KR20150006954A - 레이저 빔을 이용한 마스크 패턴 형성 방법 - Google Patents

레이저 빔을 이용한 마스크 패턴 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150006954A
KR20150006954A KR20130080547A KR20130080547A KR20150006954A KR 20150006954 A KR20150006954 A KR 20150006954A KR 20130080547 A KR20130080547 A KR 20130080547A KR 20130080547 A KR20130080547 A KR 20130080547A KR 20150006954 A KR20150006954 A KR 20150006954A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
scan line
mask sheet
laser beam
mask
pattern
Prior art date
Application number
KR20130080547A
Other languages
English (en)
Inventor
오윤찬
이충호
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR20130080547A priority Critical patent/KR20150006954A/ko
Priority to US14/291,833 priority patent/US9604314B2/en
Publication of KR20150006954A publication Critical patent/KR20150006954A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/035—Aligning the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/10—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece using a fixed support, i.e. involving moving the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
    • B23K37/0408—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work for planar work
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/12—Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Abstract

레이저 빔을 이용하여 마스크 시트 상에 패턴을 형성하는 방법이 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 레이저 빔을 이용하여 마스크 시트 상에 패턴을 형성하는 방법은 상기 마스크 시트가 제작 완료된 상태에서 상기 마스크 시트의 패턴이 형성되어야 하는 목표 스캔 라인을 따라 패턴이 형성되도록 하기 위한 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 확인하는 단계; 상기 마스크 시트에 반력을 가하는 단계; 상기 마스크 시트를 마스크 프레임에 고정시키는 단계; 상기 보정 스캔 라인을 따라 상기 레이저 빔을 스캐닝하는 단계 및 상기 마스크 시트가 상기 마스크 프레임에 고정된 상태에서 상기 인장된 마스크 시트에 가해진 반력을 해제하는 단계를 포함한다.

Description

레이저 빔을 이용한 마스크 패턴 형성 방법{METHOD FOR FORMING A MASK PATTERN USING A LASER}
본 발명은 마스크 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이저 빔 이용하여 마스크 시트 상에 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치에 사용되는 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask, 이하 "마스크 시트"라 함)를 제작하기 위하여 화학적인 습식 에칭(Wet Etching) 방식을 사용하였다. 이 때, 습식 에칭에 의하여 제작된 마스크 시트는 반력(counter force)을 가하는 인장 및 용접 과정을 거쳐 마스크 프레임에 거치된다. 마스크 시트를 마스크 프레임에 거치시킬 때에는 마스크 시트의 유동을 방지하기 위하여 필수적으로 마스크 시트를 인장 시켜서 마스크 프레임에 용접 시키는 방법을 사용하는데 최종 패턴 위치를 확보하기 위하여는 반력을 가해야 한다.
그런데, 이와 같은 마스크 제작 방식은 유기 발광 표시 장치가 고해상도화(해상도 400ppi 이상)되면서 마스크 시트의 패턴 형상의 극미세화로 인하여 습식 에칭 방식의 제작 품질이 한계를 나타나게 되었으며, 레이저 가공에 의하여 패턴을 가공하는 마스크 제작 공법이 개발되고 있다.
이와 같은 레이저를 이용한 마스크 제작 공정은 종래의 습식 에칭에 의하여 제작되던 마스크 시트를 레이저 빔을 이용하여 제작하는 방법으로 대체한 것이며, 마스크 시트를 마스크 프레임에 마스크 시트를 고정하기 위하여 반력을 가하며 복잡한 인장 및 용접 과정을 거치는 공정은 동일하다.
이 때, 마스크 시트를 마스크 프레임에 인장한 후 레이저 빔을 국부적인 영역에 가공하여 패턴을 형성하기 때문에, 최종적인 패턴 형성 위치는 원래 예상한 위치로부터 벗어나 형성되고 이는 다시 증착시 패턴 오차를 발생시키기 때문에 이에 대한 개선이 필요하다.
본 발명의 일 실시예는 마스크를 제작하는 과정에서 레이저 빔을 이용하여 마스크 시트 상에 패턴을 형성할 때 패턴 오차가 발생하지 않도록 하는 패턴 형성 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 레이저 빔을 이용하여 마스크 시트 상에 패턴을 형성하는 방법으로서, 상기 마스크 시트가 제작 완료된 상태에서 상기 마스크 시트의 패턴이 형성되어야 하는 목표 스캔 라인을 따라 패턴이 형성되도록 하기 위한 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 확인하는 단계; 상기 마스크 시트에 반력을 가하는 단계; 상기 마스크 시트를 마스크 프레임에 고정시키는 단계; 상기 보정 스캔 라인을 따라 상기 레이저 빔을 스캐닝하는 단계 및 상기 마스크 시트가 상기 마스크 프레임에 고정된 상태에서 상기 마스크 시트에 가해진 반력을 해제하는 단계를 포함하는 레이저 빔을 이용하여 마스크 시트 상에 패턴을 형성하는 방법이 제공된다.
이 때, 상기 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 확인하는 단계는, 예비 마스크 시트에 반력을 가하는 단계; 상기 예비 마스크 시트를 예비 마스크 프레임에 고정시키는 단계; 상기 레이저 빔을 상기 목표 스캔 라인을 따라 스캐닝하는 단계; 상기 예비 마스크 시트에 가해진 반력을 해제하는 단계; 상기 예비 마스크 시트에 가해진 반력이 해제된 상태에서 상기 목표 스캔 라인과 상기 레이저 빔의 실제 스캔 라인의 오차를 확인하는 단계; 상기 확인된 오차를 이용하여 상기 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 설정하는 단계를 포함할 수 있다.
이 때, 상기 상기 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 설정하는 단계에서, 상기 보정 스캔 라인은 상기 목표 스캔 라인으로부터 상기 실제 스캔 라인이 이격된 거리만큼 상기 목표 스캔 라인에 대하여 대칭으로 형성될 수 있다.
한편, 상기 상기 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 설정하는 단계에서, 상기 목표 스캔 라인과 상기 보정 스캔 라인의 사이각은 상기 목표 스캔 라인과 상기 실제 스캔 라인의 사이각과 동일하게 형성될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 마스크 시트가 제작 완료된 상태에서 마스크 시트의 패턴이 형성되어야 하는 목표 스캔 라인을 따라 패턴이 형성되도록 하기 위한 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 따라 레이저 빔을 스캐닝함으로써 마스크 시트 상에 패턴 오차가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 빔을 이용한 마스크 패턴 형성 방법의 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 빔을 이용한 마스크 패턴 형성 방법에서 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 확인하는 단계의 순서도이다.
도 3은 마스크 시트 상에 레이저가 지나야 하는 목표 스캔 라인을 도시한 도면이다.
도 4는 예비 마스크 시트에 반력이 가해진 상태에서 목표 스캔 라인을 따라 레이저 빔을 스캐닝하는 상태를 도시한 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 바와 같이 예비 마스크 시트에 반력이 가해진 상태에서 목표 스캔 라인을 따라 레이저가 스캐닝된 후 반력이 제거된 상태에서 예비 마스크 시트 상에 형성된 실제 스캔 라인을 도시한 도면이다.
도 6은 예비 마스크 시트 상에 목표 스캔 라인, 실제 스캔 라인 및 보정 스캔 라인이 도시된 상태를 나타낸 도면이다.
도 7은 마스크 시트에 반력이 가해진 상태에서 보정 스캔 라인을 따라 레이저 빔을 스캐닝하는 상태를 도시한 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 바와 같이 마스크 시트에 반력이 가해진 상태에서 보정 스캔 라인을 따라 레이저 빔이 스캐닝된 후 반력이 제거된 상태에서 마스크 시트 상에 형성된 최종 스캔 라인을 도시한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 1 구성 요소는 제 2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성 요소도 제 1 구성 요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 빔을 이용한 마스크 패턴 형성 방법의 순서도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 빔을 이용한 마스크 패턴 형성 방법에서 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 확인하는 단계의 순서도이다. 도 3은 마스크 시트 상에 레이저 빔이 지나야 하는 목표 스캔 라인을 도시한 도면이다. 도 4는 예비 마스크 시트에 반력이 가해진 상태에서 목표 스캔 라인을 따라 레이저 빔을 스캐닝하는 상태를 도시한 도면이다. 도 5는 도 4에 도시된 바와 같이 예비 마스크 시트에 반력이 가해진 상태에서 목표 스캔 라인을 따라 레이저 빔이 스캐닝된 후 반력이 제거된 상태에서 예비 마스크 시트 상에 형성된 실제 스캔 라인을 도시한 도면이다. 도 6은 예비 마스크 시트 상에 목표 스캔 라인, 실제 스캔 라인 및 보정 스캔 라인이 도시된 상태를 나타낸 도면이다. 도 7은 마스크 시트에 반력이 가해진 상태에서 보정 스캔 라인을 따라 레이저 빔을 스캐닝하는 상태를 도시한 도면이다. 도 8은 도 7에 도시된 바와 같이 마스크 시트에 반력이 가해진 상태에서 보정 스캔 라인을 따라 레이저 빔이 스캐닝된 후 반력이 제거된 상태에서 마스크 시트 상에 형성된 최종 스캔 라인을 도시한 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따라 레이저 빔을 이용하여 마스크 시트 상에 패턴을 형성하는 방법은 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 확인하는 단계(S101), 상기 마스크 시트에 반력을 가하는 단계(S102), 상기 마스크 시트를 마스크 프레임에 고정시키는 단계(S103), 상기 보정 스캔 라인을 따라 상기 레이저 빔을 스캐닝하는 단계(S104) 및 상기 마스크 시트가 상기 마스크 프레임에 고정된 상태에서 상기 인장된 마스크 시트에 가해진 반력을 해제하는 단계(S105)를 포함할 수 있다.
이 때, 상기 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 확인하는 단계(S101)는, 예비 마스크 시트에 반력을 가하는 단계(S201), 예비 마스크 시트를 예비 마스크 프레임에 고정시키는 단계(S202), 상기 레이저 빔을 목표 스캔 라인을 따라 스캐닝하는 단계(S203), 상기 예비 마스크 시트에 가해진 반력을 해제하는 단계(S204), 상기 예비 마스크 시트에 가해진 반력이 해제된 상태에서 상기 목표 스캔 라인과 상기 레이저 빔의 실제 스캔 라인의 오차를 확인하는 단계(S205), 상기 확인된 오차를 이용하여 상기 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 설정하는 단계(S206)를 포함할 수 있다.
보다 상세히, 본 발명의 일 실시예에 따라 레이저 빔을 이용하여 마스크 시트 상에 패턴을 형성하는 방법에서는 마스크 프레임(14) 상에 마스크 시트(12)를 고정시킨 후 레이저 빔을 이용하여 마스크 시트 상에 패턴을 형성하기 이전에 먼저 레이저 빔의 보정 스캔 라인(도 6의 30)을 확인한다. (S101)
이 때, 본 명세서에서 "보정 스캔 라인(30)"이란 마스크 시트가 제작 완료된 상태에서 마스크 시트 상에 형성되어야 하는 패턴 라인(이하 "목표 스캔 라인(10)"이라 규정함)을 따라 패턴이 형성되도록 하기 위하여 레이저 빔이 실제 지나야 하는 보정된 스캔 라인을 의미한다. 도 3에는 마스크 시트(12) 상에 레이저 빔이 지나야 하는 목표 스캔 라인(10)이 도시되어 있다.
이 때, 목표 스캔 라인(10)은 예를 들어 직선으로 표현되나 도 3에서는 레이저 빔이 목표 스캔 라인을 따라 지나가는 방향을 표시하기 위하여 목표 스캔 라인(10)의 단부에 화살표를 표시하였으며, 본 실시예에서 레이저 빔은 목표 스캔 라인이 지시하는 화살표 방향으로 이동하면서 스캐닝을 수행하는 것으로 규정한다.
이하 도면에서 목표 스캔 라인(10) 이외의 실제 스캔 라인(20), 보정 스캔 라인(30) 및 최종 스캔 라인(40)도 목표 스캔 라인(10)과 동일한 방식으로 도시된다.
이 때, 도 4 내지 도 6을 참조하면, 레이저 빔의 보정 스캔 라인(30)을 확인하기 위하여 예비 마스크 시트(2)를 별도의 마스크 프레임(4) (이하 "예비 마스크 프레임"이라 함) 상에 고정시키고 실제 마스크를 제작하는 공정과 동일하게 예비 마스크 시트(2) 상에서 보정 스캔 라인(30)을 확인하는 예비 공정을 거친다. 이 때, 예비 마스크 시트(2) 및 예비 마스크 프레임(4)은 실제 마스크 시트(12) 및 마스크 프레임(14)과 동일하게 형성될 수 있다.
보다 상세히, 도 2 및 도 4를 참조하면, 레이저 빔의 보정 스캔 라인(30)을 확인하기 위하여 우선 예비 마스크 시트(2)의 양 측방향으로 예비 마스크 시트(2)에 반력을 가한 후,(S201) 예비 마스크 시트(2)를 예비 마스크 프레임(4)에 고정시킨다.(S202)
이 때, 예비 마스크 시트(2)를 예비 마스크 프레임(4)이 고정시키기 위하여 점 용접과 같은 공지의 고정 방법이 이용될 수 있다.
이와 같이 예비 마스크 시트(2)를 예비 마스크 프레임(4)에 고정한 상태에서 도 4에 도시된 바와 같이 레이저 빔을 목표 스캔 라인(10)을 따라 스캐닝한다.(S203)
이와 같이 레이저 빔을 목표 스캔 라인(10)을 따라 스캐닝한 후 예비 마스크 시트(2)에 가해진 반력을 해제한다. (S204) 그러면, 도 5에 도시된 바와 같이 예비 마스크 시트(2)가 압축되면서 목표 스캔 라인(10)으로부터 벗어난 실제 스캔 라인(20)이 형성된다.
이 때, 본 명세서에서 "실제 스캔 라인(20)"이란 예비 마스크 시트(2)에 반력이 가해진 상태에서 목표 스캔 라인(10)을 따라 레이저 빔이 스캐닝되었을 때 예비 마스크 시트(2)에 가해진 반력이 제거된 후 실제로 예비 마스크 시트(2) 상에 형성된 스캔 라인으로서, 목표 스캔 라인(10)으로부터 벗어난 오차를 갖는 스캔 라인을 의미하는 것으로 규정한다.
이 때, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 실제 스캔 라인(20)은 도 5에서 볼 때 패턴 가공 목표 영역(6) 내에서 목표 스캔 라인(10)에 대하여 소정의 각도(α)만큼 기울어진 라인일 수 있다.
이 때, 본 실시예에서는 도 5에서 볼 때 목표 스캔 라인(10)에 대하여 좌측에 실제 스캔 라인(20)이 형성되었으나, 실제 스캔 라인은 목표 스캔 라인에 대하여 우측에 형성될 수도 있다.
이 때, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 예비 마스크 시트(2)에 가해진 반력이 해제된 상태에서 목표 스캔 라인(10)과 실제 스캔 라인(20)의 오차, 예를 들어 목표 스캔 라인(10)에 대하여 실제 스캔 라인(20)이 기울어진 각도 또는 목표 스캔 라인(10) 방향으로 볼 때 목표 스캔 라인(10)과 실제 스캔 라인(20) 사이의 거리 등을 확인한다.(S205) 그리고, 이와 같이 확인된 오차를 이용하여 레이저 빔의 보정 스캔 라인(30)을 설정한다. (S206)
이 때, 보정 스캔 라인(30)은, 예비 마스크 시트(2)에 반력이 가해진 상태에서 보정 스캔 라인(30)을 따라 레이저가 스캐닝된 후, 예비 마스크 시트(2)에 가해진 반력이 해제된 상태에서 레이저의 스캔 라인이 목표 스캔 라인(10)과 일치할 수 있도록 실험적으로 선택될 수 있다.
이 때, 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따르면 보정 스캔 라인(30)은 도 6에 도시된 바와 같이 목표 스캔 라인(10)으로부터 실제 스캔 라인(20)이 이격된 거리만큼 상기 목표 스캔 라인(10)에 대하여 대칭으로 형성될 수 있다.
이와 같은 경우, 목표 스캔 라인(10)과 보정 스캔 라인(30)의 사이각(α)은 목표 스캔 라인(10)을 중심으로 목표 스캔 라인(10)과 실제 스캔 라인(20)의 사이각(α)과 동일하게 형성될 수 있다.
이와 같이 예비적인 단계로서 보정 스캔 라인(30)을 확인한 후(S101) 실제 마스크를 제작하기 위하여 마스크 시트(12)에 반력을 가한다.(S102)
그리고, 마스크 시트(12)에 반력이 가해진 상태에서 마스크 프레임(14)에 마스크 시트(12)를 고정하고(S103), 도 7에 도시된 바와 같이 보정 스캔 라인(30)을 따라 레이저 빔을 스캐닝한다.(S104)
이와 같이 레이저 빔을 스캐닝한 후 마스크 시트(12)가 상기 마스크 프레임(14)에 고정된 상태에서 상기 마스크 시트(12)에 가해진 반력을 해제(S105)한다.
이와 같은 과정을 거치면, 도 8에 도시된 바와 같이 마스크 시트(12) 상의 패턴 가공 목표 영역(16)에 형성되는 최종 스캔 라인(40)이 목표 스캔 라인(10)과 일치하게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이 레이저 빔을 스캐닝하여 마스크 시트(12) 상에 패턴 가공이 이루어짐으로써 원하는 목표 스캔 라인(10)과 동일한 위치에 최종 스캔 라인(40)이 형성된 경우 레이저 빔을 이용하여 패턴을 형성하는 과정에서 발생하던 패턴 오차를 없앨 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 예비적으로 마스크 시트를 예비 마스크 프레임에 설치하는 과정을 통하여 보정 스캔 라인을 확인한 후, 실제 마스크를 제작하는 공정에서는 보정 스캔 라인을 따라 마스크 시트 상에서 레이저 빔을 스캐닝함으로써, 실제 마스크 제작 후 레이저 빔의 최종 스캔 라인이 목표 스캔 라인에 일치하도록 하여 실제 마스크 시트 상에 패턴 오차가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명의 사상은 본 명세서에 제시되는 실시 예에 제한되지 아니하며, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서, 구성요소의 부가, 변경, 삭제, 추가 등에 의해서 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 사상범위 내에 든다고 할 것이다.
2 예비 마스크 시트 4 예비 마스크 프레임
6 16 패턴 가공 목표 영역 10 목표 스캔 라인
12 마스크 시트 14 마스크 프레임
20 실제 스캔 라인 30 보정 스캔 라인
40 최종 스캔 라인

Claims (4)

  1. 레이저 빔을 이용하여 마스크 시트 상에 패턴을 형성하는 방법으로서,
    상기 마스크 시트가 제작 완료된 상태에서 상기 마스크 시트의 패턴이 형성되어야 하는 목표 스캔 라인을 따라 패턴이 형성되도록 하기 위한 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 확인하는 단계;
    상기 마스크 시트에 반력을 가하는 단계;
    상기 마스크 시트를 마스크 프레임에 고정시키는 단계;
    상기 보정 스캔 라인을 따라 상기 레이저 빔을 스캐닝하는 단계 및
    상기 마스크 시트가 상기 마스크 프레임에 고정된 상태에서 상기 마스크 시트에 가해진 반력을 해제하는 단계
    를 포함하는 레이저 빔을 이용하여 마스크 시트 상에 패턴을 형성하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 확인하는 단계는,
    예비 마스크 시트에 반력을 가하는 단계;
    상기 예비 마스크 시트를 예비 마스크 프레임에 고정시키는 단계;
    상기 레이저 빔을 상기 목표 스캔 라인을 따라 스캐닝하는 단계;
    상기 예비 마스크 시트에 가해진 반력을 해제하는 단계;
    상기 예비 마스크 시트에 가해진 반력이 해제된 상태에서 상기 목표 스캔 라인과 상기 레이저 빔의 실제 스캔 라인의 오차를 확인하는 단계;
    상기 확인된 오차를 이용하여 상기 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 설정하는 단계를 포함하는 레이저 빔을 이용하여 마스크 시트 상에 패턴을 형성하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 상기 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 설정하는 단계에서,
    상기 보정 스캔 라인은 상기 목표 스캔 라인으로부터 상기 실제 스캔 라인이 이격된 거리만큼 상기 목표 스캔 라인에 대하여 대칭으로 형성되는
    레이저 빔을 이용하여 마스크 시트 상에 패턴을 형성하는 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 상기 레이저 빔의 보정 스캔 라인을 설정하는 단계에서,
    상기 목표 스캔 라인과 상기 보정 스캔 라인의 사이각은 상기 목표 스캔 라인과 상기 실제 스캔 라인의 사이각과 동일하게 형성되는
    레이저 빔을 이용하여 마스크 시트 상에 패턴을 형성하는 방법.
KR20130080547A 2013-07-09 2013-07-09 레이저 빔을 이용한 마스크 패턴 형성 방법 KR20150006954A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130080547A KR20150006954A (ko) 2013-07-09 2013-07-09 레이저 빔을 이용한 마스크 패턴 형성 방법
US14/291,833 US9604314B2 (en) 2013-07-09 2014-05-30 Method for forming a mask pattern using a laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130080547A KR20150006954A (ko) 2013-07-09 2013-07-09 레이저 빔을 이용한 마스크 패턴 형성 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150006954A true KR20150006954A (ko) 2015-01-20

Family

ID=52276504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130080547A KR20150006954A (ko) 2013-07-09 2013-07-09 레이저 빔을 이용한 마스크 패턴 형성 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9604314B2 (ko)
KR (1) KR20150006954A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10295915B2 (en) 2017-05-31 2019-05-21 Postech Academy-Industry Foundation Mask manufacturing apparatus and, manufacturing method of mask and, mask for lithography
KR102230000B1 (ko) * 2020-08-24 2021-03-22 (주)세우인코퍼레이션 Oled 마스크 제조 장치 및 방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160256611A1 (en) * 2015-03-04 2016-09-08 Microvention, Inc. Drug Delivery Device
KR102352280B1 (ko) * 2015-04-28 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 제조 장치 및 이를 이용한 마스크 프레임 조립체 제조 방법
CN106681100B (zh) * 2017-01-10 2020-12-01 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板的制备方法、掩膜板和蒸镀系统
JP2021192363A (ja) * 2020-06-03 2021-12-16 大日本印刷株式会社 電子デバイス、電子デバイスの製造方法及び蒸着マスク群

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19831340C1 (de) * 1998-07-13 2000-03-02 Siemens Ag Verfahren und Anordnung zum Kalibrieren einer Laserbearbeitungsmaschine zum Bearbeiten von Werkstücken
KR100490534B1 (ko) * 2001-12-05 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
KR100647576B1 (ko) 2002-03-16 2006-11-17 삼성에스디아이 주식회사 텐션 마스크 프레임 조립체의 제조방법 및 그 제조장치
KR100791338B1 (ko) 2006-08-07 2008-01-03 삼성전자주식회사 레지스트레이션이 보정된 포토마스크 및 포토마스크의레지스트레이션 보정 방법
KR101182439B1 (ko) 2010-01-11 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
US8938317B2 (en) * 2012-01-10 2015-01-20 Mitsubishi Electronic Research Laboratories, Inc. System and method for calibrating laser cutting machines

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10295915B2 (en) 2017-05-31 2019-05-21 Postech Academy-Industry Foundation Mask manufacturing apparatus and, manufacturing method of mask and, mask for lithography
KR102230000B1 (ko) * 2020-08-24 2021-03-22 (주)세우인코퍼레이션 Oled 마스크 제조 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20150014888A1 (en) 2015-01-15
US9604314B2 (en) 2017-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150006954A (ko) 레이저 빔을 이용한 마스크 패턴 형성 방법
JP5101845B2 (ja) 集束イオンビーム装置ならびにそれを用いた試料断面作製方法および薄片試料作製方法
US20100304280A1 (en) Method of forming a template, and method of manufacturing a semiconductor device using the template
KR20160145637A (ko) 웨이퍼의 휨의 평가방법 및 웨이퍼의 선별방법
KR100455536B1 (ko) 포토마스크의 수정 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US8010307B2 (en) In-line overlay measurement using charged particle beam system
US20120237857A1 (en) Photomask and method for forming overlay mark using the same
TW201326739A (zh) 圖案量測裝置及圖案量測方法
JP2013172106A (ja) 描画装置及び物品の製造方法
JP2015177032A (ja) リソグラフィ装置及び物品の製造方法
JP2016001708A (ja) リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JP2014216365A (ja) ナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法
US9904170B2 (en) Reticle transmittance measurement method, projection exposure method using the same, and projection exposure device
CN109564397B (zh) 测量装置、曝光装置以及物品的制造方法
JP2012198436A (ja) フォトマスクのパターンの輪郭抽出方法、輪郭抽出装置、フォトマスクの保証方法及び半導体装置の製造方法
US9547242B2 (en) Lithography apparatus, and method of manufacturing article
US20210096461A1 (en) Defect repairing method and template manufacturing method
JP6305800B2 (ja) マスク製造装置及びマスク製造方法
US20150129779A1 (en) Drawing apparatus, and method of manufacturing article
US8922774B2 (en) Method of manufacturing device, and substrate
JP5449886B2 (ja) 撮像範囲間の重なり判定方法
TW201546573A (zh) 微影設備及物品製造方法
US8673522B2 (en) Method for manufacturing photomask and photomask manufactured using the same
JP2016058490A (ja) リソグラフィ装置、および物品の製造方法
KR100945924B1 (ko) 노광 렌즈의 디스토션 수차 보정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid