本発明により、基板表面の凹凸による断
線及びエレクトロマイグレーシコンによる断線のいずれ
も防止され、半導体装置の製造歩留、及び信頼度が向上
する。
線及びエレクトロマイグレーシコンによる断線のいずれ
も防止され、半導体装置の製造歩留、及び信頼度が向上
する。
第１図は本発明の一実施例に使用したプラズマＣＶＤｖ
ｔ［を示す要部断面図、第２図及び第３図は上記一実施
例の製造工程を示す要部断面図である。
ｔ［を示す要部断面図、第２図及び第３図は上記一実施
例の製造工程を示す要部断面図である。
Claims (1)
- アルミニウムのハロゲン化合物もしくはアルキル化合物
と、綱、銀、マグネシウム、亜鉛、ガリウふ、ゲルマニ
ウム、シリコンの中がら選ばれた少なくとも一つの元素
のハロゲン化合物もしくはアルキル化合物との混合気体
をプラズマ解離せしめることにより、前記アルミニウム
と前記選ばれた少なくとも一つの元素との固溶体よりな
る薄膜を被処理基板上に形成する工程を含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4245782A JPS58158916A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4245782A JPS58158916A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158916A true JPS58158916A (ja) | 1983-09-21 |
Family
ID=12636594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4245782A Pending JPS58158916A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58158916A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0417357A (ja) * | 1990-05-10 | 1992-01-22 | Nec Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| JPH0423319A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-27 | Nec Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| JPH04162569A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-08 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04209572A (ja) * | 1990-12-07 | 1992-07-30 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH0620998A (ja) * | 1992-04-30 | 1994-01-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 相互接続構造及びその製造方法 |
| GB2314457A (en) * | 1996-06-17 | 1997-12-24 | Hyundai Electronics Ind | Metal wiring of semiconductor devices and method for forming the same |
| US6245661B1 (en) * | 1990-05-31 | 2001-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing a wiring for a semiconductor circuit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5189384A (ja) * | 1975-02-03 | 1976-08-05 |
-
1982
- 1982-03-16 JP JP4245782A patent/JPS58158916A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5189384A (ja) * | 1975-02-03 | 1976-08-05 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0417357A (ja) * | 1990-05-10 | 1992-01-22 | Nec Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| JPH0423319A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-27 | Nec Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| US6245661B1 (en) * | 1990-05-31 | 2001-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing a wiring for a semiconductor circuit |
| JPH04162569A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-08 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04209572A (ja) * | 1990-12-07 | 1992-07-30 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH0620998A (ja) * | 1992-04-30 | 1994-01-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 相互接続構造及びその製造方法 |
| GB2314457A (en) * | 1996-06-17 | 1997-12-24 | Hyundai Electronics Ind | Metal wiring of semiconductor devices and method for forming the same |
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