KR101442752B1 - 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이 - Google Patents

패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이 Download PDF

Info

Publication number
KR101442752B1
KR101442752B1 KR1020140015550A KR20140015550A KR101442752B1 KR 101442752 B1 KR101442752 B1 KR 101442752B1 KR 1020140015550 A KR1020140015550 A KR 1020140015550A KR 20140015550 A KR20140015550 A KR 20140015550A KR 101442752 B1 KR101442752 B1 KR 101442752B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
tray
sapphire substrate
tray body
patterned sapphire
Prior art date
Application number
KR1020140015550A
Other languages
English (en)
Inventor
김용기
Original Assignee
케이세미(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 케이세미(주) filed Critical 케이세미(주)
Priority to KR1020140015550A priority Critical patent/KR101442752B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101442752B1 publication Critical patent/KR101442752B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이가 개시된다.
개시되는 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이는 패턴화 사파이어 기판 제조를 위해 웨이퍼에 대한 식각이 이루어질 수 있는 패턴화 사파이어 기판 식각 장치에 적용되어 상기 웨이퍼가 식각을 위해 안착될 수 있는 것으로서, 트레이 몸체와, 상기 트레이 몸체에 형성되어 상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착면을 포함하는 웨이퍼 트레이 본체 부재; 및 상기 웨이퍼 안착면에 안착된 상기 웨이퍼 외주를 따라 설치되는 클랭핑 몸체와, 상기 클램핑 몸체에 형성되어 상기 웨이퍼 안착면에 안착된 상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼 트레이 본체 부재에 고정시키는 웨이퍼 고정부를 포함하는 웨이퍼 클램핑 부재;를 포함하고, 상기 웨이퍼 안착면에 안착된 상기 웨이퍼의 상단의 높이가 상기 클램핑 몸체의 상단의 높이와 같거나 그보다 상대적으로 높아지도록, 상기 웨이퍼 안착면은 상기 트레이 몸체로부터 일정 높이로 돌출되며, 상기 웨이퍼 트레이 본체 부재는 상기 웨이퍼 안착면 외주를 따라 상기 웨이퍼 안착면의 높이에 비해 상대적으로 더 높도록 돌출되어 상기 웨이퍼 안착면에 안착된 상기 웨이퍼의 이탈을 방지하는 웨이퍼 이탈 방지턱을 포함하고, 상기 웨이퍼로 공급되는 반응 가스가 상기 웨이퍼 이탈 방지턱과 상기 클램핑 몸체에 걸려 왜곡되지 아니하고 상기 웨이퍼 전체에 균일하게 공급될 수 있도록, 상기 웨이퍼 안착면에 놓이는 상기 웨이퍼의 상단, 상기 웨이퍼 이탈 방지턱의 상단 및 상기 클램핑 몸체의 상단은 같은 높이로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
개시되는 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이에 의하면, 웨이퍼 안착면에 안착된 웨이퍼의 상단의 높이가 클램핑 몸체의 상단의 높이와 같거나 그보다 상대적으로 높아지도록, 웨이퍼 안착면은 트레이 몸체로부터 일정 높이로 돌출된다. 그러면, 웨이퍼의 상단이 클램핑 몸체와 같은 높이를 이루거나 클램핑 몸체보다 더 돌출된 형태로 이루어짐에 따라, 웨이퍼 쪽으로 공급되는 반응 가스가 클램핑 몸체에 의해 왜곡되지 아니하고 웨이퍼 전체적으로 균일하게 공급될 수 있으므로, 웨이퍼에 대한 균일한 식각이 이루어질 수 있는 장점이 있다.

