JP3224469B2 - 薄膜形成法及びその装置 - Google Patents
薄膜形成法及びその装置Info
- Publication number
- JP3224469B2 JP3224469B2 JP03060894A JP3060894A JP3224469B2 JP 3224469 B2 JP3224469 B2 JP 3224469B2 JP 03060894 A JP03060894 A JP 03060894A JP 3060894 A JP3060894 A JP 3060894A JP 3224469 B2 JP3224469 B2 JP 3224469B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- supply
- thin film
- reaction
- chloride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、原料ガスをプラズマ
により分解・反応させ、例えばシリコンウエハ等の基板
上に薄膜を低温で形成する薄膜形成法及びその装置に関
するものである。
により分解・反応させ、例えばシリコンウエハ等の基板
上に薄膜を低温で形成する薄膜形成法及びその装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ法による薄膜形成法は、
プラズマによる原料ガスの分解を気相中で行なうことが
でき、しかも通常の熱ＣＶＤ法と比較して低温形成が可
能であることから半導体等の薄膜形成に用いられてい
る。中でも、放電と反応ガス供給をパルス化した、パル
スプラズマＣＶＤ法は、ＳｉＮ薄膜等の形成温度を低下
させる利点がある。図１４は例えば特開昭６２−５０４
７２号公報に示された従来のパルスプラズマＣＶＤ法が
適用された薄膜形成装置の概略構成図であり、図におい
て１，２は反応室内に対向配置された一対の電極、３は
アース側の電極２上に設置された基板、４，５はバイア
ス電極である。この装置では、電極１，２間にパルス状
のＲＦ放電電圧を印加し、供給された反応ガスを基板３
上で分解・化学反応させて該基板３に所望の薄膜を形成
する。
プラズマによる原料ガスの分解を気相中で行なうことが
でき、しかも通常の熱ＣＶＤ法と比較して低温形成が可
能であることから半導体等の薄膜形成に用いられてい
る。中でも、放電と反応ガス供給をパルス化した、パル
スプラズマＣＶＤ法は、ＳｉＮ薄膜等の形成温度を低下
させる利点がある。図１４は例えば特開昭６２−５０４
７２号公報に示された従来のパルスプラズマＣＶＤ法が
適用された薄膜形成装置の概略構成図であり、図におい
て１，２は反応室内に対向配置された一対の電極、３は
アース側の電極２上に設置された基板、４，５はバイア
ス電極である。この装置では、電極１，２間にパルス状
のＲＦ放電電圧を印加し、供給された反応ガスを基板３
上で分解・化学反応させて該基板３に所望の薄膜を形成
する。
【０００３】図１５はパルスプラズマＣＶＤ法における
ＲＦ電力と反応ガスの供給パターンを示す説明図であ
り、同図（ａ）はＲＦ電力のパルスパターン、同図
（ｂ）は窒素（Ｎ2 ）、同図（ｃ）はモノシラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）、同図（ｄ）はアルゴン（Ａｒ）各々のパルス供
給を示している。この場合、各ガスのパルス供給に合わ
せてＲＦ電力をパルス的に印加することによりパルスプ
ラズマを発生させている。ここでは、反応ガスを１パル
ス供給するごとにＡｒを供給して、反応室内でのガスの
交換を促進している。
ＲＦ電力と反応ガスの供給パターンを示す説明図であ
り、同図（ａ）はＲＦ電力のパルスパターン、同図
（ｂ）は窒素（Ｎ2 ）、同図（ｃ）はモノシラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）、同図（ｄ）はアルゴン（Ａｒ）各々のパルス供
給を示している。この場合、各ガスのパルス供給に合わ
せてＲＦ電力をパルス的に印加することによりパルスプ
ラズマを発生させている。ここでは、反応ガスを１パル
ス供給するごとにＡｒを供給して、反応室内でのガスの
交換を促進している。
【０００４】また、図１６は特開平３−１３４１７５号
公報に示された従来のディジタルＣＶＤ法が適用された
薄膜形成装置の構成図であり、図において１１はピエゾ
バルブ、１２は一側面にバッファ１３が設けられた同軸
型のマイクロ波放電室、１４はエベンソン型のマイクロ
波放電室、１５はラッパ状ノズル、１６は直線状の石英
管、１７は真空排気可能な反応室、１８は温度制御機能
を有する基板ホルダーである。ここでは基板３としてＳ
ｉウエハを用いている。
公報に示された従来のディジタルＣＶＤ法が適用された
薄膜形成装置の構成図であり、図において１１はピエゾ
バルブ、１２は一側面にバッファ１３が設けられた同軸
型のマイクロ波放電室、１４はエベンソン型のマイクロ
波放電室、１５はラッパ状ノズル、１６は直線状の石英
管、１７は真空排気可能な反応室、１８は温度制御機能
を有する基板ホルダーである。ここでは基板３としてＳ
ｉウエハを用いている。
【０００５】この成膜方法はディジタルＣＶＤと呼ばれ
ており、ＳｉＨ4 をピエゾバルブ１１を介してマイクロ
波放電室１２に、またＯ2 をピエゾバルブ１１を介して
マイクロ波放電室１４にそれぞれ導き、ＳｉＨ4 及びＯ
2 を活性種ラジカルとし、これらの活性種ラジカルを各
々ラッパ状ノズル１５、石英管１６によりＳｉ基板１９
上に交互にディジタル的に噴射して、ＳｉＯ2 膜を形成
している。ガスの供給時間は、ＳｉＨ4 が５ミリ秒、Ｏ
2 が１〜１０秒で、双方のガスの供給間隔は１秒として
いる。この方法では、反応ガスの励起は反応室１７とは
別の部分で行なっている。また、Ｓｉ基板１９の温度制
御はなされているものの、供給される活性種に合わせた
温度制御は行なわれていない。
ており、ＳｉＨ4 をピエゾバルブ１１を介してマイクロ
波放電室１２に、またＯ2 をピエゾバルブ１１を介して
マイクロ波放電室１４にそれぞれ導き、ＳｉＨ4 及びＯ
2 を活性種ラジカルとし、これらの活性種ラジカルを各
々ラッパ状ノズル１５、石英管１６によりＳｉ基板１９
上に交互にディジタル的に噴射して、ＳｉＯ2 膜を形成
している。ガスの供給時間は、ＳｉＨ4 が５ミリ秒、Ｏ
2 が１〜１０秒で、双方のガスの供給間隔は１秒として
いる。この方法では、反応ガスの励起は反応室１７とは
別の部分で行なっている。また、Ｓｉ基板１９の温度制
御はなされているものの、供給される活性種に合わせた
温度制御は行なわれていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のパルスプラズマ
ＣＶＤ法による薄膜形成装置は以上のように構成されて
いるので、反応室の容積が大きくなればなる程十分なガ
スの置換を行なうために大量のＡｒガスを短時間に供給
することが必要になるなどの問題点があった。この場
合、反応室内での圧力変化が大きくなり、次のパルス放
電に悪影響をもたらすとともに、ダストの発生原因とな
っており、こうした制御を行なっているにも関わらず、
反応室内でのガス交換は時間応答性よく行なうことがで
きなかった。また、このＣＶＤ法においては、膜の付き
まわり性についても十分でなく、さらに、このＣＶＤ法
でＴｉ膜を形成した場合、ＴｉＣｌ4 を原料として用い
るため、不純物としてＣｌが混入してしまい、その除去
のためＮＨ3 を用いるとＴｉが窒化されてＴｉＮ膜がで
きたり、ダストの原因となる固体生成物ＮＨ4 Ｃｌが形
成されたり等の問題点があった。このため、半導体分野
で拡散バリア膜として用いられるＴｉＮ／Ｔｉ構造を、
ＣＶＤ法により同一反応室内で連続形成することができ
ず、工程が複雑になる等の問題点があった。
ＣＶＤ法による薄膜形成装置は以上のように構成されて
いるので、反応室の容積が大きくなればなる程十分なガ
スの置換を行なうために大量のＡｒガスを短時間に供給
することが必要になるなどの問題点があった。この場
合、反応室内での圧力変化が大きくなり、次のパルス放
電に悪影響をもたらすとともに、ダストの発生原因とな
っており、こうした制御を行なっているにも関わらず、
反応室内でのガス交換は時間応答性よく行なうことがで
きなかった。また、このＣＶＤ法においては、膜の付き
まわり性についても十分でなく、さらに、このＣＶＤ法
でＴｉ膜を形成した場合、ＴｉＣｌ4 を原料として用い
るため、不純物としてＣｌが混入してしまい、その除去
のためＮＨ3 を用いるとＴｉが窒化されてＴｉＮ膜がで
きたり、ダストの原因となる固体生成物ＮＨ4 Ｃｌが形
成されたり等の問題点があった。このため、半導体分野
で拡散バリア膜として用いられるＴｉＮ／Ｔｉ構造を、
