JPH07300395A - ダイヤモンド表面吸着水素量の低減方法 - Google Patents
ダイヤモンド表面吸着水素量の低減方法Info
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- JPH07300395A JPH07300395A JP9478894A JP9478894A JPH07300395A JP H07300395 A JPH07300395 A JP H07300395A JP 9478894 A JP9478894 A JP 9478894A JP 9478894 A JP9478894 A JP 9478894A JP H07300395 A JPH07300395 A JP H07300395A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ダイヤモンド表面の吸着水素量を電気
的接続を行う前にダイヤモンド表面に酸化が発生しない
状態で低減させるようにする。 【構成】 電気的接続を行う前に、電子銃８から電子線
９を半導体ダイヤモンド基板２の表面に照射して、酸化
が起らない状態で半導体ダイヤモンド基板２の表面を励
起して吸着水素を低減させる。
的接続を行う前にダイヤモンド表面に酸化が発生しない
状態で低減させるようにする。 【構成】 電気的接続を行う前に、電子銃８から電子線
９を半導体ダイヤモンド基板２の表面に照射して、酸化
が起らない状態で半導体ダイヤモンド基板２の表面を励
起して吸着水素を低減させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ダイヤモンド表
面に金属蒸着等による電気的接続を行う前処理として利
用されるダイヤモンド表面吸着水素量の低減方法に関す
る。
面に金属蒸着等による電気的接続を行う前処理として利
用されるダイヤモンド表面吸着水素量の低減方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図２に、従来の気相合成法等によって得
られる薄膜のダイヤモンド単結晶基板の表面吸着水素量
の低減方法を実施する装置を示す。１はガス導入管、２
は薄膜の半導体のダイヤモンド単結晶基板、３は基板ホ
ルダー、４は真空槽、５は真空槽４の真空排気系、６は
真空槽の５内に設けられた基板用加熱ヒーター、７は真
空計である。前記真空槽４内には、前記ガス導入管１よ
り空気または酸素が導入されると共に、基板ホルダー３
に置かれたダイヤモンド単結晶基板２が配置され、ダイ
ヤモンド単結晶基板２が前記基板加熱用ヒーター６で加
熱されるようになっている。
られる薄膜のダイヤモンド単結晶基板の表面吸着水素量
の低減方法を実施する装置を示す。１はガス導入管、２
は薄膜の半導体のダイヤモンド単結晶基板、３は基板ホ
ルダー、４は真空槽、５は真空槽４の真空排気系、６は
真空槽の５内に設けられた基板用加熱ヒーター、７は真
空計である。前記真空槽４内には、前記ガス導入管１よ
り空気または酸素が導入されると共に、基板ホルダー３
に置かれたダイヤモンド単結晶基板２が配置され、ダイ
ヤモンド単結晶基板２が前記基板加熱用ヒーター６で加
熱されるようになっている。
【０００３】この従来の方法では、基板ホルダー３上に
置かれたダイヤモンド単結晶基板２を基板加熱用ヒータ
ー６を用い加熱する。この時、ガス導入管１により空気
または酸素を導入することで、ダイヤモンド単結晶基板
２の表面を酸化する。
置かれたダイヤモンド単結晶基板２を基板加熱用ヒータ
ー６を用い加熱する。この時、ガス導入管１により空気
または酸素を導入することで、ダイヤモンド単結晶基板
２の表面を酸化する。
【０００４】前記従来の技術では、半導体ダイヤモンド
表面に金属蒸着等による電気的接続を行う前に、前記の
ようにダイヤモンド単結晶基板２の表面を酸化して表面
吸着水素を低減する処理を行い、表面吸着水素により引
き起される電気特性の劣化を少なくしている。
表面に金属蒸着等による電気的接続を行う前に、前記の
ようにダイヤモンド単結晶基板２の表面を酸化して表面
吸着水素を低減する処理を行い、表面吸着水素により引
き起される電気特性の劣化を少なくしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の技術では、
ダイヤモンド単結晶基板の表面酸化により表面吸着水素
による電気特性の劣化は少なくなるが、酸化されたダイ
ヤモンド表面を用い電気的接続を行うため、本来ダイヤ
モンド表面と金属の持つ電気特性は得られていない。
ダイヤモンド単結晶基板の表面酸化により表面吸着水素
による電気特性の劣化は少なくなるが、酸化されたダイ
ヤモンド表面を用い電気的接続を行うため、本来ダイヤ
モンド表面と金属の持つ電気特性は得られていない。
【０００６】本発明では、半導体ダイヤモンド表面に金
属蒸着等による電気的接続を行う前に、ダイヤモンド表
面を酸化することなしに表面吸着水素量を低減すること
ができるダイヤモンド表面吸着水素量の低減方法を提供
しようとするものである。
属蒸着等による電気的接続を行う前に、ダイヤモンド表
面を酸化することなしに表面吸着水素量を低減すること
ができるダイヤモンド表面吸着水素量の低減方法を提供
しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のダイヤモンド表
面吸着水素量の低減方法は、半導体ダイヤモンド表面に
電気的接続を行う前に、電子線を前記ダイヤモンド表面
に照射して前記ダイヤモンド表面に吸着された水素量を
低減することを特徴とする。
面吸着水素量の低減方法は、半導体ダイヤモンド表面に
電気的接続を行う前に、電子線を前記ダイヤモンド表面
に照射して前記ダイヤモンド表面に吸着された水素量を
低減することを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明では、半導体ダイヤモンド表面に金属蒸
着等による電気的接続を行う前に、前記ダイヤモンド表
面に電子線が照射される。これによって、前記ダイヤモ
ンド表面が、酸化されることなく励起され、酸化を生ず
ることなくダイヤモンド表面に吸着された水素量が低減
される。
着等による電気的接続を行う前に、前記ダイヤモンド表
面に電子線が照射される。これによって、前記ダイヤモ
ンド表面が、酸化されることなく励起され、酸化を生ず
ることなくダイヤモンド表面に吸着された水素量が低減
される。
【０００９】
【実施例】本発明の一実施例を、図１によって説明す
る。図１において、符号１〜７に示される部分は図２に
おけると同様であるので、その説明を省略する。
る。図１において、符号１〜７に示される部分は図２に
おけると同様であるので、その説明を省略する。
【００１０】８は電子線９を半導体のダイヤモンド単結
晶基板２に照射するように真空槽４の側壁に設けられた
電子銃、１１は基板ホルダー３に接続された電流計であ
る。また、図２に示されるガス導入管１は省略されてい
る。
晶基板２に照射するように真空槽４の側壁に設けられた
電子銃、１１は基板ホルダー３に接続された電流計であ
る。また、図２に示されるガス導入管１は省略されてい
る。
【００１１】本実施例では、真空槽４内を真空排気系５
により１×１０-10 Ｔｏｒｒ以下に真空排気する。この
真空中において、薄膜のダイヤモンド単結晶基板２を基
板加熱用ヒーター６を用いて１８００℃に加熱する。こ
れによって、ダイヤモンド単結晶基板２の吸着不純物を
取り除き清浄化された表面が得られる。次いで、電子銃
８によって電子線９をダイヤモンド単結晶基板２に照射
する。これによって、ダイヤモンド単結晶基板２は酸化
されることなく励起され、酸化を伴うことなしにその表
面に吸着された水素量を低減することができる。
により１×１０-10 Ｔｏｒｒ以下に真空排気する。この
真空中において、薄膜のダイヤモンド単結晶基板２を基
板加熱用ヒーター６を用いて１８００℃に加熱する。こ
れによって、ダイヤモンド単結晶基板２の吸着不純物を
取り除き清浄化された表面が得られる。次いで、電子銃
８によって電子線９をダイヤモンド単結晶基板２に照射
する。これによって、ダイヤモンド単結晶基板２は酸化
されることなく励起され、酸化を伴うことなしにその表
面に吸着された水素量を低減することができる。
【００１２】なお、本実施例において、ダイヤモンド単
結晶基板２の吸着不純物が少ない場合には、基板加熱用
ヒーター６による加熱を省略することができる。
結晶基板２の吸着不純物が少ない場合には、基板加熱用
ヒーター６による加熱を省略することができる。
【００１３】本発明の効果を検討するために、図１に示
す装置によって通常の表面吸着水素量を持ったダイヤモ
ンド単結晶基板の表面に照射する電子線量を増加した場
合の表面吸着水素量の減小について実験を行った。電子
線照射は、加速電圧１ｋＶで行い、電子線量は電子線を
金属製の基板ホルダー３に照射した場合の電流量を電流
計１１で測定することによって見積った。得られた結果
を図３に示す。図３に示すように、電子線照射によって
ダイヤモンド単結晶基板の表面吸着水素量が４０％程度
と著しく低減されることが確められた。なお、加速電圧
を０．５〜数１０ｋＶにしても、同程度の結果を得るこ
とができることを確認した。
す装置によって通常の表面吸着水素量を持ったダイヤモ
ンド単結晶基板の表面に照射する電子線量を増加した場
合の表面吸着水素量の減小について実験を行った。電子
線照射は、加速電圧１ｋＶで行い、電子線量は電子線を
金属製の基板ホルダー３に照射した場合の電流量を電流
計１１で測定することによって見積った。得られた結果
を図３に示す。図３に示すように、電子線照射によって
ダイヤモンド単結晶基板の表面吸着水素量が４０％程度
と著しく低減されることが確められた。なお、加速電圧
を０．５〜数１０ｋＶにしても、同程度の結果を得るこ
とができることを確認した。
【００１４】
【発明の効果】本発明では、電子線を半導体ダイヤモン
ド表面に照射することによって、電気的接続を行う前に
同表面に吸着された水素量を効果的に低減させることが
できる。
ド表面に照射することによって、電気的接続を行う前に
同表面に吸着された水素量を効果的に低減させることが
できる。
【図１】本発明の一実施例を実施する装置の説明図であ
る。
る。
【図２】従来の薄膜のダイヤモンド単結晶基板の表面吸
着水素量の低減方法を実施する装置の説明図である。
着水素量の低減方法を実施する装置の説明図である。
【図３】ダイヤモンド単結晶基板の表面吸着水素量と電
子線照射量との関係を示すグラフである。
子線照射量との関係を示すグラフである。
