JP2003068603A - 荷電粒子線露光装置 - Google Patents
荷電粒子線露光装置Info
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 34
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 鏡筒内に漏洩する磁場をキャンセルすること
が容易な荷電粒子線露光装置を提供する。 【解決手段】 鏡筒１の下側にはウェハステージ２が設
けられ、ウェハを搭載して移動するようになっている。
ウェハステージ２の下方に４個の磁気センサ３ａ、３
ｂ、３ｃ、３ｄが設けられている。光軸４をｘ−ｙ−ｚ
直交座標系におけるｚ軸としたとき、これら磁気センサ
のうち３ａと３ｂは、ｘ軸上に配置され、光軸４より等
距離の位置に配置される。また、磁気センサ３ｃと３ｄ
は、ｙ軸上に配置され、光軸３より等距離の位置に配置
される。磁気センサとしては、ホール素子、磁気抵抗素
子等公知のものが使用できる他、交流磁場のみの測定で
よければサーチコイルも使用できる。磁気センサとし
て、一つの磁気センサでｘ−ｙ−ｚの３方向の磁界を検
出できるものを使用することが好ましい。
が容易な荷電粒子線露光装置を提供する。 【解決手段】 鏡筒１の下側にはウェハステージ２が設
けられ、ウェハを搭載して移動するようになっている。
ウェハステージ２の下方に４個の磁気センサ３ａ、３
ｂ、３ｃ、３ｄが設けられている。光軸４をｘ−ｙ−ｚ
直交座標系におけるｚ軸としたとき、これら磁気センサ
のうち３ａと３ｂは、ｘ軸上に配置され、光軸４より等
距離の位置に配置される。また、磁気センサ３ｃと３ｄ
は、ｙ軸上に配置され、光軸３より等距離の位置に配置
される。磁気センサとしては、ホール素子、磁気抵抗素
子等公知のものが使用できる他、交流磁場のみの測定で
よければサーチコイルも使用できる。磁気センサとし
て、一つの磁気センサでｘ−ｙ−ｚの３方向の磁界を検
出できるものを使用することが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、鏡筒内への磁場の
漏洩をキャンセルするような外部コイルが設けられた荷
電粒子線露光装置に関するものである。
漏洩をキャンセルするような外部コイルが設けられた荷
電粒子線露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】荷電粒子線露光装置においては、地磁気
や他の機器が発生する外部磁場が鏡筒内に漏洩すると、
これらの磁場の影響により荷電粒子線の軌道が曲げら
れ、露光転写されるパターンに歪が発生する。このよう
なことが発生するのを防止するために、鏡筒内部に高透
磁率材料を配置してシールドを行うほか、鏡筒外部にも
磁気シールド材を設けることも行われている。さらに
は、荷電粒子線露光装置そのものを磁気シールドが施さ
れたシールドルーム内に設置することも行われている。
や他の機器が発生する外部磁場が鏡筒内に漏洩すると、
これらの磁場の影響により荷電粒子線の軌道が曲げら
れ、露光転写されるパターンに歪が発生する。このよう
なことが発生するのを防止するために、鏡筒内部に高透
磁率材料を配置してシールドを行うほか、鏡筒外部にも
磁気シールド材を設けることも行われている。さらに
は、荷電粒子線露光装置そのものを磁気シールドが施さ
れたシールドルーム内に設置することも行われている。
【０００３】この他、鏡筒内に漏洩する磁場を検出し、
アクティブキャンセラーと称する磁気発生装置により磁
場を発生させて、鏡筒内に漏洩する磁場を積極的にキャ
ンセルすることも行われている。アクティブキャンセラ
ーは、ｘ−ｙ−ｚ座標系で３次元方向の磁場を発生でき
る装置であり、各軸に直角な面に巻かれたペアのコイル
を有し、このペアのコイルにより各軸方向の磁場を発生
させる。そして、合計６個のコイルにより、３次元にお
いて任意の方向を向いた任意の大きさの磁場を発生させ
るようになっている。
アクティブキャンセラーと称する磁気発生装置により磁
場を発生させて、鏡筒内に漏洩する磁場を積極的にキャ
ンセルすることも行われている。アクティブキャンセラ
ーは、ｘ−ｙ−ｚ座標系で３次元方向の磁場を発生でき
る装置であり、各軸に直角な面に巻かれたペアのコイル
を有し、このペアのコイルにより各軸方向の磁場を発生
させる。そして、合計６個のコイルにより、３次元にお
いて任意の方向を向いた任意の大きさの磁場を発生させ
るようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、100nm
以下の解像が必要となる荷電粒子線露光装置において
は、鏡筒周りのシールドだけでは、実用に耐えうるだけ
の磁場のレベルにまで低減させることはできない。ま
た、シールドルーム内に鏡筒を設置したとしても、装置
の設置の際、構造上シールドルームの外壁に開口部を設
けることが必要となり、この開口部分から磁場が漏洩
し、所望の仕様を満たすことが困難となる。
以下の解像が必要となる荷電粒子線露光装置において
は、鏡筒周りのシールドだけでは、実用に耐えうるだけ
の磁場のレベルにまで低減させることはできない。ま
た、シールドルーム内に鏡筒を設置したとしても、装置
の設置の際、構造上シールドルームの外壁に開口部を設
けることが必要となり、この開口部分から磁場が漏洩
し、所望の仕様を満たすことが困難となる。
【０００５】よって、鏡筒内に漏洩する磁場を目的の値
まで低減するためには、アクティブキャンセラーを設け
ることが必要である。しかしながら、アクティブキャン
セラーを用いた場合でも、鏡筒内に漏洩する磁場をどの
位置で検出し、アクティブキャンセラーにフィードバッ
クするのがよいかということについては、これまで明ら
かではなかった。理想的には光軸上に磁気センサを設け
るのがよいが、光軸位置は荷電粒子線の通路となってい
るので、この位置に磁気センサを設けるのは不可能であ
る。
まで低減するためには、アクティブキャンセラーを設け
ることが必要である。しかしながら、アクティブキャン
セラーを用いた場合でも、鏡筒内に漏洩する磁場をどの
位置で検出し、アクティブキャンセラーにフィードバッ
クするのがよいかということについては、これまで明ら
かではなかった。理想的には光軸上に磁気センサを設け
るのがよいが、光軸位置は荷電粒子線の通路となってい
るので、この位置に磁気センサを設けるのは不可能であ
る。
【０００６】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、鏡筒内に漏洩する磁場をキャンセルすることが
容易な荷電粒子線露光装置を提供することを課題とす
る。
もので、鏡筒内に漏洩する磁場をキャンセルすることが
容易な荷電粒子線露光装置を提供することを課題とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の第１の手段は、鏡筒内への磁場の漏洩を低減させるた
めのコイルが設けられた荷電粒子線露光装置であって、
光軸をｚ軸とするｘ−ｙ−ｚ直交座標系におけるｘ軸方
向に、光軸から等距離の位置に磁気センサを２個配置
し、かつｙ軸方向に、光軸から等距離の位置に磁気セン
サを２個配置したことを特徴とする荷電粒子線露光装置
（請求項１）である。
の第１の手段は、鏡筒内への磁場の漏洩を低減させるた
めのコイルが設けられた荷電粒子線露光装置であって、
光軸をｚ軸とするｘ−ｙ−ｚ直交座標系におけるｘ軸方
向に、光軸から等距離の位置に磁気センサを２個配置
し、かつｙ軸方向に、光軸から等距離の位置に磁気セン
サを２個配置したことを特徴とする荷電粒子線露光装置
（請求項１）である。
【０００８】本手段においては、光軸をｚ軸とするｘ−
ｙ−ｚ直交座標系におけるｘ軸方向に、光軸から等距離
の位置に磁気センサを２個配置し、かつｙ軸方向に、光
軸から等距離の位置に磁気センサを２個配置している。
ｙ−ｚ直交座標系におけるｘ軸方向に、光軸から等距離
の位置に磁気センサを２個配置し、かつｙ軸方向に、光
