JP2002170764A - 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光装置の調整方法及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光装置の調整方法及び半導体デバイスの製造方法

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JP2002170764A JP2000368005A JP2000368005A JP2002170764A JP 2002170764 A JP2002170764 A JP 2002170764A JP 2000368005 A JP2000368005 A JP 2000368005A JP 2000368005 A JP2000368005 A JP 2000368005A JP 2002170764 A JP2002170764 A JP 2002170764A
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coil
charged particle
particle beam
beam exposure
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Mamoru Nakasuji
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 大型の装置を用いることなく、浮遊磁界の影
響を打ち消すことがき、かつ遮蔽率が良好な荷電粒子線
露光装置を提供する。 【解決手段】 照明レンズ５の下には、外部磁界を検出
するサーチコイル８と補正コイル９が図のような位置に
設けられている。サーチコイル８で検出された外部磁界
は、外部磁界検出１５回路で電気信号に変えられ、外部
磁界補正回路１６に与えられる。外部磁界補正回路１６
は、検出された外部磁界に対応する電流を補正コイル９
に与えることにより、外部磁界を打ち消す。第２投影レ
ンズ１３の下側にも、同様にサーチコイル２１と補正コ
イル２２が図に示すように設けられると共に、外部磁界
検出回路２８、外部磁界補正回路２９が設けられてい
る。これらは、照明レンズ５の下に設けられているもの
と同じ働きをする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、浮遊磁界の影響を
補正する機能を有する荷電粒子線露光装置、その調整方
法、及びこの荷電粒子線露光装置を使用した半導体デバ
イスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスに要求される集積度が高
まるにつれて、最小線幅が100nm未満の回路パターンを
ウェハ上に形成する必要が生じ、従来の光学方式の露光
転写装置が使用できなくなってきている。このような微
小線幅のパターンを高スループットで露光転写できるも
のとして、分割露光転写方式の荷電粒子線露光装置が注
目を集めている。
【０００３】このような荷電粒子線露光装置を使用して
レチクルからウェハへの露光転写を行う場合、荷電粒子
線露光装置の外部の浮遊磁界の影響により、荷電粒子線
の軌道が乱され、露光転写精度が悪化することがある。
これに対する対策として、荷電粒子線露光装置から約４
ｍ離れた位置に設置された、３つの互いにその軸が垂直
なコイル（直径約50cm）を用いて、浮遊磁界に対応して
適当な振幅の電流を与え、浮遊磁界を打ち消すことが考
えられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、直径が
50cm程度のヘルムホルツコイルを荷電粒子線露光装置か
ら４ｍ離れた場所に設置しようとすると、他の周辺電源
等と干渉するという問題が生じる他、クリーンルームを
大きくしなければならないという問題が生じる。また、
この方法では、浮遊磁界の遮蔽率が１／10程度にとどま
っており、十分な効果が得られないという問題点があ
る。さらに、装置とコイルの間にある磁場の発生源（例
えばリニアモータ）からの磁場を打ち消せないという問
題点がある。
【０００５】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、大型の装置を用いることなく、浮遊磁界の影響
を打ち消すことがき、かつ遮蔽率が良好な荷電粒子線露
光装置を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の第１の手段は、照明光学系によりレチクルステージ上
のレチクルを照明し、レチクルに形成させれたパターン