１ ガス導入管 ２ ダイヤモンド単結晶基板 ３ 基板ホルダー ４ 真空槽 ５ 真空排気系 ６ 基板加熱ヒーター ７ 真空計 ８ 電子銃 ９ 電子線 １１ 電流計
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ダイヤモンド表面に電気的接続を
行う前に、電子線を前記ダイヤモンド表面に照射して前
記ダイヤモンド表面に吸着された水素量を低減させるこ
とを特徴とするダイヤモンド表面吸着水素量の低減方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09478894A JP3212442B2 (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | ダイヤモンド表面吸着水素量の低減方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09478894A JP3212442B2 (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | ダイヤモンド表面吸着水素量の低減方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07300395A true JPH07300395A (ja) | 1995-11-14 |
| JP3212442B2 JP3212442B2 (ja) | 2001-09-25 |
Family
ID=14119827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09478894A Expired - Fee Related JP3212442B2 (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | ダイヤモンド表面吸着水素量の低減方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3212442B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4821409A (en) * | 1981-10-26 | 1989-04-18 | Burndy Corporation | Electrical connection apparatus for flat conductor cables and similar articles |
| US4833775A (en) * | 1981-10-26 | 1989-05-30 | Burndy Corporation | Electrical connection apparatus for flat conductor cables and similar articles |
| JPH10269983A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Toyota Gakuen | 走査プロトン顕微鏡 |
| EP1036863A4 (en) * | 1998-07-07 | 2002-11-27 | Japan Science & Tech Corp | METHOD FOR PRODUCING DIAMONDS OF THE N-TYPE WITH LOW RESISTANCE |
-
1994
- 1994-05-09 JP JP09478894A patent/JP3212442B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4821409A (en) * | 1981-10-26 | 1989-04-18 | Burndy Corporation | Electrical connection apparatus for flat conductor cables and similar articles |
| US4833775A (en) * | 1981-10-26 | 1989-05-30 | Burndy Corporation | Electrical connection apparatus for flat conductor cables and similar articles |
| JPH10269983A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Toyota Gakuen | 走査プロトン顕微鏡 |
| EP1036863A4 (en) * | 1998-07-07 | 2002-11-27 | Japan Science & Tech Corp | METHOD FOR PRODUCING DIAMONDS OF THE N-TYPE WITH LOW RESISTANCE |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3212442B2 (ja) | 2001-09-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010612 |
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