JPS58101421A - 堆積膜の製造装置 - Google Patents
堆積膜の製造装置Info
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- JPS58101421A JPS58101421A JP56199612A JP19961281A JPS58101421A JP S58101421 A JPS58101421 A JP S58101421A JP 56199612 A JP56199612 A JP 56199612A JP 19961281 A JP19961281 A JP 19961281A JP S58101421 A JPS58101421 A JP S58101421A
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- JP
- Japan
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- deposited
- substrate
- heater
- silicon compound
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発−は減圧下に於いて堆積膜を作成する堆積膜ＯＩＩ
造装置に関し、殊にダルー放電等の放電エネルギーを利
用して、例えば光導電膜、半導体膜、無機絶縁膜或いは
有機樹脂を形成するに有効な堆積膜の製造装置に関する
。
造装置に関し、殊にダルー放電等の放電エネルギーを利
用して、例えば光導電膜、半導体膜、無機絶縁膜或いは
有機樹脂を形成するに有効な堆積膜の製造装置に関する
。
堆積膜形成用のガスを減圧し得る堆積室内に導入し放電
によるプラズマ現象を利用して所定の基板上に所望０＠
性を有する膜を形成しようとする場合、基板上に未堆積
の化学種かあシ、この化学種が製造装置内壁面に付着し
、黴ｆｌＩ車を形威すゐ。
によるプラズマ現象を利用して所定の基板上に所望０＠
性を有する膜を形成しようとする場合、基板上に未堆積
の化学種かあシ、この化学種が製造装置内壁面に付着し
、黴ｆｌＩ車を形威すゐ。
この微粉末が、膜作製時に基板上に付着し、基板上に形
成され九膜の特性を低下させる。その上排気外内にこの
微粉末が流入し、排気系の排気能力の低下を招＜、また
同−装置で次に膜を作製する場合に膜作製装置内の微粉
末を除去する必要が生ずる。これらのことが、放電エネ
ルギー又は放電エネルギーと熱エネルギーで膜を作製す
る方式の工業化における問題点となっている。
成され九膜の特性を低下させる。その上排気外内にこの
微粉末が流入し、排気系の排気能力の低下を招＜、また
同−装置で次に膜を作製する場合に膜作製装置内の微粉
末を除去する必要が生ずる。これらのことが、放電エネ
ルギー又は放電エネルギーと熱エネルギーで膜を作製す
る方式の工業化における問題点となっている。
例えば、８１Ｈ４ガスをグロー放電エネルギーで分解し
、加熱し九基板上にアモルファス水素化シリコン（ａ−
８１：Ｈ）膜を形成する場合、温度の低い膜製造装置内
壁面に、粉末状シリコン化合物が形成される。この粉末
状シリコン化合物が、基板上に付着し、ａ −８１：Ｈ
Ｉ［０４Ｉ性を低下させる。
、加熱し九基板上にアモルファス水素化シリコン（ａ−
８１：Ｈ）膜を形成する場合、温度の低い膜製造装置内
壁面に、粉末状シリコン化合物が形成される。この粉末
状シリコン化合物が、基板上に付着し、ａ −８１：Ｈ
Ｉ［０４Ｉ性を低下させる。
特に電子写真用感光体として用い石場合には、ａ −８
１：Ｈ膜を１０μ鍋以上の犀さにする丸め、多量のＢ量
Ｈ４ｆスを消費し、多量の粉末状シリコン化合物が形成
される。そのため、粉末状シリコン化合物による＊ −
８１：Ｈ膜の電子写真的特性Ｏ低下が著しい。又ａ−８
１：Ｈ膜の堆積後に、粉末状シリコン化合物の除去が必
要となシ、更に排気系内に粉末状シリコン化合物が流入
し、排気系の排気能力が低下するなど、これらは工業的
にａ −８１：Ｈ膜を作製する上で大きな問題となる。
１：Ｈ膜を１０μ鍋以上の犀さにする丸め、多量のＢ量
