JPH03223466A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH03223466A JPH03223466A JP1479990A JP1479990A JPH03223466A JP H03223466 A JPH03223466 A JP H03223466A JP 1479990 A JP1479990 A JP 1479990A JP 1479990 A JP1479990 A JP 1479990A JP H03223466 A JPH03223466 A JP H03223466A
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- Japan
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- substrate
- vacuum chamber
- thin film
- rays
- plasma
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- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
F産業上の利用分野]
本発明は薄膜形成装置に関し、ざらに詳しくは、良質な
薄膜を高速で形成する装置に関するものである。
薄膜を高速で形成する装置に関するものである。
[従来の技術およびその課題]
従来、ガスを導入し、RFプラズマで活性化させたガス
の反応物を基板上に堆積させるCVD法による薄膜形成
技術はすでによく知られている。
の反応物を基板上に堆積させるCVD法による薄膜形成
技術はすでによく知られている。
しかしながら、RFプラズマだけではガス中のイオン化
は低く、ラジカルの鰻も少ないので、ラジカル量を増や
すためにはチャンバ内の圧力を高くしなければ十分な蒸
着速度が得られなかった。しかし、それでも広い面積に
膜を合成する場合には、プラズマの発生が難しかったり
、不安定になりやすい等の欠点があり、高速で良質な薄
膜を形成するのは困難であった。
は低く、ラジカルの鰻も少ないので、ラジカル量を増や
すためにはチャンバ内の圧力を高くしなければ十分な蒸
着速度が得られなかった。しかし、それでも広い面積に
膜を合成する場合には、プラズマの発生が難しかったり
、不安定になりやすい等の欠点があり、高速で良質な薄
膜を形成するのは困難であった。
本発明の目的は、高速で、かつ良質な薄膜を形成するこ
とのできる薄膜形成装置を提供することにある。
とのできる薄膜形成装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明は、真空槽内に配置されて基板を載置する基板ホ
ルダと、該基板ホルダの上方の真空槽外部に配置されて
RFプラズマを発生させるRFコイル電極と、前記真空
槽の側面にX線透過窓を介して配置されたX線源とを備
え、該X線源は発生したX線が前記基板直上の領域を照
射するように配置されていることを特徴とする薄膜形成
装置である。
ルダと、該基板ホルダの上方の真空槽外部に配置されて
RFプラズマを発生させるRFコイル電極と、前記真空
槽の側面にX線透過窓を介して配置されたX線源とを備
え、該X線源は発生したX線が前記基板直上の領域を照
射するように配置されていることを特徴とする薄膜形成
装置である。
[作用]
本発明の薄膜形成装置では、真空槽の横方向に配置され
たX線源から発生したX線が基板直上の領域に照射され
る。この結果、真空槽の上部に設けられたRFコイル電
極で発生したプラズマがざらに活性化されるので、良質
かつ高速で薄膜が形成される。
たX線源から発生したX線が基板直上の領域に照射され
る。この結果、真空槽の上部に設けられたRFコイル電
極で発生したプラズマがざらに活性化されるので、良質
かつ高速で薄膜が形成される。
[実施例]
以下、本発明の実施例について説明する。
第1図は本発明の一実施例の薄膜形成装置を示す構成図
である。
である。
装置の真空槽1の内部には加熱ヒータ14が付設された
基板ホルダ2が設けられ、基板3が載置できるようにな
っている。その上方の真空槽外部にはRFコイル電極4
が設けられている。ざらに真空槽1の側面にはX線透過
窓であるBe窓12を介してX線源5が設置されている
。なお、図中6はバルブ、7はX線用電源、8はRF電
源、9はガス導入管、10は真空ポンプ、13はシャッ
タ、15はAC電源である。
基板ホルダ2が設けられ、基板3が載置できるようにな
っている。その上方の真空槽外部にはRFコイル電極4
が設けられている。ざらに真空槽1の側面にはX線透過
窓であるBe窓12を介してX線源5が設置されている
。なお、図中6はバルブ、7はX線用電源、8はRF電
源、9はガス導入管、10は真空ポンプ、13はシャッ
タ、15はAC電源である。
次に、この装置を用い、−例としてダイヤモンド薄膜を
形成する場合について具体的に説明する。
形成する場合について具体的に説明する。
