JPH02170419A - Ａｌ―Ｃｕ合金薄膜形成方法 - Google Patents
Ａｌ―Ｃｕ合金薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPH02170419A JPH02170419A JP32519788A JP32519788A JPH02170419A JP H02170419 A JPH02170419 A JP H02170419A JP 32519788 A JP32519788 A JP 32519788A JP 32519788 A JP32519788 A JP 32519788A JP H02170419 A JPH02170419 A JP H02170419A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- alloy thin
- raw material
- gas
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LIBQNZGTWHYTMV-UHFFFAOYSA-N [Cu]C1C=CC=C1.CCP(CC)CC Chemical compound [Cu]C1C=CC=C1.CCP(CC)CC LIBQNZGTWHYTMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 8
- TUTOKIOKAWTABR-UHFFFAOYSA-N dimethylalumane Chemical compound C[AlH]C TUTOKIOKAWTABR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- LMHWKWMYVOOLPC-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[Cu] Chemical compound C1(C=CC=C1)[Cu] LMHWKWMYVOOLPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 abstract 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 8
- 235000010210 aluminium Nutrition 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- QEEGYBAGCNYUJO-UHFFFAOYSA-N copper;triethylphosphane Chemical compound [Cu].CCP(CC)CC QEEGYBAGCNYUJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- ORVACBDINATSAR-UHFFFAOYSA-N dimethylaluminum Chemical compound C[Al]C ORVACBDINATSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- YSTQWZZQKCCBAY-UHFFFAOYSA-L methylaluminum(2+);dichloride Chemical compound C[Al](Cl)Cl YSTQWZZQKCCBAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積回路装置などを構成する配線用のＡｌ−
Ｃｕ合金薄膜を形成する方法に関するものである。
Ｃｕ合金薄膜を形成する方法に関するものである。
集積回路装置の配線を形成するためのアルミニウム系薄
膜は段差部に被覆性良く堆積される必要かあり、その方
法としてバイアススパッタリング法（Ｊ 、 Ｅ １ｅ
ｃｔｒｏｃｈｅｎ、 Ｓ ｏｃ、誌、１９８５年第１３
２巻、１４６６頁所載論文）や化学気相成長法（Ｊ 、
Ｅ Ｉｅｔｃｒｏｃｈｅｌ、 Ｓａｃ、誌、１９８４
年第１３１巻、２１７５頁所載論文） （以降ＣＶＤ法
と略記する）が検討されている。
膜は段差部に被覆性良く堆積される必要かあり、その方
法としてバイアススパッタリング法（Ｊ 、 Ｅ １ｅ
ｃｔｒｏｃｈｅｎ、 Ｓ ｏｃ、誌、１９８５年第１３
２巻、１４６６頁所載論文）や化学気相成長法（Ｊ 、
Ｅ Ｉｅｔｃｒｏｃｈｅｌ、 Ｓａｃ、誌、１９８４
年第１３１巻、２１７５頁所載論文） （以降ＣＶＤ法
と略記する）が検討されている。
また、段差被覆性に優れたＣＶＤ法ではＡｌにＳｔを添
加した報告（第３５回応用物理学関係連合講演会講演予
稿集第２分冊ｐ６０５講演番号２８ａ−■−６）がある
。
加した報告（第３５回応用物理学関係連合講演会講演予
稿集第２分冊ｐ６０５講演番号２８ａ−■−６）がある
。
しかしながら、ＬＳＩのｌａ細化に伴い、使用される配
線幅や電極のコンタクト孔の微細化が必要であり、この
ため、電流密度の増大に起因するエレクトロマイグレー
ションおよびストレスマイダレ−ジョンが問題となって
いる。一般にＡｌは原子量が小さく、動き易いため上記
のような問題が生じる。スパッタリング法ではＡｌへの
Ｃｕ添加がマイグレーションに対して効果があることが
知られているが、通常のスパッタリング法ではＬＳＩの
ｆａ ＆１［１化に対応できない。バイアススパッタリ
ング法でも同様の添加が可能であるが、バイアスを加え
るため試料は、イオンや電子等の荷電粒子の衝撃に曝さ
れて素子や配線に特性変動を生じ、特に配線においては
マイグレーション耐性が劣化することが知られている。
線幅や電極のコンタクト孔の微細化が必要であり、この
ため、電流密度の増大に起因するエレクトロマイグレー
ションおよびストレスマイダレ−ジョンが問題となって
いる。一般にＡｌは原子量が小さく、動き易いため上記
のような問題が生じる。スパッタリング法ではＡｌへの
Ｃｕ添加がマイグレーションに対して効果があることが
知られているが、通常のスパッタリング法ではＬＳＩの
ｆａ ＆１［１化に対応できない。バイアススパッタリ
ング法でも同様の添加が可能であるが、バイアスを加え
るため試料は、イオンや電子等の荷電粒子の衝撃に曝さ
れて素子や配線に特性変動を生じ、特に配線においては
マイグレーション耐性が劣化することが知られている。
また、Ａｌ−３ＬＷＡは、段差被覆性のよいＣＶＤを用
いた形成法が報告されているが、通常必要とされるプロ
セス温度ではコンタクト部においてＳｉが析出し、コン
タクト抵抗の増加がみられてコンタクト不良となること
が報告されている（Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉ
ｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ、 １９８６ Ｓｙｎ＋ｐｏｓ＋
ｕ＋１ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ論文番号
Ｖ−４，ｐｐ、５５−５６゜Ｍａｙ １９８６ ）。
いた形成法が報告されているが、通常必要とされるプロ
セス温度ではコンタクト部においてＳｉが析出し、コン
タクト抵抗の増加がみられてコンタクト不良となること
が報告されている（Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉ
ｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ、 １９８６ Ｓｙｎ＋ｐｏｓ＋
ｕ＋１ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ論文番号
Ｖ−４，ｐｐ、５５−５６゜Ｍａｙ １９８６ ）。
このような理由から段差被覆性およびエレクトロマイグ
レーション耐性を同時に満足する技術は今まで実現され
ていない。
レーション耐性を同時に満足する技術は今まで実現され
ていない。
本発明の目的は段差被覆性およびエレクトロマイグレー
ション耐性を同時に満足したＡｌ−Ｃｕ合金薄膜形成方
法を提供することにある。
ション耐性を同時に満足したＡｌ−Ｃｕ合金薄膜形成方
法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明のＡｌ−Ｃｕ合金′４
膜形成方法においては、有機アルミニウムをアルミニウ
ム原料とし、シクロペンタジェニル銅トリエチルフォス
フインアダクトＣｕ（ＣｓＨｓ） ・Ｐ （Ｃ２Ｈ５
） ｓを銅原料とし、化学気相堆積法を用いてこれら原
料からＡｌ−Ｃｕ合金薄膜を生成させるものである。
膜形成方法においては、有機アルミニウムをアルミニウ
ム原料とし、シクロペンタジェニル銅トリエチルフォス
フインアダクトＣｕ（ＣｓＨｓ） ・Ｐ （Ｃ２Ｈ５
） ｓを銅原料とし、化学気相堆積法を用いてこれら原
料からＡｌ−Ｃｕ合金薄膜を生成させるものである。
本発明では、原料ガス同士が輸送の途中で混合しただけ
ではほとんど反応せず、ウェハ表面でそれぞれの金属が
熱分解により生成することを利用している。すなわち、
分解温度はＡｌ原料の有機アルミが２５０℃以上、Ｃｕ
原料のシクロジェニル銅トリエチルフォスフインアダク
トが１３０℃以上であり、Ａｌが堆積する２５０℃以上
にしておけばＣｕも熱分解によりウェハ上に堆積する。
ではほとんど反応せず、ウェハ表面でそれぞれの金属が
熱分解により生成することを利用している。すなわち、
分解温度はＡｌ原料の有機アルミが２５０℃以上、Ｃｕ
原料のシクロジェニル銅トリエチルフォスフインアダク
トが１３０℃以上であり、Ａｌが堆積する２５０℃以上
にしておけばＣｕも熱分解によりウェハ上に堆積する。
また、各原料ガスの流量を制御することにより、堆積膜
中のＡｌおよびＣｕの成分比を制御することができる。
中のＡｌおよびＣｕの成分比を制御することができる。
スパッタにより形成されたＡｌ−Ｃｕ合金膜がストレス
マイグレーションに有効と報告されている（Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇ ｏｆ ５ｅｃｏｎｄ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉ
ｏｎａｌ ＩＥＥＥＶＬＳＩ Ｈｕｌｉｌｅｖｅｌ
Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ ｐｐ。
マイグレーションに有効と報告されている（Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇ ｏｆ ５ｅｃｏｎｄ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉ
ｏｎａｌ ＩＥＥＥＶＬＳＩ Ｈｕｌｉｌｅｖｅｌ
Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ ｐｐ。
１７３−１７９．Ｊｕｎｅ １９８５） 、これは、Ｃ
ｕの添加でＡｌ原子の移動が抑えられるので、Ａｌのマ
イグレーション耐性が強くなると考えられる。したがっ
て、ＣＶＤで形成したＡ Ｑ −Ｃｕ合金膜も、マイグ
レーション耐性に優れているものと期待される。
ｕの添加でＡｌ原子の移動が抑えられるので、Ａｌのマ
イグレーション耐性が強くなると考えられる。したがっ
て、ＣＶＤで形成したＡ Ｑ −Ｃｕ合金膜も、マイグ
レーション耐性に優れているものと期待される。
第１図は、Ａ１１−Ｃｕ合金薄膜の形成を実施するため
のガスミキサおよび減圧ＣＶＤ装置の構成図である。図
において、１は水素ガスのボンベ、２は水素ガスの流量
を調整するマスフローコントローラ、３は有１１Ａｌ原
料を水素ガスと混合するためのバブラ容器、４はバブラ
の温度を制御するための温度調整器、９は銅原料を水素
ガスと混合するための容器、１０は容器の温度を制御す
る温度調整器、１１は銅原料の流星を制御するための水
素ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラ
であり、５は成長室、６はウェハ、７はつエバの温度を
制御するし−タ、８は排気系である。
のガスミキサおよび減圧ＣＶＤ装置の構成図である。図
において、１は水素ガスのボンベ、２は水素ガスの流量
を調整するマスフローコントローラ、３は有１１Ａｌ原
料を水素ガスと混合するためのバブラ容器、４はバブラ
の温度を制御するための温度調整器、９は銅原料を水素
ガスと混合するための容器、１０は容器の温度を制御す
る温度調整器、１１は銅原料の流星を制御するための水
素ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラ
であり、５は成長室、６はウェハ、７はつエバの温度を
制御するし−タ、８は排気系である。
まず、バブラ容器３にジメチルアルミハイドライドを封
入し、水素ガスの流量をマスフローコントローラ２で制
御しながらフローさせ、バブラ容器３で原料の蒸気圧成
分を分圧比で混合する。また、容器９にシクロペンタジ
ェニル銅トリエチルフォスフインアダクト（Ｃｕ （Ｃ
ｓ Ｈｓ ）・Ｐ（Ｃ２Ｈｓ ） ｓ ）を封入し、水
