JP2016001708A - リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】重ね合わせ精度と線幅精度との両立に有利なリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】基板上の第1領域及び第2領域のそれぞれにビームを順次照射してパターンを形成するリソグラフィ装置であって、前記ビームを検出するビーム検出部と、前記第1領域へのビームの照射の前における前記ビーム検出部の出力に基づく前記第2領域の第1位置情報と、該照射の後における前記ビーム検出部の出力に基づく前記第2領域の第2位置情報とのそれぞれに重み付けを与えて前記第2領域の位置情報を得る処理部と、を有することを特徴とするリソグラフィ装置を提供する。【選択図】図4
Description
本発明は、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法に関する。
半導体デバイス等の物品を製造するためのリソグラフィ装置として、例えば、電子線やイオン線などのビームを用いて基板にパターン形成を行うものが知られている。当該装置では、1つのショット領域を複数の領域に分割し、該分割により得られた複数の領域のそれぞれにビームを照射してパターンを形成し、かかるパターンを繋ぎ合わせることでパターンを形成するスティッチング法が知られている(特許文献1参照)。
スティッチング法では、領域間のパターンの繋ぎ合わせにずれが生じると、線幅精度(CD(Critical Dimension)精度又は線幅均一性ともいう)が低下しうる。また、基板上に既に形成されたパターン(下地パターン)にパターンを重ね合わせて描画するのにずれが生じると、重ね合わせ精度が低下しうる。
例えば、特許文献1には、描画する領域どうしが重なる領域(多重描画領域)を設定し、それぞれの領域と描画パターンとの関係に基づいて描画を制御することで線幅精度を保証する技術が開示されている。
描画装置では、装置内の温度や磁場の変化の影響などによって、基板に照射されるビームの位置が経時的に変化するため、ビームの位置を較正(補正又は補償ともいう)する必要がある。しかしながら、ビームの位置を較正すると、それまで連続的に変化していたビームの位置が不連続的に変化する。従って、直線パターンを描画している途中でビームの位置を較正した場合、直線パターンが不連続になってしまう。これにより、線幅均一性(線幅精度)が低下しうる。一方、ビームの位置の較正を行わないと、ビームの位置の経時変化によって、重ね合わせ精度が低下しうる。また、線幅均一性と重ね合わせ精度との両立のために高い頻度で較正を行うと、単位時間当たりの基板の処理枚数(スループット)が低下しうる。
本発明は、重ね合わせ精度と線幅精度との間の両立に有利なリソグラフィ装置を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、基板上の第1領域及び第2領域のそれぞれにビームを順次照射してパターンを形成するリソグラフィ装置であって、前記ビームを検出するビーム検出部と、前記第1領域へのビームの照射の前における前記ビーム検出部の出力に基づく前記第2領域の第1位置情報と、該照射の後における前記ビーム検出部の出力に基づく前記第2領域の第2位置情報とのそれぞれに重み付けを与えて前記第2領域の位置情報を得る処理部と、を有することを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、重ね合わせ精度と線幅精度との両立に有利なリソグラフィ装置を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
図1は、本発明の一側面としての描画装置1の構成を示す概略図である。描画装置1は、パターンを基板に形成するリソグラフィ装置である。描画装置1は、複数のビームを偏向させながら、かかるビームの照射のON/OFFを個別に制御することで、所定のパターンを基板の所定の位置に描画するマルチビーム方式の描画装置である。また、描画装置1は、描画する領域どうしが重なる領域(スティッチング領域)を共有する基板上の第1領域及び第2領域のそれぞれにビームを順次照射してパターンを基板に形成するスティッチング法を採用する。
ここで、ビームは、本実施形態では、電子線であるが、イオン線などの他の荷電粒子線であってもよい。また、描画装置1は、光ビーム(レーザービーム)を音響光学素子によって回折させる(制御する)ことで描画を行う光ビーム描画装置であってもよい。
描画装置1は、図1に示すように、電子銃2と、電子銃2のクロスオーバ3から発散された電子線を複数の電子線に分割、偏向及び結像する光学系4と、基板7を保持する基板ステージ5とを有する。また、描画装置1は、描画装置1の全体(即ち、各構成要素の動作など)を制御する制御部6と、検出部20と、設定部(コンソール)40と、アライメント系50とを有する。以下では、基板に対する電子線の照射方向にZ軸を採用し、Z軸に垂直な平面内で互いに直交する方向にX軸及びY軸を採用する。
なお、大気雰囲気では電子線が急激に減衰するために、更には、高電圧による放電を防止するために、制御部6及び設定部40を除く描画装置1の構成要素は、真空排気系によって内部圧力が調整された空間に配置される。例えば、電子銃2及び光学系4は、高い真空度に維持された電子光学鏡筒内に配置され、基板ステージ5は、電子光学鏡筒内よりも低い真空度に維持されたチャンバ内に配置される。また、基板7は、例えば、単結晶シリコンからなるウエハであり、その表面には、感光性のレジストが塗布されている。
電子銃2は、熱や電界の印加によって電子線を放出し、図1では、クロスオーバ3から発散された電子線(の軌道)2aを点線で示している。光学系4は、電子銃側から順に、コリメーターレンズ10、アパーチャアレイ11、第1静電レンズアレイ12、ブランキング偏向器アレイ13、ブランキングアパーチャアレイ14、偏向器アレイ15及び第2静電レンズアレイ16を含む。また、光学系4は、ブランキングアパーチャアレイ14の下流側に、第3静電レンズアレイ17を含んでいてもよい。
コリメーターレンズ10は、電磁レンズで構成され、クロスオーバ3から発散された電子線を略平行にする。アパーチャアレイ11は、マトリクス状に配列された複数の円形状の開口を有し、コリメーターレンズ10からの電子線を複数の電子線に分割する。第1静電レンズアレイ12は、円形状の開口を有する3枚の電極板で構成され、ブランキングアパーチャアレイ14に対して、電子線を結像する。
ブランキング偏向器アレイ13及びブランキングアパーチャアレイ14は、マトリクス状に配置され、各電子線の照射のON(非ブランキング)/OFF(ブランキング)動作を制御する。偏向器アレイ(偏向器)15は、基板ステージ5に保持された基板7の上の像をX軸方向に偏向する。第2静電レンズアレイ16は、ブランキングアパーチャアレイ14を通過した電子線を基板7の上に結像する。また、第2静電レンズアレイ16は、基板ステージ5に配置された検出部20に対して、クロスオーバ3の像を結像する。
基板ステージ5は、6軸駆動が可能な構成を有し、基板7を、例えば、静電吸着によって保持しながら、少なくともX軸方向及びY軸方向の2軸方向に移動する。基板ステージ5の位置は、干渉計(レーザー測長器)などによって実時間で計測される。かかる干渉計の分解能(即ち、基板ステージ5の駆動精度)は、例えば、0.1nm程度である。
基板ステージ5には、基板7に照射される電子線の特性を検出するための検出部(ビーム検出部)20が配置されている。検出部20の出力信号(電気信号)は、電子線の特性(の変化)の検出に用いられる。ここで、電子線の特性とは、電子線の位置、形状、強度(強度分布)などを含む。検出部20は、当業界で周知のいかなる構成をも適用可能であるが、例えば、スリットを利用して、上述したような電子線の特性を検出する。
制御部6は、描画装置1の描画処理に関わる各構成要素の動作を制御するために、主制御部30と、レンズ制御部(不図示)と、ブランキング制御部31と、偏向制御部32と、検出制御部33と、ステージ制御部34とを含む。主制御部30は、レンズ制御部、ブランキング制御部31、偏向制御部32、検出制御部33及びステージ制御部34を統括する。
レンズ制御部は、コリメーターレンズ10、第1静電レンズアレイ12、第2静電レンズアレイ16及び第3静電レンズアレイ17のそれぞれの動作を制御する。ブランキング制御部31は、描画パターン生成部、ビットマップ変換部及びブランキング指令生成部によって生成されるブランキング信号に基づいて、ブランキング偏向器アレイ13の動作を制御する。ここで、描画パターン生成回路は、描画パターンを生成し、かかる描画パターンは、ビットマップ変換部によってビットマップデータに変換される。ブランキング指令生成部は、ビットマップデータに基づいて、ブランキング信号を生成する。偏向制御部32は、偏向信号生成部によって生成される偏向信号に基づいて、偏向器アレイ15の動作を制御する。
