JPH10312965A

JPH10312965A - プラズマ化学蒸着装置

Info

Publication number: JPH10312965A
Application number: JP12224597A
Authority: JP
Inventors: Shoji Morita; 章二森田; Tatsufumi Aoi; 辰史青井; Kazutaka Uda; 和孝宇田; Masayoshi Murata; 正義村田; Kazuaki Oshima; 一晃大嶋
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 1997-05-13
Filing date: 1997-05-13
Publication date: 1998-11-24

Abstract

(57)【要約】【課題】ヒータ目詰まりによる成膜速度の低減割合を改
善するともに、高品質膜を高成膜速度にて成膜すること
を課題とする。【解決手段】真空容器(1) と、この真空容器(1) に反応
ガスを導入して排出する反応ガス導入管(11)及び排気管
(12)と、前記真空容器(11)内に配置され、上部に基板(1
3)を支持した接地電極(3) と、前記真空容器(1) 内に前
記接地電極(3) と対向するように配置されたプラズマ発
生用電極(2) と、前記プラズマ発生用電極(2) と基板(1
3)との間に設けられた、空隙を有する加熱用ヒータ(14)
と、前記プラズマ発生用電極(2) に接続された、周波数
６０ＭＨｚ以上のプラズマ中のラジカル構成比制御用高
周波電源(4) とを具備することを特徴とするプラズマ化
学蒸着装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ化学蒸着装
置に関し、特にアモルファスシリコン太陽電池、薄膜ト
ランジスタ、光センサ、半導体保護膜など各種電子デバ
イスに使用される大面積薄膜の製造に適用されるプラズ
マ化学蒸着装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、大面積アモルファスシリコン薄膜
を製造するために適用されるプラズマ化学蒸着装置とし
ては、図９に示すものが知られている。図中の付番51は
真空容器であり、該真空容器51内にはプラズマを発生さ
せるための電極52と接地電極53が互いに上下に対向して
配置されている。上側の前記電極52には、高周波電源54
がインピーダンスマッチング回路55、第１の高周波ケー
ブル56及び電力導入端子57を介して接続されている。前
記高周波電源54から前記電極52に例えば１３．５６ＭＨ
ｚの周波数の電力が供給される。下側の前記接地電極53
には、真空容器51及び第２の高周波ケーブル58を介して
アース59に接続されている。前記インピーダンスマッチ
ング回路55の接地側端子は、第３のケーブル60を介して
アース61に接続されている。また、前記インピーダンス
マッチング回路55の接地側端子は、第３の高周波ケーブ
ル62により真空容器51に接続されている。

【０００３】真空容器51内には、流量計を有するボンベ
（図示せず）から反応ガス導入管61を通して、例えばモ
ノシラン等の反応ガスが供給され、真空容器51内のガス
は、排気管62を通して真空ポンプ（図示せず）により排
気される。前記接地電極53上には、基板63が、電極52と
平行に、即ち電極52，接地電極53により発生する電界に
直交するように配置されている。前記基板63の真上に
は、プラズマ中のラジカル（活性種）を加熱するための
メッシュ状（又はワイヤ状）ヒータ64が配置されてい
る。このヒータ64には、ヒータ加熱用交流電源65が接続
されている。

【０００４】こうした構成の装置において薄膜の製造
は、次の通りである。まず、真空ポンプ（図示せず）を
用いて真空容器51内を排気する。その後、反応ガス導入
管61を通して、例えばモノシランと水素との混合ガスを
供給し、真空容器51内の圧力を０．０５〜０．５Ｔｏｒ
ｒに保ち、高周波電源54から電極52，接地電極53間に電
圧を印加する。その結果、上記高周波電源54に電界で、
電極52，接地電極53間にグロー放電プラズマが点火、維
持される。このプラズマにより非晶質薄膜または微結晶
薄膜を形成される。その際、メッシュ状ヒータ64を通電
加熱し、プラズマ中のラジカルを加熱する。また、電極
近傍で発生したプラズマを、メッシュ状ヒータ64により
遮蔽し、短寿命ラジカル（例えば、ＳｉＨ，ＳｉＨ₂ ）
を基板に到着する前に消滅させる。従って、良質膜を形
成する長寿命ラジカル（例えば、ＳｉＨ₃ ）が熱エネル
ギーを有して基板に付着して膜中の未結合手が減少し、
膜低欠陥化が図られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマ化学蒸
着装置において、高品質膜（例えば、Ｃonstant Ｐhoto
-current Ｍehtod による測定で膜欠陥密度１×１０¹⁵
個／ｃｃ未満）を成膜するために、基板と電極の間にラ
ジカルを加熱し、かつ良質膜成膜に寄与する長寿命のラ
ジカルのみを選択的に基板に付着させるための３０〜５
０メッシュ程度のメッシュ状（又はワイヤ状）ヒータ64
が必要であった。このため、以下の課題が生じていた。

【０００６】(1) メッシュ状（又はワイヤ状）ヒータ64
にプラズマ中のラジカルが衝突して非晶質膜として付着
するため、線間が目詰まりし、例えば基板での積算膜厚
が１００μｍ程度で成膜速度が初期の１／２以下まで減
少する。従って、メンテナンス周期が短くなり、実用的
な成膜装置には不向きであった。ａ−Ｓｉ薄膜の連続生
産におけるメッシュの閉塞に伴う成膜速度の低下は、ア
モルファスシリコン太陽電池のように量産化によるコス
トダウンを要求される製品にとって、生産性の低下をも
たらす本質的問題である。

【０００７】(2) メッシュ状（又はワイヤ状）ヒータの
間隔を粗くした場合、成膜速度の増加を図るためにプラ
ズマの密度をある程度高くすると、電極近傍で発生した
プラズマがメッシュの隙間から漏れて成膜基板に直接接
するので、プラズマ遮蔽効果が無くなり、基板表面がプ
ラズマに晒されるため、膜質を悪化させる短寿命のラジ
カルも基板に付着し、膜低欠陥化ができなかった。

【０００８】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、ａ−Ｓｉ薄膜形成方法における課題を解決する
ためになされたもので、ラジカル加熱及びプラズマ隔離
の機能を有しており、低欠陥ａ−Ｓｉ薄膜の形成が可能
で、しかも成膜速度の低下を抑制しえるプラズマ化学蒸
着装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
を解決するために、プラズマ発生用電極と基板との間
に、空隙を有する加熱用ヒータを設けるとともに、プラ
ズマ発生用電極に周波数６０ＭＨｚ以上のプラズマ中の
ラジカル構成比制御用高周波電源、又は高周波電力を間
欠的に供給できるプラズマ中のラジカル構成比制御用高
周波電源を接続することにより、ヒータの目詰まりによ
る成膜速度の低減割合が改善されるとともに、高品質膜
（例えば、Ｃonstant Ｐhoto-current Ｍehtod による
測定で膜欠陥密度１×１０¹⁵個／ｃｃ未満）を高成膜速
度（例えば０．５ｎｍ／ｓ以上）にて成膜できるという
実用的な装置を提供するに至った。

【００１０】即ち、本願第１の発明は、真空容器と、こ
の真空容器に反応ガスを導入して排出する手段と、前記
真空容器内に配置され、上部に基板を支持した接地電極
と、前記真空容器内に前記接地電極と対向するように配
置されたプラズマ発生用電極と、前記プラズマ発生用電
極と基板との間に設けられた、空隙を有する加熱用ヒー
タと、前記プラズマ発生用電極に接続された、周波数６
０ＭＨｚ以上のプラズマ中のラジカル構成比制御用高周
波電源とを具備することを特徴とするプラズマ化学蒸着
装置である。

【００１１】本願第２の発明は、真空容器と、この真空
容器に反応ガスを導入して排出する手段と、前記真空容
器内に配置され、上部に基板を支持した接地電極と、前
記真空容器内に前記接地電極と対向するように配置され
たプラズマ発生用電極と、前記プラズマ発生用電極と基
板との間に設けられた、空隙を有する加熱用ヒータと、
前記プラズマ発生用電極に接続され、該プラズマ発生用
電極に高周波電力を間欠的に供給可能なプラズマ中のラ
ジカル構成比制御用高周波電源とを具備することを特徴
とするプラズマ化学蒸着装置である。

【００１２】第１の発明において、前記プラズマ発生用
電極に接続する高周波電源として、放電周波数６０ＭＨ
ｚ以上２００ＭＨｚ以下の電源が挙げられる。一方、第
２の発明において、前記プラズマ発生用電極に接続する
高周波電源として、変調周波数１００〜１０ＫＨｚ、デ
ューティ｛＝放電ＯＮ時間／（放電ＯＮ時間＋放電ＯＦ
Ｆ時間）｝２０〜８０％の電源が挙げられる。

【００１３】第１，第２の発明において、前記加熱用ヒ
ータは、少なくとも３ｍｍ以上望ましくは５ｍｍ以上の
空隙を有することが好ましい。また、第１，第２の発明
において、前記加熱用ヒータは、少なくとも３ｍｍ以上
望ましくは５ｍｍ以上の空隙を有するとともに、薄膜を
形成する基板と垂直方向に少なくとも５ｍｍ以上の距離
をおいて配置された複数の長尺加熱ヒータ板から構成さ
れていることが好ましい。

【００１４】［作用］プラズマ発生用電極と基板との間
に、空隙を有する加熱用ヒータの空隙を３ｍｍ以上とす
ることにより、ヒータの目詰まりによる成膜速度の低減
割合を改善することができる。この理由は、以下の通り
である。

【００１５】本発明者らは、まず、例えばワイヤ状のヒ
ータに対して、成膜基板での成膜速度に比例した速度で
膜が付着し、ヒータの開口率が低下するモデルにて成膜
速度の低下割合が説明できることを見出した。

【００１６】図５に、基板での積算膜厚１００μｍの場
合の、ワイヤ間隔に対する成膜速度維持割合（＝積算膜
厚１００μｍ後の成膜速度／初期成膜速度）を示す。３
ｍｍ以上の間隔であれば、９０％以上の成膜速度を維持
できることが判る。従って、３ｍｍ以上の間隔とするこ
とにより、ヒータの目詰まりによる成膜速度の低減割合
を改善することができ、実用的に大きなメリットが得ら
れる。

【００１７】また、薄膜を形成する基板と垂直方向に少
なくとも５ｍｍ以上の幅を有するルーバー形状において
は、３０〜５０メッシュのメッシュヒータと同程度にコ
ンダクタンスが小さくなり、膜の低欠陥化に必要なプラ
ズマ遮蔽効果を有する。

【００１８】次に、高品質膜を高成膜速度（例えば０．
５ｎｍ／ｓ）にて成膜できる方法について説明する。単
純にワイヤ間隔を広げるのみで成膜速度の増加（例えば
０．５ｎｍ／ｓ以上）を図ろうとすると、プラズマ密度
の増加に伴いプラズマとヒータとの境界厚さがワイヤ間
隔の１／２よりも小さくなり、プラズマがワイヤ間から
漏れて基板に直接接する状態になる。

【００１９】その結果、電極近傍で発生したプラズマが
メッシュの隙間から漏れて成膜基板に直接接するので、
膜質を悪化させる短寿命のラジカルも基板に付着し、そ
の結果膜低欠陥ができなくなる。

【００２０】そこで、本発明者らは、プラズマがヒータ
の隙間から漏れる状態であっても、次の条件を満足すれ
ば、高品質膜（例えば、Ｃonstant Ｐhoto-current Ｍ
ehtod による測定で膜欠陥密度１×１０¹⁵個／ｃｃ未
満）が成膜可能であることを見出した。それは、基板と
電極の間にヒータを配置してラジカルに熱エネルギーを
与えると同時に、プラズマ生成用の電源として周波数６
０ＭＨｚ以上の高周波電源又は高周波電力を間欠的に供
給できる電源を使用することにより、電極にて生成され
るプラズマを制御して高品質膜に寄与する長寿命ラジカ
ル（例えばＳｉＨ₃ ）を増加させ、逆に膜質を悪化させ
る短寿命ラジカル（例えばＳｉＨ，ＳｉＨ₂ ）を減少さ
せることである。ここで重要な点は、ラジカルへの熱エ
ネルギー供給と、基板に付着するラジカルの構成比制御
が同時に成立しなければならない点にある。

【００２１】まず、図７に、ヒータの表面温度と成膜に
関与するＳｉＨラジカルの回転温度の計測例を示す。Ｓ
ｉＨラジカルの回転温度は、レーザ誘起蛍光法によって
計測した。ＳｉＨラジカルの回転温度はヒータの表面温
度とともに上昇しており、ヒータによって成膜に関与す
るラジカルへ熱エネルギーが供給されていることが確認
できる。