Description

패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이{Wafer tray for patterned sapphire substrate}
본 발명은 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이에 관한 것이다.
패턴화 사파이어 기판(patterned sapphire substrate, PSS) 제조 공정은 엘이디(LED) 제조 시 휘도를 향상시키기 위한 목적 등으로 사파이어 기판을 가공하는 공정을 말한다.
패턴화 사파이어 기판을 제조하기 위해서는 요구 패턴이 형성된 레티클이 설치된 스테퍼(stepper) 설비에서 사파이어 기판을 x축, y축 방향으로 한 스텝씩 이동시키며 노광시킨 다음 고밀도 플라즈마를 이용하여 식각 공정을 수행하게 되는데, 이러한 식각 공정에 이용되는 것이 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이이다.
패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이는 복수 개의 웨이퍼가 식각 장치 내부로 이송되기 위하여 웨이퍼 트레이 위에 그 복수 개의 웨이퍼가 고정된 것으로, 이러한 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이의 예로 제시될 수 있는 문헌으로는 아래 제시된 특허문헌이 있다.
도 1은 종래의 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이를 보이는 사시도이고, 도 2는 종래의 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이에 적용되는 웨이퍼 클램핑 부재를 보이는 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 A부분에 대한 확대도이다.
도 1 내지 도 3을 함께 참조하면, 종래의 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이(10)는 웨이퍼 트레이 본체 부재(20)와 웨이퍼 클램핑 부재(30)를 가지고, 상기 웨이퍼 트레이 본체 부재(20)의 트레이 몸체(21)에는 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착면(25)이 형성되며, 상기 웨이퍼 클램핑 부재(30)의 클램핑 몸체(31)에는 상기 웨이퍼 안착면(25)에 안착된 상기 웨이퍼 쪽으로 돌출되어 상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼 안착면(25)에 고정시키는 웨이퍼 고정 돌기(33)가 형성된다.
도면 번호 32는 상기 클램핑 몸체(31)를 상기 트레이 몸체(21)에 고정시키기 위한 고정 볼트가 관통되는 홀이다.
그러나, 이러한 종래 구조에서는, 웨이퍼 안착면(25)이 트레이 몸체(21)에 평평하게 형성되고, 그 위에 클램핑 몸체(31)가 결합되기 때문에, 트레이 몸체(21)가 전체적으로 웨이퍼 안착면(25)에 안착된 웨이퍼에 비해 돌출된 형태로 이루어지고, 그에 따라 반응 가스가 웨이퍼보다 클램핑 몸체(31)에 먼저 닿게 되어 웨이퍼에 대한 불균일한 식각이 발생되어 웨이퍼의 비대칭 문제가 발생된다.
공개특허 제 10-2013-0119211호, 공개일자: 2013년10월31일, 발명의 명칭: 기판처리장치용 트레이
본 발명은 웨이퍼에 대한 균일한 식각이 이루어지도록 할 수 있는 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이는 패턴화 사파이어 기판 제조를 위해 웨이퍼에 대한 식각이 이루어질 수 있는 패턴화 사파이어 기판 식각 장치에 적용되어 상기 웨이퍼가 식각을 위해 안착될 수 있는 것으로서,
트레이 몸체와, 상기 트레이 몸체에 형성되어 상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착면을 포함하는 웨이퍼 트레이 본체 부재; 및 상기 웨이퍼 안착면에 안착된 상기 웨이퍼 외주를 따라 설치되는 클랭핑 몸체와, 상기 클램핑 몸체에 형성되어 상기 웨이퍼 안착면에 안착된 상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼 트레이 본체 부재에 고정시키는 웨이퍼 고정부를 포함하는 웨이퍼 클램핑 부재;를 포함하고,
상기 웨이퍼 안착면에 안착된 상기 웨이퍼의 상단의 높이가 상기 클램핑 몸체의 상단의 높이와 같거나 그보다 상대적으로 높아지도록, 상기 웨이퍼 안착면은 상기 트레이 몸체로부터 일정 높이로 돌출되며,
상기 웨이퍼 트레이 본체 부재는 상기 웨이퍼 안착면 외주를 따라 상기 웨이퍼 안착면의 높이에 비해 상대적으로 더 높도록 돌출되어 상기 웨이퍼 안착면에 안착된 상기 웨이퍼의 이탈을 방지하는 웨이퍼 이탈 방지턱을 포함하고,
상기 웨이퍼로 공급되는 반응 가스가 상기 웨이퍼 이탈 방지턱과 상기 클램핑 몸체에 걸려 왜곡되지 아니하고 상기 웨이퍼 전체에 균일하게 공급될 수 있도록, 상기 웨이퍼 안착면에 놓이는 상기 웨이퍼의 상단, 상기 웨이퍼 이탈 방지턱의 상단 및 상기 클램핑 몸체의 상단은 같은 높이로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이에 의하면, 웨이퍼 안착면에 안착된 웨이퍼의 상단의 높이가 클램핑 몸체의 상단의 높이와 같거나 그보다 상대적으로 높아지도록, 웨이퍼 안착면은 트레이 몸체로부터 일정 높이로 돌출된다. 그러면, 웨이퍼의 상단이 클램핑 몸체와 같은 높이를 이루거나 클램핑 몸체보다 더 돌출된 형태로 이루어짐에 따라, 웨이퍼 쪽으로 공급되는 반응 가스가 클램핑 몸체에 의해 왜곡되지 아니하고 웨이퍼 전체적으로 균일하게 공급될 수 있으므로, 웨이퍼에 대한 균일한 식각이 이루어질 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이를 보이는 사시도.
도 2는 종래의 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이에 적용되는 웨이퍼 클램핑 부재를 보이는 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 A부분에 대한 확대도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이를 보이는 사시도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이에 적용되는 웨이퍼 클램핑 부재를 보이는 사시도.
도 6은 도 5에 도시된 B부분에 대한 확대도.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이의 일부에 대한 단면도.
도 8은 도 7에 도시된 C부분에 대한 확대도.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이에 대하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이를 보이는 사시도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이에 적용되는 웨이퍼 클램핑 부재를 보이는 사시도이고, 도 6은 도 5에 도시된 B부분에 대한 확대도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이의 일부에 대한 단면도이고, 도 8은 도 7에 도시된 C부분에 대한 확대도이다.
도 4 내지 도 8을 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이(100)는 웨이퍼 트레이 본체 부재(110)와, 웨이퍼 클램핑 부재(120)를 포함하고, 패턴화 사파이어 기판 제조를 위해 웨이퍼에 대한 식각이 이루어질 수 있는 패턴화 사파이어 기판 식각 장치에 적용되어 상기 웨이퍼가 식각을 위해 안착될 수 있는 것이다.
상기 웨이퍼 트레이 본체 부재(110)는 원형 패널 형태의 트레이 몸체(111)와, 상기 트레이 몸체(111)에 형성되어 상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착면(115)을 포함한다.
상기 웨이퍼 안착면(115)은 상기 트레이 몸체(111) 상에 복수 개 형성된다.
상기 웨이퍼 클램핑 부재(120)는 상기 웨이퍼 안착면(115)에 안착된 상기 웨이퍼 외주를 따라 설치되는 클램핑 몸체(121)와, 상기 클램핑 몸체(121)에 형성되어 상기 웨이퍼 안착면(115)에 안착된 상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼 트레이 본체 부재(110)에 고정시키는 웨이퍼 고정부(122)를 포함한다.
도면 번호 117은 상기 웨이퍼 안착면(115) 쪽으로 가스 등을 공급할 수 있는 홀이다.
상기 클램핑 몸체(121)는 원형 링 형태로 형성되어, 상기 웨이퍼 안착면(115)의 외주를 따라 둘러지는 형태를 이룬다.
상기 웨이퍼 고정부(122)는 상기 클램핑 몸체(121) 상에 서로 이격되어 복수 개 형성되는데, 본 실시예에서는 예시적으로 네 개가 형성된다.
본 실시예에서는, 상기 웨이퍼 안착면(115)에 안착된 상기 웨이퍼의 상단의 높이가 상기 클램핑 몸체(121)의 상단의 높이와 같거나 그보다 상대적으로 높아지도록, 상기 웨이퍼 안착면(115)은 상기 트레이 몸체(111)로부터 일정 높이로 돌출된다. 그러면, 상기 웨이퍼의 상단이 상기 클램핑 몸체(121)와 같은 높이를 이루거나 상기 클램핑 몸체(121)보다 더 돌출된 형태로 이루어짐에 따라, 상기 웨이퍼 쪽으로 공급되는 반응 가스가 상기 클램핑 몸체(121)에 의해 왜곡되지 아니하고 상기 웨이퍼 전체적으로 균일하게 공급될 수 있으므로, 상기 웨이퍼에 대한 균일한 식각이 이루어질 수 있다.
또한, 상기 웨이퍼 트레이 본체 부재(110)는 상기 웨이퍼 안착면(115) 외주를 따라 상기 웨이퍼 안착면(115)의 높이에 비해 상대적으로 더 높도록 돌출되어, 상기 웨이퍼 안착면(115)에 안착된 상기 웨이퍼의 이탈을 방지하는 웨이퍼 이탈 방지턱(116)을 포함한다.
상기 웨이퍼 안착면(115)이 원판 형태로 상기 웨이퍼 트레이 본체 부재(110)에서 돌출된 형태를 이루고, 상기 웨이퍼 이탈 방지턱(116)이 상기 웨이퍼 안착면(115)의 외주를 따라 상기 웨이퍼 안착면(115)보다 더 높게 돌출된 형태를 이룬다.
상기 웨이퍼 이탈 방지턱(116)이 형성됨에 따라, 상기 웨이퍼 안착면(115)에 상기 웨이퍼가 정확하게 놓일 수 있고, 임의 이탈이 방지될 수 있다.
상기 웨이퍼 안착면(115)에 놓이는 상기 웨이퍼의 상단, 상기 웨이퍼 이탈 방지턱(116)의 상단 및 상기 클램핑 몸체(121)의 상단은 같은 높이로 이루어지는 것이 바람직하다. 그러면, 상기 웨이퍼로 공급되는 반응 가스가 상기 웨이퍼 이탈 방지턱(116)과 상기 클램핑 몸체(121) 등에 걸려 왜곡되지 아니하고 상기 웨이퍼 전체에 균일하게 공급될 수 있다.
상기 웨이퍼 고정부(122)에는 상기 웨이퍼 이탈 방지턱(116)을 가로질러 상기 웨이퍼의 말단을 덮어 상기 웨이퍼를 잡아주는 웨이퍼 고정 돌기(124)가 형성된다.
상기 웨이퍼 고정부(122)는 상기 클램핑 몸체(121)에서 일정 높이로 돌출된 형태로 이루어지고, 상기 웨이퍼 고정 돌기(124)는 상기 웨이퍼 고정부(122)에서 상기 웨이퍼 안착면(115) 쪽으로 일정 길이 연장된 형태로 이루어진다. 상기 웨이퍼 고정부(122)는 상기 웨이퍼 이탈 방지턱(116)을 넘어 상기 웨이퍼 안착면(115) 상공으로 일정 길이 돌출된 형태를 이룰 수 있는 길이로 형성된다. 그러면, 상기 웨이퍼가 놓인 상기 웨이퍼 안착면(115) 주변에 상기 클램핑 몸체(121)가 놓일 때, 상기 웨이퍼 고정부(122)가 상기 웨이퍼의 말단부 상단에 얹혀 상기 웨이퍼를 고정시켜 주게 된다.
도면 번호 123은 상기 웨이퍼 고정부(122)에 관통 형성되어 볼트 등의 결합 수단이 관통될 수 있는 관통 홀이고, 도면 번호 118은 상기 웨이퍼 트레이 본체 부재(110)에 함몰 형성되는 고정 홀로 상기 관통 홀(123)을 관통한 상기 결합 수단이 고정되는 것이다. 상기 결합 수단이 상기 관통 홀(123)을 관통하여 상기 고정 홀(118)에 고정됨으로써, 상기 웨이퍼 클램핑 부재(120)가 상기 웨이퍼 트레이 본체 부재(110)에 고정될 수 있게 된다.
상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이에 의하면, 웨이퍼에 대한 균일한 식각이 이루어지도록 할 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.
100 : 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이
110 : 웨이퍼 트레이 본체 부재 111 : 트레이 몸체
115 : 웨이퍼 안착면 116 : 웨이퍼 이탈 방지턱
118 : 고정 홀 120 : 웨이퍼 클램핑 부재
121 : 클램핑 몸체 122 : 웨이퍼 고정부
123 : 관통 홀 124 : 웨이퍼 고정 돌기

Claims (3)

  1. 패턴화 사파이어 기판 제조를 위해 웨이퍼에 대한 식각이 이루어질 수 있는 패턴화 사파이어 기판 식각 장치에 적용되어 상기 웨이퍼가 식각을 위해 안착될 수 있는 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이에 있어서,
    트레이 몸체와,
    상기 트레이 몸체에 형성되어 상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착면을 포함하는 웨이퍼 트레이 본체 부재; 및
    상기 웨이퍼 안착면에 안착된 상기 웨이퍼 외주를 따라 설치되는 클램핑 몸체와,
    상기 클램핑 몸체에 형성되어 상기 웨이퍼 안착면에 안착된 상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼 트레이 본체 부재에 고정시키는 웨이퍼 고정부를 포함하는 웨이퍼 클램핑 부재;를 포함하고,
    상기 웨이퍼 안착면에 안착된 상기 웨이퍼의 상단의 높이가 상기 클램핑 몸체의 상단의 높이와 같거나 그보다 상대적으로 높아지도록, 상기 웨이퍼 안착면은 상기 트레이 몸체로부터 일정 높이로 돌출되며,
    상기 웨이퍼 트레이 본체 부재는 상기 웨이퍼 안착면 외주를 따라 상기 웨이퍼 안착면의 높이에 비해 상대적으로 더 높도록 돌출되어 상기 웨이퍼 안착면에 안착된 상기 웨이퍼의 이탈을 방지하는 웨이퍼 이탈 방지턱을 포함하고,
    상기 웨이퍼로 공급되는 반응 가스가 상기 웨이퍼 이탈 방지턱과 상기 클램핑 몸체에 걸려 왜곡되지 아니하고 상기 웨이퍼 전체에 균일하게 공급될 수 있도록, 상기 웨이퍼 안착면에 놓이는 상기 웨이퍼의 상단, 상기 웨이퍼 이탈 방지턱의 상단 및 상기 클램핑 몸체의 상단은 같은 높이로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 고정부에는 상기 웨이퍼 이탈 방지턱을 가로질러 상기 웨이퍼의 말단을 덮어 상기 웨이퍼를 잡아주는 웨이퍼 고정 돌기가 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이.
KR1020140015550A 2014-02-11 2014-02-11 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이 KR101442752B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140015550A KR101442752B1 (ko) 2014-02-11 2014-02-11 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140015550A KR101442752B1 (ko) 2014-02-11 2014-02-11 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101442752B1 true KR101442752B1 (ko) 2014-11-04

Family

ID=52288952

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140015550A KR101442752B1 (ko) 2014-02-11 2014-02-11 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101442752B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104979251A (zh) * 2015-07-16 2015-10-14 海迪科(南通)光电科技有限公司 整体式pss刻蚀托盘治具
CN111653509A (zh) * 2020-05-27 2020-09-11 黄山博蓝特半导体科技有限公司 高波长一致性的led芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100784381B1 (ko) * 2004-07-23 2007-12-11 삼성전자주식회사 증착 장치 및 방법
KR20110077574A (ko) * 2009-12-30 2011-07-07 주식회사 탑 엔지니어링 일체형 웨이퍼 트레이
KR101235928B1 (ko) * 2011-10-05 2013-02-21 전종근 플라즈마 처리장치용 웨이퍼 트레이

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100784381B1 (ko) * 2004-07-23 2007-12-11 삼성전자주식회사 증착 장치 및 방법
KR20110077574A (ko) * 2009-12-30 2011-07-07 주식회사 탑 엔지니어링 일체형 웨이퍼 트레이
KR101235928B1 (ko) * 2011-10-05 2013-02-21 전종근 플라즈마 처리장치용 웨이퍼 트레이

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104979251A (zh) * 2015-07-16 2015-10-14 海迪科(南通)光电科技有限公司 整体式pss刻蚀托盘治具
CN111653509A (zh) * 2020-05-27 2020-09-11 黄山博蓝特半导体科技有限公司 高波长一致性的led芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法
CN111653509B (zh) * 2020-05-27 2023-07-21 黄山博蓝特半导体科技有限公司 高波长一致性的led芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2022174267A (ja) 基板のボンディング装置及び方法
US20140091537A1 (en) Chuck table
EP3059635B1 (en) Method for aligning quadrate wafer in first photolithographic process
KR101442752B1 (ko) 패턴화 사파이어 기판 식각 장치용 웨이퍼 트레이
TWI566325B (zh) A substrate holding device and a close contact exposure device and a proximity exposure device
TW201440170A (zh) 固持器、光刻裝置及製造物品的方法
JP2011114238A5 (ko)
TWI693657B (zh) 治具及組裝晶圓盤的方法
KR20150006954A (ko) 레이저 빔을 이용한 마스크 패턴 형성 방법
JP2007305952A (ja) 基板整列方法
TWI686887B (zh) 晶圓盤、組裝晶圓盤的治具及組裝晶圓盤的方法
JP2008034465A (ja) ウエハ固定装置
JP2015029088A5 (ko)
EP3078762A3 (en) Susceptor, vapor deposition apparatus, vapor deposition method and epitaxial silicon wafer
KR101682776B1 (ko) 포켓 교체형 서셉터
JP6344090B2 (ja) メタルマスクの製造方法
TWI595546B (zh) Breaking fixture
JP6545613B2 (ja) フォーカスリング
US20100025909A1 (en) Method and jig for holding silicon wafer
JP6632469B2 (ja) ウエハトレイ
KR101965648B1 (ko) 진공 척
TW201515067A (zh) 減少形成在半導體晶圓上的磊晶膜中的裂痕擴散的方法及結構
KR20160007395A (ko) 노광 마스크의 제조 방법
JP2020098859A (ja) 半導体チップの製造方法、半導体ウエハおよび半導体ウエハの製造方法
US9245746B2 (en) Semiconductor composite film with heterojunction and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee