WO2018173829A1

WO2018173829A1 - 露光装置、露光方法、及び、デバイス製造方法

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Publication number: WO2018173829A1
Application number: PCT/JP2018/009484
Authority: WO
Inventors: 山本　篤史
Original assignee: 株式会社ニコン
Priority date: 2017-03-22
Filing date: 2018-03-12
Publication date: 2018-09-27
Also published as: TW201901315A

Abstract

露光装置ＥＸは、荷電粒子ビーム（ＥＢ）を物体（Ｗ）に照射可能なビーム光学系（１２）と、ビーム光学系（１２）と物体（Ｗ）との間の空間に磁場を発生させる磁場発生装置（５４（５４１））とを備える。

Description

露光装置、露光方法、及び、デバイス製造方法

　本発明は、例えば、荷電粒子ビームを物体に照射する荷電粒子ビーム光学装置を備える露光装置、露光装置を用いる露光方法、及び、露光方法を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法の技術分野に関する。

　半導体素子等のデバイスを製造するためのリソグラフィ工程で使用される露光装置として、荷電粒子ビーム（例えば、電子ビーム）を露光ビームとして用いる露光装置が提案されている。例えば、特許文献１には、紫外光を露光光として用いる露光装置の解像限界よりも小さいスポットを荷電粒子ビームで形成し、当該スポットを基板等の物体に対して相対的に移動させることで基板を露光する露光装置が記載されている。

　このような露光装置は、磁場を発生可能な磁場発生器（例えば、電磁レンズ）を用いて荷電粒子ビームを制御している。しかしながら、荷電粒子ビームを制御するための磁場が基板等の物体上の空間に残留してしまうと、荷電粒子ビームが、残留した磁場に影響を受ける可能性がある。

米国特許出願公開第２０１６／０１３３４３８号明細書

　本発明の第１の態様は、荷電粒子ビームを物体に照射可能なビーム光学系と、前記ビーム光学系と前記物体との間の空間に磁場を発生させる磁場発生装置とを備える露光装置である。

　本発明の第２の態様は、上述した本発明の第１の態様における露光装置を用いて前記物体を露光する露光方法である。

　本発明の第３の態様は、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ工程では、上述した本発明の第２の態様における露光方法により前記物体に対する露光が行われるデバイス製造方法である。

　本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。

図１は、露光装置の外観を示す斜視図である。図２は、露光装置が備える電子ビーム照射装置及びステージ装置の外観を示す斜視図である。図３は、露光装置が備える電子ビーム照射装置及びステージ装置の断面を示す断面図である。図４は、電子ビーム光学系の断面（電子ビーム光学系の光軸を含む断面）を示す断面図である。図５（ａ）は、支持部材の断面（電子ビーム光学系の光軸を含む断面）を示す断面図であり、図５（ｂ）は、支持部材の上面を示す平面図である。図６は、電子ビーム光学系からの漏れ磁場を模式的に示す断面図である。図７は、漏れ磁場の影響を受ける電子ビームの伝搬経路を示す断面図である。図８（ａ）は、第１変形例の露光装置が備える支持部材の断面（電子ビーム光学系の光軸を含む断面）を示す断面図であり、図８（ｂ）は、第１変形例の支持部材の上面を示す平面図である。図９（ａ）及び図９（ｂ）の夫々は、第２変形例の露光装置が備える支持部材の断面（電子ビーム光学系の光軸を含む断面）を示す断面図であり、図９（ｃ）は、第２変形例の支持部材の上面を示す平面図である。図１０（ａ）は、第３変形例の露光装置が備える支持部材の断面（電子ビーム光学系の光軸を含む断面）を示す断面図であり、図１０（ｂ）は、第３変形例の支持部材の上面を示す平面図である。図１１は、第４変形例の露光装置が備える支持部材の断面（電子ビーム光学系の光軸を含む断面）を、ステージと共に示す断面図である。図１２は、第５変形例の露光装置が備える支持部材の断面（電子ビーム光学系の光軸を含む断面）を、ステージと共に示す断面図である。図１３は、第６変形例の露光装置が備える支持部材の断面（電子ビーム光学系の光軸を含む断面）を示す断面図である。図１４は、第７変形例の露光装置が備える支持部材の断面（電子ビーム光学系の光軸を含む断面）を示す断面図である。図１５は、第８変形例の露光装置が備える支持部材の断面（電子ビーム光学系の光軸を含む断面）を示す断面図である。図１６は、第９変形例の露光装置が備える電子ビーム照射装置及びステージ装置の断面を示す断面図である。図１７は、複数の電子ビームの照射位置（照射領域）をウェハ上で示す平面図である。図１８（ａ）は、第９変形例の露光装置が備える支持部材の断面（電子ビーム光学系の光軸を含む断面）を示す断面図であり、図１８（ｂ）は、第９変形例の支持部材の上面を示す平面図である。図１９（ａ）は、第１０変形例の露光装置が備える支持部材の断面（電子ビーム光学系の光軸を含む断面）を示す断面図であり、図１９（ｂ）は、第１０変形例の支持部材の上面を示す平面図である。図２０は、デバイス製造方法の流れを示すフローチャートである。

　以下、図面を参照しながら、露光装置、露光方法、及び、デバイス製造方法の実施形態について説明する。以下では、電子ビームＥＢをウェハＷに照射して当該ウェハＷを露光する露光装置（つまり、電子ビーム露光装置）ＥＸを用いて、露光装置、露光方法、及び、デバイス製造方法の実施形態を説明する。露光装置ＥＸは、電子ビームＥＢでウェハＷにパターンを描画するようにウェハＷを露光してもよいし、微小マスクのパターンを電子ビームＥＢでウェハＷに転写するようにウェハＷを露光してもよい。

　また、以下の説明では、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸から定義されるＸＹＺ直交座標系を用いて、露光装置ＥＸを構成する各種構成要素の位置関係について説明する。尚、以下の説明では、説明の便宜上、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれが水平方向（つまり、水平面内の所定方向）であり、Ｚ軸方向が鉛直方向（つまり、水平面に直交する方向であり、実質的には上下方向）であるものとする。尚、Ｚ軸方向は、露光装置ＥＸが備える後述の複数の電子ビーム光学系１２の夫々の光軸ＡＸに平行な方向でもある。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸周りの回転方向（言い換えれば、傾斜方向）を、それぞれ、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向と称する。

　（１）露光装置ＥＸの構造
　はじめに、図１から図５を参照しながら、露光装置ＥＸの構造について説明する。

　（１－１）露光装置ＥＸの全体構造
　まず、図１から図３を参照しながら、露光装置ＥＸの全体構造について説明する。図１は、露光装置ＥＸの外観を示す斜視図である。図２は、露光装置ＥＸが備える電子ビーム照射装置１及びステージ装置２の外観を示す斜視図である。図３は、露光装置ＥＸが備える電子ビーム照射装置１及びステージ装置２の断面を示す断面図である。