【００２２】次に、図８に、放電ガスとしてＳｉＨ₄ ガ
ス５０ｍＴｏｒｒを選び、従来広く使用されている周波
数１３．５６ＭＨｚの連続放電で生成したプラズマと、
周波数６０ＭＨｚの連続放電、及び１３．５６ＭＨｚを
変調周波数１ｋＨｚ、デューティ｛＝放電ＯＮ時間／
（放電ＯＮ時間＋放電ＯＦＦ時間）｝５０％にて生成
（以下、パルス変調放電と呼ぶ）したプラズマに対する
ＳｉＨ₃ ，ＳｉＨ₂ ，ＳｉＨラジカル密度及び構成比を
計算した結果を示す。

【００２３】従来広く使用されている(a) １３．５６Ｍ
Ｈｚ連続放電と比較して、(b) 周波数６０ＭＨｚの連続
放電、及び(c) １３．５６ＭＨｚのパルス変調放電で
は、ＳｉＨ₃ ラジカルの構成比が増加していると同時に
絶対量もほとんど変わらない、もしくは増加しており、
ラジカル構成比の制御が言い換えると、高品質膜に寄与
する長寿命ラジカル（例えばＳｉＨ₃ ）を増加させ、逆
に膜質を悪化させる短寿命ラジカル（例えば、ＳｉＨ，
ＳｉＨ₂ ）を減少させることが可能であることを示して
いる。即ち、放電周波数が高くなると、プラズマの電子
温度が低下し、ＳｉＨ₃ ラジカルの構成比が増加する傾
向があるが、高すぎると高周波電界による電子の加速が
不充分となり、電離しにくくなるため２００ＭＨｚ程度
が上限となる。また、デューティに関しては経験的に２
０〜８０％の範囲が適用することができる。

【００２４】以上を両立させることにより、高品質膜
（例えば、Ｃonstant Ｐhoto-currentＭehtod による測
定で膜欠陥密度１×１０¹⁵個／ｃｃ未満）を成膜するこ
とができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係るプラ
ズマ化学蒸着装置について図面を参照して説明する。（実施例１）図１を参照する。図中の付番１は真空容器
であり、該真空容器１内にはプラズマを発生させるため
のプラズマ発生用電極２と接地電極３が互いに対向する
ように上下に配置されている。前記プラズマ発生用電極
２には、高周波電源４がインピーダンスマッチング回路
５、第１の高周波ケーブル６及び電力導入端子７を介し
て接続されている。前記高周波電源４から前記プラズマ
発生用電極２に、周波数６０ＮＨｚ以上２００ＭＨｚ以
下の電力が供給される。前記接地電極３は、真空容器１
及び第２の高周波ケーブル８を介してアース９に接続さ
れている。前記インピーダンスマッチング回路５の接地
側端子は、第３の高周波ケーブル10により真空容器１に
接続されている。

【００２６】真空容器１内には、流量計を有するボンベ
（図示せず）から、反応ガス導入管11を通して、例えば
モノシランと水素との混合ガスが供給される。真空容器
１内のガスは、排気管12を通して真空ポンプ（図示せ
ず）により排気される。前記接地電極３上には、基板13
が、プラズマ発生用電極２と平行に、即ちプラズマ発生
用電極２，接地電極３により発生する電界に直交するよ
うに配置されている。前記接地基板３の真上には、プラ
ズマ中のラジカル（活性種）を加熱するためのメッシュ
状（又はワイヤ状）のラジカル加熱用ヒータ14が配置さ
れている。このヒータ14には、ヒータ加熱用交流電源15
が接続されている。

【００２７】こうした構成の化学蒸着装置において、基
板13上に薄膜を形成するには次のように行う。まず、真
空ポンプ（図示せず）を用いて真空容器１内を排気す
る。その後、反応ガス導入管11を通して、例えばモノシ
ランと水素との混合ガスを真空容器１内に供給し、真空
容器１内の圧力を０．０５〜０．５Ｔｏｒｒに保ち、高
周波電源４からプラズマ発生用電極２，接地電極３間に
電圧を印加する。この結果、上記高周波電源４による電
界で、プラズマ発生用電極２，接地電極３間にグロー放
電プラズマが点火、維持される。放電投入電力密度とし
ては０．１〜１．５Ｗ／ｃｍ² である。このプラズマに
より、非晶質又は微結晶薄膜を形成する良質なラジカル
が多く生成される。同時に、ラジカル加熱用ヒータ14を
通電加熱する（例えば表面温度４００℃程度）ことによ
り、ラジカルに熱エネルギーが与えられる。その結果、
基板13の表面に高品質な非晶質又は微結晶薄膜が安定し
て形成される。