Ｈ４ｆスを消費し、多量の粉末状シリコン化合物が形成
される。そのため、粉末状シリコン化合物による＊ −
８１：Ｈ膜の電子写真的特性Ｏ低下が著しい。又ａ−８
１：Ｈ膜の堆積後に、粉末状シリコン化合物の除去が必
要となシ、更に排気系内に粉末状シリコン化合物が流入
し、排気系の排気能力が低下するなど、これらは工業的
にａ −８１：Ｈ膜を作製する上で大きな問題となる。
本発明は斯かる点に鑑み成されたものであって、品質的
にも均一である良好な特性を有する堆積膜を微粉末の影
響を受けずに製造する装置を、提供することに本発明の
目的がある。
にも均一である良好な特性を有する堆積膜を微粉末の影
響を受けずに製造する装置を、提供することに本発明の
目的がある。
本発明は減圧にし得る室内に堆積膜形成用の原料ガスを
導入し、該原料ガスを放電エネルギー又は放電エネルギ
ーと熱エネルギーとで分解して基板上に堆積膜を形成す
る膜製造装置において、膜製造装置内壁に、同内壁面加
熱用ヒーターを設けたことを特徴とするものであシ、こ
のヒーターによシ内壁面をある一定温度以上に加熱し、
基板上に未堆積の化学種を、膜製造装置内壁面に、基板
上に堆積した膜と類似の剥離しにくい膜として形成させ
、基板上に未堆積の化学種が、膜製造装置内壁面で粉末
状シリコン化合物を形成することを防止することを％像
とすゐものである。
導入し、該原料ガスを放電エネルギー又は放電エネルギ
ーと熱エネルギーとで分解して基板上に堆積膜を形成す
る膜製造装置において、膜製造装置内壁に、同内壁面加
熱用ヒーターを設けたことを特徴とするものであシ、こ
のヒーターによシ内壁面をある一定温度以上に加熱し、
基板上に未堆積の化学種を、膜製造装置内壁面に、基板
上に堆積した膜と類似の剥離しにくい膜として形成させ
、基板上に未堆積の化学種が、膜製造装置内壁面で粉末
状シリコン化合物を形成することを防止することを％像
とすゐものである。
本発明の製造装置に従えば従来法に較べて粉末状シリコ
ン化合物の影響が少なく、電子写真用感光体として特性
の優れたａ−８１：Ｈ膜が作製でき、又膜製造装置内壁
の粉末状シリコン化合物の除去作業は不要となシ更に排
気系の排気能力の低下を招かないで膜の堆積を有利に行
うことができる。
ン化合物の影響が少なく、電子写真用感光体として特性
の優れたａ−８１：Ｈ膜が作製でき、又膜製造装置内壁
の粉末状シリコン化合物の除去作業は不要となシ更に排
気系の排気能力の低下を招かないで膜の堆積を有利に行
うことができる。
このような点から本発明の堆積膜の製造装置はマスグロ
ダクトに極めて適しておシ堆積膜の製造を有利にするも
のである。
ダクトに極めて適しておシ堆積膜の製造を有利にするも
のである。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
尚、以下の例では煩雑さを避けるためにａ−８１：Ｈ膜
の製造装置に就て述べるが本発明は斯かるａ −８１：
Ｈ膜の製造装置のみに限定されるものではなく、膜形成
用の原料ガスが放電エネルギーと熱エネルギーとで分解
し得るものであれば有効に適用できるものである。
の製造装置に就て述べるが本発明は斯かるａ −８１：
Ｈ膜の製造装置のみに限定されるものではなく、膜形成
用の原料ガスが放電エネルギーと熱エネルギーとで分解
し得るものであれば有効に適用できるものである。
実施例１
図面は、本発明の実施例装置の構成を説明するための模
式的説明図である。
式的説明図である。
図に於いて、１０１は減圧にし得る堆積室である。堆積
室１０１内には、堆積膜を形成するための基板１０５と
該基板１０５を加熱する大めの基板加熱手段１０７とを
支持するための支持台１１０がベースグレート１１１上
に固設されて設けである。ベースグレート１１１の下方
には、メインパルグ１１２の開放によって、堆積室１０
１内を不図示の排気装置によって排気して所定の真空度
にする様に開口１１３が設けである。１１４はリークパ
ルプであって、堆積ｗ１０１内を徐々に大気圧に戻す際
に使用される。
室１０１内には、堆積膜を形成するための基板１０５と
該基板１０５を加熱する大めの基板加熱手段１０７とを
支持するための支持台１１０がベースグレート１１１上