　図１から図３に示すように、露光装置ＥＸは、電子ビーム照射装置１と、ステージ装置２と、制御装置３（但し、図２及び図３では、制御装置３は不図示）とを備えている。電子ビーム照射装置１は、ステージ装置２が保持するウェハＷに対して電子ビームＥＢを照射可能である。ステージ装置２は、ウェハＷを保持しながら移動可能である。制御装置３は、露光装置ＥＸの動作を制御する。

　ウェハＷは、電子線レジスト（或いは、任意の感光剤又は感応材）が塗布された半導体基板である。ウェハＷは、例えば、直径が３００ｍｍであり、厚さが７００μｍから８００μｍとなる円板状の基板である。但し、ウェハＷは、任意のサイズを有する任意の形状の基板であってもよい。ウェハＷ上には、露光装置ＥＸが備える後述の電子ビーム光学系１２が照射する電子ビームＥＢによって露光される複数の矩形状のショット領域Ｓが設定可能である。例えば、１つのショット領域Ｓのサイズが２６ｍｍ×３３ｍｍである場合には、ウェハＷ上には、約１００個のショット領域Ｓが設定可能である。尚、ウェハＷ上には、一部が欠けたショット領域Ｓが設定されていてもよい。

　電子ビーム照射装置１の一部は、露光チャンバＣａ内に配置されている。図１及び図３に示す例では、電子ビーム照射装置１のうち後述する鏡筒１１の下端部（つまり、電子ビーム照射装置１のうちのステージ装置２側に位置する一部）が、露光チャンバＣａ内に配置されている。更に、ステージ装置２の全体が、露光チャンバＣａ内に配置されている。但し、電子ビーム照射装置１の全体が露光チャンバＣａ内に配置されていてもよい。

　電子ビーム照射装置１は、円筒状の鏡筒１１を備える。鏡筒１１の内部の空間は、電子ビームＥＢが照射される期間中は、真空空間となる。具体的には、鏡筒１１の内部の空間は、鏡筒１１の下側の開放端（つまり、電子ビームＥＢが通過可能な開口）を介して、露光チャンバＣａ内のチャンバ空間Ｃａｚと連結される。このため、鏡筒１１の内部の空間は、チャンバ空間Ｃａｚの排気に伴って真空空間となる。

　更に、電子ビーム照射装置１は、鏡筒１１を下方から支持するためのメトロロジーフレーム１３を備えている。メトロロジーフレーム１３は、図２に示すように、外周部に中心角１２０度の間隔で３つの凸部が形成された円環状の板部材を含む。鏡筒１１の最下端部は、鏡筒１１の最下端部よりも上方にある上方部よりも直径が小さい小径部となっている。鏡筒１１の最下端部と鏡筒１１の上方部との間の境界部分は、段部となっている。この最下端部がメトロロジーフレーム１３の円形の開口内に挿入される。更に、段部の底面がメトロロジーフレーム１３の上面に接触する。その結果、鏡筒１１がメトロロジーフレーム１３によって下方から支持される。

　電子ビーム照射装置１は、更に、メトロロジーフレーム１３を支持するための３つの吊り下げ支持機構１４を備えている。メトロロジーフレーム１３は、上述した３つの凸部に下端が夫々接続された３つの吊り下げ支持機構１４を介して、外枠フレームＦ（図３参照）から吊り下げ支持されている。各吊り下げ支持機構１４は、一端がメトロロジーフレーム１３に接続されるワイヤ１４ａと、ワイヤ１４ａの他端と外枠フレームＦとを接続する受動型の防振パッド１４ｂとを備える。防振パッド１４ｂは、例えば、エアダンパ及びコイルばねの少なくとも一方を含む。このため、防振パッド１４ｂによって、外枠フレームＦの振動のメトロロジーフレーム１３（更には、鏡筒１１）への伝達が防止される。

　上述したように、電子ビーム照射装置１の一部は、露光チャンバＣａ内に配置されている。メトロロジーフレーム１３は、露光チャンバＣａ内に配置される電子ビーム照射装置１の一部に相当する。更に、鏡筒１１の一部（具体的には、下端部）もまた、露光チャンバＣａ内に配置される電子ビーム照射装置１の一部に相当する。鏡筒１１の一部及びメトロロジーフレーム１３を露光チャンバＣａ内に配置するために、図３に示すように、露光チャンバＣａの上面には、開口Ｃａｏが形成されている。つまり、露光チャンバＣａは、開口Ｃａｏを規定するための環状の（或いは、枠状の）フランジ部Ｃａｆを、露光チャンバＣａの隔壁の一部として備えている。鏡筒１１の一部及びメトロロジーフレーム１３は、開口Ｃａｏを介して、露光チャンバＣａの内部に挿入される。更に、フランジ部Ｃａｆとメトロロジーフレーム１３とは、環状の（或いは、枠状の）接続部４を介して接続（言い換えれば、連結）されている。接続部４は、フランジ部Ｃａｆの上面に配置された環状の（或いは、枠状の）プレート４１と、鏡筒１１を取り囲むようにプレート４１とメトロロジーフレーム１３とを連結する環状の（或いは、枠状の）ベローズ４２とを備えている。プレート４１の下面の外周部は、全周にわたってフランジ部Ｃａｆの上面に接続されている。ベローズ４２の上部は、全周に亘ってプレート４１の下面の内周部に接続されている。ベローズ４２の下部は、全周に亘ってメトロロジーフレーム１３の上面に接続されている。このため、露光チャンバＣａ、プレート４１、ベローズ４２、メトロロジーフレーム１３及び鏡筒１１によって囲まれた空間の気密性が確保される。つまり、露光チャンバＣａ、プレート４１、ベローズ４２、メトロロジーフレーム１３及び鏡筒１１によって、ステージ装置２（特に、ステージ装置２が保持するウェハＷ）が収容される真空空間が形成される。更に、ベローズ４２によって、露光チャンバＣａの振動（特に、Ｚ軸方向の振動）のメトロロジーフレーム１３（更には、鏡筒１１）への伝達が防止される。

　電子ビーム照射装置１は、更に、電子ビーム光学系（言い換えれば、光学系カラム）１２を鏡筒１１内に備える。電子ビーム光学系１２は、電子ビームＥＢを照射可能である。尚、電子ビーム光学系１２の具体的な構造については、後に詳述する（図４参照）ため、ここでの説明を省略する。