まず、拡散ポンプあるいはターボポンプと油回転ポンプ
を用いて真空槽1内をI X 10−7 Torr以下
まで排気する。基板3をヒータ14で加熱して約500
℃になるように設定し、次に、バルブ6を開いて真空槽
1内に高純度のH2ガスと炭化水素ガスあるいは有機化
合物ガスを導入し、真空槽1内全体の真空度を10TO
rr程度に設定する。この状態でRFコイル電極4に5
00〜1000 WのRF電力を印加してRFプラズマ
を発生させ、同時にX線の電源7を所定の条件に設定し
てX線源5からX線を基板直上の領域に照射して膜を成
長させる。
を用いて真空槽1内をI X 10−7 Torr以下
まで排気する。基板3をヒータ14で加熱して約500
℃になるように設定し、次に、バルブ6を開いて真空槽
1内に高純度のH2ガスと炭化水素ガスあるいは有機化
合物ガスを導入し、真空槽1内全体の真空度を10TO
rr程度に設定する。この状態でRFコイル電極4に5
00〜1000 WのRF電力を印加してRFプラズマ
を発生させ、同時にX線の電源7を所定の条件に設定し
てX線源5からX線を基板直上の領域に照射して膜を成
長させる。
本実施例ではこの状態で約10分間膜形成を行った。こ
のようにして形成されたダイヤモンド膜の膜厚は約1岸
であった。形成された膜をラマン分光法で測定したとこ
ろ、1330 rim−’だけに鋭いピークが得られた
。
のようにして形成されたダイヤモンド膜の膜厚は約1岸
であった。形成された膜をラマン分光法で測定したとこ
ろ、1330 rim−’だけに鋭いピークが得られた
。
また、この膜のビッカース硬度を測定したところ、約1
2000という値が得られた。この値は天然ダイヤモン
ドと同じ値である。また、薄膜の熱伝導率を測定したと
ころ、約200 W/に・CMという値が得られた。こ
れは高圧合成されたダイヤモンドと同じである。このよ
うに、本発明によって低温で良質のダイヤモンド薄膜が
得られることがわかる。
2000という値が得られた。この値は天然ダイヤモン
ドと同じ値である。また、薄膜の熱伝導率を測定したと
ころ、約200 W/に・CMという値が得られた。こ
れは高圧合成されたダイヤモンドと同じである。このよ
うに、本発明によって低温で良質のダイヤモンド薄膜が
得られることがわかる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、RFプラズマと
、基板直上の領域へのX線照射とを組み合わせて、ガス
の活性化を高めることによって、比較的低温で良質な薄
膜を形成することのできる薄膜形成装置が提供される。
、基板直上の領域へのX線照射とを組み合わせて、ガス
の活性化を高めることによって、比較的低温で良質な薄
膜を形成することのできる薄膜形成装置が提供される。
第1図は本発明の一実施例の構成図である。
1・・・真空槽 2・・・基板ホルダ3・・・
基板 4・−RFコイル電極5・・・X線源
6・・・バルブ7・・・X線用電源 8
・−RF電源9・・・ガス導入管 12・・・Be窓 14・・・ヒータ 10・・・真空ポンプ 13・・・シャッタ 15・・・AC電源
基板 4・−RFコイル電極5・・・X線源
6・・・バルブ7・・・X線用電源 8
・−RF電源9・・・ガス導入管 12・・・Be窓 14・・・ヒータ 10・・・真空ポンプ 13・・・シャッタ 15・・・AC電源
Claims (1)
- (1)真空槽内に配置されて基板を載置する基板ホルダ
と、該基板ホルダの上方の真空槽外部に配置されてRF
プラズマを発生させるRFコイル電極と、前記真空槽の
側面にX線透過窓を介して配置されたX線源とを備え、
該X線源は発生したX線が前記基板直上の領域を照射す
るように配置されていることを特徴とする薄膜形成装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1479990A JPH03223466A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1479990A JPH03223466A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03223466A true JPH03223466A (ja) | 1991-10-02 |
Family
ID=11871098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1479990A Pending JPH03223466A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03223466A (ja) |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP1479990A patent/JPH03223466A/ja active Pending
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