に固設されて設けである。ベースグレート１１１の下方
には、メインパルグ１１２の開放によって、堆積室１０
１内を不図示の排気装置によって排気して所定の真空度
にする様に開口１１３が設けである。１１４はリークパ
ルプであって、堆積ｗ１０１内を徐々に大気圧に戻す際
に使用される。
基板加熱手段１０７と基板１０５との間には堆積室１０
１内にグロー放電を引起こさせるための一方の電極１０
４−１が設けられ、他方の電１極１０４−２は、電極１
０４−１に対向する様に堆積室１０１の上方に設けられ
る。
１内にグロー放電を引起こさせるための一方の電極１０
４−１が設けられ、他方の電１極１０４−２は、電極１
０４−１に対向する様に堆積室１０１の上方に設けられ
る。
図の装置に於いては、電極１０４−１はアースに接地さ
れ、電極１０４−２には、マツチング回路１０２を介し
て高周波電源１０３が接続されである。
れ、電極１０４−２には、マツチング回路１０２を介し
て高周波電源１０３が接続されである。
堆積室１０１の外ＩＩＫは堆積膜形成用の原料ガスをオ
リジンとして生じた化学種が粉末状シリコン化合物を形
成することを防ぐための加熱ヒータ１０８が設けてあり
、該加熱ヒータ１０Ｂには、電源１０９が接続されであ
る。
リジンとして生じた化学種が粉末状シリコン化合物を形
成することを防ぐための加熱ヒータ１０８が設けてあり
、該加熱ヒータ１０Ｂには、電源１０９が接続されであ
る。
堆積＠１０１の上部位には、原料ガスと必要に応じて導
入されるキャリアガスを導入するためのガス導入管１１
５が連結されており、ガス導入管１１５の上流側は、各
々のガス、例えば堆積膜形成用の原料ガスとキャリアガ
スの各々を供給すゐガス供給がンペ（不図示）に接続さ
れる分枝管１１６＝１．１１６−２が設けである。これ
等の分枝管は、図に於いては、２本しか示されていない
が、勿論、供給ガスが３種以上の場合には、３本以上設
けられるものである。
入されるキャリアガスを導入するためのガス導入管１１
５が連結されており、ガス導入管１１５の上流側は、各
々のガス、例えば堆積膜形成用の原料ガスとキャリアガ
スの各々を供給すゐガス供給がンペ（不図示）に接続さ
れる分枝管１１６＝１．１１６−２が設けである。これ
等の分枝管は、図に於いては、２本しか示されていない
が、勿論、供給ガスが３種以上の場合には、３本以上設
けられるものである。
１１７．１１８−１．１１８−２は各々ガス流量調整用
の・ぐルブである。１１９は、堆積室１０１内へのガス
流量を測定するためのガス流量針である。
の・ぐルブである。１１９は、堆積室１０１内へのガス
流量を測定するためのガス流量針である。
基板加熱手段１０７は、その中にオイル又は水等の加熱
された微積液体１０６が循環し得る様な構造を有してお
り、外部で循環液体を加熱し、基板１０５の直下に導き
、基板１０５の温度をコントロールする。堆積装置の外
壁に堆積装置全体を加熱する丸めに設置されたヒータ１
０８の材質は例えばタングステン、ニクロム、モリブデ
ン等が用いられる。
された微積液体１０６が循環し得る様な構造を有してお
り、外部で循環液体を加熱し、基板１０５の直下に導き
、基板１０５の温度をコントロールする。堆積装置の外
壁に堆積装置全体を加熱する丸めに設置されたヒータ１
０８の材質は例えばタングステン、ニクロム、モリブデ
ン等が用いられる。
図に示す装置によって堆積膜を形成するには、先ず堆積
室１０１内を所定の真空度までに減圧する。その徒、堆
積室１０１内に堆積膜形成用の原料ガス及び必要に応じ
てキャリアガス或いは、形成される膜中に不純物を導入
するためのドーパントガス等を所定の圧力で導入する。
室１０１内を所定の真空度までに減圧する。その徒、堆
積室１０１内に堆積膜形成用の原料ガス及び必要に応じ
てキャリアガス或いは、形成される膜中に不純物を導入
するためのドーパントガス等を所定の圧力で導入する。
例えば、ａ−８１：Ｈ膜を基板１０５上に形成するので
あれば、８％Ｈ４とＨ２ガス、或いは８１ｎ４ガスとＨ
・ガス、或いは８ ｌ ２Ｈ４とＨ・等が適量比で堆積
室１０１内に導入される。
あれば、８％Ｈ４とＨ２ガス、或いは８１ｎ４ガスとＨ