を投影光学系によりウェハステージ上のウェハに転写す
る荷電粒子線露光装置であって、照明光学系と投影光学
系間の間隙、又は投影光学系とウェハステージ間の間隙
の少なくとも一方に、変動磁界を検出する磁気センサと
磁界補正コイルを有し、かつ、磁気センサで検出した変
動磁界を補償するように、磁界補正コイルに流す電流を
調整する磁界補正器を有することを特徴とする荷電粒子
線露光装置（請求項１）である。
【０００７】本手段においては、荷電粒子線露光装置内
に設けられた磁気センサにより変動磁界（浮遊磁界）を
検出し、それを打ち消すような電流を、荷電粒子線露光
装置内に設けられた磁界補正コイルに流している。よっ
て、小さなコイルで局所的に磁界を打ち消すことができ
るので、おおがかりな設備を必要とせず、かつ、照明光
学系、投影光学系の外囲器の強磁性体のシールド効果と
の重畳効果が得られるので、浮遊磁界の遮蔽率を１／30
より良好にすることが容易である。なお、浮遊磁界と
は、荷電粒子線露光装置以外の装置により発生される外
部磁界のことである。
【０００８】前記課題を解決するための第２の手段は、
前記第１の手段であって、照明光学系と投影光学系間の
間隙に設けられる磁気センサと磁界補正コイルは、照明
光学系とレチクルステージの間に設けられることを特徴
とするもの（請求項２）である。
【０００９】照明光学系と投影光学系の間にはレチクル
が配置されるが、一般に、照明光学系とレチクルの間の
間隔の方が、レチクルと投影光学系の間より広い。よっ
て、磁気センサと磁界補正コイルを、照明光学系とレチ
クルステージの間に設けることによって、スペースの有
効活用を図ることができる。
【００１０】前記課題を解決するための第３の手段は、
前記第１の手段又は第２の手段であって、前記磁気セン
サ及び磁界補正コイルはそれぞれ３組のコイルからな
り、磁気センサは、照明光学系、投影光学系の光軸をｚ
軸とするｘ−ｙ−ｚ直交座標系において各軸方向の磁界
を検出し、３組の磁界補正コイルは、それぞれｘ−ｙ−
ｚ直交座標系において各軸方向の磁界を発生させるもの
であることを特徴とするもの（請求項３）である。
【００１１】本手段においては、３軸方向の変動磁界を
独立して検出し、それぞれ対応するコイルから発生する
磁界で打消しを行っているので、確実に変動磁界を打ち
消すことができる。
【００１２】前記課題を解決するための第４の手段は、
前記第３の手段であって、磁気センサは、 前記ｚ軸を中心に巻回され、ｚ軸方向の磁界を検出す
るコイルと、 ｘ軸に平行な軸の周りに巻回され、ｘ軸方向の磁界を
検出するコイルと、 ｙ軸に平行な軸の周りに巻回され、ｙ軸方向の磁界を
検出するコイルとからなり、３組の磁界補正コイルは、 前記ｚ軸を中心に巻回され、ｚ軸方向の磁界を発生す
るコイルと、 ｘ軸に平行な軸の周りに巻回され、ｘ軸方向の磁界を
発生するコイルと、 ｙ軸に平行な軸の周りに巻回され、ｙ軸方向の磁界を
発生するコイルとからなることを特徴とする（請求項
４）である。
【００１３】本手段においては、後に実施の形態で図を
用いて説明するように、磁界検出用コイルと、磁界発生
コイルを、荷電粒子線露光装置内の狭い空間の中に組み
込むことができる。よって、荷電粒子線露光装置が大型
化することがない。
【００１４】前記課題を解決するための第５の手段は、
前記第１の手段から第４の手段のいずれかであって、前
記磁気センサは、前記磁界補正コイルよりも、前記ｚ軸
から離れて設けられていることを特徴とするもの（請求
項５）である。
【００１５】本手段においては、磁気センサが、ｚ軸か
ら離れた位置に設けられているので、外部磁界を正確に
検出することができる。そして、磁界補正コイルは、ｚ
軸の近くに設けられているので、光軸近傍の磁界を有効
に補償することができる。
【００１６】前記課題を解決するための第６の手段は、
前記第１の手段から第４の手段のいずれかであって、前
記磁気センサはコイルからなり、このコイルが磁界補正
コイルを兼ねていることを特徴とするもの（請求項６）
である。
【００１７】本手段においては、磁気センサと磁界補正
コイルが兼用となっているので、それだけ構成部品を減
らすことができ、装置を小型化できる。しかし、本手段
を使用するに際しては、コイルから検出される磁界が０
となるように、このコイルに流す電流を調節してやれば
よいわけではなく、検出磁場の何倍の磁場を発生させれ
ばよいかを予め実験的に求め、その比に従って補正電流
を流して、初めて外部磁界の影響を完全に補償可能とな
る。
【００１８】また、露光転写の合間にコイルを磁気セン
サとして使用して浮遊磁界を測定し、露光転写中には、
