JPS6270571A - スパツタイオンメツキにより基板上に被覆を形成する方法 - Google Patents
スパツタイオンメツキにより基板上に被覆を形成する方法Info
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- JPS6270571A JPS6270571A JP15493286A JP15493286A JPS6270571A JP S6270571 A JPS6270571 A JP S6270571A JP 15493286 A JP15493286 A JP 15493286A JP 15493286 A JP15493286 A JP 15493286A JP S6270571 A JPS6270571 A JP S6270571A
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- Japan
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- coating
- cathode
- ion plating
- alloy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、スパッタイオンメッキにより基板を被覆する
方法に係る。
方法に係る。
従来の技術
スパッタイオンメッキは、公知の被覆技術であり、適度
な真空のチャンバ内において直流グロー放電の存在中で
カソードがら基板へ材料を移送するようにして行なわれ
る。材料は、イオン衝撃、即ちスパッタリングによって
カソードから放出されて最終的に基板へと拡散し、その
上に被覆を形成する。このスパッタイオンメッキは、多
数の公知文献、例えば、１９７７年、ＣＥＰ Ｃｏｎ５
ｕｌｔａｎｔｓ。
な真空のチャンバ内において直流グロー放電の存在中で
カソードがら基板へ材料を移送するようにして行なわれ
る。材料は、イオン衝撃、即ちスパッタリングによって
カソードから放出されて最終的に基板へと拡散し、その
上に被覆を形成する。このスパッタイオンメッキは、多
数の公知文献、例えば、１９７７年、ＣＥＰ Ｃｏｎ５
ｕｌｔａｎｔｓ。
Ｅｄｉｎｂｕｒｇｈ １７７のＲ，Ａ、Ｄｕｇｄａｌｅ
による「イオンメッキ及び同様の技術（Ｉｏｎ Ｐｌａ
ｔｉｎｇａｎｄ Ａｌ１ｉｅｄ Ｔｅａｈｎｉｑｕｅｓ
） Ｊに関するＰｒｏｃ、 ｃｏｎｆ、 ； Ｊ、
Ｐ、 Ｃｏａｄ及びＪ、 Ｅ、 Ｒｅ５ｔａｌｌによる
「メタルズテクノロジ（Ｍｅｔａｌｓ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ）Ｊ １９８２年第９巻４９９頁に掲載された文
献及びＡｃｑｕａｆｒｅｄｄａ ｄｉ Ｍａｒａｔｅａ
Ｉｔａｌｙ １９８４年４月、 Ｊ、 Ｐ、 Ｃｏａｄ
及びり、 Ｓ。
による「イオンメッキ及び同様の技術（Ｉｏｎ Ｐｌａ
ｔｉｎｇａｎｄ Ａｌ１ｉｅｄ Ｔｅａｈｎｉｑｕｅｓ
） Ｊに関するＰｒｏｃ、 ｃｏｎｆ、 ； Ｊ、
Ｐ、 Ｃｏａｄ及びＪ、 Ｅ、 Ｒｅ５ｔａｌｌによる
「メタルズテクノロジ（Ｍｅｔａｌｓ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ）Ｊ １９８２年第９巻４９９頁に掲載された文
献及びＡｃｑｕａｆｒｅｄｄａ ｄｉ Ｍａｒａｔｅａ
Ｉｔａｌｙ １９８４年４月、 Ｊ、 Ｐ、 Ｃｏａｄ
及びり、 Ｓ。
Ｒｉｃｋｅｒｂｙによる「ヒートエンジンのための被覆
（Ｃｏａｔｉｎｇｓ ｆｏｒ Ｈｅａｔ Ｅｎｇｉｎｓ
）Ｊに関するＮＡＴＯアドバンストワークショップ（Ａ
ｄｖａｎｃｅｄ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ）に詳細に説明され
ている。
（Ｃｏａｔｉｎｇｓ ｆｏｒ Ｈｅａｔ Ｅｎｇｉｎｓ
）Ｊに関するＮＡＴＯアドバンストワークショップ（Ａ
ｄｖａｎｃｅｄ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ）に詳細に説明され
ている。
発明が解決しようとする問題点
スパッタイオンメッキを実施する場合、被覆される基板
に負のバイアス電圧を印加し、付着した材料を再スパツ
タリングしてイオンで光沢仕上処理することによって被
覆の密度を高めるのが便利である。然し乍ら、このよう
に負のバイアス電圧を印加すると、色々な問題が生じる
。例えば、被覆材料にアルミニウム（これは、スパッタ
イオンメッキ技術を用いて制御するのが困難である）が
含まれる場合や、バイアス電界が集中するエツジのよう
な部分が基板にある場合には、これらの部分に形成され
た被覆中のアルミニウム密度が著しく減少される。
に負のバイアス電圧を印加し、付着した材料を再スパツ
タリングしてイオンで光沢仕上処理することによって被
覆の密度を高めるのが便利である。然し乍ら、このよう
に負のバイアス電圧を印加すると、色々な問題が生じる
。例えば、被覆材料にアルミニウム（これは、スパッタ
イオンメッキ技術を用いて制御するのが困難である）が
含まれる場合や、バイアス電界が集中するエツジのよう
な部分が基板にある場合には、これらの部分に形成され
た被覆中のアルミニウム密度が著しく減少される。
問題点を解決するための手段
本発明は、特定の場合における上記の問題の改善に関す
るものであると共に、優れた耐腐食性を有する被覆の形
成に関するものである。本発明は、ニッケル、コバルト
及び鉄より成る群から選択した単一の金属又は金属の組
み合わせをＭとすれば、スパッタイオンメッキによって
基板上にＭＣｒＡｌＳｉより成る合金被覆を形成する方
法であって、適度な真空状態のもとで、基板と、その合
金被覆材料より成るカソードとの存在中において直流グ
ロー放電を形成し、イオン衝撃によってカソードから上
記材料を放出させ、この放出した材料を基板へ拡散して
基板上に被覆を形成し、上記被覆の形成中に、基板に交
流のバイアス電位を印加して、被覆の特性を制御するよ
うにしたことを特徴とする方法を提供する。
るものであると共に、優れた耐腐食性を有する被覆の形
成に関するものである。本発明は、ニッケル、コバルト
及び鉄より成る群から選択した単一の金属又は金属の組
み合わせをＭとすれば、スパッタイオンメッキによって
基板上にＭＣｒＡｌＳｉより成る合金被覆を形成する方
法であって、適度な真空状態のもとで、基板と、その合
金被覆材料より成るカソードとの存在中において直流グ
ロー放電を形成し、イオン衝撃によってカソードから上
記材料を放出させ、この放出した材料を基板へ拡散して
基板上に被覆を形成し、上記被覆の形成中に、基板に交
流のバイアス電位を印加して、被覆の特性を制御するよ
うにしたことを特徴とする方法を提供する。
Ｍ Ｃｒ Ａ Ｉ Ｓ ｉとは、上記した元素Ｃｒ、Ａ
ｌ、Ｓｉ及びＭで本質的に構成された合金を意味する。
ｌ、Ｓｉ及びＭで本質的に構成された合金を意味する。
又、この合金は、その他の成分及び／又は偶発的な不純
物の僅かな添加物も含む。被覆合金の組成は、Ｃｒ （
２０−４０％）、Ａｌ（６−１２％）、Ｓｉ （０，５
−１２％）及びその他がＭであるのが好ましい。但し、
このパーセンテージ（及び本明細書の他の部分に記載さ
れたパーセンテージ）は、重量によるものである。被覆
合金の特に好ましい組成は、Ｃｒ （３０−４０％）、
Ａｌ （６−１２％）、Ｓｉ （０，５−１０％）及び
残りがＭである。その特定の例は、３５Ｃｒ、８Ａｌ．
８Ｓｉ、残りＮｉの合金である。
物の僅かな添加物も含む。被覆合金の組成は、Ｃｒ （
２０−４０％）、Ａｌ（６−１２％）、Ｓｉ （０，５
−１２％）及びその他がＭであるのが好ましい。但し、
このパーセンテージ（及び本明細書の他の部分に記載さ
れたパーセンテージ）は、重量によるものである。被覆
合金の特に好ましい組成は、Ｃｒ （３０−４０％）、
Ａｌ （６−１２％）、Ｓｉ （０，５−１０％）及び
残りがＭである。その特定の例は、３５Ｃｒ、８Ａｌ．
８Ｓｉ、残りＮｉの合金である。
上記バイアス電位の波形は、被覆形成を行なう時間中に
基板に負の電圧を印加できる形状のものである０例えば
、正弦波や、方形波や、その他の便利な波形でよい。又
、このバイアス電位は。
基板に負の電圧を印加できる形状のものである０例えば
、正弦波や、方形波や、その他の便利な波形でよい。又
、このバイアス電位は。
一定の周波数である必要もないし、正の振幅と負の振幅
とのバランスをとる必要もない。交流バイアスを使用す
る場合には、最大電圧（アルミニウムを最も容易にスパ
ッタリングさせる）が短時間だけ印加されるという利点
がある。例えば、２４０ボルトの交流電源が適当であり
、適当な入力位相を選択することにより、主スパッタリ
ング電力を供給する電源に合致するように交流バイアス
の位相を変えることができる。
とのバランスをとる必要もない。交流バイアスを使用す
る場合には、最大電圧（アルミニウムを最も容易にスパ
ッタリングさせる）が短時間だけ印加されるという利点
がある。例えば、２４０ボルトの交流電源が適当であり
、適当な入力位相を選択することにより、主スパッタリ
ング電力を供給する電源に合致するように交流バイアス
の位相を変えることができる。
本発明は、スパッタリングのためのスレッシュホールド
エネルギが低い元素を含む被覆の形成に適している。こ
のような元素は、例えば、上記したアルミニウムである
。
エネルギが低い元素を含む被覆の形成に適している。こ
のような元素は、例えば、上記したアルミニウムである
。
基板材料としては１例えば、スチール（例えば、軟、炭
素又はステンレス）のような金属や、Ａｌや、Ａｌをベ
ースとする合金や、Ｔａ、Ｃｕ、Ｍｏ及びＮｉや、Ｎｉ
をベースとする合金や、シリカ及びアルミナのようなセ
ラミック等が含まれる。又、本発明は、比較的鋭いエツ
ジを有する物体の被覆に特に有用である。というのは、
このようなエツジにおける被覆材料の損失が回避される
からである。このような物体としては、例えば、ガスタ
ービンエンジンにおけるエアロフォイル部品が挙げられ
る。このような用途に対して特に重要なことは、本発明
のＭＣｒＡｌＳｉ被覆が優れた耐腐食性を有しているこ
とである。
素又はステンレス）のような金属や、Ａｌや、Ａｌをベ
ースとする合金や、Ｔａ、Ｃｕ、Ｍｏ及びＮｉや、Ｎｉ
をベースとする合金や、シリカ及びアルミナのようなセ
ラミック等が含まれる。又、本発明は、比較的鋭いエツ
ジを有する物体の被覆に特に有用である。というのは、
このようなエツジにおける被覆材料の損失が回避される
からである。このような物体としては、例えば、ガスタ
ービンエンジンにおけるエアロフォイル部品が挙げられ
る。このような用途に対して特に重要なことは、本発明
のＭＣｒＡｌＳｉ被覆が優れた耐腐食性を有しているこ
とである。
Ｍ Ｃｒ Ａ Ｉ Ｓ ｉ合金の組成は、本発明の方法
によって基板上に満足に被覆できる広い範囲内で変える
ことができる。
によって基板上に満足に被覆できる広い範囲内で変える
ことができる。
実施例
以下、添付図面を参照し、本発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
添付図面を参照すると、アースされた円筒状の被覆チャ
ンバ１には、冷却ジャケット３を有する抵抗ヒータ２が
外部に取付けられている。この被覆チャンバ１は、ガス
入口４及びそれに関連したバッフル５と、ガス出口６及
びそれに関連したバッフル７とを有している。入口４は
、導入コンジット９が設けられたゲッタチャンバ８に通
じており、出口６は、ボンピングポート１１が設けられ
たポンピングチャンバ１０に通じている。
ンバ１には、冷却ジャケット３を有する抵抗ヒータ２が
外部に取付けられている。この被覆チャンバ１は、ガス
入口４及びそれに関連したバッフル５と、ガス出口６及
びそれに関連したバッフル７とを有している。入口４は
、導入コンジット９が設けられたゲッタチャンバ８に通
じており、出口６は、ボンピングポート１１が設けられ
たポンピングチャンバ１０に通じている。
基板１２は、被覆チャンバ１内に取付けられ、導体１３
によってバイアス電源（図示せず）に電気的に接続され
ている。導体１３は、ポンピングチャンバ１０の壁に配
置された絶縁体１４及び１５に取付けられる。一連のタ
ーゲットプレート（そのうちの２つのプレート１６及び
１７のみが示されている）の形態のカソードも被覆チャ
ンバ１内に取付けられて示されている。このカソード（
例えば、１６及び１７）は、導体１８によってカソード
塩Ｒ（図示せず）に電気的に接続され、導体１８は、ポ
ンピングチャンバ１０の壁に配置された絶縁体１９．２
０及び２１に取付けられる。
によってバイアス電源（図示せず）に電気的に接続され
ている。導体１３は、ポンピングチャンバ１０の壁に配
置された絶縁体１４及び１５に取付けられる。一連のタ
ーゲットプレート（そのうちの２つのプレート１６及び
１７のみが示されている）の形態のカソードも被覆チャ
ンバ１内に取付けられて示されている。このカソード（
例えば、１６及び１７）は、導体１８によってカソード
塩Ｒ（図示せず）に電気的に接続され、導体１８は、ポ
ンピングチャンバ１０の壁に配置された絶縁体１９．２
０及び２１に取付けられる。
第１図に示した装置の動作中には１作用ガスが導入コン
ジット９に供給され、ボンピングポート１１に設けられ
たポンプ（図示せず）を作動することにより、矢印ａで
示されたようにゲッタチャンバ８へ導入され、ここから
入口４を経て被覆チャンバ１へ送り込まれる。被覆チャ
ンバ１は。
ジット９に供給され、ボンピングポート１１に設けられ
たポンプ（図示せず）を作動することにより、矢印ａで
示されたようにゲッタチャンバ８へ導入され、ここから
入口４を経て被覆チャンバ１へ送り込まれる。被覆チャ
ンバ１は。
基板１２及びカソード（例えば、１６．１７）からガス
を放出すると共に有機材料を蒸発させるためにヒータ２
によって加熱される。これらの不所望なガスや蒸気は、
出口６．を経て被覆チャンバ１から送り出されてポンピ
ングチャンバ１０に入り、矢印すで示されたようにボン
ピングポート１１がら放出される。カソード電源（図示
せず）によりターゲットプレート（例えば、１６及び１
７）へ高い負の電圧が印加されて、グロー放電を発生し
、カソードからカソード材料が正味移送されて基板１２
にスパッタリングされ、被覆を形成する。この段階では
、外部の加熱が必要とされない。というのは、作用温度
を維持するに充分な出力がプロセス自体によって発生さ
れるからである。被覆された基板１２にはバイアス手段
を用いて交流バイアスが印加され、付着した材料の再ス
パツタリング及びイオンによる光沢処理によって被覆の
密度が高められる。
を放出すると共に有機材料を蒸発させるためにヒータ２
によって加熱される。これらの不所望なガスや蒸気は、
出口６．を経て被覆チャンバ１から送り出されてポンピ
ングチャンバ１０に入り、矢印すで示されたようにボン
ピングポート１１がら放出される。カソード電源（図示
せず）によりターゲットプレート（例えば、１６及び１
７）へ高い負の電圧が印加されて、グロー放電を発生し
、カソードからカソード材料が正味移送されて基板１２
にスパッタリングされ、被覆を形成する。この段階では
、外部の加熱が必要とされない。というのは、作用温度
を維持するに充分な出力がプロセス自体によって発生さ
れるからである。被覆された基板１２にはバイアス手段
を用いて交流バイアスが印加され、付着した材料の再ス
パツタリング及びイオンによる光沢処理によって被覆の
密度が高められる。
ｈ雷
二尤！μしＬ肌
添付図面に示した装置を使用した。被覆チャンバ１は、
新たに付着したチタンの上を通すことによって純化した
高純度のアルゴン雰囲気を流して１０−１００ ｍｔｏ
ｒｒの圧力に減圧した。被覆チャンバ１は、基体１２並
びにカソード例えば１６及び１７のガス抜きをすると共
に有機材料を蒸発させるために約３００Ｔ：の温度に加
熱した。次いで、高い負の電圧（典型的に、４００Ｖな
いし１５００Ｖ）をカソード例えば１６及び１７に印加
してグロー放電を発生し、カソードがら基体１２に材料
を正味移送させ、被覆を行なった。２４０Ｖの交流電源
からの交流バイアス（実効値で１０ないし１００Ｖ）を
被覆された基体に印加し、被覆の密度を高めた。
新たに付着したチタンの上を通すことによって純化した
高純度のアルゴン雰囲気を流して１０−１００ ｍｔｏ
ｒｒの圧力に減圧した。被覆チャンバ１は、基体１２並
びにカソード例えば１６及び１７のガス抜きをすると共
に有機材料を蒸発させるために約３００Ｔ：の温度に加
熱した。次いで、高い負の電圧（典型的に、４００Ｖな
いし１５００Ｖ）をカソード例えば１６及び１７に印加
してグロー放電を発生し、カソードがら基体１２に材料
を正味移送させ、被覆を行なった。２４０Ｖの交流電源
からの交流バイアス（実効値で１０ないし１００Ｖ）を
被覆された基体に印加し、被覆の密度を高めた。
五定叫■
上記の手順を使用し、耐高温酸化特性及び耐腐食特性を
与えるように鋭いエツジを有する基板をニッケル、クロ
ム、アルミラム及びシリコンをベースとする合金（Ｎｉ
ＣｒＡｌＳｉ合金）で被覆した。カソードは、ＮｉＣｒ
ＡｌＳｉ合金であった。被覆は、均一に付着し、基板の
エツジにおいても一貫した組成であることが分かった。
与えるように鋭いエツジを有する基板をニッケル、クロ
ム、アルミラム及びシリコンをベースとする合金（Ｎｉ
ＣｒＡｌＳｉ合金）で被覆した。カソードは、ＮｉＣｒ
ＡｌＳｉ合金であった。被覆は、均一に付着し、基板の
エツジにおいても一貫した組成であることが分かった。
特に、基板サンプルは、鋭い半径状エツジを有するター
ビンブレードの形態であり、これらのサンプルに印加し
た交流バイアスは、５０Ｖであった。被覆されたサンプ
ルのアルミニウム密度をエツジにおいて測定し、アルム
ニウムが著しく除去されていないことが分かった。
ビンブレードの形態であり、これらのサンプルに印加し
た交流バイアスは、５０Ｖであった。被覆されたサンプ
ルのアルミニウム密度をエツジにおいて測定し、アルム
ニウムが著しく除去されていないことが分かった。
被覆したタービンブレードを海中ガスタービンエンジン
において著しい腐食条件のもとて数百時間テストした。
において著しい腐食条件のもとて数百時間テストした。
このテストの結果、被覆は、一般に利用されているＰｔ
−Ａｌ被覆や、成る種の適当な電子ビーム蒸着されたＣ
ｏ Ｃｒ Ａ Ｉ Ｙ被覆よりも相当に優れた性能を
有していることが分かった・
−Ａｌ被覆や、成る種の適当な電子ビーム蒸着されたＣ
ｏ Ｃｒ Ａ Ｉ Ｙ被覆よりも相当に優れた性能を
有していることが分かった・
添付図面は、スパッタイオンメッキによって被覆を行な
うための装置を示す図である。 １・・・被覆チャンバ ２・・・ヒータ３・・・冷却
ジャケット ４・・・入口５．７・・・バッフル ６
・・・出口８・・・ゲッタチャンバ ９・・・導入コンジット １０・・・ボンピングチャンバ １１・・・ボンピングボート １２・・・基板 １６．１７・・・カソード
うための装置を示す図である。 １・・・被覆チャンバ ２・・・ヒータ３・・・冷却
ジャケット ４・・・入口５．７・・・バッフル ６
・・・出口８・・・ゲッタチャンバ ９・・・導入コンジット １０・・・ボンピングチャンバ １１・・・ボンピングボート １２・・・基板 １６．１７・・・カソード
Claims (5)
- （１）適度な真空状態のもとで、基板と、その被覆材料
より成るカソードとの存在中においてグロー放電を形成
し、イオン衝撃によってカソードから上記材料を放出さ
せ、この放出した材料を基板へ拡散して基板上に被覆を
形成することより成るスパッタイオンメッキにより基板
上に被覆を形成する方法において、上記被覆は、ニッケ
ル、コバルト及び鉄より成る群から選択した単一の金属
又は金属の組み合わせをＭとすれば、ＭＣｒＡｌＳｉ合
金を含むものであり、更に、上記被覆の形成中に、基板
に交流のバイアス電位を印加して、被覆の特性を制御す
るようにしたことを特徴とする方法。 - （２）上記基板は、金属の基板である特許請求の範囲第
１項に記載の方法。 - （３）上記基板は、ガスタービンエンジン用のエアロフ
ォイル部品である特許請求の範囲の前記各項いずれかに
記載の方法。 - （４）上記ＭＣｒＡｌＳｉ合金は、その重量で、Ｃｒを
２０−４０％、Ａｌを６−１２％、Ｓｉを０．５−１２
％そして残りがＭという組成を有するものである特許請
求の範囲の前記各項いずれかに記載の方法。 - （５）上記合金は、その重量で、Ｃｒを３０−４０％、
Ａｌを６−１２％、Ｓｉを０．５−１０％そして残りが
Ｍという組成を有するものである特許請求の範囲第４項
に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8516580 | 1985-07-01 | ||
| GB858516580A GB8516580D0 (en) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | Coating improvements |
| GB8526947 | 1985-11-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6270571A true JPS6270571A (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=10581594
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15493186A Pending JPS6270570A (ja) | 1985-07-01 | 1986-07-01 | スパツタイオンメツキにより基板上に被覆を形成する方法 |
| JP15493286A Pending JPS6270571A (ja) | 1985-07-01 | 1986-07-01 | スパツタイオンメツキにより基板上に被覆を形成する方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15493186A Pending JPS6270570A (ja) | 1985-07-01 | 1986-07-01 | スパツタイオンメツキにより基板上に被覆を形成する方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS6270570A (ja) |
| GB (3) | GB8516580D0 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02503576A (ja) * | 1987-05-18 | 1990-10-25 | イギリス国 | 被覆した近αチタン品物 |
| JPH02504289A (ja) * | 1987-05-18 | 1990-12-06 | イギリス国 | 被覆した近αチタン品物 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54109082A (en) * | 1977-12-08 | 1979-08-27 | United Technologies Corp | Improvement for vacuum evaporation or the like |
| JPS59167017A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-20 | Fujitsu Ltd | アルミニウムあるいはアルミニウム合金のスパツタ方法 |
-
1985
- 1985-07-01 GB GB858516580A patent/GB8516580D0/en active Pending
- 1985-11-01 GB GB858526948A patent/GB8526948D0/en active Pending
- 1985-11-01 GB GB858526947A patent/GB8526947D0/en active Pending
-
1986
- 1986-07-01 JP JP15493186A patent/JPS6270570A/ja active Pending
- 1986-07-01 JP JP15493286A patent/JPS6270571A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54109082A (en) * | 1977-12-08 | 1979-08-27 | United Technologies Corp | Improvement for vacuum evaporation or the like |
| JPS59167017A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-20 | Fujitsu Ltd | アルミニウムあるいはアルミニウム合金のスパツタ方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02503576A (ja) * | 1987-05-18 | 1990-10-25 | イギリス国 | 被覆した近αチタン品物 |
| JPH02504289A (ja) * | 1987-05-18 | 1990-12-06 | イギリス国 | 被覆した近αチタン品物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8526948D0 (en) | 1985-12-04 |
| JPS6270570A (ja) | 1987-04-01 |
| GB8516580D0 (en) | 1985-08-07 |
| GB8526947D0 (en) | 1985-12-04 |
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