・ガス、或いは８ ｌ ２Ｈ４とＨ・等が適量比で堆積
室１０１内に導入される。
ａ −８１：Ｈ膜の形成の場合には、ドーパントガスと
しては、例えばＢ２Ｈ４＃ ０Ｍ４． ＮＨ，勢が使用
される。基板１０５は、加熱手段１０７によって予め所
定の適正温度まて加熱しておく。例えばａ−良問様に堆
積装置外壁に取シつけたヒータ１０８によって堆積装置
全体を所定の温度まで加熱しておく例えばｓ −８１：
Ｈ膜の場合には１００℃以上である。
しては、例えばＢ２Ｈ４＃ ０Ｍ４． ＮＨ，勢が使用
される。基板１０５は、加熱手段１０７によって予め所
定の適正温度まて加熱しておく。例えばａ−良問様に堆
積装置外壁に取シつけたヒータ１０８によって堆積装置
全体を所定の温度まで加熱しておく例えばｓ −８１：
Ｈ膜の場合には１００℃以上である。
上記の様な手順で上記条件に各温度真空度などを設定し
、８１Ｈ４５〜４０ ｖｏｌ ％、Ｈ，９５〜６０マｏ
ｌ−の混合ガスを堆積室１０１にガス圧０．１〜２ ｔ
ｏｒｒで、ガス流量０．１〜２１／ｈｒで導入し基板１
０５へａ −８１：Ｈ膜を形成したところ従来法の様に
基板加熱のみでグロー放電を行った場合に較べて粉末状
シリコン化合物はほとんど認められなかった。
、８１Ｈ４５〜４０ ｖｏｌ ％、Ｈ，９５〜６０マｏ
ｌ−の混合ガスを堆積室１０１にガス圧０．１〜２ ｔ
ｏｒｒで、ガス流量０．１〜２１／ｈｒで導入し基板１
０５へａ −８１：Ｈ膜を形成したところ従来法の様に
基板加熱のみでグロー放電を行った場合に較べて粉末状
シリコン化合物はほとんど認められなかった。
又、形成され九ａ −８１：Ｈ膜は光導電特性、及び基
板に対する密着性に優れ、暗抵抗も電子写真用感光体と
して充分使用し得る値を有していた。
板に対する密着性に優れ、暗抵抗も電子写真用感光体と
して充分使用し得る値を有していた。
実施例２
実施例１と同様な膜堆積製造装置において、膜堆積装置
外壁に取りつけた抵抗ヒータ１０８の代シにノ譬イグを
膜堆積装置外壁に接着させノ４イブ内に約２００℃に加
熱したシリコンオイルを微積させて膜堆積装蓋の内壁を
１００℃以上に加熱する構造とし喪。膜作製は実施例１
と同じ条件で行った。膜作製の終了波膜堆積装置内壁Ｋ
ｌｉ粉末状シリコン化合物は認められず、形成され九ａ
−８１：Ｈｊｌｔｊ：電子写真用感光体として必要な
諸電気的特性を有し、ａ−８１：Ｈ表面は、白濁もみら
れず、表面性にも優れていた。
外壁に取りつけた抵抗ヒータ１０８の代シにノ譬イグを
膜堆積装置外壁に接着させノ４イブ内に約２００℃に加
熱したシリコンオイルを微積させて膜堆積装蓋の内壁を
１００℃以上に加熱する構造とし喪。膜作製は実施例１
と同じ条件で行った。膜作製の終了波膜堆積装置内壁Ｋ
ｌｉ粉末状シリコン化合物は認められず、形成され九ａ
−８１：Ｈｊｌｔｊ：電子写真用感光体として必要な
諸電気的特性を有し、ａ−８１：Ｈ表面は、白濁もみら
れず、表面性にも優れていた。
図面は、本発明の実施例装置の構成を説明するための模
式的駁明図である。 １０１・・・堆積室 １０２・・・マツチング
回路１０３・・・高周誤，電源 １０４・・・電極１
０５・・・基板 １０６・・・循環液】０７・
・・加熱手段 １０８・・・ヒータ１０９・・・
ヒータ電源 １１０・・・支持台１１ｌ・・・ペー
スグレー｝ １１２・・・メインパルプ１１３・・・
排気口 １１４・・・リークパルプ１１５・・
・がス導入管 １１６・・・分枝管１１７、１１８・
・・ガス流量訓整
式的駁明図である。 １０１・・・堆積室 １０２・・・マツチング
回路１０３・・・高周誤，電源 １０４・・・電極１
０５・・・基板 １０６・・・循環液】０７・
・・加熱手段 １０８・・・ヒータ１０９・・・
ヒータ電源 １１０・・・支持台１１ｌ・・・ペー
スグレー｝ １１２・・・メインパルプ１１３・・・
排気口 １１４・・・リークパルプ１１５・・
・がス導入管 １１６・・・分枝管１１７、１１８・
・・ガス流量訓整
Claims (1)
- 減圧にし得る堆積室内に堆積膜形成用の原料ガスを導入
し該原料ガスを放電エネルゼー又拡、放電エネルギーと
熱エネルギーとで分層して基板上に堆積膜を形威する堆