軸から等距離の位置に磁気センサを２個配置している。
【０００９】よって、ｘ軸方向に配置された２つの磁気
センサにより、磁場の各成分のｘ軸方向での平均値とｘ
軸方向の傾きが判定できる。これらの値を求め、外部コ
イルに流す電流を操作することにより、磁場の各成分の
ｘ軸方向の傾きをなくし、かつ平均値がなるべく低くな
るように調整することができる。これは、光軸位置にお
いて、磁場の各成分のｘ軸方向への傾きと大きさを小さ
くしたことに相当する。
センサにより、磁場の各成分のｘ軸方向での平均値とｘ
軸方向の傾きが判定できる。これらの値を求め、外部コ
イルに流す電流を操作することにより、磁場の各成分の
ｘ軸方向の傾きをなくし、かつ平均値がなるべく低くな
るように調整することができる。これは、光軸位置にお
いて、磁場の各成分のｘ軸方向への傾きと大きさを小さ
くしたことに相当する。
【００１０】また、ｙ軸方向に配置された２つの磁気セ
ンサにより、磁場の各成分のｙ軸方向での平均値とｙ軸
方向の傾きが判定できる。これらの値を求め、外部コイ
ルに流す電流を走査することにより、磁場の各成分のｙ
軸方向の傾きをなくし、かつ平均値がなるべく低くなる
ように調整することができる。これは、光軸位置におい
て、磁場の各成分のｙ軸方向への傾きと大きさを小さく
したことに相当する。
ンサにより、磁場の各成分のｙ軸方向での平均値とｙ軸
方向の傾きが判定できる。これらの値を求め、外部コイ
ルに流す電流を走査することにより、磁場の各成分のｙ
軸方向の傾きをなくし、かつ平均値がなるべく低くなる
ように調整することができる。これは、光軸位置におい
て、磁場の各成分のｙ軸方向への傾きと大きさを小さく
したことに相当する。
【００１１】このようにして、ｘ軸方向の調整とｙ軸方
向の調整を、交互に繰り返して行うことにより、ｘ軸方
向、ｙ軸方向共に、磁場の傾きがなく、かつ磁場の値が
十分小さくなるように調整することができる。特に、コ
イルの磁場発生方向を、ｘ−ｙ−ｚ方向として、センサ
の配置方向と一致させておくことにより調整が簡単とな
る。
向の調整を、交互に繰り返して行うことにより、ｘ軸方
向、ｙ軸方向共に、磁場の傾きがなく、かつ磁場の値が
十分小さくなるように調整することができる。特に、コ
イルの磁場発生方向を、ｘ−ｙ−ｚ方向として、センサ
の配置方向と一致させておくことにより調整が簡単とな
る。
【００１２】本手段は、レチクルパターンをウエハに転
写する露光転写方式の荷電粒子線露光装置の他、描画に
よりウエハにパターンを露光形成する描画型の荷電粒子
線露光装置にも利用できる。
写する露光転写方式の荷電粒子線露光装置の他、描画に
よりウエハにパターンを露光形成する描画型の荷電粒子
線露光装置にも利用できる。
【００１３】前記課題を解決するための第２の手段は、
前記第１の手段であって、前記ｘ軸方向の磁気センサと
光軸間の距離と、前記ｙ軸方向の磁気センサと光軸間の
距離とが等しいことを特徴とするもの（請求項２）であ
る。
前記第１の手段であって、前記ｘ軸方向の磁気センサと
光軸間の距離と、前記ｙ軸方向の磁気センサと光軸間の
距離とが等しいことを特徴とするもの（請求項２）であ
る。
【００１４】前記第１の手段においては、ｘ軸方向に配
置された磁気センサと光軸間の距離と、ｙ軸方向に配置
された磁気センサと光軸間の距離とは必ずしも一致して
いなかった。このように、これらの距離が一致していな
くても、前述のように、これらの磁気センサの出力を基
にして、外部コイルに流す電流を操作することにより、
磁場の各成分の各軸方向の傾きをなくし、かつ平均値が
なるべく低くなるように調整することができる。
置された磁気センサと光軸間の距離と、ｙ軸方向に配置
された磁気センサと光軸間の距離とは必ずしも一致して
いなかった。このように、これらの距離が一致していな
くても、前述のように、これらの磁気センサの出力を基
にして、外部コイルに流す電流を操作することにより、
磁場の各成分の各軸方向の傾きをなくし、かつ平均値が
なるべく低くなるように調整することができる。
【００１５】しかし、本手段のように、これらの各磁気
センサと光軸との距離を全て等しくすれば、全ての磁気
センサの出力が同一でかつ小さな値となるように外部コ
イルに流す電流を操作することにより、磁場の各成分の
各軸方向の傾きをなくし、かつ平均値がなるべく低くな
るように調整することができる。よって、前述のよう
に、ｘ軸方向の調整とｙ軸方向の調整を繰り返して行う
必要が無くなり、作業がより簡単となる。
センサと光軸との距離を全て等しくすれば、全ての磁気
センサの出力が同一でかつ小さな値となるように外部コ
イルに流す電流を操作することにより、磁場の各成分の
各軸方向の傾きをなくし、かつ平均値がなるべく低くな
るように調整することができる。よって、前述のよう
に、ｘ軸方向の調整とｙ軸方向の調整を繰り返して行う
必要が無くなり、作業がより簡単となる。
【００１６】前記課題を解決するための第３の手段は、
前記第１の手段又は第２の手段であって、前記４つのセ
ンサが位置するｘ−ｙ方向平面のｚ軸方向の位置を、シ
ールド材の間隙が存在する位置の近傍としたことを特徴
とするもの（請求項３）である。
前記第１の手段又は第２の手段であって、前記４つのセ
ンサが位置するｘ−ｙ方向平面のｚ軸方向の位置を、シ
ールド材の間隙が存在する位置の近傍としたことを特徴
とするもの（請求項３）である。
【００１７】鏡筒等はこれを構成する材料にシールド材
を用いることにより、磁場をシールドすることが可能で
あるが、ウエハステージやレチクルステージ等の可動部
が存在するような場所にはシールド材を配置することが
困難であり、シールド材に間隙（ギャップ）が生じる。
を用いることにより、磁場をシールドすることが可能で
あるが、ウエハステージやレチクルステージ等の可動部
が存在するような場所にはシールド材を配置することが
困難であり、シールド材に間隙（ギャップ）が生じる。
【００１８】このようなシールド材に間隙が存在する位
置においては、シールド材が存在する位置に比して、光
軸近傍に浸入する外部漏洩磁場が大きくなる。本手段に
おいては、この位置の近傍に磁気センサを配置している
ため、露光装置に悪影響を及ぼす漏洩磁場の影響をより
正確に測定することができ、従って、漏洩磁場の低減を
効果的に行うことができる。
置においては、シールド材が存在する位置に比して、光
軸近傍に浸入する外部漏洩磁場が大きくなる。本手段に
おいては、この位置の近傍に磁気センサを配置している
ため、露光装置に悪影響を及ぼす漏洩磁場の影響をより
正確に測定することができ、従って、漏洩磁場の低減を
効果的に行うことができる。
【００１９】前記課題を解決するための第４の手段は、
前記第３の手段であって、前記４つのセンサが位置する
ｘ−ｙ方向平面のｚ軸方向の位置を、ウエハステージの
下側としたことを特徴とするもの（請求項４）である。
前記第３の手段であって、前記４つのセンサが位置する
ｘ−ｙ方向平面のｚ軸方向の位置を、ウエハステージの
下側としたことを特徴とするもの（請求項４）である。
【００２０】ウエハステージの下側は、鏡筒内のシール
ドが存在しない領域で、比較的大きな磁場が存在してい
る。よって、この位置に磁気センサを設けることによ
り、鏡筒内に漏洩する磁場を感度よく検出できる。ま
た、実際の荷電粒子線露光装置では、磁気センサを設置
する空間の場所には設計上の制約があるが、ウエハステ
ージの下側は、このような空間をとりやすいため、他の
設計条件に影響を与えることなく、磁気センサを設置す
ることができる。
ドが存在しない領域で、比較的大きな磁場が存在してい
る。よって、この位置に磁気センサを設けることによ
り、鏡筒内に漏洩する磁場を感度よく検出できる。ま
た、実際の荷電粒子線露光装置では、磁気センサを設置
する空間の場所には設計上の制約があるが、ウエハステ
ージの下側は、このような空間をとりやすいため、他の
設計条件に影響を与えることなく、磁気センサを設置す
ることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下本発明による実施の形態の例
について、図１から図３を用いて説明する。図１は、電
子線露光装置におけるウエハステージの下側に磁気セン
サを設けた例を示す概要図である。（ａ）は平面図であ
り、（ｂ）は側面図である。ただし、照明系等の上部の
構成機器は図示を省略している。
について、図１から図３を用いて説明する。図１は、電
子線露光装置におけるウエハステージの下側に磁気セン
サを設けた例を示す概要図である。（ａ）は平面図であ
り、（ｂ）は側面図である。ただし、照明系等の上部の
構成機器は図示を省略している。
【００２２】鏡筒１の下側にはウエハステージ２が設け
られ、ウエハを搭載して移動するようになっている。ウ
エハステージ２の下方に４個の磁気センサ３ａ、３ｂ、
３ｃ、３ｄが設けられている。光軸４をｘ−ｙ−ｚ直交
座標系におけるｚ軸としたとき、これら磁気センサのう
ち３ａと３ｂは、ｘ軸上に配置され、光軸４より等距離
の位置に配置される。また、磁気センサ３ｃと３ｄは、
ｙ軸上に配置され、光軸３より等距離の位置に配置され
る。磁気センサとしては、ホール素子、磁気抵抗素子等
公知のものが使用できる他、交流磁場のみの測定でよけ
ればサーチコイルも使用できる。磁気センサとして、一
つの磁気センサでｘ−ｙ−ｚの３方向の磁場を検出でき
るものを使用することが好ましい。
られ、ウエハを搭載して移動するようになっている。ウ
エハステージ２の下方に４個の磁気センサ３ａ、３ｂ、
３ｃ、３ｄが設けられている。光軸４をｘ−ｙ−ｚ直交
座標系におけるｚ軸としたとき、これら磁気センサのう
ち３ａと３ｂは、ｘ軸上に配置され、光軸４より等距離
の位置に配置される。また、磁気センサ３ｃと３ｄは、
ｙ軸上に配置され、光軸３より等距離の位置に配置され
る。磁気センサとしては、ホール素子、磁気抵抗素子等
公知のものが使用できる他、交流磁場のみの測定でよけ
ればサーチコイルも使用できる。磁気センサとして、一
つの磁気センサでｘ−ｙ−ｚの３方向の磁場を検出でき
るものを使用することが好ましい。
【００２３】図２は、電子線露光装置における照明系鏡
筒と投影系鏡筒の間のギャップの近傍に磁気センサを設
けた例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面
図である。
筒と投影系鏡筒の間のギャップの近傍に磁気センサを設
けた例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面
図である。
【００２４】照明系鏡筒１ａと投影系鏡筒１ｂの間には
レチクルステージ５が設けられ、レチクルを搭載して移
動可能とされている。このため、照明系鏡筒１ａと投影
系鏡筒１ｂの間には図に示すようなギャップが存在し、
そこから鏡筒内に外部磁場が漏洩する。
レチクルステージ５が設けられ、レチクルを搭載して移
動可能とされている。このため、照明系鏡筒１ａと投影
系鏡筒１ｂの間には図に示すようなギャップが存在し、
そこから鏡筒内に外部磁場が漏洩する。
【００２５】本実施の形態においては、このギャップの
近傍でレチクルステージ５の下側に、４個の磁気センサ
３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄが設けられている。光軸４をｘ
−ｙ−ｚ直交座標系におけるｚ軸としたとき、これら磁
気センサのうち３ａと３ｂは、ｘ軸上に配置され、光軸
４より等距離の位置に配置される。また、磁気センサ３
ｃと３ｄは、ｙ軸上に配置され、光軸４より等距離の位
置に配置される。磁気センサの種類や性能については、
図１に示したものと同じである。
近傍でレチクルステージ５の下側に、４個の磁気センサ
３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄが設けられている。光軸４をｘ
−ｙ−ｚ直交座標系におけるｚ軸としたとき、これら磁
気センサのうち３ａと３ｂは、ｘ軸上に配置され、光軸