検出制御部33は、検出部20の出力信号に基づいて電子線の照射の有無を判定し、かかる判定結果を主制御部30に入力する。また、検出制御部33は、主制御部30を介してステージ制御部34や偏向制御部32と協同することで、基板7に照射される電子線の特性(電子線の位置、形状、強度)を求める。具体的には、検出制御部33は、検出部20の出力信号、ステージ制御部34からの基板ステージ5の位置情報、及び、偏向制御部32からの電子線の偏向量(偏向幅)に基づいて、電子線の特性を求める。
ステージ制御部34は、主制御部30からの指令に基づいて、基板ステージ5の目標位置を求め、基板ステージ5が目標位置に位置するように基板ステージ5の移動を制御する。基板ステージ5の移動の制御には、干渉計によって計測された基板ステージ5の位置(干渉計による計測データ)が用いられる。
ステージ制御部34は、パターンの描画中、基板ステージ5(基板7)をY軸方向に連続的に走査(スキャン)する。この際、偏向器アレイ15は、干渉計によって計測された基板ステージ5の位置を基準として、基板7に照射される電子線をX軸方向に偏向させる。また、ブランキング偏向器アレイ13は、基板上で目標線量(目標とする照射量)が得られるように、電子線の照射のON/OFFを行う。
アライメント系50は、基板上のマークを検出するマーク検出部である。アライメント系50は、例えば、グローバルアライメント、ゾーンアライメント、ダイバイダイアライメントなどに用いられ、基板上の複数の領域のそれぞれに設けられたアライメントマーク(重ね合わせマーク)を検出する。かかるアライメントマークは、例えば、基板上の実素子領域に描画されるパターンと同時に基板上のスクライブラインに描画される。また、アライメント系50は、スクライブラインに描画されるアライメントマークの代わりに、実素子領域に描画されたパターンの一部などをアライメントマークとして検出することも可能である。
主制御部30は、上述したように、レンズ制御部、ブランキング制御部31、偏向制御部32、検出制御部33及びステージ制御部34を統括し、描画装置1の全体(動作)を制御する機能を有する。また、後述するように、主制御部30は、基板7のアライメントにおいて、パターンを形成するための基準位置(描画位置)を決定する処理部として機能する。この際、主制御部30は、基板上の第1領域へのビームの照射の前における基板上の第2領域の第1位置情報と、第1領域へのビームの照射の後における基板上の第2領域の第2位置情報とのそれぞれに重みを与えて第2領域の位置情報を得る処理部として機能する。なお、第1位置情報及び第2位置情報は、検出部20の出力に基づいて得られる。また、第1位置情報及び第2位置情報のうち少なくとも一方は、アライメント系50の出力にも基づいて得られる。
描画装置1では、図2に示すように、装置内の温度や磁場の変化の影響などによって、基板7に照射される電子線の位置が経時的に変化する。図2には、描画開始時の第1電子線の位置201S及び第1格子の位置205Sと、描画開始時の第2電子線の位置202S及び第2格子の位置206Sとが図示されている。第1電子線及び第1格子は、点線で示すパターン(図形)203を描画し、第2電子線及び第2格子は、実線で示すパターン(図形)204を描画する。図2では、パターン204を描画しているときに第2電子線の位置が経時変化した状態を示している。201E及び205Eのそれぞれは、描画終了時の第1電子線及び第1格子の位置を表し、202E及び206Eのそれぞれは、描画終了時の第2電子線及び第2格子の位置を表している。従って、電子線の位置を定期的に検出部20で検出して較正(キャリブレーション)する必要がある。
一方、電子線の位置を較正すると、それまで連続的に変化していた電子線の位置が不連続的に変化する。従って、例えば、直線パターンを描画している途中でビームの位置を較正した場合、図3に示すように、直線パターンが不連続になってしまう。図3には、下地のパターン401と、下地のパターン401に重ね合わせて描画する描画パターン402a、402b、402c及び402dとが図示されている。図3では、理解を容易にするために、電子線の位置の経時変化を極端に表している。図3を参照するに、電子線の位置の較正を行わない場合、下地のパターン401と描画パターン402aとの間に重ね合わせのずれが発生する。また、描画中に電子線の位置の較正を1回行った場合、2回行った場合、3回行った場合には、それぞれ、描画パターン402b、描画パターン402c、描画パターン402dが描画される。図3から明らかなように、電子線の位置の較正によって、重ね合わせ精度は改善されるが、描画パターンに不連続点DPが生じ、線幅精度が低下していることがわかる。一方、電子線の位置の較正を行わないと、線幅精度は維持されるが、電子線の位置の経時変化によって、下地のパターン401からずれて描画パターンが描画されることになる。このように、電子線の位置の較正を行うことは、重ね合わせ精度と線幅精度の両方に対して影響を及ぼすことになる。換言すれば、重ね合わせ精度と線幅精度とは、相反する関係であるため、それらを両立させることは困難である。
また、パターンの形成に要求される重ね合わせ精度及び線幅精度は、半導体デバイスやその製造工程に応じて異なる。従って、それぞれの精度を個別に補正すると、ユーザが求める結果とは異なる結果となる(即ち、パターンの形成に要求される重ね合わせ精度及び線幅精度を満たすことができない)可能性がある。換言すれば、線幅の補正によって重ね合わせ精度が低下したり、重ね合わせの補正によって線幅精度が低下したりしてしまう。
そこで、本実施形態の描画装置1では、重ね合わせ精度を優先するのか、線幅精度を優先するのか、或いは、重ね合わせ精度も線幅精度も同程度にするのか、などをユーザが任意に入力(制御)することができるようにしている。具体的には、ユーザの入力に応じて、重ね合わせ精度と線幅精度の優先順位を表す順位パラメータの値や重ね合わせと線幅とのそれぞれに与える重みを表す重み付けパラメータの値を設定する設定部40を描画装置1が有している。描画装置1では、設定部40によって設定された順位パラメータや重み付けパラメータの値に応じて描画を行うことで、ユーザが求める結果、即ち、パターンの形成に要求される重ね合わせ精度及び線幅精度を保証している。
図4を参照して、描画装置1におけるスティッチング法による描画処理について説明する。かかる描画処理は、上述したように、制御部6、特に、主制御部30が描画装置1の各部を統括的に制御することで行われる。また、ここでは、基板上の1つのショット領域を複数の分割領域に分割し、かかる分割領域に部分パターンを描画するものとする。
S502では、基板7を描画装置1の外部から描画装置1に搬入し、かかる基板7を基板ステージ5に保持させる。描画装置1に搬入される基板7には、パターンを描画するために必要なレジストが予め塗布されている。また、描画装置1に搬入される基板7には、下地のパターン(回路パターン)及びアライメントマークが既に形成されている。
S504では、グローバルアライメント計測、ゾーンアライメント計測及びダイバイダイアライメント計測のいずれかに関する手順に基づいて、基板7に設けられたアライメントマークを検出する。グローバルアライメント計測では、まず、基板7の複数のショット領域のうちグローバルなサンプルショット領域(特定のサンプル領域)に設けられたアライメントマークをアライメント系50で検出する。そして、アライメント系50の検出結果に対して処理(回帰式を用いた回帰演算等)を行うことで基板上の各ショット領域の配列(位置等)を求める。また、ゾーンアライメント計測では、基板上のローカルなショット領域に設けられたアライメントマークをアライメント系50で検出し、その検出結果に基づいてショット領域の位置を求める。ここで、ローカルなショット領域は、例えば、部分パターンの描画の対象となる対象分割領域及び対象分割領域とグループ化された対象分割領域の周りの領域を含む。また、ダイバイダイアライメント計測では、対象分割領域に設けられたアライメントマークをアライメント系50で検出し、その検出結果に基づいてショット領域の位置を求める。
S506では、基板7に照射される電子線の位置を検出するかどうかを判定する。ここでの判定基準は、例えば、一定時間間隔であったり、基板ごとであったり、描画時間(電子線の積算照射時間)であったりする。このような判定基準は、予め決められており、設定部40などを介して描画装置1に設定されている。基板7に照射される電子線の位置を検出する場合には、S508に移行する。一方、基板7に照射される電子線の位置を検出しない場合には、S510に移行する。
S508では、基板7に照射される電子線の位置を検出部20で検出する。また、検出部20によって検出された電子線の位置に基づいて、基板上の複数の分割領域のうち対象分割領域(第2領域)について、部分パターンを形成するための第1位置情報(描画位置)を求める。第1位置情報は、基板上の対象分割領域に隣接する領域(第1領域)へのビームの照射の前における対象分割領域の位置であって、線幅精度を優先する描画位置である。
S510では、対象分割領域について、部分パターンを形成するための第2位置情報(描画位置)を求める。第2位置情報は、基板上の対象分割領域に隣接する領域(第1領域)へのビームの照射の後における対象分割領域の位置であって、重ね合わせ精度を優先する描画位置である。具体的には、S504でのアライメント系50の検出結果、及び、対象分割領域に隣接し、且つ、部分パターンが既に形成された分割領域における部分パターンの位置に基づいて第2位置情報を求める。なお、対象分割領域に隣接する分割領域における部分パターンの位置は、例えば、対象分割領域に隣接する分割領域に部分パターンを描画したときの描画情報を用いて求めることができる。描画情報は、例えば、制御部6のメモリなどの記憶部に記憶され、部分パターンを描画したときに基板7に照射した電子線の積算照射量、描画時のシフト、倍率、回転などの線形補正量と基板ステージ5の位置などを含む。また、対象分割領域に隣接する分割領域における部分パターンの位置は、対象分割領域に隣接する分割領域に部分パターンを形成したときのゾーンアライメント計測やダイバイダイアライメント計測に基づいて求めてもよい。換言すれば、対象分割領域に隣接する分割領域に部分パターンを形成したときにアライメント系50で検出されたアライメントマークに基づいて、隣接する分割領域における部分パターンの位置を求めてもよい。なお、対象分割領域に隣接する分割領域における部分パターンの位置とは、かかる部分パターンの並進、回転、形状及び寸法のうち少なくとも1つに関する情報としうる。
S512では、設定部40によって設定された順位パラメータの値及び重み付けパラメータの値を取得し、その値に対応して第1位置情報及び第2位置情報のそれぞれに与える重み(重み付け)を決定する。順位パラメータは、重ね合わせ精度を優先するのか、線幅精度を優先するのかを表す変数を含む。例えば、順位パラメータの変数が「1」である場合には線幅精度を優先し、第1位置情報に与える重みを「1」、第2位置情報に与える重みを「0」とする。また、順位パラメータの変数が「0」である場合には重ね合わせ精度を優先し、第1位置情報に与える重みを「0」、第2位置情報に与える重みを「1」とする。一方、重み付けパラメータは、第1位置情報に与える重みを表す第1変数(第1重み)と第2位置情報に与える重みを表す第2変数(第2重み)とを含む。なお、重み付けパラメータの第1変数及び第2変数のそれぞれは0以上1以下の実数であり、第1変数と第2変数との和は1である。従って、第1変数が「1」、第2変数が「0」である場合には線幅精度を優先し、第1変数が「0」、第2変数が「1」である場合には重ね合わせ精度を優先することになる。また、それ以外の場合、例えば、第1変数が「0.3」、第2変数が「0.7」である場合には、線幅精度及び重ね合わせ精度のそれぞれが3:7の割合で考慮されることになる。
S514では、対象分割領域について、部分パターンを形成する位置を決定する。具体的には、S508で求めた第1位置情報及びS510で求めた第2位置情報のそれぞれにS512で決定した重みを与え、重みが与えられた第1位置情報及び第2位置情報に基づいて部分パターンを形成する位置を決定する。
例えば、線幅精度の重み(第1変数の値)をCA、重ね合わせ精度の重み(第2変数の値)をCB、第1位置を(Sx、Sy)、第2位置を(Bx、By)とする。この場合、部分パターンを形成する位置は、(CA×Sx+CB×Bx、CA×Sy+CB×By)となる。
S516では、S514で決定した位置に基づいて、対象分割領域に部分パターンを描画する。S518では、S516で部分分割領域に部分パターンを描画したときの描画情報(基板7に照射した電子線の積算照射量、描画時のシフト、倍率、回転などの線形補正量と基板ステージ5の位置など)を、例えば、制御部6のメモリなどの記憶部に記憶する。S518で記憶された描画情報は、第1位置を求める(S508)ときに、必要に応じて用いられる。
S520では、基板上の全ての分割領域に部分パターンを描画したかどうかを判定する。基板上の全ての分割領域に部分パターンを描画していない場合には、部分パターンが描画されていない分割領域を対象分割領域としてS504に移行する。また、基板上の全ての分割領域に部分パターンを描画した場合には、S522に移行して、かかる基板7を描画装置1の外部に搬出する。
このように、描画装置1では、重ね合わせ精度と線幅精度との間の優先度を決定するパラメータを、それには限定されないが、基板又はそのロットごとに設定することが可能である。よって、描画装置1は、パターンの形成に要求される重ね合わせ精度及び線幅精度の両立に有利なリソグラフィ装置を実現することができる。
本実施形態では、描画装置1がマルチビーム方式である場合を例に説明したが、描画装置1がシングルビーム方式である場合であっても同様な効果を得ることができる。
また、例えば、基板7に照射される電子線を一定時間間隔で検出する場合、その間の電子線の位置を求めることができない。このような場合、検出部20の出力に基づいて計測された電子線の位置と、当該計測からの経過時間とに基づいて、電子線の位置を推定するのもよい。当該推定は、予め妥当性を確認された変動モデルに基づいてなされうる。
例えば、電子線の位置の経時変化の主要因が描画に伴う電子光学系内の発熱の場合、基板7に対する電子線の積算照射量に基づいて電子線の位置を推定しうるものである。
描画装置1は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に描画装置1を用いて潜像パターンを形成する工程(基板に描画を行う工程)と、かかる工程で潜像パターンを形成された基板を現像する工程(描画を行われた基板を現像する工程)とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、本発明は、リソグラフィ装置を描画装置に限定するものではなく、露光装置にも適用することができる。ここで、露光装置は、光や荷電粒子等のビームを用い、レチクル又はマスク及び投影光学系を介して基板を露光するリソグラフィ装置である。また、本発明は、基板上の複数の分割領域を基板の複数のショット領域のそれぞれとして適用することができる
1:描画装置 6:制御部 20:検出部 30:主制御部 50:アライメント系
Claims (10)
- 基板上の第1領域及び第2領域のそれぞれにビームを順次照射してパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
前記ビームを検出するビーム検出部と、
前記第1領域へのビームの照射の前における前記ビーム検出部の出力に基づく前記第2領域の第1位置情報と、該照射の後における前記ビーム検出部の出力に基づく前記第2領域の第2位置情報とのそれぞれに重み付けを与えて前記第2領域の位置情報を得る処理部と、
を有することを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記基板上のマークを検出するマーク検出部を有し、
前記第1位置情報及び前記第2位置情報のうち少なくとも一方は、前記マーク検出部の出力にも基づく、
ことを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。 - 前記第1位置情報と前記第2位置情報とのそれぞれに与える重みを入力に応じて設定する設定部を有することを特徴とする請求項1又は2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記設定部は、前記第1位置情報に与える第1重みと前記第2位置情報に与える第2重みとを設定することを特徴とする請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1重み及び前記第2重みのそれぞれは0以上1以下の実数であり、前記第1重みと前記第2重みとの和は1であることを特徴とする請求項4に記載のリソグラフィ装置。
- 前記処理部は、グローバルアライメント、ゾーンアライメント及びダイバイダイアライメントのうちいずれかに関する手順に基づいて前記第1位置情報を得ることを特徴とする請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記処理部は、グローバルアライメント、ゾーンアライメント及びダイバイダイアライメントのうちいずれかに関する手順に基づいて前記第2位置情報を得ることを特徴とする請求項2又は6に記載のリソグラフィ装置。
- 前記処理部は、前記ビーム検出部の出力に基づいて、前記第1領域及び前記第2領域のうち少なくとも一方を照射する前記ビームの位置を推定することを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ビームは、荷電粒子線であることを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
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