JPH03187994A - 分子線気相成長装置における基板保持装置 - Google Patents
分子線気相成長装置における基板保持装置Info
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- JPH03187994A JPH03187994A JP32551689A JP32551689A JPH03187994A JP H03187994 A JPH03187994 A JP H03187994A JP 32551689 A JP32551689 A JP 32551689A JP 32551689 A JP32551689 A JP 32551689A JP H03187994 A JPH03187994 A JP H03187994A
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Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は分子線結晶装置における基板保持装置に関する
ものである。
ものである。
分子線結晶成長方法は加熱したエピタキシャル成長用の
基板上に所望のエピタキシャル結晶の構成元素をそれぞ
れの元素の入ったルツボから蒸発させ照射することによ
り結晶を成長させる方法である。
基板上に所望のエピタキシャル結晶の構成元素をそれぞ
れの元素の入ったルツボから蒸発させ照射することによ
り結晶を成長させる方法である。
従って基板温度を均一にすること、加熱されることによ
り発生する炭素や酸素な′どの不純物をできるだけ少な
くすること、加熱による膨張で基板に圧力をかけること
がないことなどが重要である。
り発生する炭素や酸素な′どの不純物をできるだけ少な
くすること、加熱による膨張で基板に圧力をかけること
がないことなどが重要である。
ここにおいて基板を保持する方法としては従来熱変成の
小さいＭｏブロック上に低融点金属であるＩｎを溶かし
Ｉｎの表面張゛力により基板をはりつけるのが一般的で
ある。
小さいＭｏブロック上に低融点金属であるＩｎを溶かし
Ｉｎの表面張゛力により基板をはりつけるのが一般的で
ある。
しかしこのＩｎを用いる方法はＩｎを溶かす際にＩｎが
大気から汚染を受け、またＩｎそのものが加熱により蒸
発し、エピタキシャル結晶中に混入する等の不純物の問
題があり、更に、成長後は裏面に残ったＩｎを酸処理で
除去しなければならず、その際エピタキシャル結晶も酸
により損傷や汚染を受けるという問題がある。このため
最近ではＩｎを用いずに凹部を設けたＭｏブロックに基
板を嵌めこみ上からバネ材で押さえる方法（第４図）或
いは輪で押さえその輪を回転させピンに固定させる（第
５図）または輪をワイヤーでしばり固定する方法（第６
図）などいわゆるＩｎフリーの方法が用いられるように
なって来た。
大気から汚染を受け、またＩｎそのものが加熱により蒸
発し、エピタキシャル結晶中に混入する等の不純物の問
題があり、更に、成長後は裏面に残ったＩｎを酸処理で
除去しなければならず、その際エピタキシャル結晶も酸
により損傷や汚染を受けるという問題がある。このため
最近ではＩｎを用いずに凹部を設けたＭｏブロックに基
板を嵌めこみ上からバネ材で押さえる方法（第４図）或
いは輪で押さえその輪を回転させピンに固定させる（第
５図）または輪をワイヤーでしばり固定する方法（第６
図）などいわゆるＩｎフリーの方法が用いられるように
なって来た。
しかしながらこれらＩｎフリーの方法においてもそれぞ
れの次のような問題がある。バネ材で押さえる方法では
６００°Ｃ以上に加熱するとバネ材がバネとして働かな
くなるため基板の落下又はずれにより温度均一性が損な
われる恐れがある。輪を回転させる方法では加熱による
膨張で輪がゆるんだりする。輪をワイヤーで固定する方
法もワイヤーが膨張してゆるんで基板の落下やずれの問
題がある。
れの次のような問題がある。バネ材で押さえる方法では
６００°Ｃ以上に加熱するとバネ材がバネとして働かな
くなるため基板の落下又はずれにより温度均一性が損な
われる恐れがある。輪を回転させる方法では加熱による
膨張で輪がゆるんだりする。輪をワイヤーで固定する方
法もワイヤーが膨張してゆるんで基板の落下やずれの問
題がある。
本発明は、このようなＩｎフリーの方法の問題点を解決
するべく鋭意検討の結果開発されたものであり、基板取
付は用の凹部を有し、かつ側面周囲に溝を有する基板保
持台と、該漠に嵌合する凸部を有する分割可能な基板支
持リングとからなることを特徴とする分子線結晶装置に
おける基板保持装置である。
するべく鋭意検討の結果開発されたものであり、基板取
付は用の凹部を有し、かつ側面周囲に溝を有する基板保
持台と、該漠に嵌合する凸部を有する分割可能な基板支
持リングとからなることを特徴とする分子線結晶装置に
おける基板保持装置である。
次に本発明の一例を図によって説明する。
ことによって基板を保持する。そして穴４にワイヤ呑を
通して固定する。
通して固定する。
直径７．５ｃｍＸ厚さ６５０−のＧａＡ、ｓ基板をＭｏ
製の基板保持台に嵌めこみＭｏ製の支持リングで固定し
た。これを分子線結晶装置に組み込みＧａとＡｓとの分
子線を照射してエピタキシャル成長を行った。結果はエ
ピタキシャル結晶の落下やずれがなく良好な結果が得ら
れた。
製の基板保持台に嵌めこみＭｏ製の支持リングで固定し
た。これを分子線結晶装置に組み込みＧａとＡｓとの分
子線を照射してエピタキシャル成長を行った。結果はエ
ピタキシャル結晶の落下やずれがなく良好な結果が得ら
れた。
以上述べたように本発明によればＩｎフリーのため汚染
の発生が少なく、かつ簡便蕩確実な基板保持が可能であ
り、工業上顕著な効果を奏するものである。
の発生が少なく、かつ簡便蕩確実な基板保持が可能であ
り、工業上顕著な効果を奏するものである。
第１図は基板保持台と支持リングの見取り図、第２図は
基板を保持した状態の見取り図、第３図は基板を保持し
た状態の断面図、第４図、第５図、第６図は従来の基板
保持例。 ■・・・基板保持台、 ２・・・支持リング、 ３・・
・基箱１図は基板保持台と支持リングの見取り図であり
、第２図は基板を保持した状態の見取り図、第３図は基
板を保持した状態の断面図である。 第１図、第２図、第３図において１は基板保持台、２は
支持リング、３は基板、４は支持リングに設けた穴、５
はワイヤ、６は基板保持台に設けられた溝、７は支持リ
ングに設けられた凸部である。 基板保持台ｌの上面には基板を嵌めこむための凹部が設
けられており、その側面周囲には満６が設けられている
。基板保持台の材質としてはＭＯｌＷ、Ｔｉなどが使用
可能である。 一部支持リング２は分割可能にしておき（図では２分割
）その下部には基板保持台の溝６に嵌合する凸部７が設
けられており上部には基板を保持するための凸部が設け
られている。材質としてはＭｏ、Ｗ、Ｔｉなどを使用す
る。 基板を保持するにあたっては第２図に示すよう板、 ４
・・・支持リングに設けた穴、 訃・・ワイヤ６・・・
基板保持台に設けられた溝、 ７・・・支持リングに設
けられた凸部。
基板を保持した状態の見取り図、第３図は基板を保持し
た状態の断面図、第４図、第５図、第６図は従来の基板
保持例。 ■・・・基板保持台、 ２・・・支持リング、 ３・・
・基箱１図は基板保持台と支持リングの見取り図であり
、第２図は基板を保持した状態の見取り図、第３図は基
板を保持した状態の断面図である。 第１図、第２図、第３図において１は基板保持台、２は
支持リング、３は基板、４は支持リングに設けた穴、５
はワイヤ、６は基板保持台に設けられた溝、７は支持リ
ングに設けられた凸部である。 基板保持台ｌの上面には基板を嵌めこむための凹部が設
けられており、その側面周囲には満６が設けられている
。基板保持台の材質としてはＭＯｌＷ、Ｔｉなどが使用
可能である。 一部支持リング２は分割可能にしておき（図では２分割
）その下部には基板保持台の溝６に嵌合する凸部７が設
けられており上部には基板を保持するための凸部が設け
られている。材質としてはＭｏ、Ｗ、Ｔｉなどを使用す
る。 基板を保持するにあたっては第２図に示すよう板、 ４
・・・支持リングに設けた穴、 訃・・ワイヤ６・・・
基板保持台に設けられた溝、 ７・・・支持リングに設
けられた凸部。
Claims (1)
- 基板取付け用の凹部を有し、かつ側面周囲に溝を有する
基板保持台と該溝に嵌合する凸部を有する分割可能な基
板支持リングとからなることを特徴とする分子線気相成
長装置における基板保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32551689A JPH03187994A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 分子線気相成長装置における基板保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32551689A JPH03187994A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 分子線気相成長装置における基板保持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03187994A true JPH03187994A (ja) | 1991-08-15 |
Family
ID=18177752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32551689A Pending JPH03187994A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 分子線気相成長装置における基板保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03187994A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5609691A (en) * | 1994-11-29 | 1997-03-11 | Nec Corporation | Plasma CVD apparatus for forming a thin film of uniform thickness |
| US6723166B2 (en) | 1999-07-07 | 2004-04-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Seed crystal holder with lateral mount for an SiC seed crystal |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP32551689A patent/JPH03187994A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5609691A (en) * | 1994-11-29 | 1997-03-11 | Nec Corporation | Plasma CVD apparatus for forming a thin film of uniform thickness |
| US6723166B2 (en) | 1999-07-07 | 2004-04-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Seed crystal holder with lateral mount for an SiC seed crystal |
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