４より等距離の位置に配置される。また、磁気センサ３
ｃと３ｄは、ｙ軸上に配置され、光軸４より等距離の位
置に配置される。磁気センサの種類や性能については、
図１に示したものと同じである。
【００２６】図３は、図２に示した電子線露光装置の鏡
筒とアクティブキャンセラーのキャンセルコイルとの配
置の関係を示す図である。照明系鏡筒１ａ、投影系鏡筒
１ｂを取り囲むようにして、アクティブキャンセラーの
キャンセルコイル６ａ〜６ｆが配置されている。キャン
セルコイルのうち６ａ、６ｂはｘ軸に垂直に、６ｃ、６
ｄはｙ軸に垂直に、６ｅ、６ｆはｚ軸に垂直に巻回され
ており、それぞれ、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸方向の磁場を発生
するようになっている。
筒とアクティブキャンセラーのキャンセルコイルとの配
置の関係を示す図である。照明系鏡筒１ａ、投影系鏡筒
１ｂを取り囲むようにして、アクティブキャンセラーの
キャンセルコイル６ａ〜６ｆが配置されている。キャン
セルコイルのうち６ａ、６ｂはｘ軸に垂直に、６ｃ、６
ｄはｙ軸に垂直に、６ｅ、６ｆはｚ軸に垂直に巻回され
ており、それぞれ、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸方向の磁場を発生
するようになっている。
【００２７】このように配置された電子線露光装置にお
いて、鏡筒内に漏洩する磁場のキャンセルは以下のよう
にして行う。まず、鏡筒のレンズ・偏向器その他の電子
線光学部品の励磁電流をすべてOFFにし、磁気センサ３
ａ、３ｂの出力を求める。そして、この２つのセンサに
よって検出される各方向への磁場の大きさが、２つのセ
ンサ間で同一となるように、かつ、なるべく小さくなる
ように、キャンセルコイル６ａ〜６ｆに流す電流を調節
する。
いて、鏡筒内に漏洩する磁場のキャンセルは以下のよう
にして行う。まず、鏡筒のレンズ・偏向器その他の電子
線光学部品の励磁電流をすべてOFFにし、磁気センサ３
ａ、３ｂの出力を求める。そして、この２つのセンサに
よって検出される各方向への磁場の大きさが、２つのセ
ンサ間で同一となるように、かつ、なるべく小さくなる
ように、キャンセルコイル６ａ〜６ｆに流す電流を調節
する。
【００２８】その後、磁気センサ３ｃ、３ｄの出力を求
める。そして、この２つのセンサによって検出される各
方向への磁場の大きさが、２つのセンサ間で同一となる
ように、かつ、なるべく小さくなるように、キャンセル
コイル６ａ〜６ｆに流す電流を調節する。
める。そして、この２つのセンサによって検出される各
方向への磁場の大きさが、２つのセンサ間で同一となる
ように、かつ、なるべく小さくなるように、キャンセル
コイル６ａ〜６ｆに流す電流を調節する。
【００２９】以下、再び、磁気センサ３ａ、３ｂの出力
を求め、前述のような調整を行い、続いて磁気センサ３
ｃ、３ｄの出力を求め、前述のような調整を行うという
作業を繰り返し行い、ペアとなっている磁気センサ間で
出力の差がなく、かつ、その出力が小さくなるようにす
る。このようにすれば、光軸位置おける外部漏洩磁場
を、問題とならない程度に小さくすることができる。
を求め、前述のような調整を行い、続いて磁気センサ３
ｃ、３ｄの出力を求め、前述のような調整を行うという
作業を繰り返し行い、ペアとなっている磁気センサ間で
出力の差がなく、かつ、その出力が小さくなるようにす
る。このようにすれば、光軸位置おける外部漏洩磁場
を、問題とならない程度に小さくすることができる。
【００３０】なお、一般に、４個の磁気センサが形成す
るｘ−ｙ面のｚ方向位置は、光軸近傍に漏洩する磁場が
大きな場所で、かつ磁気センサを設置することが可能な
位置とすることが好ましい。
るｘ−ｙ面のｚ方向位置は、光軸近傍に漏洩する磁場が
大きな場所で、かつ磁気センサを設置することが可能な
位置とすることが好ましい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
鏡筒内に漏洩する磁場をキャンセルすることが容易な荷
電粒子線露光装置を得ることができる。
鏡筒内に漏洩する磁場をキャンセルすることが容易な荷
電粒子線露光装置を得ることができる。
【図１】電子線露光装置におけるウエハステージの下側
に磁気センサを設けた例を示す概要図である。
に磁気センサを設けた例を示す概要図である。
【図２】電子線露光装置における照明系鏡筒と投影系鏡
筒の間のギャップの近傍に磁気センサを設けた例を示す
図である。
筒の間のギャップの近傍に磁気センサを設けた例を示す
図である。
【図３】電子線露光装置の鏡筒とアクティブキャンセラ
ーのキャンセルコイルとの配置の関係を示す図である。
ーのキャンセルコイルとの配置の関係を示す図である。
１…鏡筒
１ａ…照明系鏡筒
１ｂ…投影系鏡筒
２…ウエハステージ
３ａ〜３ｄ…磁気センサ
４…光軸
５…レチクルステージ
６ａ〜６ｆ…キャンセルコイル
Claims (4)
- 【請求項１】 鏡筒内への磁場の漏洩を低減させるため
のコイルが設けられた荷電粒子線露光装置であって、光
軸をｚ軸とするｘ−ｙ−ｚ直交座標系におけるｘ軸方向
に、光軸から等距離の位置に磁気センサを２個配置し、
かつｙ軸方向に、光軸から等距離の位置に磁気センサを
２個配置したことを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項２】 前記ｘ軸方向のセンサと光軸間の距離
と、前記ｙ軸方向のセンサと光軸間の距離とが等しいこ
とを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。 - 【請求項３】 前記４つのセンサが位置するｘ−ｙ方向
平面のｚ軸方向の位置を、シールド材の間隙が存在する
位置の近傍としたことを特徴とする請求項１又は請求項
２に記載の荷電粒子線露光装置。 - 【請求項４】 前記４つのセンサが位置するｘ−ｙ方向
平面のｚ軸方向の位置を、ウエハステージの下側とした
ことを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子線露光装
置。
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|---|---|---|---|
| JP2001252227A JP2003068603A (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | 荷電粒子線露光装置 |
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|---|---|---|---|
| JP2001252227A JP2003068603A (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | 荷電粒子線露光装置 |
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|---|---|
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001252227A Pending JP2003068603A (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | 荷電粒子線露光装置 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP2003068603A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2005252254A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Ims Nanofabrication Gmbh | 動作領域内の磁界補償方法 |
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