積膜製造装置において、装置内壁に１岡内壁加熱用のヒ
ーターを設けえととを特徴とする堆積膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56199612A JPS58101421A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 堆積膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56199612A JPS58101421A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 堆積膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58101421A true JPS58101421A (ja) | 1983-06-16 |
Family
ID=16410748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56199612A Pending JPS58101421A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 堆積膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58101421A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61190943A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Hitachi Ltd | 反応・処理装置内の清浄化および反応・処理用気相物質の純化方法、および反応・処理装置 |
| JPS63273323A (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 膜形成装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53101276A (en) * | 1977-02-16 | 1978-09-04 | Hitachi Ltd | Decompression cvd device |
| JPS5785220A (en) * | 1980-11-18 | 1982-05-27 | Fujitsu Ltd | Plasma cvd device |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP56199612A patent/JPS58101421A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53101276A (en) * | 1977-02-16 | 1978-09-04 | Hitachi Ltd | Decompression cvd device |
| JPS5785220A (en) * | 1980-11-18 | 1982-05-27 | Fujitsu Ltd | Plasma cvd device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61190943A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Hitachi Ltd | 反応・処理装置内の清浄化および反応・処理用気相物質の純化方法、および反応・処理装置 |
| JPH0722127B2 (ja) * | 1985-02-20 | 1995-03-08 | 株式会社日立製作所 | 反応・処理装置内の清浄化および反応・処理用気相物質の純化方法、および反応・処理装置 |
| JPS63273323A (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 膜形成装置 |
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