コイルを磁界補正コイルとして使用し、測定された浮遊
磁界を打ち消すような電流を流すような方法を採用する
ことにより、浮遊磁界を打ち消すことができる。
【００１９】前記課題を解決するための第７の手段は、
前記第１の手段から第６の手段のいずれかの調整方法で
あって、磁気センサで検出された磁界と、磁界補正コイ
ルに流す電流の比を、予め実験的に求めておき、実際に
検出された磁界とこの比に基づいて補正コイルに流す電
流を決定することを特徴とする荷電粒子線露光装置の調
整方法（請求項７）である。
【００２０】本手段においては、磁気センサで検出され
た磁界と、それを打ち消すために必要な、磁界補正コイ
ルに流す電流の比を、予め実験的に求めているので、変
動磁界を打ち消すのに必要な電流を、正確に磁界補正コ
イルに与えることができる。
【００２１】前記課題を解決するための第８の手段は、
前記第１の手段から第６の手段のいずれかを使用し、マ
スク又はレチクルに形成されたパターンの像を、マスク
上に露光転写する工程を有してなることを特徴とする半
導体デバイスの製造方法（請求項８）である。
【００２２】本手段においては、浮遊磁界の影響を受け
にくい荷電粒子線露光装置を用いて露光転写を行ってい
るので、微細なパターンを有する半導体デバイスを精度
良く製造することが可能である。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の例を
図を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態の１
例である荷電粒子線露光装置の概要を示す図である。図
１において、１は電子銃、２、３はコンデンサレンズ、
４はビーム成形開口、５は照明レンズ、６はフェライト
スタック、７は偏向コイル（及びダイナミック補正レン
ズ）、８はサーチコイル、９は補正コイル、１０はレチ
クル、１１は第１投影レンズ、１２はレンズコア、１３
は第２投影レンズ、１４はレンズコア、１５は外部磁界
検出回路、１６は外部磁界補正回路、１７はフェライト
スタック、１８は偏向コイル、１９はダイナミック補正
レンズ、２０はダイナミック非点補正レンズ、２１はサ
ーチコイル、２２は補正コイル、２３はウェハ、２４は
フェライトスタック、２５は偏向コイル、２６はダイナ
ミック補正レンズ、２７はダイナミック非点補正レン
ズ、２８は外部磁界検出回路、２９は外部磁界補正回路
である。
【００２４】電子銃１から放出された電子線は、コンデ
ンサレンズ２、３で収束され、ビーム成形開口４を一様
な強度で照明する。ビーム成形開口４で成形された電子
線は、照明レンズ５により、レチクル１０の一つのサブ
フィールドを照明する。レチクル１０でパターン化され
た電子線は、第１投影レンズ１１、第２投影レンズ１３
により、レチクル１０のパターンの像を、ウェハ２３上
に投影する。一つのサブフィールドの露光転写が終了す
ると、電子線は偏向コイル７により偏向され、主偏向方
向にある次のサブフィールドを照明する。
【００２５】このようにして、主偏向方向のサブフィー
ルドを偏向により走査し、順次露光転写した後は、レチ
クルと、ウェハが連続移動しているので、主偏向方向と
直角な方向にある次の段のサブフィールドの露光転写を
行うことが可能な状態となっている。これを繰り返し
て、全レチクルのパターンが、全ウェハに転写される。
ダイナミック補正レンズやフェライトスタック等の作用
に付いては、周知のものであるし、本発明と直接の関係
がないのでその説明を省略する。
【００２６】本実施の形態においては、照明レンズ５の
下には、外部磁界を検出するサーチコイル（磁界検出
器）８と補正コイル（磁界補正コイル）９が図のような
位置に設けられている。サーチコイル８で検出された外
部磁界は、外部磁界検出１５回路で電気信号に変えら
れ、外部磁界補正回路１６に与えられる。外部磁界補正
回路１６は、検出された外部磁界に対応する電流を補正
コイル９に与えることにより、外部磁界を打ち消すよう
にする。
【００２７】第２投影レンズ１３の下側にも、同様にサ
ーチコイル２１と補正コイル２２が図に示すように設け
られている。サーチコイル２１で検出された外部磁界
は、外部磁界検出回路２８で電気信号に変えられ、外部
磁界補正回路２９に与えられる。外部磁界補正回路２９
は、検出された外部磁界に対応する電流を補正コイル２
２に与えることにより、外部磁界を打ち消すようにす
る。
【００２８】図２に、実際のサーチコイルと磁界補正コ
イルの配置の例を示す。図２において、（ａ）はＡ−
Ａ’断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ’の位置から上方を見た図
である。３１はｚ軸方向磁界補正コイル、３２はｘ軸方
向磁界補正コイル、３３はｙ軸方向磁界補正コイル、３
４はｚ軸方向サーチコイル、３５はｘ軸方向サーチコイ
ル、３６はｚ軸方向サーチコイル、３７は照明レンズ５
のポールピース、３８は第１投影レンズ１１のポールピ
ースである。
【００２９】照明レンズ５のポールピースに、各軸方向
のサーチコイルと磁界補正コイルが取り付けられてい
る。一番中心軸側には、ｚ軸方向磁界補正コイル３１が
ｚ軸を周回するように同心円状に巻回されており、コイ
ルに電流を流すことにより、ｚ軸方向の磁界が、ｚ軸を
中心とした軸対称に形成されるようになっている。
【００３０】その外側には、ｘ軸方向磁界補正コイル３
２、ｙ軸方向磁界補正コイル３３が設けられている。ｘ
軸方向磁界補正コイル３２は、図で-45°〜+45°の間、
及びそれとｙ軸対称な位置に、サドルタイプに巻回され
ている。これによってｘ軸方向の磁界が発生する。もち
ろん、互いにｙ軸対称となっている２つのコイルは、同
じ向きのｘ軸方向の磁界を発生するようにされている。
【００３１】同様、ｙ軸方向磁界補正コイル３３は、図
で45°〜135°の間、及びそれとｘ軸対称な位置に、サ
ドルタイプに巻回されている。これによってｙ軸方向の
磁界が発生する。もちろん、互いにｘ軸対称となってい
る２つのコイルは、同じ向きのｙ軸方向の磁界を発生す
るようにされている。
【００３２】その外側には、ｚ軸方向サーチコイル３４
が、ｚ軸方向磁界補正コイル３１と同様の方法で巻回さ
れており、ｚ軸方向の磁界のみを検出するようになって
いる。さらにその外側には、ｘ軸方向サーチコイル３
５、ｙ軸方向サーチコイル３６が、ｘ軸方向磁界補正コ
イル３２、ｙ軸方向磁界補正コイル３３と同様な方法で
巻回されており、それぞれ、ｘ軸方向の磁界、ｙ軸方向
の磁界のみを検出するようになっている。
【００３３】このような配置において、各サーチコイル
を磁界補正コイルの外側に設けているのは、鏡筒内部に
設けられた偏向器による磁界や、ダイナミックフォーカ
スレンズによる磁界がサーチコイルに届かないように
し、サーチコイルが外部磁界のみを検出できるようにす
るためである。これに対し、磁界補正コイルは、なるべ
く小さい電流で補正を行うことができるように、光軸に
近く設けてある。
【００３４】以上は、照明光学系と投影光学系間の間隙
に設けられたサーチコイルと磁界補正コイルの例である
が、投影光学系とウェハステージ間の間隙の間に設けら
れるものも同じ構成で実現できる。
【００３５】このような配置のサーチコイルと磁界補正
コイルを用いて補正を行うには、一例として以下のよう
な方法がある。すなわち、光軸から十分離れた位置にヘ
ルムホルツコイルを置き、一定の磁界を発生させる。こ
のとき、サーチコイルに流れる電流Ｉs 8と、光軸上での
ビームの振れ量を検出する。
【００３６】そして、この状態で磁界補正コイルに電流
を流して補正磁界を与え、ビームの振れを０にする。ビ
ームの振れが０に戻ったときの磁界補正コイルに流した
電流値をＩc 8とし、このＩc 8とＩs 8の比をＩc 8／Ｉs 8＝
ｋとする。補正時においては、サーチコイルによりＩs
の電流が検出されたら、そのｋ倍の電流を磁界補正回路
に流すようにする。これをｘ、ｙ、ｚ軸方向独立に実施
する。ビームの振れを見る代わりに、光軸付近に磁気検
出器を置き、これを基準に上記のような調整を行っても
よい。
【００３７】また、以上の実施の形態では、サーチコイ
ルと磁界補正コイルを別々に設けたが、これを共用する
ようにしてもよい。すなわち、コイルから検出される電
流値の何倍の逆位相の電流を流せばビームの振れを０に
できるかを予め実験的に求めておき、その比に相当する
電流を流せばよい。また、分割投影方式の露光装置にお
いては、一つのサブフィールドを露光してから次のサブ
フィールドを露光するまでの間に所定時間の間隔がある
ので、この時間に外部磁界の測定を行い、それに基づい
て、露光中に同じコイルで外部磁界の補償を行うように
してもよい。
【００３８】以下、本発明に係る半導体デバイスの製造
方法の実施の形態の例を説明する。図３は、本発明の半
導体デバイス製造方法の一例を示すフローチャートであ
る。この例の製造工程は以下の各主工程を含む。 ウェハを製造するウェハ製造工程（又はウェハを準備
するウェハ準備工程） 露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程（又
はマスクを準備するマスク準備工程） ウェハに必要な加工処理を行うウェハプロセッシング
工程 ウェハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出し、動
