JPS6212695A - 坩堝処理方法 - Google Patents
坩堝処理方法Info
- Publication number
- JPS6212695A JPS6212695A JP15320685A JP15320685A JPS6212695A JP S6212695 A JPS6212695 A JP S6212695A JP 15320685 A JP15320685 A JP 15320685A JP 15320685 A JP15320685 A JP 15320685A JP S6212695 A JPS6212695 A JP S6212695A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- crystal
- pbn crucible
- raw material
- pbn
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高圧液体封止法により砒化ガリウム（ＧａＡｓ
）、燐化ガリウム（Ｇａｐ）燐化インジニウム（Ｉｎ
ｐ）等の化合物半導体結晶成長に用いるＰｙｒｏｌｙｔ
ｉｃ Ｊ３ｏｒｏｎ Ｎ１ｔｒｉｄｅ （以後ＰＢ
Ｎと呼ぶ）坩堝の処理方法に関するものである。
）、燐化ガリウム（Ｇａｐ）燐化インジニウム（Ｉｎ
ｐ）等の化合物半導体結晶成長に用いるＰｙｒｏｌｙｔ
ｉｃ Ｊ３ｏｒｏｎ Ｎ１ｔｒｉｄｅ （以後ＰＢ
Ｎと呼ぶ）坩堝の処理方法に関するものである。
一般に化合物半導体材料のＧａＡｓ、Ｇａｐ、Ｉｎｐ等
の融点に２ける蒸気圧高い物質を含む原料を引上げ法で
結晶成長する場合、高圧液体封止法（Ｌｉｇｕｉｄ Ｆ
！ｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ
上人ｄｋＬＥｃ法と呼ぶ）が用いられる。ＬＥＣ法によ
ってＧａＡｓ、Ｇａｐ、Ｉｎｐ等の融点において解離圧
の高い物質を成長する場合、結晶成長時のＡｓ等の蒸発
を押えるため解融ＧａＡｓを融液状の酸化硼素（ＢｚＯ
ｉ）を８おい外側から不活性ガスで加圧しＡｓ等の蒸発
を押えなから羊結晶成長を行なう。
の融点に２ける蒸気圧高い物質を含む原料を引上げ法で
結晶成長する場合、高圧液体封止法（Ｌｉｇｕｉｄ Ｆ
！ｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ
上人ｄｋＬＥｃ法と呼ぶ）が用いられる。ＬＥＣ法によ
ってＧａＡｓ、Ｇａｐ、Ｉｎｐ等の融点において解離圧
の高い物質を成長する場合、結晶成長時のＡｓ等の蒸発
を押えるため解融ＧａＡｓを融液状の酸化硼素（ＢｚＯ
ｉ）を８おい外側から不活性ガスで加圧しＡｓ等の蒸発
を押えなから羊結晶成長を行なう。
半導体デバイスに用いられる結晶例えばＧａＡｓ。
Ｇａｐ、Ｉｎｐ 等は直径の大口径化が進み単結晶の品
質向上、工程上の歩留り向上のためにも均一な直径をし
た結晶が要求される。特にＧａＡｓにおいては高速デバ
イス用として半絶縁性基板で低欠陥、８よび均一性の高
い優れた品質のものが要求されている。
質向上、工程上の歩留り向上のためにも均一な直径をし
た結晶が要求される。特にＧａＡｓにおいては高速デバ
イス用として半絶縁性基板で低欠陥、８よび均一性の高
い優れた品質のものが要求されている。
ＧａＡｓ結晶成長は従来からＰＢＮ坩堝を用いられてい
る。石英坩堝はＳｉの混入が避けられず、ＰＢＮについ
ては不純物の含有量が少なく優れた坩堝材料である。Ｇ
ａと人Ｓを化学量論的組成比１：１で秤量した原料をＰ
ＢＮ坩堝に入れその上に封止剤としてＢ２０１のせる。
る。石英坩堝はＳｉの混入が避けられず、ＰＢＮについ
ては不純物の含有量が少なく優れた坩堝材料である。Ｇ
ａと人Ｓを化学量論的組成比１：１で秤量した原料をＰ
ＢＮ坩堝に入れその上に封止剤としてＢ２０１のせる。
ＰＢＮ坩堝を高庄装置内に挿入し加圧雰囲気中でＧａＡ
ｓ融液を作成し種結晶を鵬液に接触さぜ納品成長を行な
う。成長終了後のＰＢＮ坩堝からＢ２Ｏ３と残留ＧａＡ
ｓ原料を除去するには坩堝全体をメタノールに浸した後
８０℃の温水に浸しヒータで温めながら長い時間前やし
て除去していた。この時Ｂ２Ｏ２除去と同時にＰＢＮ坩
堝の内面が剥離されたてきて肉厚が薄くなってくる。Ｐ
ＢＮ坩堝はＢＮの気相成長により成型されるため肉厚が
不均一になっている。
ｓ融液を作成し種結晶を鵬液に接触さぜ納品成長を行な
う。成長終了後のＰＢＮ坩堝からＢ２Ｏ３と残留ＧａＡ
ｓ原料を除去するには坩堝全体をメタノールに浸した後
８０℃の温水に浸しヒータで温めながら長い時間前やし
て除去していた。この時Ｂ２Ｏ２除去と同時にＰＢＮ坩
堝の内面が剥離されたてきて肉厚が薄くなってくる。Ｐ
ＢＮ坩堝はＢＮの気相成長により成型されるため肉厚が
不均一になっている。
ＰＢＮ坩堝内面の剥離が発生すると成長中に細いＰＢＮ
が浮いてきて単結晶化率を低下させる。ざらにＢ２Ｏ３
と水とが反応するときＢ２Ｏ３が膨張して高価なＰＢＮ
坩堝を破損させ再使用が不可能ζこなる欠点がある。
が浮いてきて単結晶化率を低下させる。ざらにＢ２Ｏ３
と水とが反応するときＢ２Ｏ３が膨張して高価なＰＢＮ
坩堝を破損させ再使用が不可能ζこなる欠点がある。
以上のように従来のＰＢＮ坩堝処理では、坩堝自体の破
損ならびにＢＮ剥離が多く、坩堝外便用を不可能にする
欠点があった。
損ならびにＢＮ剥離が多く、坩堝外便用を不可能にする
欠点があった。
本発明の目的は上記の欠点を除去しＰＢＮ坩堝坩堝用便
用能とした坩堝処理方法を提供することである。
用能とした坩堝処理方法を提供することである。
本発明の特敵は高圧液体封止法に用いるＰＢＮ坩堝の処
理として真空中でＰＢＮ坩堝周辺部めら加熱することに
ある。
理として真空中でＰＢＮ坩堝周辺部めら加熱することに
ある。
本発明は上述の構成をとることにシリ従来技、ＩＪの問
題点を解決した。すなわち結晶成長後のＰＢＮ坩堝内に
残留するＢｚＯｓ、ＧａＡｓ原料を坩堝の損傷な（除去
するために処理装置内を真空にし加熱ヒータによって坩
堝周辺を加熱する。Ｂｔｕｓは坩堝内より除去され同時
にＧａＡｓ原料を取り出しＰＢＮ坩堝の再使用を可能に
した。
題点を解決した。すなわち結晶成長後のＰＢＮ坩堝内に
残留するＢｚＯｓ、ＧａＡｓ原料を坩堝の損傷な（除去
するために処理装置内を真空にし加熱ヒータによって坩
堝周辺を加熱する。Ｂｔｕｓは坩堝内より除去され同時
にＧａＡｓ原料を取り出しＰＢＮ坩堝の再使用を可能に
した。
以下本発明を図面を参照してより詳細に説ＩＡする。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
結晶成長後のＰＢＮ坩堝３をロート６の中に逆に入れロ
ート６はロート固定台５に着装し装置内を真空度１０−
”Ｔｏｒｒ にし加熱ヒータ１によって加熱する。加
熱ヒータ１はロート６も同じ加熱できるように長いヒー
タを設置する。ＰＢＮ坩堝全体が６５０°Ｃ以上に温度
が上昇するとＢ冨Ｏｓ４は除々に軟化し始め７００℃に
なるとロート６を伝わってＢｚ０３４は受皿７に収納さ
れる。Ｇａ入Ｓ原料２はＢｔｕｓ４が完全に除去された
のちロート６に入る。ＰＢＮ坩堝からＢ２Ｏ３とＧａＡ
ｓ原料が除去されたのち加熱ヒータを切り温度を降下さ
せる。
ート６はロート固定台５に着装し装置内を真空度１０−
”Ｔｏｒｒ にし加熱ヒータ１によって加熱する。加
熱ヒータ１はロート６も同じ加熱できるように長いヒー
タを設置する。ＰＢＮ坩堝全体が６５０°Ｃ以上に温度
が上昇するとＢ冨Ｏｓ４は除々に軟化し始め７００℃に
なるとロート６を伝わってＢｚ０３４は受皿７に収納さ
れる。Ｇａ入Ｓ原料２はＢｔｕｓ４が完全に除去された
のちロート６に入る。ＰＢＮ坩堝からＢ２Ｏ３とＧａＡ
ｓ原料が除去されたのち加熱ヒータを切り温度を降下さ
せる。
装置内を真空から不活性ガス番こ切り換え冷却する。
冷却後のＰＢＮ坩堝の内面はＢＮの剥離がなくＰＢＮ坩
７Ｍにはなんら損傷を受けることはない。
７Ｍにはなんら損傷を受けることはない。
以上説明したように本発明はＰＢＮ坩堝を真空中で加熱
することによって従来方法では除去できなかったＢ２Ｏ
３をＰＢＮ坩堝内面を損傷することなく除去し坩堝の使
用回数ち向上した。単、納品化率が向上したことは言う
までもない。
することによって従来方法では除去できなかったＢ２Ｏ
３をＰＢＮ坩堝内面を損傷することなく除去し坩堝の使
用回数ち向上した。単、納品化率が向上したことは言う
までもない。
第１図は本発明の断面図である。
１・・・・・・加熱ヒータ、２・・・・・・残留ＧａＡ
ｓ原料、３・・・・・・ＰＢＮ坩堝、４・・・・・・酸
化硼素、５・・・・・・ロート固定台、６・・・・・・
ロート、７・・・・・・受皿。 代理人 弁理士 内 原 晋 ゛−１，′
ｓ原料、３・・・・・・ＰＢＮ坩堝、４・・・・・・酸
化硼素、５・・・・・・ロート固定台、６・・・・・・
ロート、７・・・・・・受皿。 代理人 弁理士 内 原 晋 ゛−１，′
Claims (1)
- 化合物半導体材料を液体封止法によって、結晶成長する
際用いる坩堝の処理に関して真空中で坩堝を加熱するこ
とを特徴とする坩堝処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15320685A JPS6212695A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 坩堝処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15320685A JPS6212695A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 坩堝処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212695A true JPS6212695A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15557363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15320685A Pending JPS6212695A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 坩堝処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6212695A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0913505A2 (en) * | 1991-08-22 | 1999-05-06 | Texas Instruments Incorporated | Method of removing B2O3 encapsulant from a structure |
| CN111893555A (zh) * | 2020-07-22 | 2020-11-06 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种单晶pbn坩埚处理工艺 |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP15320685A patent/JPS6212695A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0913505A2 (en) * | 1991-08-22 | 1999-05-06 | Texas Instruments Incorporated | Method of removing B2O3 encapsulant from a structure |
| EP0913505A3 (en) * | 1991-08-22 | 2002-03-27 | Raytheon Company | Method of removing B2O3 encapsulant from a structure |
| CN111893555A (zh) * | 2020-07-22 | 2020-11-06 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种单晶pbn坩埚处理工艺 |
| CN111893555B (zh) * | 2020-07-22 | 2021-09-14 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种单晶pbn坩埚处理工艺 |
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