ＣＶＤ法により同一反応室内で連続形成することができ
ず、工程が複雑になる等の問題点があった。
【０００７】また、ディジタルＣＶＤ法では供給ガスを
交換する際、１秒ほど時間を設けており、ガス交換に時
間を要するなどの問題点があった。さらに、反応ガスの
励起のための放電室を各ガスごとに設ける必要があり、
装置の構造が複雑となるなどの問題点があった。
交換する際、１秒ほど時間を設けており、ガス交換に時
間を要するなどの問題点があった。さらに、反応ガスの
励起のための放電室を各ガスごとに設ける必要があり、
装置の構造が複雑となるなどの問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、請求項１ないし３の発明は、残
留ガスや残留水分を低減し、かつ蒸気圧の低い反応ガス
の分圧の時間変化を適正に設定することができ、不純物
の少ない高品質の薄膜を形成することができ、特に半導
体の高密度集積回路を形成する際に求められるＴｉＮ／
Ｔｉ構造の高純度拡散バリア膜を低温で形成することが
できる薄膜形成法を提供することを目的としており、ま
た、請求項４の発明は、基板の表面で膜合成反応を行な
い付きまわりのよい膜形成ができる薄膜形成法を提供す
ることを目的としており、また、請求項５の発明は、蒸
気圧の低い反応ガスの分圧制御を、反応室内の圧力を大
きく乱すことなく、しかも時間応答性よく行なうことが
できる薄膜形成装置を提供することを目的とする。
ためになされたもので、請求項１ないし３の発明は、残
留ガスや残留水分を低減し、かつ蒸気圧の低い反応ガス
の分圧の時間変化を適正に設定することができ、不純物
の少ない高品質の薄膜を形成することができ、特に半導
体の高密度集積回路を形成する際に求められるＴｉＮ／
Ｔｉ構造の高純度拡散バリア膜を低温で形成することが
できる薄膜形成法を提供することを目的としており、ま
た、請求項４の発明は、基板の表面で膜合成反応を行な
い付きまわりのよい膜形成ができる薄膜形成法を提供す
ることを目的としており、また、請求項５の発明は、蒸
気圧の低い反応ガスの分圧制御を、反応室内の圧力を大
きく乱すことなく、しかも時間応答性よく行なうことが
できる薄膜形成装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この請求項１の発明に係
る薄膜形成法は、反応ガスの１つとして蒸気圧の低いガ
スを用い、当該ガスの飽和蒸気圧がパルス供給時におけ
る当該ガスの分圧の１／５以下になるようにして、当該
ガスを捕捉しつつ成膜を行なうものである。
る薄膜形成法は、反応ガスの１つとして蒸気圧の低いガ
スを用い、当該ガスの飽和蒸気圧がパルス供給時におけ
る当該ガスの分圧の１／５以下になるようにして、当該
ガスを捕捉しつつ成膜を行なうものである。
【００１０】また、請求項２の発明に係る薄膜形成法
は、蒸気圧の低い前記ガスとして塩化物を用い、該塩化
物を反応室内にパルス的に供給し分解する供給・分解過
程と、該塩化物の供給を停止し、該塩化物を捕捉しなが
らプラズマ中で活性化された水素により塩素を引き抜く
引抜過程とにより成膜を行なうものである。
は、蒸気圧の低い前記ガスとして塩化物を用い、該塩化
物を反応室内にパルス的に供給し分解する供給・分解過
程と、該塩化物の供給を停止し、該塩化物を捕捉しなが
らプラズマ中で活性化された水素により塩素を引き抜く
引抜過程とにより成膜を行なうものである。
【００１１】また、請求項３の発明に係る薄膜形成法
は、前記成膜を行なった後に、前記反応ガスの１つとし
て窒素ガスを用い、前記塩化物を反応室内にパルス的に
供給し分解する供給・分解過程と、該塩化物の供給を停
止し、該塩化物を捕捉しながらプラズマ中で活性化され
た水素により塩素を引き抜く引抜および窒化過程とによ
り窒化物を成膜するものである。
は、前記成膜を行なった後に、前記反応ガスの１つとし
て窒素ガスを用い、前記塩化物を反応室内にパルス的に
供給し分解する供給・分解過程と、該塩化物の供給を停
止し、該塩化物を捕捉しながらプラズマ中で活性化され
た水素により塩素を引き抜く引抜および窒化過程とによ
り窒化物を成膜するものである。
【００１２】また、請求項４の発明に係る薄膜形成法
は、蒸気圧の低い前記ガスとして塩化物を用い、該塩化
物を低温に維持された前記基板上に導入し付着させる付
着過程と、該塩化物を捕捉または反応室から除去し、該
反応室内に不活性ガスをパルス的に供給しパルスプラズ
マを発生させて前記基板の表面を瞬間加熱する加熱過程
と、前記塩化物と異なる反応ガスを供給するとともにパ
ルスプラズマを発生させ活性化された水素により塩素を
引き抜く引抜過程とにより成膜するものである。
は、蒸気圧の低い前記ガスとして塩化物を用い、該塩化
物を低温に維持された前記基板上に導入し付着させる付
着過程と、該塩化物を捕捉または反応室から除去し、該
反応室内に不活性ガスをパルス的に供給しパルスプラズ
マを発生させて前記基板の表面を瞬間加熱する加熱過程
と、前記塩化物と異なる反応ガスを供給するとともにパ
ルスプラズマを発生させ活性化された水素により塩素を
引き抜く引抜過程とにより成膜するものである。
【００１３】また、請求項５の発明に係る薄膜形成装置
は、一対の前記電極の外側に設けられ蒸気圧の低い前記
反応ガスを捕捉する捕捉手段と、該捕捉手段に設けられ
該捕捉手段の温度を制御する温度制御手段とを備えたも
のである。
は、一対の前記電極の外側に設けられ蒸気圧の低い前記
反応ガスを捕捉する捕捉手段と、該捕捉手段に設けられ
該捕捉手段の温度を制御する温度制御手段とを備えたも
のである。
【００１４】
【作用】この請求項１の発明における薄膜形成法は、蒸
気圧の低い反応ガスの飽和蒸気圧がパルス供給時におけ
る当該ガスの分圧の１／５以下になるようにして前記ガ
スを捕捉しつつ成膜を行なうことにより、残留ガス及び
残留水分を低減し、蒸気圧の低い反応ガスの分圧の時間
変化を適正に設定する。したがって、成膜される薄膜中
の不純物が取り除かれ、高品質の膜となる。
気圧の低い反応ガスの飽和蒸気圧がパルス供給時におけ
る当該ガスの分圧の１／５以下になるようにして前記ガ
スを捕捉しつつ成膜を行なうことにより、残留ガス及び
残留水分を低減し、蒸気圧の低い反応ガスの分圧の時間
変化を適正に設定する。したがって、成膜される薄膜中
の不純物が取り除かれ、高品質の膜となる。
【００１５】ここで、前記反応ガスの飽和蒸気圧をパル
ス供給時における当該ガス分圧の１／５以下とした理由
について説明する。通常のプラズマＣＶＤ法では、基板
温度の低下は反応ガスの分解不十分のため膜中の不純物
の増加につながる。一方、パルスプラズマＣＶＤ法で
は、主な不純物の発生要因となる反応ガスを十分分解す
るためそのガスを間欠供給、その停止期間中に活性な水
素等による不純物の引抜過程を設けることにより、低温
で高純度の膜形成を実現する。この引抜過程において、
分解しにくい反応ガスの分圧ができるだけ小さいこと
が、効率よく不純物を引き抜く上で望ましく、従って、
前記反応ガスの分圧を時間応答性よく制御することが必
要である。そこで、当該ガスの飽和蒸気圧をパルス供給
時の分圧の少なくとも１／５以下にすることにより、前
記反応ガスのパルス供給停止後、その分圧を急速に減少
することができ、効率よく膜中の不純物除去ができる。
ス供給時における当該ガス分圧の１／５以下とした理由
について説明する。通常のプラズマＣＶＤ法では、基板
温度の低下は反応ガスの分解不十分のため膜中の不純物
の増加につながる。一方、パルスプラズマＣＶＤ法で
は、主な不純物の発生要因となる反応ガスを十分分解す
るためそのガスを間欠供給、その停止期間中に活性な水
素等による不純物の引抜過程を設けることにより、低温
で高純度の膜形成を実現する。この引抜過程において、
分解しにくい反応ガスの分圧ができるだけ小さいこと
が、効率よく不純物を引き抜く上で望ましく、従って、
前記反応ガスの分圧を時間応答性よく制御することが必
要である。そこで、当該ガスの飽和蒸気圧をパルス供給
時の分圧の少なくとも１／５以下にすることにより、前
記反応ガスのパルス供給停止後、その分圧を急速に減少
することができ、効率よく膜中の不純物除去ができる。
【００１６】また、請求項２の発明における薄膜形成法
は、蒸気圧の低い前記ガスとして塩化物を用い、該塩化
物を供給し分解する供給・分解過程と、該塩化物の供給
を停止し該塩化物を捕捉しながらプラズマ中で活性化さ
れた水素により塩素を引き抜く引抜過程とにより成膜を
行ない、残留ガス及び残留水分を低減し、前記塩化物の
分圧の時間変化を適正に設定することにより、Ｏ，Ｃｌ
等の不純物の少ない高品質の膜が形成できる。
は、蒸気圧の低い前記ガスとして塩化物を用い、該塩化
物を供給し分解する供給・分解過程と、該塩化物の供給
を停止し該塩化物を捕捉しながらプラズマ中で活性化さ
れた水素により塩素を引き抜く引抜過程とにより成膜を
行ない、残留ガス及び残留水分を低減し、前記塩化物の
分圧の時間変化を適正に設定することにより、Ｏ，Ｃｌ
等の不純物の少ない高品質の膜が形成できる。
【００１７】また、請求項３の発明における薄膜形成法
は、前記成膜を行なった後に、前記反応ガスの１つとし
て窒素ガスを用い、前記塩化物を供給し分解する供給・
分解過程と、該塩化物の供給を停止し該塩化物を捕捉し
ながらプラズマ中で活性化された水素により塩素を引抜
く引抜および窒化過程とにより窒化物を成膜することに
より、基板上にＣｌ等の不純物の少ない窒化物を含むヘ
テロ構造の多層膜を連続的に形成する。
は、前記成膜を行なった後に、前記反応ガスの１つとし
て窒素ガスを用い、前記塩化物を供給し分解する供給・
分解過程と、該塩化物の供給を停止し該塩化物を捕捉し
ながらプラズマ中で活性化された水素により塩素を引抜
く引抜および窒化過程とにより窒化物を成膜することに
より、基板上にＣｌ等の不純物の少ない窒化物を含むヘ
テロ構造の多層膜を連続的に形成する。
【００１８】また、請求項４の発明における薄膜形成法
は、蒸気圧の低い前記ガスとして塩化物を用い、該塩化
物を低温に維持された前記基板上に付着させる付着過程
と、該塩化物を捕捉あるいは反応室から除去し、該反応
室内に不活性ガスをパルス的に供給しパルスプラズマを
発生させて前記基板の表面を瞬間加熱する加熱過程と、
前記塩化物と異なる反応ガスを供給するとともにパルス
プラズマを発生させ活性化された水素により塩素を引き
抜く引抜過程により成膜することにより、前記基板の表
面で化学反応を生じさせて薄膜を合成するので、該薄膜
の付きまわり性が向上する。
は、蒸気圧の低い前記ガスとして塩化物を用い、該塩化
物を低温に維持された前記基板上に付着させる付着過程
と、該塩化物を捕捉あるいは反応室から除去し、該反応
室内に不活性ガスをパルス的に供給しパルスプラズマを
発生させて前記基板の表面を瞬間加熱する加熱過程と、
前記塩化物と異なる反応ガスを供給するとともにパルス
プラズマを発生させ活性化された水素により塩素を引き
抜く引抜過程により成膜することにより、前記基板の表
面で化学反応を生じさせて薄膜を合成するので、該薄膜
の付きまわり性が向上する。
【００１９】また、請求項５の発明における薄膜形成装
置は、一対の前記電極の外側に設けられ蒸気圧の低い前
記反応ガスを捕捉する捕捉手段と、該捕捉手段に設けら
れ該捕捉手段の温度を制御する温度制御手段とを備えた
ことにより、反応室内の圧力を大きく乱すことなく、か
つ時間応答性よく、蒸気圧の低い前記反応ガスの分圧を
制御する。
置は、一対の前記電極の外側に設けられ蒸気圧の低い前
記反応ガスを捕捉する捕捉手段と、該捕捉手段に設けら
れ該捕捉手段の温度を制御する温度制御手段とを備えた
ことにより、反応室内の圧力を大きく乱すことなく、か
つ時間応答性よく、蒸気圧の低い前記反応ガスの分圧を
制御する。
【００２０】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１において、２１，２２は反応室１７内に対向
配置された一対の容量性放電電極、２３は放電電極２
１，２２の外側に設けられた円弧板状のトラップ（捕捉
手段）、２４はトラップ２３を低温に保ための冷却管
（温度制御手段）、２５〜２７は反応ガスを反応室１７
内に供給するガス管（反応ガス供給管）、２８は電気信
号によりパルス的に開閉するピエゾバルブ、２９はバッ
ファタンク、３０は流量計、３１は周期、パルス幅、振
幅が可変のパルスＲＦ電源、３２は整合回路、３３は冷
却管、３４はヒーターである。
する。図１において、２１，２２は反応室１７内に対向
配置された一対の容量性放電電極、２３は放電電極２
１，２２の外側に設けられた円弧板状のトラップ（捕捉
手段）、２４はトラップ２３を低温に保ための冷却管
（温度制御手段）、２５〜２７は反応ガスを反応室１７
内に供給するガス管（反応ガス供給管）、２８は電気信
号によりパルス的に開閉するピエゾバルブ、２９はバッ
ファタンク、３０は流量計、３１は周期、パルス幅、振
幅が可変のパルスＲＦ電源、３２は整合回路、３３は冷
却管、３４はヒーターである。
【００２１】トラップ２３は、反応ガスの供給及び排気
に適するように、円筒が周方向に等しく４分割されてお
り、放電に影響を与えない様、石英、窒化ホウ素（Ｂ
Ｎ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の絶縁物により構成され
ている。このトラップ２３は、少なくとも電極２１，２
２の外周より外側に設置する必要がある。また冷却管２
４内を流動する冷媒としては、冷水、液体窒素等が好適
である。
に適するように、円筒が周方向に等しく４分割されてお
り、放電に影響を与えない様、石英、窒化ホウ素（Ｂ
Ｎ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の絶縁物により構成され
ている。このトラップ２３は、少なくとも電極２１，２
２の外周より外側に設置する必要がある。また冷却管２
４内を流動する冷媒としては、冷水、液体窒素等が好適
である。
【００２２】図２は反応ガス供給装置を示す構成図であ
り、図２において、４１は反応ガスを液化しないように
加熱するヒーター、４２〜４４はバルブ、４５は常温で
液体の原料、４６は恒温槽、４７はヒーターである。こ
の装置は、原料４５を気化させ、反応ガスとして反応室
１７内に供給するもので、バルブ４２〜４４を制御する
ことによりＨ2 等のキャリアガスｇｃを原料４５中に供
給して該原料４５の一部を気化させ、該気化した反応ガ
スｇｒをキャリアガスｇｃに混入した状態で供給する。
り、図２において、４１は反応ガスを液化しないように
加熱するヒーター、４２〜４４はバルブ、４５は常温で
液体の原料、４６は恒温槽、４７はヒーターである。こ
の装置は、原料４５を気化させ、反応ガスとして反応室
１７内に供給するもので、バルブ４２〜４４を制御する
ことによりＨ2 等のキャリアガスｇｃを原料４５中に供
給して該原料４５の一部を気化させ、該気化した反応ガ
スｇｒをキャリアガスｇｃに混入した状態で供給する。
【００２３】このパルスプラズマＣＶＤ装置（薄膜形成
装置）の動作について説明する。このパルス放電電源３
１から出力するＲＦ電力は整合回路３２を介し、反応室
１７内に設置された容量性放電電極２１，２２に印加さ
れる。反応ガスｇｒは、ガス管２６に取り付けられた流
量計３０を通してバッファタンク２９に蓄えられた後、
ピエゾバルブ２８を電気信号でパルス的に開閉すること
によりパルス的にガス導入口２６ａから反応室１７内に
供給される。その際、電気信号を操作することにより、
供給する反応ガスｇｒの供給時間およびＲＦ電力に対す
るタイミングを制御する。また、供給装置では、液体原
料４５の入っている恒温槽４６は、ヒーター４７により
加熱し、その原料４５の蒸気圧を制御して、液体原料４
５の供給量を制御している。さらに、蒸気圧の低い反応
ガスｇｒのガス管２６は、管内で反応ガスｇｒが液化し
ないようヒーター４１により加熱しておく必要がある。
装置）の動作について説明する。このパルス放電電源３
１から出力するＲＦ電力は整合回路３２を介し、反応室
１７内に設置された容量性放電電極２１，２２に印加さ
れる。反応ガスｇｒは、ガス管２６に取り付けられた流
量計３０を通してバッファタンク２９に蓄えられた後、
ピエゾバルブ２８を電気信号でパルス的に開閉すること
によりパルス的にガス導入口２６ａから反応室１７内に
供給される。その際、電気信号を操作することにより、
供給する反応ガスｇｒの供給時間およびＲＦ電力に対す
るタイミングを制御する。また、供給装置では、液体原
料４５の入っている恒温槽４６は、ヒーター４７により
加熱し、その原料４５の蒸気圧を制御して、液体原料４
５の供給量を制御している。さらに、蒸気圧の低い反応
ガスｇｒのガス管２６は、管内で反応ガスｇｒが液化し
ないようヒーター４１により加熱しておく必要がある。
【００２４】このパルスプラズマＣＶＤ装置によれば、
蒸気圧の低い反応ガスｇｒは供給後即座にトラップ２３
に捕捉されるため、反応室１７内における反応ガスｇｒ
の分圧制御を、反応室１７内の圧力を大きく乱すことな
く、かつ時間応答性よく、しかも正確に行なうことがで
きる。
蒸気圧の低い反応ガスｇｒは供給後即座にトラップ２３
に捕捉されるため、反応室１７内における反応ガスｇｒ
の分圧制御を、反応室１７内の圧力を大きく乱すことな
く、かつ時間応答性よく、しかも正確に行なうことがで
きる。
【００２５】なお、この実施例では反応室１７内の電極
２１，２２の外側にトラップ２３を設置する構成とした
が、反応室１７の内壁をトラップ１７としてもよい。
２１，２２の外側にトラップ２３を設置する構成とした