【００２８】上記実施例１で重要な点は、ラジカルへの
熱エネルギー供給と、基板に付着するラジカルの構成比
制御が同時に成立しなければならない点にある。図２に
次の(a) 〜(d) の４種類の膜に対して、成膜速度とＣon
stant Ｐhoto-current Ｍethod による測定で求めた膜
欠陥密度の測定値を示す。

【００２９】(a) 従来の狭い間隔（＝０．５ｍｍ程度）
のメッシュ状ヒータを通電加熱（表面温度４００℃程
度）し、かつ従来の高周波電源（周波数１３．５６ＭＨ
ｚ）を用いた連続放電により形成した膜。

【００３０】(b) 間隔の大きなヒータ（間隔５ｍｍ程
度）を通電加熱（表面温度４００℃程度）し、かつ従来
の高周波電源（周波数１３．５６ＭＨｚ）を用いた連続
放電により形成した膜。

【００３１】(c) 間隔の大きなヒータ14を通電加熱せず
室温状態で、かつ周波数６０ＭＨｚの高周波電源４を用
いた連続放電により形成した膜。 (d) 間隔の大きなヒータ14を通電加熱（表面温度４００
℃程度）し、かつ周波数６０ＭＨｚの高周波電源４を用
いた連続放電により形成した膜。

【００３２】この様に、本発明（上記(d) の場合）によ
り、膜欠陥密度３×１０¹⁴個／ｃｃの高品質膜を成膜速
度０．６ｎｍ／ｓという高速度で成膜することができ
た。図３は、積算膜厚に対する成膜速度の変化を相対値
で示したものである。図３には、比較のため、線径５０
μｍで３０メッシュ（メッシュ間隔：約０．５ｍｍ）の
ステンレス製の金網を原料ガス加熱ヒータとして用いた
装置の結果も併せて示す。なお、図３中の（イ）は実施
例１に係る成膜速度の変化を、（ロ）は比較例に係る成
膜変化速度の変化を示す。

【００３３】ステンレス製の金網を原料ガス加熱ヒータ
として用いた比較例では、メッシュの閉塞のため、積算
膜厚の増加とともに成膜速度が低下したのに対し、本実
施例１では、積算膜厚３万ｎｍでも成膜速度の低下は３
％であり、実質的に成膜速度の低下は全く問題にならな
いことが確認された。

【００３４】図４〜図６は、前記ラジカル加熱用ヒータ
14の形状例を示す。即ち、図４は、直径１ｍｍで５ｍｍ
ピッチのワイヤーヒータ型、図５は直径１ｍｍのワイヤ
を５ｍｍピッチで千鳥に２列に配置したワイヤーヒータ
千鳥型、図６は厚さ１ｍｍで薄膜を形成する基板と直角
方向の長さが少なくとも５ｍｍ以上望ましくは１０ｍｍ
前後としたルーバ型である。前記ヒータ14の間隔は、図
７に示す如く少なくとも３ｍｍ以上、望ましくは５ｍｍ
以上が適性である。

【００３５】（実施例２）図６を参照する。但し、本実
施例２に係るプラズマ化学蒸着装置は、図１のそれと比
べ、プラズマ発生用電極２に印加する放電用電源が異な
るのみであり、図１と同部材は同符号を付して説明を省
略し、要部のみを説明する。

【００３６】図中の付番16は、高周波電力（例えば、１
３．５６ＭＨｚ以上２００ＭＨｚ以下）を間欠的に供給
できるパルス変調放電電源である。このパルス変調放電
電源16は、例えば変調周波数１００〜１０ＫＨｚ、デュ
ーティ２０〜８０％である。こうした構成のプラズマ化
学蒸着装置においても、図１の装置と同様、ヒータ目詰
まりによる成膜速度の低減割合が改善されるともに、高
品質膜を高成膜速度にて成膜できる。

【００３７】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ａ
−Ｓｉ薄膜形成方法における課題を解決するためになさ
れたもので、ラジカル加熱及びプラズマ隔離の機能を有
しており、低欠陥ａ−Ｓｉ薄膜の形成が可能で、しかも
成膜速度の低下を抑制しえるプラズマ化学蒸着装置を提
供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係るプラズマ化学蒸着装置
の説明図。