素ガスの流量をマスフローコントローラ１１で制御しな
がらフローさせ、容器９で原料の蒸気圧成分を分圧比で
混合する。これらの原料を含むキャリアガスを混合して
、排気系８にで減圧（数Ｔｏｒｒ）された成長室５へ導
入する。このとき成長室５内の圧力はｌ ＴＯｒｒ、キ
ャリアガスは水素で前記マスフローコントローラ２で６
０３ＣＣＨに制御し、バブラ容器３の温度は温度調整器
４で２５°Ｃに、また、容器９の温度は温度調整器１０
で８０℃に保たれている。このとき成長室内のＡｌ原料
ガスの分圧は０．ＩＴｏｒｒ 、銅原料ガスの分圧は０
．０５Ｔｏｒｒと見積られた。成長室５のなかに設置さ
れたウェハ６は、ヒータ７により２５０℃に保たれてい
る。導入された原料はウェハ６で加熱され熱分解により
Ａｌ−Ｃｕ合金を堆積させる。
入し、水素ガスの流量をマスフローコントローラ２で制
御しながらフローさせ、バブラ容器３で原料の蒸気圧成
分を分圧比で混合する。また、容器９にシクロペンタジ
ェニル銅トリエチルフォスフインアダクト（Ｃｕ （Ｃ
ｓ Ｈｓ ）・Ｐ（Ｃ２Ｈｓ ） ｓ ）を封入し、水
素ガスの流量をマスフローコントローラ１１で制御しな
がらフローさせ、容器９で原料の蒸気圧成分を分圧比で
混合する。これらの原料を含むキャリアガスを混合して
、排気系８にで減圧（数Ｔｏｒｒ）された成長室５へ導
入する。このとき成長室５内の圧力はｌ ＴＯｒｒ、キ
ャリアガスは水素で前記マスフローコントローラ２で６
０３ＣＣＨに制御し、バブラ容器３の温度は温度調整器
４で２５°Ｃに、また、容器９の温度は温度調整器１０
で８０℃に保たれている。このとき成長室内のＡｌ原料
ガスの分圧は０．ＩＴｏｒｒ 、銅原料ガスの分圧は０
．０５Ｔｏｒｒと見積られた。成長室５のなかに設置さ
れたウェハ６は、ヒータ７により２５０℃に保たれてい
る。導入された原料はウェハ６で加熱され熱分解により
Ａｌ−Ｃｕ合金を堆積させる。
このようにして堆積した膜は段差被覆性に優れ、Ａｌ中
に１％程度のＣｕを含みマイグレーション耐性の優れた
ものであった。
に１％程度のＣｕを含みマイグレーション耐性の優れた
ものであった。
なお、本発明では以下の応用が可能である。原料として
はジメチルアルミハイドライドに替えて、例えばトリイ
ソブチルアルミやジメチルアルミクロライドやメチルア
ルミジクロライドなどの他の有機アルミが使用できる。
はジメチルアルミハイドライドに替えて、例えばトリイ
ソブチルアルミやジメチルアルミクロライドやメチルア
ルミジクロライドなどの他の有機アルミが使用できる。
以上のように本発明によれば、（紋細なコンタクトホー
ルを埋め込むことが可能なＣＶＤ法を用いてマイグレー
ション耐性の高いＡｌ−Ｃｕ合金薄膜を形成することが
できる効果を有する。
ルを埋め込むことが可能なＣＶＤ法を用いてマイグレー
ション耐性の高いＡｌ−Ｃｕ合金薄膜を形成することが
できる効果を有する。
第１図は本発明方法を実施する装置の構成図である。
１・・・水素ボンベ
２・・・マスフローコントローラ
３・・・バブラ容器 ４・・・温度調整器５・・
・成長室 ６・・・ウェハ７・・・ヒータ
８・・・排気系９・・・容器
１０・・・温度調整器１１・・・マスフローコントロー
ラ 特許出願人 日本電気株式会社
・成長室 ６・・・ウェハ７・・・ヒータ
８・・・排気系９・・・容器
１０・・・温度調整器１１・・・マスフローコントロー
ラ 特許出願人 日本電気株式会社
Claims (1)
- （１）有機アルミニウムをアルミニウム原料とし、シク
ロペンタジエニル銅トリエチルフオスフインアダクトＣ
ｕ（Ｃ＿３Ｈ＿５）・Ｐ（Ｃ＿２Ｈ＿５）＿３を銅原料
とし、化学気相堆積法を用いてこれら原料からＡｌ−Ｃ
ｕ合金薄膜を生成させることを特徴とするＡｌ−Ｃｕ合
金薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325197A JP2570839B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | Ａ▲ｌ▼ーＣｕ合金薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325197A JP2570839B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | Ａ▲ｌ▼ーＣｕ合金薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170419A true JPH02170419A (ja) | 1990-07-02 |
| JP2570839B2 JP2570839B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=18174101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63325197A Expired - Lifetime JP2570839B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | Ａ▲ｌ▼ーＣｕ合金薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2570839B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091210A (en) * | 1989-09-26 | 1992-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma CVD of aluminum films |
| US5154949A (en) * | 1989-09-26 | 1992-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming metal deposited film containing aluminum as main component by use of alkyl aluminum hydride |
| US5179042A (en) * | 1989-09-09 | 1993-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film by use of alkyl aluminum hydride |
| US5180687A (en) * | 1989-09-26 | 1993-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Deposited film formation method utilizing selective deposition by use of alkyl aluminum hydride |
| US5196372A (en) * | 1989-09-09 | 1993-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming metal deposited film containing aluminum as main component by use of alkyl hydride |
| US5316972A (en) * | 1989-09-26 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film by use of alkyl aluminum hydride and process for preparing semiconductor device |
| US5476547A (en) * | 1989-09-26 | 1995-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Gas feeding device for controlled vaporization of an organometallic compound used in deposition film formation |
| US5627102A (en) * | 1993-03-23 | 1997-05-06 | Kawasaki Steel Corporation | Method for making metal interconnection with chlorine plasma etch |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5974650A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-04-27 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 相互接続金属系の形成方法 |
| JPS62202079A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-05 | Fujitsu Ltd | 選択気相成長方法 |
| JPS63179076A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-23 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3375129A (en) | 1966-09-22 | 1968-03-26 | Ethyl Corp | Aluminum plating employing amine complex of aluminum hydride |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP63325197A patent/JP2570839B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5974650A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-04-27 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 相互接続金属系の形成方法 |
| JPS62202079A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-05 | Fujitsu Ltd | 選択気相成長方法 |
| JPS63179076A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-23 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5179042A (en) * | 1989-09-09 | 1993-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film by use of alkyl aluminum hydride |
| US5196372A (en) * | 1989-09-09 | 1993-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming metal deposited film containing aluminum as main component by use of alkyl hydride |
| US5328873A (en) * | 1989-09-09 | 1994-07-12 | Canon Kubushiki Kaisha | Process for forming deposited film by use of alkyl aluminum hydride |
| US5091210A (en) * | 1989-09-26 | 1992-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma CVD of aluminum films |
| US5154949A (en) * | 1989-09-26 | 1992-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming metal deposited film containing aluminum as main component by use of alkyl aluminum hydride |
| US5180687A (en) * | 1989-09-26 | 1993-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Deposited film formation method utilizing selective deposition by use of alkyl aluminum hydride |
| US5316972A (en) * | 1989-09-26 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film by use of alkyl aluminum hydride and process for preparing semiconductor device |
| US5393699A (en) * | 1989-09-26 | 1995-02-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Deposited film formation method utilizing selective deposition by use of alkyl aluminum hydride |
| US5476547A (en) * | 1989-09-26 | 1995-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Gas feeding device for controlled vaporization of an organometallic compound used in deposition film formation |
| US5627102A (en) * | 1993-03-23 | 1997-05-06 | Kawasaki Steel Corporation | Method for making metal interconnection with chlorine plasma etch |
| US6063703A (en) * | 1993-03-23 | 2000-05-16 | Kawasaki Steel Corporation | Method for making metal interconnection |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2570839B2 (ja) | 1997-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5173327A (en) | LPCVD process for depositing titanium films for semiconductor devices | |
| US5330633A (en) | Process for forming metal deposited film containing aluminum as main component by use of alkyl aluminum hydride | |
| Gladfelter | Selective metalization by chemical vapor deposition | |
| US5594280A (en) | Method of forming a thin film and apparatus of forming a metal thin film utilizing temperature controlling means | |
| US6120844A (en) | Deposition film orientation and reflectivity improvement using a self-aligning ultra-thin layer | |
| US6077781A (en) | Single step process for blanket-selective CVD aluminum deposition | |
| Baum et al. | Laser‐induced chemical vapor deposition of aluminum | |
| EP0909985A1 (en) | Photolithographic processing method and apparatus | |
| Kaloyeros et al. | Chemical vapor deposition of copper for multilevel metallization | |
| US6080665A (en) | Integrated nitrogen-treated titanium layer to prevent interaction of titanium and aluminum | |
| US6066358A (en) | Blanket-selective chemical vapor deposition using an ultra-thin nucleation layer | |
| JPH10508656A (ja) | コンフオーマルなチタン系フイルムおよびその製造方法 | |
| JPH08319566A (ja) | 銅とアルミニウムの化学的蒸着方法 | |
| JPS62267472A (ja) | メタルシリサイドの低圧化学蒸着 | |
| WO1999063590A9 (en) | A method for treating a deposited film for resistivity reduction | |
| US4981103A (en) | Apparatus for forming a metal thin film utilizing temperature controlling means | |
| US5653810A (en) | Apparatus for forming metal film and process for forming metal film | |
| JPH02170419A (ja) | Ａｌ―Ｃｕ合金薄膜形成方法 | |
| KR100624351B1 (ko) | 금속 필름의 화학적 증착 방법 | |
| Cale et al. | Kinetics and conformality of TiN films from TDEAT and ammonia | |
| EP0466320B1 (en) | Process for preparing a semiconductor device including the selective deposition of a metal | |
| JPH02185026A (ja) | Ａｌ薄膜の選択的形成方法 | |
| JPS58158916A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0689452B2 (ja) | Ａｌ―Ｃｕ合金薄膜形成方法 | |
| JPH0521385A (ja) | アルミニウム合金薄膜の製造方法 |