KR0179797B1 - 바이어스 전압이 인가된 Cu 박막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 바이어스 전압(bias voltage)이 인가된 Cu 박막 형성방법에 관한 것으로, 반도체 소자 제조시, 기판 표면에 바이어스 전압을 인가하면서 MO(metal organic) 소오스를 사용하여 구리 박막을 화학기상증착(CVD)법으로 형성하므로써, 1) 구리 박막의 비저항 값을 2μΩcm 이하로 낮출 수 있게 되어 반도체 소자의 동작속도를 빠르게 할 수 있으며, 2) 그레인 사이즈 증가에 의해 일렉트로마이그레이션 특성을 개선할 수 있을 뿐 아니라 박막 증착 초기에 소요되는 인큐베이션 시간을 억제할 수 있게 되어 쓰루풋(throughtput)을 향상시킬 수 있는 고신뢰성의 Cu 박막을 구현할 수 있게 된다.
Description
제1도는 본 발명으로서, Cu+(hfac)에서 떨어져 나와 Cu가 기판에 증착되는 원리를 도시한 도면.
제2도는 본 발명으로서, 바이어스 전압이 인가된 Cu 박막 형성 모형도.
제3(a)도 및 제3(b)도는 본 발명으로서, 2단계 공정을 통하여 Cu 박막을 형성하는 방법을 도시한 공정수순도.
제4(a)도 내지 제4(c)도는 본 발명으로서, 3단계 공정을 통하여 Cu 박막을 형성하는 방법을 도시한 공정수순도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 기판 12 : 시편접시
14 : 플레이트 16,16',16 : 제1 내지 제3 Cu 박막
본 발명은 반도체 배선 재료로 각광받고 있는 Cu 박막 형성방법에 관한 것으로, 특히 바이어스 전압(bias voltage) 인가에 따른 Cu 성장막의 미세 구조 변화를 이용하여 그레인 사이즈(grain size)를 증가시킴과 동시에 Cu 박막 증착시 소요되는 인큐베이션 시간(incubation time : 모재(기판)에 Cu 1 mono-layer가 도포되는데 걸리는 시간)을 억제하므로써, 배선 특성을 향상시킬 수 있도록 한 바이어스 전압이 인가된 Cu 박막 형성방법에 관한 것이다.
초고집적 반도체 소자의 금속 배선재료로 개발된 Cu 박막은 박막 형성 조건으로서, 높은 단차에서 균일한 두께의 증착과 낮은 온도에서의 증착 등이 요구됨에 따라 MO(metal organic) 소오스를 사용하여 높은 단차에서도 균일한 도포가 가능한 CVD(chemical vapour deposition)법을 이용하여 형성하고 있다.
이때, 사용하는 MO 소오스로는 Cu(II) 화합물인 Cu(II)(β-diketonate)2와, Cu(I) 화합물인 cyclopentadiene Cu(I)trialkylphospine과, Cu(I)t-butoxide tetramer 및, Lewis-base stabiliged Cu(I)β-diketonate 화합물 등을 들 수 있다.
특히(I)가 화합물의 경우에는 대개 상온에서 액체 상태이므로 거품기(bubbler)나 액체 방출 장치(liquid delivery system)를 사용하여 반응 챔버 내부를 0.1torr 내지 2torr의 압력 및 140℃ 내지 400℃의 온도 조건으로 만들어 준 뒤, 그 내부에 동 MO 소오스를 공급하여 CVD 방법으로 Cu 박막을 증착한다.
동 방법의 경우, Cu 박막이 증착될 기판의 표면 상태에 따라 인큐베이션 시간이 1분 내지 10분 정도 존재하게 되는데, 이를 억제하기 위해서는 먼저 스퍼터링(sputtering) 방법을 통해 기판 상에 Cu 박막을 증착시키고, 그 위에 다시 CVD 방법을 사용하여 Cu 박막을 형성하는 이중 증착의 복잡한 공정을 수행해 주어야 한다.
일반적으로 MO 소오스를 사용하여 형성된 CVD Cu 박막의 경우, 증착 공정 완료후 그레인 사이즈는 대개 증착 두께를 넘지 못하게 되며, 따라서 증착된 Cu 박막의 비저항이 2μΩcm(Cu의 벌크 비저항: 1.67μΩcm) 정도 밖에 이르지 못한다.
한편, 그레인 사이즈가 Cu 박막의 두께에 도달할 경우에는 증착된 Cu 박막의 표면이 거칠어져 일렉트로마이그레이션(electromigration) 특성이 저하되며, 후공정인 식각(etch) 공정 진행에 많은 어려움을 야기시킨다.
즉, 전술된 바와 같이 종래의 방법으로 Cu 박막을 증착하게 되면, 1) Cu 박막의 그레인 사이즈가 대개는 증착 두께를 넘지 못하므로 미세 구조에 많은 영향을 받는 박막의 비저항 값을 2μΩcm 이하로 떨어뜨리기 어렵고, 2) Cu 박막의 그레인 사이즈가 Cu 박막의 두께에 도달할 경우에는 박막의 표면이 거칠어져 일렉트로마이그레이션 특성이 저하될 뿐 아니라 후공정인 식각 공정에 어려움이 따르게 되며, 3) 기판 특성에 따라 인큐베이션 시간이 존재하게 되어 쓰루풋(throughtput)이 저하되고, 4) 인큐베이션 시간을 억제하기 위하여 이중 증착과 같은 복잡한 공정이 수반되는 등의 단점을 가지게 된다.
이에 본 발명은 상기와 같은 단점을 개선하기 위하여 이루어진 것으로, 256M 디램(DRAM)급 이상 고집적 소자의 배선 재료로 적당하도록 박막을 형성하는 과정에서, 보다 우수한 배선 특성을 확보하기 위하여 바이어스 전압 인가에 따른 Cu 성장막의 미세 구조 변화를 이용하여 그레인 사이즈를 증가시킴과 동시에 박막 성장 초기에 소요되는 인큐베이션 시간을 억제토록 한 바이어스 전압이 인가된 Cu 박막 형성방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 바이어스 전압이 인가된 Cu 박막 형성방법은, 반도체 소자 제조시, 기판 표면에 바이어스 전압을 인가하면서 MO 소오스를 사용하여 Cu 박막을 화학기상증착법으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 공정 결과, 반도체 소자의 배선 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.
본 발명은 바이어스 전압 인가에 따른 Cu 성장막의 미세 구조 변화를 이용하여 박막의 그레인 사이즈 증가와, 박막 성장 초기에 소요되는 인큐베이션 시간 감소를 통하여 우수한 배선 특성을 확보할 수 있도록 한 것으로, 그 이론적 배경과 실험결과 및 형성방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 그 이론적 배경을 살펴본다.
CVD법을 이용하여 얻은 Cu 박막의 MO 소오스로는 물리적상태, 증기압, 증착온도, 열적안정성 등의 특성면에서 Cu(hfac) 화합물들이 주로 사용되고 있다. P.Dopelt, MRS Bulletin, August 1994, p41에 보고된 바에 의하면 이 Cu(hfc) 화합물들은 그 화합물에 붙는 리간드(ligand)에 따라 조금씩 다른 특성 등을 보여주고 있음이 알려져 있다. 표 1에는 이러한 Cu(I)(hfc) 화합물의 종류가 도시되어 있다.
이들 Cu(hfc) 화합물의 반응 단계(reaction step)는 G.S. Girolamiet al에 의해 연구되어졌으며, 그 과정은 Journal of American Chemical Society 115(1993) 1015에 보고된 바와 같이 아래 6단계로 나누어진다. 여기서는 일 에로서, Cu (hfac)(VTMS) MO 소오스를 이용하여 Cu 박막을 증착하는 경우에 대하여 살펴본다.
1단계; 2Cu (hfac)(VTMS)(g) →2Cu (hfac)(VTMS)(s)
2단계; 2Cu (hfac)(VTMS)(s) →2Cu (hfac)(S)+2VTMS(s)
3단계; 2VTMS(s)→2VTMS(g)
4단계; 2Cu (hfac)(s)→Cu (hfac)(s)+Cu (hfac)(s)
5단계; Cu (hfac)(s)+Cu (hfac)(s)→Cu (s)+Cu (hfac)(s)
6단계; Cu (hfac)(s)→Cu (hfac)(g)
이때, 동 반응 단계 중 제4단계에서 e- 이송(transfer)이 이루어져야 제1도에 도시된 단면도에서와 같이 Cu (hfac)(s)에서 (hfac) 가 떨어져 나와 Cu만이 기판(10)에 증착되게 된다.
즉, 기존 기판에 전자가 충만하거나 또는 기판이 전기전도성이 우수한 특성을 가진다면, 증착 초기에 동 스텝의 진행이 빠르게 이루어지게 되어 Cu 박막의 증착속도가 증가하게 된다. 이는 기판의 변화 예컨대, 산화막 위에서와 금속 위에서의 박막 증착 속도가 많은 차이가 나는 현상으로 부연 설명될 수 있으며, 이러한 현상을 이용하여 선택 증착도 가능하게 된다.
따라서, CVD법으로 Cu 박막을 증착하는 과정에서 초기에 기판에 바이어스를 걸어준다면, Cu 핵생성(nucleation) 사이트(site) 형성을 가속 또는 억제하는 것이 가능하게 되며, 일단 1층(one layer)이 증착되고 나면 동 현상은 그 효과가 감소된다.
다음으로, Cu 박막을 바이어스 전압이 인가된 상태에서 CVD법으로 형성한 경우의 미세 구조 변화를 실험을 통하여 살펴본다.
상기 실험은 제2도에 도시된 CVD Cu 박막 형성 모형도에서 알수 있듯이, Cu 박막을 증착시키려는 기판(10) 표면에 (+) 바이어스 전압과 (-) 바이어스 전압을 각각 걸어주고, 기판(10)과 플레이트(plate)(14)를 통한 전류의 흐름을 방지하기 위하여 상기 기판(10)과 플레이트(14) 사이를 절연막 재질의 시편접시(12)를 이용하여 절연시킨 상태에서 실시한다. 이때, 인가되는 바이어스 전압은 (+) 전압과 (-) 전압으로 바꿀 수 있으며, 각각의 전압은 가변 가능토록 구성되어 있다.
본 실험에서는 (+), (-), 그리고 그 크기를 가변시키면서 실험을 진행하였다.
그 결과, 각 전압의 크기 정도에 따른 차이는 그리 크지 않으나 (+) 전압과 (-) 전압에 따라 큰 차이를 나타냈으며, 또한 증착(deposition) 조건에( 따라 그 차이가 다르게 나타남이 관찰되었다.
일 예로서 표 2에는 180℃의 온도와 0.5torr의 압력에서 4000Å의 두께로 CVD Cu 박막을 증착한 경우에 있어서의, 박막의 미세 구조 변화를 나타낸 도표가 제시되어 있다.
계속해서, 제4도에서 제시된 바이어스 전압 인가에 따른 Cu 박막의 미세 구조 변화 결과를 이용하여, 그 특성을 보다 향상시킬 수 있도록 박막을 형성하는 방법에 대하여 살펴본다.
상기 방법의 기본은 기 언급된 바와 같이 기판(10) 표면에 바이어스 전압을 인가하면서 MO 소오스를 사용하여 Cu 박막을 CVD법으로 형성하는 것으로, 이때 이용되는 MO 소오스로는 Cu(II) 화합물인 Cu(II)(β-diketonate)2와, Cu(I) 화합물인 cyclopentadiene Cu (I)trialkylphospine, Cu(I)t-butoxide tetramer, Lewis-base stabiliged (+) 전압과 (-) 전압에 따라 큰 차이를 나타냈으며, 또한 증착(deposition) 조건에 따라 그 차이가 다르게 나타남이 관찰되었다.
일 예로서, 표 2에는 180℃의 온도와 0.5torr의 압력에서 4000Å의 두께로 CVD Cu 박막을 증착한 경우에 있어서의, 박막의 미세 구조 변화를 나타낸 도표가 제시되어 있다.
계속해서, 제4도에서 제시된 바이어스 전압 인가에 따른 Cu 박막의 미세 구조 변화 결과를 이용하여, 그 특성을 보다 향상시킬 수 있도록 박막을 형성하는 방법에 대하여 살펴본다.
상기 방법의 기본은 기 언급된 바와 같이 기판(10) 표면에 바이어스 전압을 인가하면서 MO 소오스를 사용하여 Cu 박막을 CVD법으로 형성하는 것으로, 이때 이용되는 MO 소오스로는 Cu(II) 화합물인 Cu(II)(β-diketonate)2와, Cu(I) 화합물인 cyclopentadiene Cu (I)trialkylphospine, Cu(I)t-butoxide tetramer, Lewis-base stabiliged Cu(I)β-diketonate 화합물 및 기타 MO Cu 화합물을 들 수 있다.
Cu 박막을 형성하는 방법은 크게 둘로 구분되어 지는데, 그중 하나는 제3(a)도 및 제3(b)도에 도시된 바와 같이 2단계 공정을 통하여 형성하는 것이고, 또 다른 하나는 제4(a)도 내지 제4(c)도에 도시된 바와 같이 3단계 공정을 통하여 형성하는 것이다.
먼저, 제3(a)도 및 제3(b)도에 도시된 2단계 공정에 의해 Cu 박막을 형성하는 경우를 설명한다.
제1단계로서, 제3(a)도에 도시된 바와 같이 기판(10) 표면에 (-) 바이어스 전압이 인가된 상태에서, 얻고자 하는 전체 Cu 박막의 50% 미만의 두께를 가지도록, CVD법으로 제1 Cu 박막(16)을 형성한다.
이어 제2단계로서, 제3(b)도에 도시된 바와 같이 기판(10) 표면에 (+) 바이어스 전압을 인가하고, 이 상태에서 얻고자 하는 전체 Cu 박막의 50% 이상의 두께를 가지도록, 상기 제1 Cu 박막(16) 상에 제2 Cu 박막(16')을 CVD법으로 형성하여 공정 진행을 완료한다.
다음으로, 제4(a)도 내지 제4(c)도에 도시된 3단계 공정에 의해 Cu 박막을 형성하는 경우를 설명한다.
여기서, 제1 및 제2 Cu 박막(16)(16')을 형성하는 제1 및 제2 단계 공정은 제3(a)도 및 제3(b)도에 도시된 공정과 동일한 방법으로 실시하므로 설명을 생략하고, 그 이후의 공정부터 살펴본다.
제3단계로서, 제4(c)도에 도시된 바와 같이 기판(10) 표면에 다시 (-) 바이어스 전압을 인가하고, 이 상태에서 상기 제2 Cu 박막(16') 상에 제3 Cu 박막(16)을 CVD법으로 형성하여 공정 진행을 완료한다.
단, 이 경우에는 상기 제1 Cu 박막(16)과 제3 Cu 박막(16)의 두께의 합이 얻고자 하는 전체 Cu 박막의 50% 미만의 두께를 가지도록 형성하고, 상기 제2 Cu 박막(16')의 두께는 얻고자 하는 전체 Cu 박막의 50% 이상의 두께를 가지도록 형성한다.
이와 같이 공정을 진행할 경우, (+) 바이어스 전압 인가시 얻을 수 있는 장점인 그레인 사이즈 증가와, (-) 바이어스 전압 인가시 얻을 수 있는 장점인 인큐베이션 시간 억제와 두께 균일성(thickness unifomity) 개선 효과를 조합하여 배선을 형성할 수 있게 되므로 그만큼 배선 특성을 향상시킬 수 있게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 1) Cu 박막의 비저항 값을 2μΩcm 이하로 낮출 수 있게 되어 반도체 소자의 동작속도를 보다 빠르게 할 수 있으며, 2) 그레인 사이즈 증가에 의해 일렉트로마이그레이션 특성을 개선할 수 있을 뿐 아니라 박막 증착 초기에 소요되는 인큐베이션 시간을 억제할 수 있게 되어 쓰루풋을 향상시킬 수 있게 된다.
Claims (6)
- 반도체 소자 제조시, 기판 표면에 바이어스 전압을 인가하면서 MO(metal organic) 소오스를 사용하여 Cu 박막을 화학기상증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 바이어스 전압이 인가된 Cu 박막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 MO 소오스는 Cu(II) 화합물인 Cu(II)(β-diketonate)2와, Cu(I) 화합물인 cyclopentadiene Cu(I)trialkylphospine, Cu(I)t-butoxide tetramer 및, Lewis-base stabiliged Cu(I)β-diketonate 화합물 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 바이어스 전압이 인가된 Cu 박막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 바이어스 전압을 박막 증착 초기에는 (-) 바이어스 전압을 인가하고, 박막 증착 후기에는 (+) 바이어스 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 바이어스 전압이 인가된 Cu 박막 형성방법.
- 제3항에 있어서, (-) 바이어스 전압 인가시 증착되는 Cu 박막의 두께는 최종적으로 얻고자 하는 Cu 박막 두께의 50% 이하로 형성하고, (+) 바이어스 전압 인가시 증착되는 Cu 박막의 두께는 최종적으로 얻고자 하는 Cu 박막 두께의 50% 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 바이어스 전압이 인가된 Cu 박막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 바이어스 전압은 박막 증착 초기에는 (-) 바이어스 전압을 인가하고, 박막 증착 중기에는 (+) 바이어스 전압을 인가하며, 박막 증착 후기에는 (-) 바이어스 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 바이어스 전압이 인가된 Cu 박막 형성방법.
- 제5항에 있어서, (-) 바이어스 전압 인가시 증착되는 Cu 박막의 두께의 합은 최종적으로 얻고자 하는 Cu 박막 두께의 50% 이하로 형성하고, (+) 바이어스 전압 인가시 증착되는 Cu 박막의 두께는 최종적으로 얻고자 하는 Cu 박막 두께의 50% 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 바이어스 전압이 인가된 Cu 박막 형성방법.
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| JP3304807B2 (ja) * | 1997-03-13 | 2002-07-22 | 三菱電機株式会社 | 銅薄膜の成膜方法 |
| US5948467A (en) * | 1998-07-24 | 1999-09-07 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Enhanced CVD copper adhesion by two-step deposition process |
| US6037001A (en) * | 1998-09-18 | 2000-03-14 | Gelest, Inc. | Method for the chemical vapor deposition of copper-based films |
| US6066196A (en) * | 1998-09-18 | 2000-05-23 | Gelest, Inc. | Method for the chemical vapor deposition of copper-based films and copper source precursors for the same |
| JP3523509B2 (ja) * | 1998-11-27 | 2004-04-26 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6337148B1 (en) | 1999-05-25 | 2002-01-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper source reagent compositions, and method of making and using same for microelectronic device structures |
| US7166732B2 (en) * | 2004-06-16 | 2007-01-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper (I) compounds useful as deposition precursors of copper thin films |
| KR20090018986A (ko) * | 2006-06-02 | 2009-02-24 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 구리 박막 형성을 위한 구리(ｉ) 아미디네이트 및 구아니디네이트 |
| WO2008069821A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal aminotroponiminates, bis-oxazolinates and guanidinates |
| US7750173B2 (en) * | 2007-01-18 | 2010-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amido-complexes with chelate ligands useful for CVD and ALD of TaN and Ta205 thin films |
| US8592312B2 (en) * | 2007-06-07 | 2013-11-26 | Globalfoundries Inc. | Method for depositing a conductive capping layer on metal lines |
| KR102318516B1 (ko) | 2019-06-21 | 2021-10-28 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 물질막 및 타겟 패턴의 선택적 제조 방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221416A (en) * | 1990-05-31 | 1993-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma surface treating method |
| US5096737A (en) * | 1990-10-24 | 1992-03-17 | International Business Machines Corporation | Ligand stabilized +1 metal beta-diketonate coordination complexes and their use in chemical vapor deposition of metal thin films |
| US5098516A (en) * | 1990-12-31 | 1992-03-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Processes for the chemical vapor deposition of copper and etching of copper |
| US5395642A (en) * | 1992-10-21 | 1995-03-07 | Solvay Deutschland Gmbh | Process for depositing layers having high specific electrical conductivity |
| US5358743A (en) * | 1992-11-24 | 1994-10-25 | University Of New Mexico | Selective and blanket chemical vapor deposition of Cu from (β-diketonate)Cu(L)n by silica surface modification |
| US5441766A (en) * | 1994-08-25 | 1995-08-15 | Korea Institute Of Science And Technology | Method for the production of highly pure copper thin films by chemical vapor deposition |
| US5534314A (en) * | 1994-08-31 | 1996-07-09 | University Of Virginia Patent Foundation | Directed vapor deposition of electron beam evaporant |
-
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