【図２】本発明の実施例１に係るプラズマ化学蒸着装置
における成膜速度と膜欠陥密度との関係を示す特性図。

【図３】本発明の実施例１に係るプラズマ化学蒸着装置
と従来装置による成膜速度の比較を示す特性図。

【図４】本発明に係るプラズマ化学蒸着装置に使用され
るラジカル加熱用ヒータの構造例を示し、図４（Ａ）は
ワイヤヒータ型、図４（Ｂ）はワイヤヒータ千鳥型、図
４（Ｃ）はルーバ型を夫々示す。

【図５】本発明の実施例１のプラズマ化学蒸着装置に係
るラジカル加熱用ヒータの間隔に対する成膜速度維持割
合の結果を示す特性図。

【図６】本発明の実施例２に係るプラズマ化学蒸着装置
の説明図。

【図７】本発明のプラズマ化学蒸着装置におけるヒータ
表面温度とＳｉＨラジカル回転温度との関係を示す特性
図。

【図８】本発明のプラズマ化学蒸着装置における放電様
式とＳｉＨ₃ 、ＳｉＨ₂ 、ＳｉＨラジカル密度計算結果
を示す特性図。

【図９】従来のプラズマＣＶＤ装置の説明図。

【符号の説明】

１…真空容器、２…プラズマ発生用電極、３…接地電極、４…高周波電源、５…インピーダンス整合器、６…第１の高周波ケーブル、７…電力導入端子、８…第２の高周波ケーブル、９…アース、 10…第３の高周波ケーブル、 11…ラジカルガス導入管、 12…排気管、 13…基板、 14…ラジカル加熱用ヒータ、 15…ヒータ加熱用交流電源、 16…パルス変調放電電源。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者村田正義長崎県長崎市深堀町五丁目717番１号三菱重工業株式会社長崎研究所内 (72)発明者大嶋一晃長崎県長崎市飽の浦町１番１号三菱重工業株式会社長崎造船所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空容器と、この真空容器に反応ガスを
導入して排出する手段と、前記真空容器内に配置され、
上部に基板を支持した接地電極と、前記真空容器内に前
記接地電極と対向するように配置されたプラズマ発生用
電極と、前記プラズマ発生用電極と基板との間に設けら
れた、空隙を有する加熱用ヒータと、前記プラズマ発生
用電極に接続された、周波数６０ＭＨｚ以上のプラズマ
中のラジカル構成比制御用高周波電源とを具備すること
を特徴とするプラズマ化学蒸着装置。
【請求項２】真空容器と、この真空容器に反応ガスを
導入して排出する手段と、前記真空容器内に配置され、
上部に基板を支持した接地電極と、前記真空容器内に前
記接地電極と対向するように配置されたプラズマ発生用
電極と、前記プラズマ発生用電極と基板との間に設けら
れた、空隙を有する加熱用ヒータと、前記プラズマ発生
用電極に接続され、該プラズマ発生用電極に高周波電力
を間欠的に供給可能なプラズマ中のラジカル構成比制御
用高周波電源とを具備することを特徴とするプラズマ化
学蒸着装置。
【請求項３】前記加熱用ヒータは、少なくとも３ｍｍ
以上の空隙を有することを特徴とする請求項１又は２記
載のプラズマ化学蒸着装置。
【請求項４】前記加熱用ヒータは、少なくとも３ｍｍ
以上の空隙を有するとともに、前記基板と垂直方向に少
なくとも５ｍｍ以上の距離をおいて配置された複数の長
尺加熱ヒータ板から構成されていることを特徴とする請
求項１又は２記載のプラズマ化学蒸着装置。
【請求項５】前記プラズマ発生用電極に接続する高周
波電源として、放電周波数６０ＭＨｚ以上２００ＭＨｚ
以下の電源を用いることを特徴とする請求項１記載のプ
ラズマ化学蒸着装置。
【請求項６】前記プラズマ発生用電極に接続する高周
波電源として、変調周波数１００〜１０ＫＨｚ、デュー
ティ｛＝放電ＯＮ時間／（放電ＯＮ時間＋放電ＯＦＦ時
間）｝２０〜８０％の電源を用いることを特徴とする請
求項２記載のプラズマ化学蒸着装置。