が、反応室１７の内壁をトラップ１７としてもよい。
【００２６】実施例２．図３は、この発明の実施例２の
パルスプラズマＣＶＤ装置を示す構成図であり、５１は
トラップ２３を加熱するためのヒーター（温度制御手
段）、５２は反応室１７側壁を加熱するためのヒーター
である。トラップ２３を低温に維持した状態で成膜を行
なうと、蒸気圧の低い反応ガスｇｒはトラップ２３に捕
捉され、その量は次第に増加する。この結果、剥離等の
現象が生じ、この剥離した物質（反応ガスｇｒ）が基板
３に付着すると製品不良の原因となる。そこで、トラッ
プ２３を低温に維持して成膜した後、定期的にトラップ
２３を加熱して、トラップ２３に付着した物質の除去を
行なう。ただしこの際には、反応室１７側壁もヒーター
５２により同時に加熱して反応室１７側壁への前記物質
の再堆積を防止する必要がある。この結果、成膜後トラ
ップ２３を交換することなく成膜が続けられるため、装
置の保守が簡単になり、装置の稼働率が向上した。
パルスプラズマＣＶＤ装置を示す構成図であり、５１は
トラップ２３を加熱するためのヒーター（温度制御手
段）、５２は反応室１７側壁を加熱するためのヒーター
である。トラップ２３を低温に維持した状態で成膜を行
なうと、蒸気圧の低い反応ガスｇｒはトラップ２３に捕
捉され、その量は次第に増加する。この結果、剥離等の
現象が生じ、この剥離した物質（反応ガスｇｒ）が基板
３に付着すると製品不良の原因となる。そこで、トラッ
プ２３を低温に維持して成膜した後、定期的にトラップ
２３を加熱して、トラップ２３に付着した物質の除去を
行なう。ただしこの際には、反応室１７側壁もヒーター
５２により同時に加熱して反応室１７側壁への前記物質
の再堆積を防止する必要がある。この結果、成膜後トラ
ップ２３を交換することなく成膜が続けられるため、装
置の保守が簡単になり、装置の稼働率が向上した。
【００２７】実施例３．図４は、この発明の実施例３の
パルスプラズマＣＶＤ装置を示す構成図であり、５５は
周方向に等しく多分解されたトラップである。ここでは
８個に等分割されている。このようにトラップ５５の分
割数を増加することによって、各トラップ５５の熱容量
が小さくなる。この結果、トラップ５５の温度の均一性
を向上させることができるとともに、その温度設定に要
する時間を短縮させることができる。
パルスプラズマＣＶＤ装置を示す構成図であり、５５は
周方向に等しく多分解されたトラップである。ここでは
８個に等分割されている。このようにトラップ５５の分
割数を増加することによって、各トラップ５５の熱容量
が小さくなる。この結果、トラップ５５の温度の均一性
を向上させることができるとともに、その温度設定に要
する時間を短縮させることができる。
【００２８】実施例４．図５は、この発明の実施例４の
薄膜形成法に用いられるトリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａ：Ａｌ（ＣＨ3 ）3 ）の飽和蒸気圧曲線を示す図であ
る。ＴＭＡ（融点−４５．５℃、沸点１８６．６℃）
は、蒸気圧の低い反応ガスとしてＡｌの薄膜形成に用い
られるものである。この薄膜形成法は、実施例１のパル
スプラズマＣＶＤ装置を用いて行なわれる。この方法で
は、ＴＭＡの飽和蒸気圧がパルス供給時におけるＴＭＡ
の分圧の、例えば１／１０以下になるようにトラップ２
３の温度を制御する。例えば、パルス供給時におけるＴ
ＭＡの分圧が０．１Ｔｏｒｒであれば、２１０Ｋ以下に
維持しておく。
薄膜形成法に用いられるトリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａ：Ａｌ（ＣＨ3 ）3 ）の飽和蒸気圧曲線を示す図であ
る。ＴＭＡ（融点−４５．５℃、沸点１８６．６℃）
は、蒸気圧の低い反応ガスとしてＡｌの薄膜形成に用い
られるものである。この薄膜形成法は、実施例１のパル
スプラズマＣＶＤ装置を用いて行なわれる。この方法で
は、ＴＭＡの飽和蒸気圧がパルス供給時におけるＴＭＡ
の分圧の、例えば１／１０以下になるようにトラップ２
３の温度を制御する。例えば、パルス供給時におけるＴ
ＭＡの分圧が０．１Ｔｏｒｒであれば、２１０Ｋ以下に
維持しておく。
【００２９】図６は、ＴＭＡ以外の反応ガスとして
Ｈ2 、Ａｒを用いた場合のＲＦ電力と各反応ガスの供給
パターンを示している。ＴＭＡを１０〜３００ｓｃｃｍ
のＨ2 キャリアガスを用いて、５〜２５ｍｓ間隔のパル
ス供給をするとともに、他の反応ガスＨ2 、Ａｒも同時
に供給する。ただし、各ガスの供給パルスのパルス幅は
異なってもよい。このＴＭＡの供給パルスの立ち上がり
から、１０〜２０ｍｓほど遅れてパルス幅１００〜１５
０μｓ、ピーク電力４０〜５０ｋＷのＲＦ電力を投入し
てパルスプラズマを発生させる。続いて、ＴＭＡだけ供
給を停止して、上記のＨ2 、Ａｒによるパルスプラズマ
を繰り返す過程を行ない、不純物としてのＣを活性なＨ
を用いて除去する。上記の２つのパターンの繰り返しに
より成膜を進める。この結果、反応室内の残留Ｏを除去
できるとともに、ＴＭＡのパルス供給停止後、ＴＭＡの
分圧は時間応答性よく減少するため不純物Ｃの低減を効
率よく行うことができ、高純度のＡｌ膜を低温で形成す
ることができる。
Ｈ2 、Ａｒを用いた場合のＲＦ電力と各反応ガスの供給
パターンを示している。ＴＭＡを１０〜３００ｓｃｃｍ
のＨ2 キャリアガスを用いて、５〜２５ｍｓ間隔のパル
ス供給をするとともに、他の反応ガスＨ2 、Ａｒも同時
に供給する。ただし、各ガスの供給パルスのパルス幅は
異なってもよい。このＴＭＡの供給パルスの立ち上がり
から、１０〜２０ｍｓほど遅れてパルス幅１００〜１５
０μｓ、ピーク電力４０〜５０ｋＷのＲＦ電力を投入し
てパルスプラズマを発生させる。続いて、ＴＭＡだけ供
給を停止して、上記のＨ2 、Ａｒによるパルスプラズマ
を繰り返す過程を行ない、不純物としてのＣを活性なＨ
を用いて除去する。上記の２つのパターンの繰り返しに
より成膜を進める。この結果、反応室内の残留Ｏを除去
できるとともに、ＴＭＡのパルス供給停止後、ＴＭＡの
分圧は時間応答性よく減少するため不純物Ｃの低減を効
率よく行うことができ、高純度のＡｌ膜を低温で形成す
ることができる。
【００３０】実施例５．図７は、この発明の実施例５の
薄膜形成法のＲＦ電力と各反応ガスの供給パターンを示
す説明図である。この方法では、蒸気圧の低い反応ガス
としてＴＭＡを用い、基板３上にＡｌＮ膜を形成する。
この場合のトラップ２３の温度制御方法は実施例４の方
法と同様である。
薄膜形成法のＲＦ電力と各反応ガスの供給パターンを示
す説明図である。この方法では、蒸気圧の低い反応ガス
としてＴＭＡを用い、基板３上にＡｌＮ膜を形成する。
この場合のトラップ２３の温度制御方法は実施例４の方
法と同様である。
【００３１】この方法によりＡｌＮ膜を形成するには、
まず、ＴＭＡを１０〜３００ｓｃｃｍのＨ2 キャリアガ
スを用いて、５〜２５ｍｓ間隔でパルス供給をするとと
もに、他の反応ガスＮ2 、Ｈ2 、Ａｒも供給する。この
ＴＭＡの供給パルスの立ち上がりから、１０〜２０ｍｓ
ほど遅れてパルス幅１００〜１５０μｓ、ピーク電力４
０〜５０ｋＷのＲＦ電力を投入してパルスプラズマを発
生させる。続いて、ＴＭＡだけ供給を停止して、上記の
Ｎ2 、Ｈ2 、Ａｒによるパルスプラズマを繰り返す過程
を行ない不純物としてのＣを活性なＨを用いて除去する
とともに窒化を行う。上記の２つのパターンの繰り返し
により成膜を進める。この結果、反応室内の残留Ｏを除
去できるとともに、ＴＭＡのパルス供給停止後、ＴＭＡ
の分圧は時間応答性よく減少するため不純物Ｃの低減を
効率よく行うことができ、高純度のＡｌＮ膜を低温で形
成することができる。
まず、ＴＭＡを１０〜３００ｓｃｃｍのＨ2 キャリアガ
スを用いて、５〜２５ｍｓ間隔でパルス供給をするとと
もに、他の反応ガスＮ2 、Ｈ2 、Ａｒも供給する。この
ＴＭＡの供給パルスの立ち上がりから、１０〜２０ｍｓ
ほど遅れてパルス幅１００〜１５０μｓ、ピーク電力４
０〜５０ｋＷのＲＦ電力を投入してパルスプラズマを発
生させる。続いて、ＴＭＡだけ供給を停止して、上記の
Ｎ2 、Ｈ2 、Ａｒによるパルスプラズマを繰り返す過程
を行ない不純物としてのＣを活性なＨを用いて除去する
とともに窒化を行う。上記の２つのパターンの繰り返し
により成膜を進める。この結果、反応室内の残留Ｏを除
去できるとともに、ＴＭＡのパルス供給停止後、ＴＭＡ
の分圧は時間応答性よく減少するため不純物Ｃの低減を
効率よく行うことができ、高純度のＡｌＮ膜を低温で形
成することができる。
【００３２】実施例６．図８は、この発明の実施例６の
薄膜形成法に用いられる塩化チタン（IV）（ＴｉＣ
ｌ4 ）の飽和蒸気圧曲線を示す図である。ＴｌＣｌ
4 （IV）（融点−２３℃、沸点１３６．４℃）は、蒸気
