JPS58158916A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58158916A JPS58158916A JP4245782A JP4245782A JPS58158916A JP S58158916 A JPS58158916 A JP S58158916A JP 4245782 A JP4245782 A JP 4245782A JP 4245782 A JP4245782 A JP 4245782A JP S58158916 A JPS58158916 A JP S58158916A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ta) 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にアルミニウ
ムよりな゛る電極・配線の形成方法に関する。
ムよりな゛る電極・配線の形成方法に関する。
(bl 従来技術と問題点
従来半導体装置の電極・配線は、アルミニウム(AN)
などの金属を真空蒸着法やスパッタ法により基板表面に
被着せしめ、形成された金属薄膜をフォトエツチング法
によって選択的に除去することにより形成していた。
などの金属を真空蒸着法やスパッタ法により基板表面に
被着せしめ、形成された金属薄膜をフォトエツチング法
によって選択的に除去することにより形成していた。
これらの方法は簡単に比較的良質な金属薄膜を得ること
が出来るが、LSIのように微細な素子を高密度に集積
化する場合には、基板表面に各種の薄膜が積層されるた
め、基板表面の凹凸が激しくなり、しばしばその段差の
部分で配線の断線を生じ、半導体装置の製造歩留や信頼
度の低下を招く。
が出来るが、LSIのように微細な素子を高密度に集積
化する場合には、基板表面に各種の薄膜が積層されるた
め、基板表面の凹凸が激しくなり、しばしばその段差の
部分で配線の断線を生じ、半導体装置の製造歩留や信頼
度の低下を招く。
上記断を生じる原因は、真空蒸着法やスパッタ法が粒子
の飛翔に方向性を有するためであって、そのためセルフ
シャドー効果と呼ばれる現象を生じ、基板表面の凹凸!
部や壁面を金属薄膜で一様に被覆することが出来ないこ
とによる。
の飛翔に方向性を有するためであって、そのためセルフ
シャドー効果と呼ばれる現象を生じ、基板表面の凹凸!
部や壁面を金属薄膜で一様に被覆することが出来ないこ
とによる。
この問題を解消するには、アルミニウム(A7りをプラ
ズマ気相成長(CVD)法に・より被着せしめる方法が
用いられる。
ズマ気相成長(CVD)法に・より被着せしめる方法が
用いられる。
ところがエレクトロマ、イグレーシロンによるアルミニ
ウム(AIl)電極・配線の断線が生じ・るのを防ぐに
は、アルミニウム(AIl)中に銅(Cu)等を数〔%
〕含ませることが必要である。
ウム(AIl)電極・配線の断線が生じ・るのを防ぐに
は、アルミニウム(AIl)中に銅(Cu)等を数〔%
〕含ませることが必要である。
このようにアルミニウム(/lり薄膜中に銅(Cu)等
を含有せしめることは、前述の真空蒸着法やスバ・シタ
法では可能であるが、段差部を十分に被覆し得るプラズ
マCVD法では未だ実用に供し得る方法が見出されてい
ない。
を含有せしめることは、前述の真空蒸着法やスバ・シタ
法では可能であるが、段差部を十分に被覆し得るプラズ
マCVD法では未だ実用に供し得る方法が見出されてい
ない。
(C) 発明の目的
本発明の目的は段差部を均一に被覆し、しかも鋼(Cu
)等の他の金属を含有してエレクトロマイグレーシロン
を生じることのない、アルミニウム(/l)電極・配線
を形成し得る半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
)等の他の金属を含有してエレクトロマイグレーシロン
を生じることのない、アルミニウム(/l)電極・配線
を形成し得る半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
+d) 発明の構成
アルミニウムのハロゲン化合物もしくはアルキル化合物
と、′銅、銀、マグネシウ°ム、亜鉛、ガリウム、ゲル
マニウム、シリコンの中から選ばれた少なくとも一つの
元素のハロゲン化合物もしくはアルキル化合物との混合
気体をプラズマ解離せしめることにより、前記アルミニ
ウムと前記選ばれた少なくと声一つの元素との固溶体よ
りなる薄膜を被処理基板上に形成する工程を含むことに
ある。
と、′銅、銀、マグネシウ°ム、亜鉛、ガリウム、ゲル
マニウム、シリコンの中から選ばれた少なくとも一つの
元素のハロゲン化合物もしくはアルキル化合物との混合
気体をプラズマ解離せしめることにより、前記アルミニ
ウムと前記選ばれた少なくと声一つの元素との固溶体よ
りなる薄膜を被処理基板上に形成する工程を含むことに
ある。
+e+ 発明の実施例
以下本発明を一実施例により説明する。
第1図は本発明の一実施例に使用したプラズマCVD装
置を示す要部断面図で、1は被処理基板で例えばシリコ
ン(St)基板、2は上記シリコン(Si)基板を搭載
する石英ホルダ、3は石英よりなる反応管、4はキャッ
プ、5は電熱ヒータ、6は商周波コイル、7は排気口、
8は反応ガス導入口であ、以上ば従来のプラズマCVD
装置と変るところはない。本実施例では上記ガス導入口
8よリアルミニウム(AJ)及び混合する金属のハロゲ
ン化合物またはアルキル化合物の供給装置を付設した。
置を示す要部断面図で、1は被処理基板で例えばシリコ
ン(St)基板、2は上記シリコン(Si)基板を搭載
する石英ホルダ、3は石英よりなる反応管、4はキャッ
プ、5は電熱ヒータ、6は商周波コイル、7は排気口、
8は反応ガス導入口であ、以上ば従来のプラズマCVD
装置と変るところはない。本実施例では上記ガス導入口
8よリアルミニウム(AJ)及び混合する金属のハロゲ
ン化合物またはアルキル化合物の供給装置を付設した。
即ち、11はAl化合物の供給装置で、内部に/l化合
物2例えば塩化アルミニウム(AAC4!5)12を収
容する。このAβCI!、は常温では個体であるので、
ヒータ13で凡そ120(’C)に加熱し、溶融してお
く、14は混合する金属の供給装置で、内部に混合する
金属1例えば四塩化珪素(SiC1l、)15を収容す
る。この5iCJ、’15は冷却器16により凡そ一2
O(”C)に冷却して液化する。
物2例えば塩化アルミニウム(AAC4!5)12を収
容する。このAβCI!、は常温では個体であるので、
ヒータ13で凡そ120(’C)に加熱し、溶融してお
く、14は混合する金属の供給装置で、内部に混合する
金属1例えば四塩化珪素(SiC1l、)15を収容す
る。この5iCJ、’15は冷却器16により凡そ一2
O(”C)に冷却して液化する。
次に本実施例のアルミニウム(AJ)電極・配線の形成
方法を説明する。
方法を説明する。
同図に示す如く多数のSi基板1を搭載したホルダ2を
電熱ヒータ5に対応する所定位置に挿入し、排気ロアよ
り排気しながらガス導入口8より上記AlCl!、に5
iCj!、を混合したガスを水素(Hl)をキャリアガ
スとして導入し、内部の圧力(反応圧力)を凡そ1(T
or−r)とする。
電熱ヒータ5に対応する所定位置に挿入し、排気ロアよ
り排気しながらガス導入口8より上記AlCl!、に5
iCj!、を混合したガスを水素(Hl)をキャリアガ
スとして導入し、内部の圧力(反応圧力)を凡そ1(T
or−r)とする。
上記反応ガスは、本実施例ではAlC1,,12及びS
iCl 415内にそれぞれH3を約20(mff/
分〕の割合で導入してバブルせしめることにより、AI
ICEl、及び5iCIt4を気化せしめて送出し、更
にこれをH,(流量凡そ11/分)で希釈して反応管3
内に導入した。
iCl 415内にそれぞれH3を約20(mff/
分〕の割合で導入してバブルせしめることにより、AI
ICEl、及び5iCIt4を気化せしめて送出し、更
にこれをH,(流量凡そ11/分)で希釈して反応管3
内に導入した。
一方Si基板1は電熱ヒータ5により凡そ300(”C
)に加熱する。このようにして高周波コイル6より凡そ
l (kW)の高周波電力を印加する。
)に加熱する。このようにして高周波コイル6より凡そ
l (kW)の高周波電力を印加する。
これにより上記導入された反応ガスはプラズマ解鈍し、
Siが一様に混合した。11がSi基板1表面に被着し
、第2図に見られる如く基板1表面にA7!とSiの固
溶体よりなる薄1120が形成される。
Siが一様に混合した。11がSi基板1表面に被着し
、第2図に見られる如く基板1表面にA7!とSiの固
溶体よりなる薄1120が形成される。
このあとは通常の工程に従って進めてよく、即ち所定の
パターンに従ってフォトエツチングを行い、上記薄膜2
0を選択的に除去する工程を経て第3図に示すように、
所望のA/電極・配線21が得られる。
パターンに従ってフォトエツチングを行い、上記薄膜2
0を選択的に除去する工程を経て第3図に示すように、
所望のA/電極・配線21が得られる。
なお第2図及び第3図において、22は二酸化シリコン
(Sin、 )膜等の絶縁膜、23は電極窓である。
(Sin、 )膜等の絶縁膜、23は電極窓である。
このようにして本実施例により得られた半導体装置は、
段差部においてもほぼ一様な厚さに形成され、しかもS
i等所望の金属を数〔%〕金含有るAl電極・配線を具
備する。従って従来の製造方法により得られた半導体装
置におけるような、段差部での断線も、エレクトロマイ
グレーシコンによる断線も防止され、製造歩留及び信頼
度が著しく向上する。
段差部においてもほぼ一様な厚さに形成され、しかもS
i等所望の金属を数〔%〕金含有るAl電極・配線を具
備する。従って従来の製造方法により得られた半導体装
置におけるような、段差部での断線も、エレクトロマイ
グレーシコンによる断線も防止され、製造歩留及び信頼
度が著しく向上する。
なお本発明を実施するに際し、Alに混合する金属はS
tに限定されるものではなく、銅(Cu)、銀(Ag)
、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、ガリウム(G
a)、ゲルマニウム(Ce)、シリコン(Si)の中か
ら選択して使用し得る。
tに限定されるものではなく、銅(Cu)、銀(Ag)
、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、ガリウム(G
a)、ゲルマニウム(Ce)、シリコン(Si)の中か
ら選択して使用し得る。
また本発明は反応ガスとしてAJ及び上記混合金属の、
ハロゲン化合物またはアルキル化合物を用いて実施する
のが望ましい。即ち、Alのハロゲン化合物を用いる場
合には、Cu、 A’g、 M g =Zn、Ga、G
e、Stのハロゲン化合物を使用し、 AIlのアルキ
ル化合物を用いる場合には、Zn、Ga、 Ge、
Siのアルキル化合物を使用して実施し得る。なお混合
する金属は一種類であっても、二種類以上であっても良
い。
ハロゲン化合物またはアルキル化合物を用いて実施する
のが望ましい。即ち、Alのハロゲン化合物を用いる場
合には、Cu、 A’g、 M g =Zn、Ga、G
e、Stのハロゲン化合物を使用し、 AIlのアルキ
ル化合物を用いる場合には、Zn、Ga、 Ge、
Siのアルキル化合物を使用して実施し得る。なお混合
する金属は一種類であっても、二種類以上であっても良
い。
更に上記一実施例に示した反応圧及び流量や温度は本発
明を限定するものではなく、金属の混合率や形成するA
g膜の厚さ等に応じて種々選択し得るものである。
明を限定するものではなく、金属の混合率や形成するA
g膜の厚さ等に応じて種々選択し得るものである。
ffl 発明の詳細
な説明した如く本発明により、基板表面の凹凸による断
線及びエレクトロマイグレーシコンによる断線のいずれ
も防止され、半導体装置の製造歩留、及び信頼度が向上
する。
線及びエレクトロマイグレーシコンによる断線のいずれ
も防止され、半導体装置の製造歩留、及び信頼度が向上
する。
第1図は本発明の一実施例に使用したプラズマCVDv
t[を示す要部断面図、第2図及び第3図は上記一実施
例の製造工程を示す要部断面図である。
t[を示す要部断面図、第2図及び第3図は上記一実施
例の製造工程を示す要部断面図である。
Claims (1)
- アルミニウムのハロゲン化合物もしくはアルキル化合物
と、綱、銀、マグネシウム、亜鉛、ガリウふ、ゲルマニ
ウム、シリコンの中がら選ばれた少なくとも一つの元素
のハロゲン化合物もしくはアルキル化合物との混合気体
をプラズマ解離せしめることにより、前記アルミニウム
と前記選ばれた少なくとも一つの元素との固溶体よりな
る薄膜を被処理基板上に形成する工程を含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4245782A JPS58158916A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4245782A JPS58158916A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58158916A true JPS58158916A (ja) | 1983-09-21 |
Family
ID=12636594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4245782A Pending JPS58158916A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58158916A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0417357A (ja) * | 1990-05-10 | 1992-01-22 | Nec Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JPH0423319A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-27 | Nec Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JPH04162569A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-08 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04209572A (ja) * | 1990-12-07 | 1992-07-30 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH0620998A (ja) * | 1992-04-30 | 1994-01-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 相互接続構造及びその製造方法 |
GB2314457A (en) * | 1996-06-17 | 1997-12-24 | Hyundai Electronics Ind | Metal wiring of semiconductor devices and method for forming the same |
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JPS5189384A (ja) * | 1975-02-03 | 1976-08-05 |
-
1982
- 1982-03-16 JP JP4245782A patent/JPS58158916A/ja active Pending
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