作可能にならしめるチップ組立工程 できたチップを検査するチップ検査工程 なお、それぞれの工程はさらにいくつかのサブ工程から
なっている。
【００３９】これらの主工程の中で、半導体のデバイス
の性能に決定的な影響を及ぼす主工程がウェハプロセッ
シング工程である。この工程では、設計された回路パタ
ーンをウェハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動
作するチップを多数形成する。このウェハプロセッシン
グ工程は以下の各工程を含む。 絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、あるいは電極部を
形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤや
スパッタリング等を用いる） この薄膜層やウェハ基板を酸化する酸化工程 薄膜層やウェハ基板等を選択的に加工するためにマス
ク（レチクル）を用いてレジストのパターンを形成する
リソグラフィー工程 レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエ
ッチング工程（例えばドライエッチング技術を用いる） イオン・不純物注入拡散工程 レジスト剥離工程 さらに加工されたウェハを検査する検査工程 なお、ウェハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り
返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造す
る。
【００４０】図４は、図３のウェハプロセッシング工程
の中核をなすリソグラフィー工程を示すフローチャート
である。このリソグラフィー工程は以下の各工程を含
む。 前段の工程で回路パターンが形成されたウェハ上にレ
ジストをコートするレジスト塗布工程 レジストを露光する露光工程 露光されたレジストを現像してレジストのパターンを
得る現像工程 現像されたレジストパターンを安定化させるためのア
ニール工程 以上の半導体デバイス製造工程、ウェハプロセッシング
工程、リソグラフィー工程については、周知のものであ
り、これ以上の説明を要しないであろう。本発明の実施
の形態においては、リソグラフィー工程の露光工程に、
本発明に係る荷電粒子線露光装置を使用している。よっ
て、浮遊磁界の影響を受けにくく、正確な露光転写がで
きるので、微細なパターンを有する半導体デバイスを精
度良く製造することが可能である。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のうち請求
項１に係る発明においては、おおがかりな設備を必要と
せず、かつ、照明光学系、投影光学系の外囲器の強磁性
体のシールド効果との重畳効果が得られるので、浮遊磁
界の遮蔽率を良好にすることが容易である。
【００４２】請求項２に係る発明においては、スペース
の有効活用を図ることができる。請求項３に係る発明に
おいては、確実に変動磁界を打ち消すことができる。請
求項４に係る発明においては、荷電粒子線露光装置が大
型化することがない。
【００４３】請求項５に係る発明においては、磁気セン
サは外部磁界を正確に検出することができ、磁界補正コ
イルは、光軸近傍の磁界を有効に補償することができ
る。請求項６に係る発明においては、コイルの数を少な
くすることができる。
【００４４】請求項７に係る発明においては、変動磁界
を打ち消すのに必要な電流を、正確に磁界補正コイルに
与えることができる。請求項８に係る発明においては、
微細なパターンを有する半導体デバイスを精度良く製造
することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の１例である荷電粒子線露
光装置の概要を示す図である。
【図２】実際のサーチコイルと磁界補正コイルの配置の
例を示す図である。
【図３】本発明の半導体デバイス製造方法の一例を示す
フローチャートである。
【図４】リソグラフィー工程を示すフローチャートであ
る。
【符号の説明】
１…電子銃、２、３…コンデンサレンズ、４…ビーム成
形開口、５…照明レンズ、６…フェライトスタック、７
…偏向コイル（及びダイナミック補正レンズ）、８…サ
ーチコイル、９…補正コイル、１０…レチクル、１１…
第１投影レンズ、１２…レンズコア、１３…第２投影レ
ンズ、１４…レンズコア、１５…外部磁界検出回路、１
６…外部磁界補正回路、１７…フェライトスタック、１
８…偏向コイル、１９…ダイナミック補正レンズ、２０
…ダイナミック非点補正レンズ、２１…サーチコイル、