圧の低い反応ガスとしてＴｉの薄膜形成に用いられるも
のである。この方法では、ＴｉＣｌ4 の飽和蒸気圧がパ
ルス供給時におけるＴｉＣｌ4 の分圧の、例えば１／１
０以下になるようにトラップ２３の温度を制御する。例
えば、パルス供給時におけるＴｉＣｌ4 の分圧がが０．
１Ｔｏｒｒであれば、２１０Ｋ以下に維持しておく。
薄膜形成法に用いられる塩化チタン（IV）（ＴｉＣ
ｌ4 ）の飽和蒸気圧曲線を示す図である。ＴｌＣｌ
4 （IV）（融点−２３℃、沸点１３６．４℃）は、蒸気
圧の低い反応ガスとしてＴｉの薄膜形成に用いられるも
のである。この方法では、ＴｉＣｌ4 の飽和蒸気圧がパ
ルス供給時におけるＴｉＣｌ4 の分圧の、例えば１／１
０以下になるようにトラップ２３の温度を制御する。例
えば、パルス供給時におけるＴｉＣｌ4 の分圧がが０．
１Ｔｏｒｒであれば、２１０Ｋ以下に維持しておく。
【００３３】図９は、ＴｉＣｌ4 以外の反応ガスとして
Ｈ2 、Ａｒを用いた場合のＲＦ電力と各反応ガスの供給
パターンを示している。ＴｉＣｌ4 を１０〜３００ｓｃ
ｃｍのＨ2 キャリアガスを用いて、５〜２５ｍｓ間隔で
パルス供給をするとともに、他の反応ガスＨ2 、Ａｒも
供給する。このＴｉＣｌ4 の供給パルスの立ち上がりか
ら、１０〜２０ｍｓほど遅れてパルス幅１００〜１５０
μｓ、ピーク電力４０〜５０ｋＷのＲＦ電力を投入して
パルスプラズマを発生させる。続いて、ＴｉＣｌ4 だけ
供給を停止して、上記のＨ2 、Ａｒによるパルスプラズ
マを繰り返す過程を行ない、不純物としてのＣｌをＨを
用いて除去する。上記の２つのパターンの繰り返しによ
り成膜を進める。この結果、反応室内の残留Ｏの除去で
きるともにＴｉＣｌ4 のパルス供給後、ＴｉＣｌ4 の分
圧は時間応答性よく減少するため不純物としてのＣｌの
低減を行なうことができ、高純度のＴｉ膜を低温で形成
することができる。
Ｈ2 、Ａｒを用いた場合のＲＦ電力と各反応ガスの供給
パターンを示している。ＴｉＣｌ4 を１０〜３００ｓｃ
ｃｍのＨ2 キャリアガスを用いて、５〜２５ｍｓ間隔で
パルス供給をするとともに、他の反応ガスＨ2 、Ａｒも
供給する。このＴｉＣｌ4 の供給パルスの立ち上がりか
ら、１０〜２０ｍｓほど遅れてパルス幅１００〜１５０
μｓ、ピーク電力４０〜５０ｋＷのＲＦ電力を投入して
パルスプラズマを発生させる。続いて、ＴｉＣｌ4 だけ
供給を停止して、上記のＨ2 、Ａｒによるパルスプラズ
マを繰り返す過程を行ない、不純物としてのＣｌをＨを
用いて除去する。上記の２つのパターンの繰り返しによ
り成膜を進める。この結果、反応室内の残留Ｏの除去で
きるともにＴｉＣｌ4 のパルス供給後、ＴｉＣｌ4 の分
圧は時間応答性よく減少するため不純物としてのＣｌの
低減を行なうことができ、高純度のＴｉ膜を低温で形成
することができる。
【００３４】実施例７．図１０は、この発明の実施例７
の薄膜形成法のＲＦ電力と各反応ガスの供給パターンを
示す説明図である。この方法では、Ｔｉ膜上に連続して
ＴｉＮ膜を形成する。ここでは、トラップ２３の温度は
実施例６と同様に制御を行ない、反応ガスとしては、Ｔ
ｉＣｌ4 の他にＨ2 、Ｎ2 、Ａｒを用いる。まず、Ｔｉ
Ｃｌ4 を１０〜３００ｓｃｃｍのＨ2 キャリアガスを用
いて、５〜２５ｍｓ間隔でパルス供給をするとともに、
Ｈ2、Ａｒも同時に供給する。このＴｉＣｌ4 の供給パ
ルスの立ち上がりから、１０〜２０ｍｓほど遅れてパル
ス幅１００〜１５０μｓ、ピーク電力４０〜５０ｋＷの
ＲＦ電力を投入してパルスプラズマを発生させる。続い
て、ＴｉＣｌ4 だけ供給を停止して、上記のＨ2 、Ａｒ
によるパルスプラズマを繰り返す過程を行ない、不純物
としてのＣｌを活性なＨを用いて除去する。上記の２つ
のパターンの繰り返しによりＴｉ膜を形成する。こうし
て２０〜１００ｎｍのＴｉ膜を形成した後、さらに
Ｈ2 、ＡｒとともにＮ2 も同時に供給して、上記のパル
スパターンを繰り返すことにより、ＴｉＮ膜を上記Ｔｉ
膜上に連続的に成膜する。この結果、反応室内の残留Ｏ
の除去できるともにＴｉＣｌ4 のパルス供給後、ＴｉＣ
ｌ4 の分圧は時間応答性よく減少するため不純物として
のＣｌの低減を行なうことができたうえ、同一反応室１
７内でＴｉ膜上に連続してＴｉＮ膜を形成することがで
き、高純度のＴｉＮ／Ｔｉ構造膜を低温で容易に形成す
ることができる。
の薄膜形成法のＲＦ電力と各反応ガスの供給パターンを
示す説明図である。この方法では、Ｔｉ膜上に連続して
ＴｉＮ膜を形成する。ここでは、トラップ２３の温度は
実施例６と同様に制御を行ない、反応ガスとしては、Ｔ
ｉＣｌ4 の他にＨ2 、Ｎ2 、Ａｒを用いる。まず、Ｔｉ
Ｃｌ4 を１０〜３００ｓｃｃｍのＨ2 キャリアガスを用
いて、５〜２５ｍｓ間隔でパルス供給をするとともに、
Ｈ2、Ａｒも同時に供給する。このＴｉＣｌ4 の供給パ
ルスの立ち上がりから、１０〜２０ｍｓほど遅れてパル
ス幅１００〜１５０μｓ、ピーク電力４０〜５０ｋＷの
ＲＦ電力を投入してパルスプラズマを発生させる。続い
て、ＴｉＣｌ4 だけ供給を停止して、上記のＨ2 、Ａｒ
によるパルスプラズマを繰り返す過程を行ない、不純物
としてのＣｌを活性なＨを用いて除去する。上記の２つ
のパターンの繰り返しによりＴｉ膜を形成する。こうし
て２０〜１００ｎｍのＴｉ膜を形成した後、さらに
Ｈ2 、ＡｒとともにＮ2 も同時に供給して、上記のパル
スパターンを繰り返すことにより、ＴｉＮ膜を上記Ｔｉ
膜上に連続的に成膜する。この結果、反応室内の残留Ｏ
の除去できるともにＴｉＣｌ4 のパルス供給後、ＴｉＣ
ｌ4 の分圧は時間応答性よく減少するため不純物として
のＣｌの低減を行なうことができたうえ、同一反応室１
７内でＴｉ膜上に連続してＴｉＮ膜を形成することがで
き、高純度のＴｉＮ／Ｔｉ構造膜を低温で容易に形成す
ることができる。
【００３５】実施例８．図１１は、この発明の実施例８
の薄膜形成法のＲＦ電力と各反応ガスの供給パターンを
示す説明図である。この方法では、蒸気圧の低い反応ガ
スとしてＴｉＣｌ4 を用い、Ｔｉ膜を形成する。ここで
も、ＴｉＣｌ4 の飽和蒸気圧がパルス供給時におけるＴ
ｉＣｌ4 の分圧の、例えば１／１０以下になるようにト
ラップ２３の温度を制御する。例えば、パルス供給時に
おけるＴｉＣｌ4 の分圧が０．１Ｔｏｒｒであれば、２
１０Ｋ以下に維持しておく。また、基板３の温度も１７
３〜２９３Ｋに保持する。
の薄膜形成法のＲＦ電力と各反応ガスの供給パターンを
示す説明図である。この方法では、蒸気圧の低い反応ガ
スとしてＴｉＣｌ4 を用い、Ｔｉ膜を形成する。ここで
も、ＴｉＣｌ4 の飽和蒸気圧がパルス供給時におけるＴ
ｉＣｌ4 の分圧の、例えば１／１０以下になるようにト
ラップ２３の温度を制御する。例えば、パルス供給時に
おけるＴｉＣｌ4 の分圧が０．１Ｔｏｒｒであれば、２
１０Ｋ以下に維持しておく。また、基板３の温度も１７
３〜２９３Ｋに保持する。
【００３６】この方法では、まず、ＴｉＣｌ4 を１０〜
３００ｓｃｃｍのＨ2 キャリアガスを用いて、５〜２５
ｍｓ間隔でパルス供給し、低温に保持した基板３上に付
着させる。この後、ＴｉＣｌ4 の供給を停止し、このＴ
ｉＣｌ4 を捕捉して反応室１７内での分圧を十分小さく
して、不活性ガス、例えばＡｒを５〜２５ｍｓ間だけパ
ルス供給する。このＡｒの供給パルスの立ち上がりか
ら、１０〜２０ｍｓほど遅れてパルス幅１００〜１５０
μｓ、ピーク電力４０〜５０ｋＷのＲＦ電力を投入して
パルスプラズマを発生させ、基板３の表面を瞬間加熱す
る。このＡｒのパルスプラズマを１〜２パルス発生さ
せ、基板３の表面に分子間力で形成される数層のＴｉＣ
ｌ4 を形成する。続いて、Ｈ2 も加えてパルス供給し、
Ｈ2 、Ａｒのパルスプラズマを発生させる。このＨ2 、
Ａｒのパルスプラズマを１０〜３０パルス発生させ、不
純物としてのＣｌを活性なＨを用いて除去する反応を基
板３の表面で発生させる。十分にＣｌを除去した後、再
度、ＴｉＣｌ4 を供給し、上記のパターンを繰り返すこ
とにより成膜を進める。この結果、不純物が少なく付き
まわり性のよいＴｉ膜を低温で形成することができる。
３００ｓｃｃｍのＨ2 キャリアガスを用いて、５〜２５
ｍｓ間隔でパルス供給し、低温に保持した基板３上に付
着させる。この後、ＴｉＣｌ4 の供給を停止し、このＴ
ｉＣｌ4 を捕捉して反応室１７内での分圧を十分小さく
して、不活性ガス、例えばＡｒを５〜２５ｍｓ間だけパ
ルス供給する。このＡｒの供給パルスの立ち上がりか
ら、１０〜２０ｍｓほど遅れてパルス幅１００〜１５０
μｓ、ピーク電力４０〜５０ｋＷのＲＦ電力を投入して
パルスプラズマを発生させ、基板３の表面を瞬間加熱す
る。このＡｒのパルスプラズマを１〜２パルス発生さ
せ、基板３の表面に分子間力で形成される数層のＴｉＣ
ｌ4 を形成する。続いて、Ｈ2 も加えてパルス供給し、
Ｈ2 、Ａｒのパルスプラズマを発生させる。このＨ2 、
Ａｒのパルスプラズマを１０〜３０パルス発生させ、不
純物としてのＣｌを活性なＨを用いて除去する反応を基
板３の表面で発生させる。十分にＣｌを除去した後、再
度、ＴｉＣｌ4 を供給し、上記のパターンを繰り返すこ
とにより成膜を進める。この結果、不純物が少なく付き
まわり性のよいＴｉ膜を低温で形成することができる。
【００３７】実施例９．図１２は、この発明の実施例９
の薄膜形成法のＲＦ電力と各反応ガスの供給パターンを
示す説明図である。この方法では、蒸気圧の低い反応ガ
スとしてＴｉＣＬ4 を用い、ＴｉＮ膜を形成する。ここ
でも、ＴｉＣｌ4 の飽和蒸気圧がパルス供給時における
ＴｉＣｌ4 の分圧の、例えば１／１０以下になるように
トラップ２３の温度を制御する。例えば、パルス供給時
におけるＴｉＣｌ4 の分圧が０．１Ｔｏｒｒであれば、
２１０Ｋ以下に維持しておく。また、基板３の温度も１
７３〜２９３Ｋに保持する。
の薄膜形成法のＲＦ電力と各反応ガスの供給パターンを
示す説明図である。この方法では、蒸気圧の低い反応ガ
スとしてＴｉＣＬ4 を用い、ＴｉＮ膜を形成する。ここ
でも、ＴｉＣｌ4 の飽和蒸気圧がパルス供給時における
ＴｉＣｌ4 の分圧の、例えば１／１０以下になるように
トラップ２３の温度を制御する。例えば、パルス供給時
におけるＴｉＣｌ4 の分圧が０．１Ｔｏｒｒであれば、
２１０Ｋ以下に維持しておく。また、基板３の温度も１
７３〜２９３Ｋに保持する。
【００３８】この方法では、まず、ＴｉＣｌ4 を１０〜
３００ｓｃｃｍのＨ2 キャリアガスを用いて、５〜２５
ｍｓ間隔でパルス供給し、低温に保持した基板３上に付
着させる。この後、ＴｉＣｌ4 の供給を停止し、このＴ
ｉＣｌ4 を捕捉して反応室１７内での分圧を十分小さく
して、不活性ガス、例えばＡｒを５〜２５ｍｓ間だけパ
ルス供給する。このＡｒの供給パルスの立ち上がりか
ら、１０〜２０ｍｓほど遅れてパルス幅１００〜１５０
μｓ、ピーク電力４０〜５０ｋＷのＲＦ電力を投入して
パルスプラズマを発生させ、基板３の表面を瞬間加熱す
る。このＡｒのパルスプラズマを１〜２パルス発生さ
せ、基板３の表面に分子間力で残る数層のＴｉＣｌ4 を
形成する。続いて、Ｎ2 、Ｈ2 も加えてパルス供給し、
Ｎ2 、Ｈ2 、Ａｒのパルスプラズマを発生させる。この
Ｎ2 、Ｈ2 、Ａｒのパルスプラズマを１０〜３０パルス
発生させ、不純物としてのＣｌを活性なＨを用いて除去
する反応および窒化反応を基板３の表面で発生させる。
十分にＣｌを除去した後、再度、ＴｉＣｌ4 を供給し、
上記のパターンを繰り返すことにより成膜を進める。こ
の結果、不純物が少なく付きまわり性のよいＴｉＮ膜を
低温で形成することができる。
３００ｓｃｃｍのＨ2 キャリアガスを用いて、５〜２５
ｍｓ間隔でパルス供給し、低温に保持した基板３上に付
着させる。この後、ＴｉＣｌ4 の供給を停止し、このＴ
ｉＣｌ4 を捕捉して反応室１７内での分圧を十分小さく
して、不活性ガス、例えばＡｒを５〜２５ｍｓ間だけパ
ルス供給する。このＡｒの供給パルスの立ち上がりか
ら、１０〜２０ｍｓほど遅れてパルス幅１００〜１５０
μｓ、ピーク電力４０〜５０ｋＷのＲＦ電力を投入して
パルスプラズマを発生させ、基板３の表面を瞬間加熱す
る。このＡｒのパルスプラズマを１〜２パルス発生さ
せ、基板３の表面に分子間力で残る数層のＴｉＣｌ4 を
形成する。続いて、Ｎ2 、Ｈ2 も加えてパルス供給し、
Ｎ2 、Ｈ2 、Ａｒのパルスプラズマを発生させる。この
Ｎ2 、Ｈ2 、Ａｒのパルスプラズマを１０〜３０パルス
発生させ、不純物としてのＣｌを活性なＨを用いて除去
する反応および窒化反応を基板３の表面で発生させる。
十分にＣｌを除去した後、再度、ＴｉＣｌ4 を供給し、
上記のパターンを繰り返すことにより成膜を進める。こ
の結果、不純物が少なく付きまわり性のよいＴｉＮ膜を
低温で形成することができる。
【００３９】実施例１０．図１３は、この発明の実施例
１０の薄膜形成法のＲＦ電力と各反応ガスの供給パター
ンを示す説明図である。この方法では、蒸気圧の低い反
応ガスとしてＴｉＣｌ4 を用い、ＴｉＮ／Ｔｉ構造の薄
膜を形成する。ここでは、基板３としては、例えばホー
ル径０．５μｍ、深さ１．８〜２．０μｍ程度のコンタ
クトホールを用いる。ここでも、ＴｉＣｌ4 の飽和蒸気
圧がパルス供給時におけるＴｉＣｌ4 の分圧の少なくと
も、１／１０以下になるようにトラップ２３の温度を制
御する。例えば、パルス供給時におけるＴｉＣｌ4 の分
圧が０．１Ｔｏｒｒであれば、２１０Ｋ以下に維持して
おく。また、基板３の温度も１７３〜２９３Ｋに保持す
る。
１０の薄膜形成法のＲＦ電力と各反応ガスの供給パター
ンを示す説明図である。この方法では、蒸気圧の低い反
応ガスとしてＴｉＣｌ4 を用い、ＴｉＮ／Ｔｉ構造の薄
膜を形成する。ここでは、基板３としては、例えばホー
ル径０．５μｍ、深さ１．８〜２．０μｍ程度のコンタ
クトホールを用いる。ここでも、ＴｉＣｌ4 の飽和蒸気
圧がパルス供給時におけるＴｉＣｌ4 の分圧の少なくと
も、１／１０以下になるようにトラップ２３の温度を制
御する。例えば、パルス供給時におけるＴｉＣｌ4 の分
圧が０．１Ｔｏｒｒであれば、２１０Ｋ以下に維持して
おく。また、基板３の温度も１７３〜２９３Ｋに保持す
る。
【００４０】この方法では、まず、ＴｉＣｌ4 を１０〜
３００ｓｃｃｍのＨ2 キャリアガスを用いて、５〜２５
ｍｓ間隔でパルス供給し、低温に保持した基板３上に付
着させる。この後、ＴｉＣｌ4 の供給を停止し、このＴ
ｉＣｌ4 を捕捉して反応室１７内での分圧を十分小さく
して、不活性ガス、例えばＡｒを５〜２５ｍｓ間だけパ
ルス供給する。このＡｒの供給パルスの立ち上がりか
ら、１０〜２０ｍｓほど遅れてパルス幅１００〜１５０
μｓ、ピーク電力４０〜５０ｋＷのＲＦ電力を投入して
パルスプラズマを発生させ、基板３の表面を瞬間加熱す
る。このＡｒのパルスプラズマを１〜２パルス発生さ
せ、基板３の表面に分子間力で残る数層のＴｉＣｌ4 を
形成する。
３００ｓｃｃｍのＨ2 キャリアガスを用いて、５〜２５
ｍｓ間隔でパルス供給し、低温に保持した基板３上に付
着させる。この後、ＴｉＣｌ4 の供給を停止し、このＴ
ｉＣｌ4 を捕捉して反応室１７内での分圧を十分小さく
して、不活性ガス、例えばＡｒを５〜２５ｍｓ間だけパ
ルス供給する。このＡｒの供給パルスの立ち上がりか
ら、１０〜２０ｍｓほど遅れてパルス幅１００〜１５０
μｓ、ピーク電力４０〜５０ｋＷのＲＦ電力を投入して
パルスプラズマを発生させ、基板３の表面を瞬間加熱す
る。このＡｒのパルスプラズマを１〜２パルス発生さ
せ、基板３の表面に分子間力で残る数層のＴｉＣｌ4 を
形成する。
【００４１】続いて、Ｈ2 も加えてパルス供給し、
Ｈ2 、Ａｒのパルスプラズマを発生させる。このＨ2 、
Ａｒのパルスプラズマを１０〜３０パルス発生させ、不
純物としてのＣｌを活性なＨを用いて除去する反応を基
板３表面で発生させる。十分にＣｌを除去した後、再
度、ＴｉＣｌ4 を供給し、上記のパターンを繰り返すこ
とにより２０〜５０ｎｍ程度のＴｉ膜を形成する。その
後、連続してＨ2 と同時にＮ2 もパルス供給し、Ｔｉ膜
上にＴｉＮ膜を５０〜１００ｎｍ程度形成する。この結
果、ホール径の０．５μｍ、深さ１．８〜２．０μｍ程
度のコンタクトホールに、付きまわり性のよい高純度の
ＴｉＮ／Ｔｉ構造の薄膜を低温で形成することができ
る。
Ｈ2 、Ａｒのパルスプラズマを発生させる。このＨ2 、
Ａｒのパルスプラズマを１０〜３０パルス発生させ、不
純物としてのＣｌを活性なＨを用いて除去する反応を基
板３表面で発生させる。十分にＣｌを除去した後、再
度、ＴｉＣｌ4 を供給し、上記のパターンを繰り返すこ
とにより２０〜５０ｎｍ程度のＴｉ膜を形成する。その
後、連続してＨ2 と同時にＮ2 もパルス供給し、Ｔｉ膜
上にＴｉＮ膜を５０〜１００ｎｍ程度形成する。この結
果、ホール径の０．５μｍ、深さ１．８〜２．０μｍ程
度のコンタクトホールに、付きまわり性のよい高純度の
ＴｉＮ／Ｔｉ構造の薄膜を低温で形成することができ
る。
【００４２】
【発明の効果】以上のように、この請求項１の発明によ
れば、前記反応ガスの１つとして蒸気圧の低いガスを用
い、当該ガスの飽和蒸気圧がパルス供給時における当該
ガスの分圧のパルス供給時における当該ガスの分圧の１
／５以下になるように、当該ガスを捕捉しつつ成膜を行
なうように構成したので、残留ガス及び残留水分を低減
することができ、蒸気圧の低い前記ガスの分圧の時間変
化を適正に設定することができ、したがって成膜された
薄膜に含まれる不純物を取り除くことができ、不純物の
少ない高品質の薄膜を得ることができる。
れば、前記反応ガスの１つとして蒸気圧の低いガスを用
い、当該ガスの飽和蒸気圧がパルス供給時における当該
ガスの分圧のパルス供給時における当該ガスの分圧の１
／５以下になるように、当該ガスを捕捉しつつ成膜を行
なうように構成したので、残留ガス及び残留水分を低減
することができ、蒸気圧の低い前記ガスの分圧の時間変
化を適正に設定することができ、したがって成膜された
薄膜に含まれる不純物を取り除くことができ、不純物の
少ない高品質の薄膜を得ることができる。
【００４３】また、請求項２の発明によれば、蒸気圧の
低い前記ガスとして塩化物を用い、該塩化物を供給し分
解する供給・分解過程と、該塩化物の供給を停止し該塩
化物を捕捉しながらプラズマ中で活性化された水素によ
り塩素を引き抜く引抜過程とにより成膜を行なうように
構成し、残留ガス及び残留水分を低減し、前記塩化物の
分圧を適正に設定できるようにしたので、Ｃｌ，Ｏ等の
不純物の少ない高品質の膜形成ができる。
低い前記ガスとして塩化物を用い、該塩化物を供給し分
解する供給・分解過程と、該塩化物の供給を停止し該塩
化物を捕捉しながらプラズマ中で活性化された水素によ
り塩素を引き抜く引抜過程とにより成膜を行なうように
構成し、残留ガス及び残留水分を低減し、前記塩化物の
分圧を適正に設定できるようにしたので、Ｃｌ，Ｏ等の
不純物の少ない高品質の膜形成ができる。
【００４４】また、請求項３の発明によれば、前記成膜
を行なった後に、前記反応ガスの１つとして窒素ガスを
用い、前記塩化物を供給し分解する供給分解過程と、該
塩化物の供給を停止しプラズマ中で活性化された水素に
より塩素を引き抜く引抜および窒化過程とにより窒化物
を成膜するように構成したので、基板上に窒化物を含む
ヘテロ構造の多層膜を連続的に形成することができる。
さらに、成膜手順を簡単化することができ、装置の構造
も簡単にすることができ、スループットを向上させるこ
とができる。
を行なった後に、前記反応ガスの１つとして窒素ガスを
用い、前記塩化物を供給し分解する供給分解過程と、該
塩化物の供給を停止しプラズマ中で活性化された水素に
より塩素を引き抜く引抜および窒化過程とにより窒化物
を成膜するように構成したので、基板上に窒化物を含む
ヘテロ構造の多層膜を連続的に形成することができる。
さらに、成膜手順を簡単化することができ、装置の構造
も簡単にすることができ、スループットを向上させるこ
とができる。
【００４５】また、請求項４の発明によれば、蒸気圧の
低い前記ガスとして塩化物を用い、該塩化物を低温に維
持された前記基板上に付着させる付着過程と、該塩化物
を捕捉あるいは反応室から除去し、該反応室内に不活性
ガスをパルス的に供給しパルスプラズマを発生させて前
記基板の表面を瞬間加熱する加熱過程と、前記塩化物と
異なる反応ガスを供給するとともにパルスプラズマを発
生させ活性化された水素により塩素を引き抜く引抜過程
とにより成膜するように構成したので、前記基板の表面
で化学反応を生じさせて薄膜を合成することができ、該
薄膜の付きまわり性を向上させることができる。
低い前記ガスとして塩化物を用い、該塩化物を低温に維
持された前記基板上に付着させる付着過程と、該塩化物
を捕捉あるいは反応室から除去し、該反応室内に不活性
ガスをパルス的に供給しパルスプラズマを発生させて前
記基板の表面を瞬間加熱する加熱過程と、前記塩化物と
異なる反応ガスを供給するとともにパルスプラズマを発
生させ活性化された水素により塩素を引き抜く引抜過程
とにより成膜するように構成したので、前記基板の表面
で化学反応を生じさせて薄膜を合成することができ、該
薄膜の付きまわり性を向上させることができる。
【００４６】また、請求項５の発明によれば、一対の前
記電極の外側に設けられ蒸気圧の低い前記反応ガスを捕
捉する捕捉手段と、該捕捉手段に設けられ該捕捉手段の
温度を制御する温度制御手段とを備えるように構成した
ので、反応室内の圧力を大きく乱すことなく、かつ時間
応答性よく、蒸気圧の低い前記反応ガスの分圧を制御す
ることができる。したがって、不純物の極めて少ない高
品質の薄膜を成膜することができる。
記電極の外側に設けられ蒸気圧の低い前記反応ガスを捕
捉する捕捉手段と、該捕捉手段に設けられ該捕捉手段の
温度を制御する温度制御手段とを備えるように構成した
ので、反応室内の圧力を大きく乱すことなく、かつ時間
応答性よく、蒸気圧の低い前記反応ガスの分圧を制御す
ることができる。したがって、不純物の極めて少ない高
品質の薄膜を成膜することができる。
【図１】この発明の実施例１のパルスプラズマＣＶＤ装
置を示す構成図である。
置を示す構成図である。
【図２】この発明の実施例１の反応ガス供給装置を示す
構成図である。
構成図である。
【図３】この発明の実施例２のパルスプラズマＣＶＤ装
置を示す構成図である。
置を示す構成図である。
【図４】この発明の実施例３のパルスプラズマＣＶＤ装
置を示す構成図である。
置を示す構成図である。
【図５】この発明の実施例４の薄膜形成法に用いられる
ＴＭＡの飽和蒸気圧曲線を示す図である。
ＴＭＡの飽和蒸気圧曲線を示す図である。
【図６】この発明の実施例４の薄膜形成法のＲＦ電力と
各反応ガスの供給パターンを示す説明図である。
各反応ガスの供給パターンを示す説明図である。
【図７】この発明の実施例５の薄膜形成法のＲＦ電力と
各反応ガスの供給パターンを示す説明図である。
各反応ガスの供給パターンを示す説明図である。
【図８】この発明の実施例６の薄膜形成法に用いられる
ＴｌＣｌ4 （IV）の飽和蒸気圧曲線を示す図である。
ＴｌＣｌ4 （IV）の飽和蒸気圧曲線を示す図である。
【図９】この発明の実施例６の薄膜形成法のＲＦ電力と
各反応ガスの供給パターンを示す説明図である。
各反応ガスの供給パターンを示す説明図である。
【図１０】この発明の実施例７の薄膜形成法のＲＦ電力
と各反応ガスの供給パターンを示す説明図である。
と各反応ガスの供給パターンを示す説明図である。
【図１１】この発明の実施例８の薄膜形成法のＲＦ電力
と各反応ガスの供給パターンを示す説明図である。
と各反応ガスの供給パターンを示す説明図である。
【図１２】この発明の実施例９の薄膜形成法のＲＦ電力
と各反応ガスの供給パターンを示す説明図である。
と各反応ガスの供給パターンを示す説明図である。
【図１３】この発明の実施例１０の薄膜形成法のＲＦ電
力と各反応ガスの供給パターンを示す説明図である。
力と各反応ガスの供給パターンを示す説明図である。
【図１４】従来のパルスプラズマＣＶＤ法が適用された
薄膜形成装置の概略構成図である。
薄膜形成装置の概略構成図である。
【図１５】従来のパルスプラズマＣＶＤ法におけるＲＦ
電力と各反応ガスの供給パターンを示す説明図である。
電力と各反応ガスの供給パターンを示す説明図である。
【図１６】従来のディジタルＣＶＤ法が適用された薄膜
形成装置の構成図である。
形成装置の構成図である。
１７ 反応室 ２１，２２ 放電電極 ２３ トラップ（捕捉手段） ２４ 冷却管（温度制御手段） ２５〜２７ ガス管（反応ガス供給管） ３１ パルスＲＦ電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−248880（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−118075（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−148654（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−163434（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/08 C23C 16/515 H01L 21/31
Claims (5)
- 【請求項１】 反応室内に薄膜の材料となる反応ガスを
パルス的に供給し、前記反応室内に設置された電極間に
パルス状の放電電圧を印加してプラズマを生成し前記反
応ガスを分解すると共に、前記反応室内に設置された基
板上で化学反応を起こさせ該基板に堆積させる薄膜形成
法において、前記反応ガスの１つとして蒸気圧の低いガ
スを用い、当該ガスの飽和蒸気圧がパルス供給時におけ
る当該ガスの分圧の１／５以下になるようにして、当該
ガスを捕捉しつつ成膜を行なうことを特徴とする薄膜形
成法。 - 【請求項２】 蒸気圧の低い前記ガスとして塩化物を用
い、該塩化物を供給し分解する供給・分解過程と、該塩
化物の供給を停止しプラズマ中で活性化された水素によ
り塩素を引き抜く引抜過程とにより成膜を行なうことを
特徴とする請求項１記載の薄膜形成法。 - 【請求項３】 前記成膜を行なった後に、前記反応ガス
の１つとして窒素ガスを用い、前記塩化物を供給し分解
する供給・分解過程と、該塩化物の供給を停止しプラズ
マ中で活性化された水素により塩素を引き抜く引抜およ
び窒化過程とにより窒化物を成膜することを特徴とする
請求項２記載の薄膜形成法。 - 【請求項４】 蒸気圧の低い前記ガスとして塩化物を用
い、該塩化物を低温に維持された前記基板上に付着させ
る付着過程と、該塩化物を反応室から除去し、該反応室
内に不活性ガスをパルス的に供給しパルスプラズマを発
生させて前記基板の表面を瞬間加熱する加熱過程と、前
記塩化物と異なる反応ガスを供給するとともにパルスプ
ラズマを発生させ活性化された水素により塩素を引き抜
く引抜過程とにより成膜することを特徴とする請求項１
記載の薄膜形成法。 - 【請求項５】 真空排気可能な反応室と、該反応室内に
反応ガスをパルス的に供給する複数の反応ガス供給管
と、前記反応室内に設けられた一対の電極と、これら電
極間にパルス状の放電電圧を印加する電源と、一対の前
記電極の外側に設けられ蒸気圧の低い前記反応ガスを捕
捉する捕捉手段と、該捕捉手段に設けられ該捕捉手段の
温度を制御する温度制御手段とを備えたことを特徴とす
る薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03060894A JP3224469B2 (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 薄膜形成法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03060894A JP3224469B2 (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 薄膜形成法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240379A JPH07240379A (ja) | 1995-09-12 |
| JP3224469B2 true JP3224469B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=12308595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03060894A Expired - Fee Related JP3224469B2 (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 薄膜形成法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3224469B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4791636B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2011-10-12 | 日華化学株式会社 | ハイブリッドパルスプラズマ蒸着装置 |
| JP5088363B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2012-12-05 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 化学気相成長装置、膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| US8808561B2 (en) * | 2011-11-15 | 2014-08-19 | Lam Research Coporation | Inert-dominant pulsing in plasma processing systems |
| JP5921580B2 (ja) * | 2014-01-15 | 2016-05-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
-
1994
- 1994-02-28 JP JP03060894A patent/JP3224469B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07240379A (ja) | 1995-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4994551B2 (ja) | 薄膜を成長させる、改良された装置および方法 | |
| JP4245012B2 (ja) | 処理装置及びこのクリーニング方法 | |
| JP4585692B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP3801730B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置及びそれを用いた薄膜形成方法 | |
| US5650013A (en) | Layer member forming method | |
| US20010029891A1 (en) | Apparatus and method for forming ultra-thin film of semiconductor device | |
| KR100241817B1 (ko) | 박막형성법 | |
| KR19980087180A (ko) | 성막 방법 및 장치 | |
| US5827408A (en) | Method and apparatus for improving the conformality of sputter deposited films | |
| US5510297A (en) | Process for uniform deposition of tungsten silicide on semiconductor wafers by treatment of susceptor having aluminum nitride surface thereon with tungsten silicide after cleaning of susceptor | |
| US8216642B2 (en) | Method of manufacturing film | |
| JP2000223421A (ja) | 成膜方法及びその装置 | |
| KR20220102569A (ko) | 갭 충진 유체를 증착하기 위한 방법 그리고 이와 관련된 시스템 및 장치 | |
| JP3224469B2 (ja) | 薄膜形成法及びその装置 | |
| JPH05315268A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| KR20010104260A (ko) | 화학 증착챔버 내부의 오염물을 제거하기 위한 가스 반응 | |
| JP3529466B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| KR100375834B1 (ko) | 리모트 플라즈마를 이용한 원자층 형성장치의 기체이송장치 | |
| JP3186872B2 (ja) | パルスプラズマｃｖｄによる成膜方法 | |
| JP2002110551A (ja) | 半導体薄膜の形成方法及び装置 | |
| JP2803556B2 (ja) | バリアメタル層の形成方法 | |
| JP2723053B2 (ja) | 薄膜の形成方法およびその装置 | |
| US20020197828A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device and processing a substrate | |
| JP2002064067A (ja) | 化学気相成長を向上させるよう調整されたチャンバ | |
| KR920002169B1 (ko) | 플라즈마 증착방법과 이에 적합한 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070824 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080824 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080824 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090824 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090824 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120824 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |