JPH02232371A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH02232371A JPH02232371A JP4991889A JP4991889A JPH02232371A JP H02232371 A JPH02232371 A JP H02232371A JP 4991889 A JP4991889 A JP 4991889A JP 4991889 A JP4991889 A JP 4991889A JP H02232371 A JPH02232371 A JP H02232371A
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- Japan
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- filament
- substrate
- vacuum chamber
- thin film
- gaseous
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- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 7
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、良質な薄膜を形成する薄膜形成装置に関する
ものである。
ものである。
［従来の技術］
従来、反応性ガスを導入し、このガスを熱フィラメント
で活性化させて得られるガスの反応物を基板上に堆積さ
せるＣＶＤ法はすでによく知られている。
で活性化させて得られるガスの反応物を基板上に堆積さ
せるＣＶＤ法はすでによく知られている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、熱フィラメントＣｖＤ法では、ガス中の
イオン化は低く、ラジカルの量も少ないので、ラジカル
量を増やすためにチャンバ内の圧力を高くしなければ充
分な蒸着速度が得られなかった。そのために、フィラメ
ントと基板間距離はかなり接近したものとなり、フィラ
メントの影響を受けやすくなって良質な薄膜が形成でき
なかった。
イオン化は低く、ラジカルの量も少ないので、ラジカル
量を増やすためにチャンバ内の圧力を高くしなければ充
分な蒸着速度が得られなかった。そのために、フィラメ
ントと基板間距離はかなり接近したものとなり、フィラ
メントの影響を受けやすくなって良質な薄膜が形成でき
なかった。
本発明の目的は、高速で成膜でき、かつ良質な薄膜を形
成できる装置を提供することにある。
成できる装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、真空室内に設置ざれて基板を保持する基板ホ
ルダと、前記基板の直上に設置されたフィラメントと、
該フィラメントの上部に設置されたプラズマ発生用電極
とを備えてなることを特徴とする薄膜形成装置である。
ルダと、前記基板の直上に設置されたフィラメントと、
該フィラメントの上部に設置されたプラズマ発生用電極
とを備えてなることを特徴とする薄膜形成装置である。
本発明の装置は、プラズマを基板の上方で起こさせると
同時に、熱フィラメントによってガスの活性化をより高
め、得られた活性化反応物を用いて基板上に薄膜形成さ
せるものである。
同時に、熱フィラメントによってガスの活性化をより高
め、得られた活性化反応物を用いて基板上に薄膜形成さ
せるものである。
［作用］
本発明では、真空室内に設けられた電極間で発生させた
プラズマの中にあるイオンや電子によって反応した反応
生成物を、その下方に設蹟されたフィラメントによって
ざらに活性化させる。そしてこの活性化生成物により、
良質な薄膜が高速で形成ざれる。
プラズマの中にあるイオンや電子によって反応した反応
生成物を、その下方に設蹟されたフィラメントによって
ざらに活性化させる。そしてこの活性化生成物により、
良質な薄膜が高速で形成ざれる。
［実施例］
以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例の概略構成図である。
装置の真空室１内部には基板２を戟置する加熱ヒータ付
基板ホルダ３が設けられ、その上方にフィラメント４が
設けられ、さらにその上方に１対のプラズマ発生用の電
極５が設置されている。なお、図中６はバルブ、７は電
源、８はガス導入管である。
基板ホルダ３が設けられ、その上方にフィラメント４が
設けられ、さらにその上方に１対のプラズマ発生用の電
極５が設置されている。なお、図中６はバルブ、７は電
源、８はガス導入管である。
上記のように構成された装置による薄膜形成の一例とし
て、ダイヤモンド薄膜を形成する場合を具体的に説明す
る。
て、ダイヤモンド薄膜を形成する場合を具体的に説明す
る。
まず、拡散ポンプあるいはターボポンプと油回転ポンプ
を用いて真空室１内をＩ Ｘ１０−７ Ｔｏｒｒ以下ま
で排気する。基板を約５００゜Ｃに設定し、次にバルブ
６を開き、高純度のト１２ガスと炭化水素カスあるいは
有機化合物ガスをガス導入管８より導入して、真空室１
内全体の真空度を１０ ’ｒｏｒｒ稈度に設定する。ざ
らにフィラメント４と基板２どの距離を１ ｃｍ程度に
設定しておく。この状態で一対の電極５間に３００〜４
．ＯＯＶの直流電圧を印加Ｌ，てグロー敢電を起こし、
それと同時にタングステンフィラメント４に６０ Ｈｚ
の交流電流を流して約２０００℃に加熱して膜を成長さ
せる。
を用いて真空室１内をＩ Ｘ１０−７ Ｔｏｒｒ以下ま
で排気する。基板を約５００゜Ｃに設定し、次にバルブ
６を開き、高純度のト１２ガスと炭化水素カスあるいは
有機化合物ガスをガス導入管８より導入して、真空室１
内全体の真空度を１０ ’ｒｏｒｒ稈度に設定する。ざ
らにフィラメント４と基板２どの距離を１ ｃｍ程度に
設定しておく。この状態で一対の電極５間に３００〜４
．ＯＯＶの直流電圧を印加Ｌ，てグロー敢電を起こし、
それと同時にタングステンフィラメント４に６０ Ｈｚ
の交流電流を流して約２０００℃に加熱して膜を成長さ
せる。
本実施例では、この状態で約１０分間膜形成を行った。
このようにして形成されたダイヤモンド膜の膜厚は約１
０４であった。その膜をラマン分光法で測定したところ
、１３３０ｃｍ．−ｔだけに鋭いピクが得られた。
０４であった。その膜をラマン分光法で測定したところ
、１３３０ｃｍ．−ｔだけに鋭いピクが得られた。
また、この膜のごッカース硬度を測定したところ、約１
２０００という値が得られた。この値は天然ダイヤモン
ドと同じ値である。また、薄膜の熱伝導率を測定したと
ころ、約２００Ｗ／ Ｋ−ｃｍという値が得られた。こ
れは高圧合成されたダイヤモンドと同じである。このよ
うに、本発明によって低温で良質のダイヤモンド薄膜が
得られることがわかった。
２０００という値が得られた。この値は天然ダイヤモン
ドと同じ値である。また、薄膜の熱伝導率を測定したと
ころ、約２００Ｗ／ Ｋ−ｃｍという値が得られた。こ
れは高圧合成されたダイヤモンドと同じである。このよ
うに、本発明によって低温で良質のダイヤモンド薄膜が
得られることがわかった。
なあ、本実施例において、フィラメントと基板間にバイ
アスを加えても同様に良質なダイヤモンド膜が｛ｑられ
た。
アスを加えても同様に良質なダイヤモンド膜が｛ｑられ
た。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によればフィラメントの上
方に発生させたプラズマとフィラメントによるガスの活
性化を組み合わせることによって、低温で良質な薄膜を
形成することのできる薄膜形成装置が提供される。
方に発生させたプラズマとフィラメントによるガスの活
性化を組み合わせることによって、低温で良質な薄膜を
形成することのできる薄膜形成装置が提供される。
第１図は本発明の一実施例の概略構成図である。
１・・・真空室 ２・・・基板３・・・基板ホ
ルダ ４・・・フィラメント５・・・電極
６・・・バルブ７・・・電源 ８・・・ガス導入管
ルダ ４・・・フィラメント５・・・電極
６・・・バルブ７・・・電源 ８・・・ガス導入管
Claims (1)
- （１）真空室内に設置されて基板を保持する基板ホルダ
と、前記基板の直上に設置されたフィラメントと、該フ
ィラメントの上部に設置されたプラズマ発生用電極とを
備えてなることを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4991889A JPH02232371A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4991889A JPH02232371A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02232371A true JPH02232371A (ja) | 1990-09-14 |
Family
ID=12844389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4991889A Pending JPH02232371A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02232371A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04214639A (ja) * | 1990-12-12 | 1992-08-05 | Nippon Seiki Co Ltd | カルコゲン化合物の製造方法及び製造装置 |
| US5593539A (en) * | 1990-12-14 | 1997-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma source for etching |
| JPH10259482A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 硬質炭素被膜の形成方法 |
| US6528115B1 (en) | 1997-03-19 | 2003-03-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hard carbon thin film and method of forming the same |
| KR20030080574A (ko) * | 2002-04-09 | 2003-10-17 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 제조용 챔버 |
| CN102011102A (zh) * | 2010-12-22 | 2011-04-13 | 郑锦华 | 高界面强度类金刚石薄膜材料的常温沉积设备及其方法 |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP4991889A patent/JPH02232371A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04214639A (ja) * | 1990-12-12 | 1992-08-05 | Nippon Seiki Co Ltd | カルコゲン化合物の製造方法及び製造装置 |
| US5593539A (en) * | 1990-12-14 | 1997-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma source for etching |
| JPH10259482A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 硬質炭素被膜の形成方法 |
| US6528115B1 (en) | 1997-03-19 | 2003-03-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hard carbon thin film and method of forming the same |
| KR20030080574A (ko) * | 2002-04-09 | 2003-10-17 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 제조용 챔버 |
| CN102011102A (zh) * | 2010-12-22 | 2011-04-13 | 郑锦华 | 高界面强度类金刚石薄膜材料的常温沉积设备及其方法 |
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