２２…補正コイル、２３…ウェハ、２４…フェライトス
タック、２５…偏向コイル、２６…ダイナミック補正レ
ンズ、２７…ダイナミック非点補正レンズ、２８…外部
磁界検出回路、２９…外部磁界補正回路、３１…ｚ軸方
向磁界補正コイル、３２…ｘ軸方向磁界補正コイル、３
３…ｙ軸方向磁界補正コイル、３４…ｚ軸方向サーチコ
イル、３５…ｘ軸方向サーチコイル、３６…ｚ軸方向サ
ーチコイル、３７…照明レンズ５のポールピース、３８
…第１投影レンズ１１のポールピース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｈ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 照明光学系によりレチクルステージ上の
    レチクルを照明し、レチクルに形成されたパターンを投
    影光学系によりウェハステージ上のウェハに転写する荷
    電粒子線露光装置であって、照明光学系と投影光学系間
    の間隙、又は投影光学系とウェハステージ間の間隙の少
    なくとも一方に、変動磁界を検出する磁気センサと磁界
    補正コイルを有し、かつ、磁気センサで検出した変動磁
    界を補償するように、磁界補正コイルに流す電流を調整
    する磁界補正器を有することを特徴とする荷電粒子線露
    光装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の荷電粒子線露光装置で
    あって、照明光学系と投影光学系間の間隙に設けられる
    磁気センサと磁界補正コイルは、照明光学系とレチクル
    ステージの間に設けられることを特徴とする荷電粒子線
    露光装置。
  3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の荷電粒子
    線露光装置であって、前記磁気センサ及び磁界補正コイ
    ルはそれぞれ３組のコイルからなり、磁気センサは、照
    明光学系、投影光学系の光軸をｚ軸とするｘ−ｙ−ｚ直
    交座標系において各軸方向の磁界を検出し、３組の磁界
    補正コイルは、それぞれｘ−ｙ−ｚ直交座標系において
    各軸方向の磁界を発生させるものであることを特徴とす
    る荷電粒子線露光装置。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の荷電粒子線露光装置で
    あって、磁気センサは、 前記ｚ軸を中心に巻回され、ｚ軸方向の磁界を検出す
    るコイルと、 ｘ軸に平行な軸の周りに巻回され、ｘ軸方向の磁界を
    検出するコイルと、 ｙ軸に平行な軸の周りに巻回され、ｙ軸方向の磁界を
    検出するコイルとからなり、３組の磁界補正コイルは、 前記ｚ軸を中心に巻回され、ｚ軸方向の磁界を発生す
    るコイルと、 ｘ軸に平行な軸の周りに巻回され、ｘ軸方向の磁界を
    発生するコイルと、 ｙ軸に平行な軸の周りに巻回され、ｙ軸方向の磁界を
    発生するコイルとからなることを特徴とする荷電粒子線
    露光装置。
  5. 【請求項５】 請求項１から請求項４のうちいずれか１
    項に記載の荷電粒子線露光装置であって、前記磁気セン
    サは、前記磁界補正コイルよりも、前記ｚ軸から離れて
    設けられていることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
  6. 【請求項６】 請求項１から請求項４のうちいずれか１
    項に記載の荷電粒子線露光装置であって、前記磁気セン
    サはコイルからなり、このコイルが磁界補正コイルを兼
    ねていることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
  7. 【請求項７】 請求項１から請求項６のうちいずれか１
    項に記載の荷電粒子線露光装置の調整方法であって、磁
    気センサで検出された磁界と、磁界補正コイルに流す電
    流の比を、予め実験的に求めておき、実際に検出された
    磁界とこの比に基づいて補正コイルに流す電流を決定す
    ることを特徴とする荷電粒子線露光装置の調整方法。
  8. 【請求項８】 請求項１から請求項６のうちいずれか１
    項に記載の電子線露光装置を使用し、マスク又はレチク
    ルに形成されたパターンの像を、マスク上に露光転写す
    る工程を有してなることを特徴とする半導体デバイスの
    製造方法。
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