　ステージ装置２は、電子ビーム照射装置１の下方（つまり、－Ｚ側）に配置される。ステージ装置２は、定盤２１と、ステージ２２とを備える。定盤２１は、露光チャンバＣａの底面上に配置される。ステージ２２は、定盤２１上に配置される。ステージ２２と定盤２１との間には、定盤２１の振動のステージ２２への伝達を防止するための不図示の防振装置が設置されている。ステージ２２は、ウェハＷを保持可能である。従って、ウェハＷは、ステージ２２に保持された状態で、電子ビーム照射装置１が照射する電子ビームＥＢによって露光される。

　ステージ２２は、制御装置３の制御下で、ウェハＷを保持したまま、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って移動可能である。ステージ２２を移動させるために、ステージ装置２は、ステージ駆動系２３（図３参照）を備えている。ステージ駆動系２３は、例えば、任意のモータ（例えば、リニアモータ等）を用いて、ステージ２２を移動させる。更に、ステージ装置２は、ステージ２２の位置を計測するため位置計測器２４を備えている。位置計測器２４は、例えば、エンコーダ及びレーザ干渉計のうちの少なくとも一方を含む。尚、図面の簡略化のために、ステージ駆動系２３及び位置計測器２４は、図１及び図２には記載することなく、図３のみに記載されている。図３は露光装置ＥＸの断面を示しているが、ステージ駆動系２３及び位置計測器２４については断面を示していなくてもよい。

　露光装置ＥＸは、更に、電子ビーム光学系１２とステージ装置２との間の空間に、支持部材５を備えている。支持部材５の少なくとも一部は、電子ビーム光学系１２の下方（つまり、－Ｚ側であり、電子ビームＥＢの射出側）で、且つ、ステージ装置２の上方（つまり、＋Ｚ側）に配置される。ステージ装置２がウェハＷを保持している場合には、支持部材５の少なくとも一部は、ウェハＷの上方に配置される。つまり、支持部材５の少なくとも一部は、電子ビーム光学系１２とステージ装置２（或いは、ウェハＷ）との間の空間に配置される。上述したように電子ビーム光学系１２が鏡筒１１に収容されているため、支持部材５の少なくとも一部は、鏡筒１１の下方（或いは、電子ビーム照射装置１の下方）に配置される。つまり、支持部材５の少なくとも一部は、鏡筒１１とステージ装置２（或いは、ウェハＷ）との間の空間に配置される。支持部材５は、取付部材６を介して、メトロロジーフレーム１３から吊り下げられた状態で支持されている。支持部材５は、取付部材６によって吊り下げられた状態で所定の平面度を維持できる程度の強度を有している。支持部材５は、後述する磁場発生器５４を支持するための部材である。尚、支持部材５及び磁場発生器５４については、後に詳述するため（図５参照）、ここでの説明を省略する。

　（１－２）電子ビーム光学系１２の構造
　続いて、図４を参照しながら、電子ビーム光学系１２の構造について更に詳細に説明する。図４は、電子ビーム光学系１２の断面（電子ビーム光学系１２の光軸ＡＸを含む断面）を示す断面図である。

　図４に示すように、電子ビーム光学系１２は、鏡筒１１内に配置され且つ電磁場を遮蔽可能な円筒状の筐体（言い換えれば、カラムセル）１２１を備えている。電子ビーム光学系１２は、更に、筐体１２１内に、ビーム光学装置１２２を備えている。ビーム光学装置１２２は、例えば、電子ビームＥＢを放出可能な電子銃を含んでいてもよい。ビーム光学装置１２２は、例えば、電子ビームＥＢを成形可能な成形装置（例えば、任意の形状の開口が形成された板である成形絞りや、電磁レンズ等）を含んでいてもよい。ビーム光学装置１２２は、例えば、電子ビームＥＢを所定の縮小倍率でウェハＷの表面に結像可能な対物レンズ（例えば、電磁レンズ等）を含んでいてもよい。ビーム光学装置１２２は、例えば、電子ビームＥＢを偏向可能な偏向器（例えば、磁場を利用して電子ビームＥＢを偏向可能な電磁偏向器や、電場を利用して電子ビームＥＢを偏向可能な静電偏向器）を含んでいてもよい。ビーム光学装置１２２は、例えば、電子ビームＥＢが所定の光学面（例えば、電子ビームＥＢの光路に交差する光学面）上に形成する像の回転量（つまり、θＺ方向の位置）、当該像の倍率、及び、結像位置に対応する焦点位置のいずれか一つを調整可能な調整器（例えば、電磁レンズ等）を含んでいてもよい。ビーム光学装置１２２は、例えば、ウェハＷのアライメントを行うために、ウェハＷ上に形成されたアライメントマーク等を検出可能な検出装置（例えば、ｐｎ接合やｐｉｎ接合の半導体を使用した半導体形反射電子検出装置）を含んでいてもよい。

　尚、電子ビーム光学系１２は、筐体１２１を備えていなくてもよい。この場合、鏡筒１１が筐体１２１として用いられてもよい。つまり、鏡筒１１が、筐体１２１の機能を有していてもよい。

　（１－３）支持部材５及び磁場発生器５４の構造
　続いて、図５（ａ）から図５（ｂ）を参照しながら、支持部材５及び磁場発生器５４の構造について更に詳細に説明する。図５（ａ）は、磁場発生器５４を支持している支持部材５の断面（電子ビーム光学系１２の光軸ＡＸを含む断面）を示す断面図であり、図５（ｂ）は、磁場発生器５４を支持している支持部材５の上面を示す平面図である。

　図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、支持部材５は、板状の部材である。支持部材５は、ＸＹ平面上における形状が矩形（例えば、正方形）となる部材である。但し、支持部材５は、ＸＹ平面上における形状が任意の形状（例えば、円形や、楕円形や、長方形等）となる部材であってもよい。

　支持部材５の少なくとも一部は、誘電体で構成されている。また、支持部材５の少なくとも一部（例えば、後述する磁場発生器５４の設置部）の材料は、熱膨張率が相対的に低い材料であって、例えば、ゼロ膨張セラミックスである。但し、支持部材５の材料は、任意の材料であってもよい。

　図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す例では、支持部材５は、光軸ＡＸから－Ｙ軸側に向かってシフトした位置に配置されている。しかしながら、支持部材５は、光軸ＡＸに対して所望の方向にシフトした位置に配置されていてもよい。支持部材５は、電子ビーム光学系１２の光軸ＡＸとは異なる位置（言い換えれば、電子ビームＥＢの光路とは異なる位置）に配置されるように、電子ビーム光学系１２に対して位置合わせされている。このため、電子ビームＥＢは、支持部材５によって遮蔽されることなく、電子ビーム光学系１２からウェハＷに伝搬可能である。

　支持部材５には、磁場発生器５４が配置されている。上述したように支持部材５の少なくとも一部が電子ビーム光学系１２とステージ装置２（或いは、ウェハＷ）との間の空間に配置されているがゆえに、磁場発生器５４の少なくとも一部もまた、電子ビーム光学系１２とステージ装置２（或いは、ウェハＷ）との間の空間に配置されている。電子ビーム光学系１２が筐体１２１を備えているがゆえに、磁場発生器５４（更には、磁場発生器５４を支持する支持部材５）の少なくとも一部は、筐体１２１とステージ装置２（或いは、ウェハＷ）との間の空間に配置されているとも言える。更に、筐体１２１の下端部１２１ａは、電子ビームＥＢを射出するための開放端となっているがゆえに、磁場発生器５４（更には、磁場発生器５４を支持する支持部材５）の少なくとも一部は、筐体１２１の下端部１２１ａ（つまり、開放端）とステージ装置２（或いは、ウェハＷ）との間の空間に配置されているとも言える。

　磁場発生器５４は、電子ビーム光学系１２とウェハＷとの間の空間に、磁場を発生可能である。磁場を発生するために、磁場発生器５４は、コイル５４１を含む。コイル５４１は、支持部材５の上面（つまり、＋Ｚ側の面）５１１上に配置される。コイル５４１は、ＸＹ平面上で又はＸＹ平面に交差する任意の面（例えば、ＹＺ平面）上で巻かれた巻き線である。

　コイル５４１には、制御装置３の制御下で調整可能な駆動電流が供給される。その結果、コイル５４１を含む磁場発生器５４は、駆動電流に応じた磁場を発生可能である。

　磁場発生器５４が発生した磁場は、電子ビーム光学系１２の内部で発生した磁場のうち電子ビーム光学系１２の外部（特に、電子ビーム光学系１２とウェハＷとの間の空間）に漏れ出てきた磁場を調整するために用いられる。具体的には、磁場発生器５４が発生した磁場は、電子ビーム光学系１２の外部に漏れ出てきた磁場を調整して当該磁場を抑制する（又は、相殺する）ために用いられる。従って、磁場発生器５４は、電子ビーム光学系１２の外部に漏れ出てきた磁場を抑制可能な磁場を発生する。以下、説明の便宜上、電子ビーム光学系１２の内部で発生した磁場のうち電子ビーム光学系１２の外部に漏れ出てきた磁場を、“漏れ磁場”と称し、磁場発生器５４が発生した磁場を、“キャンセル磁場”と称する。以下、キャンセル磁場を用いて漏れ磁場を抑制するための磁場調整動作の具体例について更に説明を進める。

　（２）磁場調整動作について
　（２－１）電子ビーム光学系１２からの漏れ磁場
　まず、磁場制御動作の説明の前提として、図６から図７を参照しながら、電子ビーム光学系１２からの漏れ磁場について説明する。上述したように、電子ビーム光学系１２は、ビーム光学装置１２２の少なくとも一部として、電子ビームＥＢを制御するための磁場を発生可能なビーム制御器を備えている。例えば、電子ビーム光学系１２は、ビーム制御器として、電磁レンズや偏向器等を備えている。

　ビーム制御器は、通常は、筐体１２１内に磁場を発生して、電子ビームＥＢを制御する。通常、筐体１２１は、相対的に高い透磁率を有する材料から構成される。つまり、筐体１２１は、筐体１２１の内部でビーム制御器が発生した磁場（言い換えれば、磁力線）を遮蔽する。一方で、筐体１２１の下端部は、電子ビームＥＢを照射するために開放されている。従って、筐体１２１の内部でビーム制御器が発生した磁場は、筐体１２１を介して外部に漏れにくいものの、筐体１２１の下端部１２１ａの開放端を介して外部に漏れていく可能性がある。ここで、仮に筐体１２１の下端部１２１ａの開放端が物体によって遮蔽されれば、筐体１２１の内部でビーム制御器が発生した磁場は、筐体１２１の下端部１２１ａの開放端を介して外部に漏れにくくなるはずである。しかしながら、筐体１２１の下方には、移動可能な物体（例えば、ステージ２２に搭載されたウェハＷ）が配置されることがある。この場合には、筐体１２１の下端部１２１ａとウェハＷとの間には、ウェハＷのスムーズな移動を実現するために隙間が確保される。このため、この隙間を介して、筐体１２１の内部でビーム制御器が発生した磁場が、筐体１２１の外部に漏れ出してしまう。その結果、図６に示すように、電子ビーム光学系１２の下方の空間（本実施形態では、電子ビーム光学系１２とウェハＷとの間の空間であるものとする）に、電子ビーム光学系１２から漏れた漏れ磁場が発生してしまう。尚、図６に示す漏れ磁場は、漏れ磁場の磁束密度（つまり、磁力線の密度）を便宜的に示している。

　ここで、漏れ磁場が残留するウェハＷ上の空間に対して、光軸ＡＸに平行に伝搬する電子ビームＥＢが入射すると、電子ビームＥＢは、漏れ磁場の影響を受けて、電子ビーム光学系１２の光軸ＡＸ（つまり、Ｚ軸方向）に対して傾くように伝搬する可能性がある。更に、光軸ＡＸ（つまり、Ｚ軸方向）に対する電子ビームＥＢの傾き量は、電子ビームＥＢが伝搬する空間の磁場の磁束に比例する。従って、漏れ磁場ＨがウェハＷ上の空間に残留していると、図７に示すように、ウェハＷの表面に対する電子ビームＥＢの入射角度がゼロでなくなってしまう（つまり、ウェハＷの表面に対して電磁ビームＥＢが斜入射する）可能性がある。その結果、図７に示すように、ウェハＷ上での電子ビームＥＢの照射領域ＥＡの位置ずれが生ずる。このため、電子ビームＥＢをウェハＷ上の所望位置に照射することができなくなってしまう可能性がある。その結果、電子ビームＥＢによる露光精度が悪化してしまう可能性がある。

　本実施形態の制御装置３は、磁場発生器５４が発生するキャンセル磁場を用いて漏れ磁場を抑制する磁場抑制動作を行うことで、漏れ磁場の影響を抑制する。具体的には、制御装置３は、磁場抑制動作を行うことで、漏れ磁場の影響による電子ビームＥＢの傾き（具体的には、光軸ＡＸに対する傾き）を抑制して照射領域ＥＡの位置ずれを抑制する。以下、磁場抑制動作の詳細について更に説明を進める。

　（２－２）キャンセル磁場で漏れ磁場を抑制する磁場調整動作について
　露光装置ＥＸは、漏れ磁場を抑制するための動作の第１具体例として、漏れ磁場の磁束をゼロにする動作を採用してもよい。この場合、制御装置３は、漏れ磁場の磁束をゼロにすることが可能なキャンセル磁場を発生するように、磁場発生器５４を制御する。つまり、制御装置３は、漏れ磁場の磁束をゼロにすることが可能なキャンセル磁場を発生するように、コイル５４１に所望の駆動電流を供給する。この場合、キャンセル磁場は、漏れ磁場の特性とは異なる特性を有する磁場である。具体的には、キャンセル磁場は、例えば、漏れ磁場の磁束分布と同じ磁束分布を有し、且つ、漏れ磁場の極性分布とは逆の極性分布を有する（つまり、漏れ磁場を構成する磁力線の方向とは逆向きの方向の磁力線から構成される）磁場である。その結果、電子ビーム光学系１２の下方の空間に漏れ磁場が残留しなくなる。従って、漏れ磁場の影響によって電子ビームＥＢが光軸ＡＸに対して傾かなくなるため、照射領域ＥＡの位置ずれもまた発生しなくなる。

　露光装置ＥＸは、漏れ磁場を抑制するための動作の第２具体例として、漏れ磁場の磁束を小さくする動作を採用してもよい。尚、漏れ磁場の磁束を小さくするための動作として、磁場制御動作を行う前と比較して漏れ磁場の磁束を小さくする動作や、漏れ磁場の磁束を所定量以下にまで小さくする動作が例示される。この場合、制御装置３は、漏れ磁場の磁束を小さくすることが可能なキャンセル磁場を発生するように、磁場発生器５４を制御する。つまり、制御装置３は、漏れ磁場の磁場を小さくすることが可能なキャンセル磁場を発生するように、コイル５４１に所望の駆動電流を供給する。この場合、キャンセル磁場は、漏れ磁場の特性とは異なる特性を有する磁場である。具体的には、キャンセル磁場は、例えば、漏れ磁場の極性分布とは逆の極性分布を有する磁場である。その結果、電子ビーム光学系１２の下方の空間に、相対的に大きな磁束の漏れ磁場が残留しなくなる。従って、漏れ磁場の影響による電子ビームＥＢの光軸ＡＸに対する傾き量が相対的に小さくなるため、照射領域ＥＡの位置ずれ量もまた相対的に小さくなる。

　但し、漏れ磁場の磁束を小さくする場合において、電子ビーム光学系１２の下方の空間に漏れ磁場が残留する可能性がある。この場合、漏れ磁場を構成する磁力線の方向（つまり、磁束の方向）が光軸ＡＸに対して傾斜していると、漏れ磁場の影響によって電子ビームＥＢが光軸ＡＸに対して傾いてしまう可能性がある。そこで、制御装置３は、漏れ磁場の磁束を小さくする場合には、漏れ磁場を構成する磁力線の方向（つまり、磁束線の方向）を光軸ＡＸに平行にすることが可能なキャンセル磁場を発生するように、磁場発生器５４を制御してもよい。その結果、電子ビーム光学系１２の下方の空間に漏れ磁場が残留していたとしても、漏れ磁場の影響によって電子ビームＥＢが光軸ＡＸに対して傾かなくなるため、照射領域ＥＡの位置ずれもまた発生しなくなる。

　以上の磁場調整動作により、露光装置ＥＸは、漏れ磁場の影響を受けることなく又は漏れ磁場の影響に関わらず、電子ビームＥＢをウェハＷ上の所望位置に照射することができる。その結果、電子ビームＥＢによる露光精度の悪化が適切に抑制される。

　尚、上述した支持部材５の形状は一例である。このため、支持部材５は、磁場発生器５４を支持可能であって且つ電子ビームＥＢを遮蔽しない（言い換えれば、電子ビームＥＢの光路又は光軸ＡＸ上に位置しない）任意の形状を有していてもよい。

　上述した説明では、コイル５４１が支持部材５１の上面５１１に配置されている。しかしながら、コイル５４１は、支持部材５の任意の面に配置されていてもよい。或いは、コイル５４１は、支持部材５の内部に配置されていてもよい（つまり、埋め込まれていてもよい）。

　上述した説明では、磁場発生器５４は、コイル５４１を含んでいる。しかしながら、磁場発生器５４は、漏れ磁場を制御可能なキャンセル磁場を発生可能である限りは、どのような構造を有していてもよい。例えば、磁場発生器５４は、コイル５４１に加えて又は代えて、キャンセル磁場を発生可能な任意のコイルを少なくとも一つ含んでいてもよい。例えば、磁場発生器５４は、コイル５４１に加えて又は代えて、キャンセル磁場を発生可能な任意の装置を含んでいてもよい。

　上述した説明では、磁場発生器５４は、電子ビーム光学系１２とステージ装置２との間の空間に配置されている。しかしながら、磁場発生器５４は、電子ビーム光学系１２とウェハＷとの間の空間とは異なる空間に配置されていてもよい。つまり、磁場発生器５４は、電子ビーム光学系１２とウェハＷとの間の空間に所定の磁場を形成して漏れ磁場が残留しないようにできるのであれば、磁場発生器５４自身を電子ビーム光学系１２とウェハＷとの間の空間に配置しなくてもよい。

　（３）変形例
　続いて、露光装置ＥＸの変形例について説明する。尚、上述した露光装置ＥＸが備える構成要素と同一の構成要素については、同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。

　（３－１）第１変形例
　まず、第１変形例の露光装置ＥＸａについて説明する。露光装置ＥＸａは、上述した露光装置ＥＸと比較して、支持部材５及び磁気発生器５４に代えて、支持部材５ａ及び磁気発生器５４ａを備えているという点で異なっている。第１変形例の露光装置ＥＸａが備えるその他の構成要素は、上述した露光装置ＥＸが備えるその他の構成要素と同一である。従って、以下では、図８（ａ）から図８（ｂ）を参照しながら、支持部材５ａ及び磁気発生器５４ａ（特に、支持部材５及び磁気発生器５４とは異なる点）について説明する。図８（ａ）は、第１変形例の露光装置ＥＸａが備える支持部材５ａの断面（光軸ＡＸを含む断面）を示す断面図であり、図８（ｂ）は、支持部材５ａの上面を示す平面図である。尚、特段の説明がない場合には、第１変形例の支持部材５ａ及び磁気発生器５４ａは、夫々、上述した支持部材５及び磁気発生器５４と同じ構成を有してもよい。以下の第２変形例から第１０変形例においても同様である。

　図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、支持部材５ａの少なくとも一部は、上述した支持部材５と同様に、電子ビーム光学系１２とウェハＷとの間の空間に配置されている。第１変形例では特に、支持部材５ａは、光軸ＡＸを挟み込む２つの（つまり、一対の）支持部材５１ａ及び５２ａから構成される。支持部材５１ａ及び５２ａは、Ｙ軸方向に沿って光軸ＡＸを挟み込んでいる。但し、支持部材５１ａ及び５２ａは、Ｙ軸方向とは異なる所望の方向（例えば、Ｘ軸方向）に沿って光軸ＡＸを挟み込んでいてもよい。支持部材５１ａ及び５２ａの夫々は、電子ビームＥＢの光路とは異なる位置に配置される。支持部材５１ａと支持部材５２ａとの間には、支持部材５１ａの内面（つまり、光軸ＡＸ側の面）５１３ａと支持部材５２ａの内面（つまり、光軸ＡＸ側の面）５２３ａとによって挟まれる空隙５３ａが確保されている。支持部材５１ａ及び５２ａは、空隙５３ａが電子ビーム光学系１２の光軸ＡＸ（或いは、電子ビームＥＢの光路）上に配置されるように、電子ビーム光学系１２に対して位置合わせされている。空隙５３ａは、電子ビームＥＢが通過可能な空間である。このため、電子ビーム光学系１２から射出された電子ビームＥＢは、空隙５３ａを通過した後に、ウェハＷ上の照射領域ＥＡに照射される。つまり、電子ビームＥＢは、支持部材５１ａ及び５２ａによって遮蔽されることなく、空隙５３ａを介して、電子ビーム光学系１２からウェハＷに伝搬可能である。

　支持部材５ａには、磁場発生器５４ａが配置されている。磁場発生器５４ａは、電子ビーム光学系１２とウェハＷとの間の空間に、キャンセル磁場を発生可能である。キャンセル磁場を発生するために、磁場発生器５４ａは、コイル５４１ａと、コイル５４２ａと、コイル５４３ａと、コイル５４４ａとを含む。コイル５４１ａは、支持部材５１ａの上面（つまり、＋Ｚ側の面）５１１ａ上に配置される。コイル５４２ａは、支持部材５２ａの上面（つまり、＋Ｚ側の面）５２１ａ上に配置される。コイル５４３ａは、支持部材５１ａの下面（つまり、－Ｚ側の面）５１２ａ上に配置される。コイル５４４ａは、支持部材５２ａの下面（つまり、－Ｚ側の面）５２２ａ上に配置される。コイル５４１ａから５４４ａの夫々は、ＸＹ平面上で又はＸＹ平面に交差する任意の面（例えば、ＹＺ平面）上で巻かれた巻き線である。コイル５４１ａは、Ｙ軸方向に沿って、コイル５４２ａから第１所定距離だけ離れている。コイル５４１ａ及び５４２ａは、Ｙ軸方向に沿って光軸ＡＸを挟み込むように配置される。コイル５４３ａは、Ｙ軸方向に沿って、コイル５４４ａから第１所定距離と同じ又は異なる第２所定距離だけ離れている。コイル５４３ａ及び５４４ａは、Ｙ軸方向に沿って光軸ＡＸを挟み込むように配置される。コイル５４１ａは、Ｚ軸方向に沿って、コイル５４３ａから第３所定距離だけ離れている。コイル５４２ａは、Ｚ軸方向に沿って、コイル５４４ａから第３所定距離と同じ又は異なる第４所定距離だけ離れている。

　コイル５４１ａから５４４ａの夫々には、制御装置３の制御下で調整可能な駆動電流が供給される。その結果、コイル５４１ａから５４４ａの夫々を含む磁場発生器５４ａは、駆動電流に応じたキャンセル磁場を発生可能である。このため、第１変形例の露光装置ＥＸａもまた、上述した露光装置ＥＸと同様に、漏れ磁場の影響を受けることなく又は漏れ磁場の影響に関わらず、電子ビームＥＢをウェハＷ上の所望位置に照射することができる。その結果、電子ビームＥＢによる露光精度の悪化が適切に抑制される。

　尚、コイル５４１ａから５４４ａの少なくとも一つは、支持部材５ａの任意の面に配置されていてもよい。或いは、コイル５４１ａから５４４ａの少なくとも一つは、支持部材５ａの内部に配置されていてもよい（つまり、埋め込まれていてもよい）。磁場発生器５４ａは、漏れ磁場を制御可能なキャンセル磁場を発生可能である限りは、どのような構造を有していてもよい。例えば、磁場発生器５４ａは、コイル５４１ａから５４４ａの少なくとも一つに加えて又は代えて、キャンセル磁場を発生可能な任意のコイル及び／又は任意の装置を含んでいてもよい。

　（３－２）第２変形例
　続いて、第２変形例の露光装置ＥＸｂについて説明する。露光装置ＥＸｂは、上述した第１変形例の露光装置ＥＸａと比較して、支持部材５ａ及び磁気発生器５４ａに代えて、支持部材５ｂ及び磁気発生器５４ｂを備えているという点で異なっている。第２変形例の露光装置ＥＸｂが備えるその他の構成要素は、上述した露光装置ＥＸが備えるその他の構成要素と同一である。従って、以下では、図９（ａ）から図９（ｃ）を参照しながら、支持部材５ｂ及び磁気発生器５４ｂ（特に、支持部材５ａ及び磁気発生器５４ａとは異なる点）について説明する。図９（ａ）及び図９（ｂ）の夫々は、第２変形例の露光装置ＥＸｂが備える支持部材５ｂの断面（光軸ＡＸを含む断面）を示す断面図であり、図９（ｃ）は、支持部材５ｂの上面を示す平面図である。尚、特段の説明がない場合には、第２変形例の支持部材５ｂ及び磁気発生器５４ｂは、夫々、上述した支持部材５及び磁気発生器５４と同じ構成を有してもよい。

　図９（ａ）から図９（ｃ）に示すように、支持部材５ｂは、上述した支持部材５ａと同様に、電子ビーム光学系１２とウェハＷとの間の空間に配置されている。第２変形例では特に、支持部材５ａは、上述した支持部材５１ａ及び５２ａと、光軸ＡＸを挟み込む２つの（つまり、一対の）支持部材５１ｂ及び５２ｂとから構成される。支持部材５１ｂ及び５２ｂは、Ｘ軸方向に沿って光軸ＡＸを挟み込んでいる。但し、支持部材５１ｂ及び５２ｂは、Ｘ軸方向とは異なる所望の方向に沿って光軸ＡＸを挟み込んでいてもよい。支持部材５１ｂ及び５２ｂは、支持部材５１ａ及び５２ａが光軸ＡＸを挟み込む方向と同じ方向（つまり、Ｙ軸方向）に沿って光軸ＡＸを挟み込んでいてもよい。支持部材５１ｂ及び５２ｂの夫々は、電子ビームＥＢの光路とは異なる位置に配置される。支持部材５１ｂと支持部材５２ｂとの間には、支持部材５１ｂの内面（つまり、光軸ＡＸ側の面）５１３ｂと支持部材５２ｂの内面（つまり、光軸ＡＸ側の面）５２３ｂとによって挟まれる空隙５３ａが確保されている。つまり、第２変形例では、空隙５３ａは、内面５１３ａ及び５２３ａに加えて、内面５１３ｂ及び５２３ｂによっても囲まれている。支持部材５１ｂ及び５２ｂは、空隙５３ａが電子ビーム光学系１２の光軸ＡＸ上に配置されるように、電子ビーム光学系１２に対して位置合わせされている。このため、電子ビームＥＢは、支持部材５１ｂ及び５２ｂによって遮蔽されることなく、空隙５３ａを介して、電子ビーム光学系１２からウェハＷに伝搬可能である。

　支持部材５ｂには、磁場発生器５４ｂが配置されている。磁場発生器５４ｂは、電子ビーム光学系１２とウェハＷとの間の空間に、キャンセル磁場を発生可能である。キャンセル磁場を発生するために、磁場発生器５４ｂは、上述したコイル５４１ａから５４４ａに加えて、コイル５４１ｂと、コイル５４２ｂと、コイル５４３ｂと、コイル５４４ｂとを含む。コイル５４１ｂは、支持部材５１ｂの上面（つまり、＋Ｚ側の面）５１１ｂ上に配置される。コイル５４２ｂは、支持部材５２ｂの上面（つまり、＋Ｚ側の面）５２１ｂ上に配置される。コイル５４３ｂは、支持部材５１ｂの下面（つまり、－Ｚ側の面）５１２ｂ上に配置される。コイル５４４ｂは、支持部材５２ｂの下面（つまり、－Ｚ側の面）５２２ｂ上に配置される。コイル５４１ｂから５４４ｂの夫々は、ＸＹ平面上で又はＸＹ平面に交差する任意の面（例えば、ＹＺ平面）上で巻かれた巻き線である。コイル５４１ｂは、Ｘ軸方向に沿って、コイル５４２ｂから第５所定距離だけ離れている。コイル５４１ｂ及び５４２ｂは、Ｘ軸方向に沿って光軸ＡＸを挟み込むように配置される。コイル５４３ｂは、Ｘ軸方向に沿って、コイル５４４ｂから第５所定距離と同じ又は異なる第６所定距離だけ離れている。コイル５４３ｂ及び５４４ｂは、Ｘ軸方向に沿って光軸ＡＸを挟み込むように配置される。コイル５４１ｂは、Ｚ軸方向に沿って、コイル５４３ｂから第７所定距離だけ離れている。コイル５４２ｂは、Ｚ軸方向に沿って、コイル５４４ｂから第７所定距離と同じ又は異なる第８所定距離だけ離れている。

　コイル５４１ａから５４４ａ及びコイル５４１ｂから５４４ｂの夫々には、制御装置３の制御下で調整可能な駆動電流が供給される。その結果、コイル５４１ａから５４４ａ及びコイル５４１ｂから５４４ｂの夫々を含む磁場発生器５４ｂは、駆動電流に応じたキャンセル磁場を発生可能である。このため、第２変形例の露光装置ＥＸｂもまた、上述した露光装置ＥＸと同様に、漏れ磁場の影響を受けることなく又は漏れ磁場の影響に関わらず、電子ビームＥＢをウェハＷ上の所望位置に照射することができる。その結果、電子ビームＥＢによる露光精度の悪化が適切に抑制される。

　尚、コイル５４１ｂから５４４ｂの少なくとも一つは、支持部材５ｂの任意の面に配置されていてもよい。或いは、コイル５４１ｂから５４４ｂの少なくとも一つは、支持部材５ｂの内部に配置されていてもよい（つまり、埋め込まれていてもよい）。磁場発生器５４ｂは、漏れ磁場を制御可能なキャンセル磁場を発生可能である限りは、どのような構造を有していてもよい。例えば、磁場発生器５４ｂは、コイル５４１ｂから５４４ｂの少なくとも一つに加えて又は代えて、キャンセル磁場を発生可能な任意のコイル及び／又は任意の装置を含んでいてもよい。

　（３－３）第３変形例
　続いて、第３変形例の露光装置ＥＸｃについて説明する。露光装置ＥＸｃは、上述した露光装置ＥＸと比較して、支持部材５及び磁気発生器５４に代えて、支持部材５ｃ及び磁気発生器５４ｃを備えているという点で異なっている。第３変形例の露光装置ＥＸｃが備えるその他の構成要素は、上述した露光装置ＥＸが備えるその他の構成要素と同一である。従って、以下では、図１０（ａ）から図１０（ｂ）を参照しながら、支持部材５ｃ及び磁気発生器５４ｃ（特に、支持部材５及び磁気発生器５４とは異なる点）について説明する。図１０（ａ）の夫々は、第３変形例の露光装置ＥＸｃが備える支持部材５ｃの断面（光軸ＡＸを含む断面）を示す断面図であり、図１０（ｂ）は、支持部材５ｃの上面を示す平面図である。尚、特段の説明がない場合には、第３変形例の支持部材５ｃ及び磁気発生器５４ｃは、夫々、上述した支持部材５及び磁気発生器５４と同じ構成を有してもよい。

　図１０（ａ）から図１０（ｂ）に示すように、支持部材５ｃは、上述した支持部材５と同様に、電子ビーム光学系１２とウェハＷとの間の空間に配置されている。支持部材５ｃは、電子ビーム光学系１２の光軸ＡＸに交差する面（例えば、ＸＹ平面）に対して平行に配置された板状の部材である。

　支持部材５ｃの中心部には、円錐状の凹部５２ｃが形成されている。凹部５２ｃを規定する支持部材５ｃの上面５２１ｃは、上方から下方に向かう（つまり、電子ビーム光学系１２からウェハＷに向かう）につれて凹部５２ｃの径が小さくなるように、ＸＹ平面に対して傾斜している。凹部５２ｃの中心部には、更に、円柱状の凹部５３ｃが形成されている。凹部５３ｃを規定する支持部材５ｃの内面５３１ｃは、Ｚ軸に平行である。内面５３１ｃは、上面５２１ｃの内側端部から下方に向かって延びる。凹部５３ｃを規定する支持部材５ｃの上面５３２ｃは、ＸＹ平面に平行である。上面５３２ｃは、内面５３１ｃの下側端部から内側（つまり、光軸ＡＸ側）に向かって延びる。

　凹部５３ｃの中心部には、支持部材５ｃをＺ軸方向に沿って貫通する開口５１ｃが形成されている。開口５１ｃを規定する支持部材５ｃの内面５１１ｃは、Ｚ軸に平行である。内面５１１ｃは、上面５３２ｃの内側端部から下方に向かって延びる。ＸＹ平面上における開口５１ｃの形状は、円形であるが、その他の形状（例えば、矩形等）であってもよい。ＸＹ平面上における開口５１ｃのサイズは、電子ビームＥＢが照射されるウェハＷ上の領域（つまり、照射領域ＥＡ）のサイズよりも大きい。

　支持部材５ｃは、開口５１ｃが電子ビーム光学系１２の光軸ＡＸ上に配置されるように、電子ビーム光学系１２に対して位置合わせされている。このため、電子ビーム光学系１２から射出された電子ビームＥＢは、開口５１ｃを通過した後に、ウェハＷ上の照射領域ＥＡに照射される。

　支持部材５ｃには、磁場発生器５４ｃが配置されている。磁場発生器５４ｃは、電子ビーム光学系１２とウェハＷとの間の空間に、キャンセル磁場を発生可能である。キャンセル磁場を発生するために、磁場発生器５４ｃは、コイル５４１ｃと、コイル５４２ｃとを含む。コイル５４１ｃ及び５４２ｃは、同軸で配置される。コイル５４１ｃ及び５４２ｃの夫々は、ＸＹ平面上で巻かれた巻き線である。コイル５４１ｃ及び５４２ｃの夫々の中心軸は、Ｚ軸に平行である。コイル５４１ｃ及び５４２ｃの夫々の中心軸は、光軸ＡＸと一致する。コイル５４１ｃは、Ｚ軸方向に沿って、コイル５４２ｃから第９所定距離だけ離れている。第９所定距離は、コイル５４１ｃ及び５４２ｃの夫々の半径のサイズである。従って、コイル５４１ｃ及び５４２ｃは、ヘルムホルツコイルを構成する。つまり、磁場発生器５４ｃは、ヘルムホルツコイルである。

　コイル５４１ｃ及び５４２ｃの夫々の中心軸を光軸ＡＸと一致させるために、コイル５４１ｃ及び５４２ｃの夫々は、開口５１ｃの周囲に配置される。従って、コイル５４１ｃ及び５４２ｃの夫々は、開口５１ｃを中心にしてＸＹ平面上で巻かれた巻き線に相当する。更に、コイル５４１ｃをＺ軸方向に沿ってコイル５４２ｃから第９所定距離だけ離すために、コイル５４１ｃが支持部材５ｃのうち電子ビーム光学系１２側の面に配置される一方で、コイル５４２ｃが支持部材５ｃのうちウェハＷ側の面に配置される。つまり、コイル５４１ｃがコイル５４２ｃの上方に配置される。図１０（ａ）に示す例では、コイル５４１ｃは、支持部材５ｃの上面５３２ｃに配置され、コイル５４２ｃは、支持部材５ｃの下面５５１ｃに配置されている。尚、下面５５１ｃは、開口５１ｃを規定する内面５１１ｃの下側端部から外側に向かって（つまり、光軸ＡＸから遠ざかる方向に向かって）延び且つウェハＷに対向可能な面である。

　コイル５４１ｃ及び５４２ｃの夫々には、制御装置３の制御下で調整可能な駆動電流が供給される。その結果、コイル５４１ｃ及び５４２ｃを含む磁場発生器５４ｃは、駆動電流に応じたキャンセル磁場を発生可能である。このため、第３変形例の露光装置ＥＸｃもまた、上述した露光装置ＥＸと同様に、漏れ磁場の影響を受けることなく又は漏れ磁場の影響に関わらず、電子ビームＥＢをウェハＷ上の所望位置に照射することができる。その結果、電子ビームＥＢによる露光精度の悪化が適切に抑制される。

　尚、コイル５４１ｃ及び５４２ｃの少なくとも一方は、支持部材５ｃの任意の面に配置されていてもよい。或いは、コイル５４１ｃ及び５４２ｃの少なくとも一方は、支持部材５ｃの内部に配置されていてもよい（つまり、埋め込まれていてもよい）。磁場発生器５４ｃは、漏れ磁場を制御可能なキャンセル磁場を発生可能である限りは、どのような構造を有していてもよい。例えば、磁場発生器５４ｃは、ヘルムホルツコイルに加えて又は代えて、キャンセル磁場を発生可能な任意のコイル及び／又は任意の装置を含んでいてもよい。

　（３－４）第４変形例
　続いて、第４変形例の露光装置ＥＸｄについて説明する。第４変形例の露光装置ＥＸｄは、磁場発生器５４が支持部材５とは異なる位置に配置されるという点において、上述した露光装置ＥＸとは異なっている。第４変形例の露光装置ＥＸｄが備えるその他の構成要素は、上述した露光装置ＥＸが備えるその他の構成要素と同一である。従って、以下では、図１１を参照しながら、磁気発生器５４の配置位置について説明する。図１１は、第４変形例の露光装置ＥＸｄが備える支持部材５の断面（光軸ＡＸを含む断面）を、ステージ２２と共に示す断面図である。

　図１１に示すように、磁場発生器５４を構成するコイル５４１は、支持部材５とは異なる位置に配置される。具体的には、コイル５４１は、ステージ２２の内部に配置される（つまり、埋め込まれる）。コイル５４１は、ステージ２２のうちウェハＷを保持可能な保持領域２２１の下方に配置される。このような第４変形例の露光装置ＥＸｄは、磁場発生器５４の配置の自由度を確保しながら、上述した露光装置ＥＸが享受可能な効果と同様の効果を享受することができる。

　尚、コイル５４１は、コイル５４１の少なくとも一部がステージ２２の外部（例えば、保持領域２２１に相当するステージ２２の上面）に露出するように、ステージ２２に配置されていてもよい。コイル５４１は、ステージ２２の下方に配置されている定盤２１に配置されていてもよい。コイル５４１は、支持部材５の下方に位置する任意の部材に配置されていてもよい。露光装置ＥＸｄは、支持部材５を備えていなくてもよい。

　（３－５）第５変形例
　続いて、第５変形例の露光装置ＥＸｅについて説明する。第５変形例の露光装置ＥＸｅは、磁場発生器５４の一部が支持部材５に配置される一方で磁場発生器５４の他の一部が支持部材５とは異なる位置に配置されるという点において、上述した露光装置ＥＸとは異なっている。第５変形例の露光装置ＥＸｅが備えるその他の構成要素は、上述した露光装置ＥＸが備えるその他の構成要素と同一である。従って、以下では、図１２を参照しながら、磁気発生器５４の配置位置について説明する。図１２は、第５変形例の露光装置ＥＸｅが備える支持部材５の断面（光軸ＡＸを含む断面）を、ステージ２２と共に示す断面図である。

　図１２に示すように、第５変形例の磁場発生器５４ｅは、キャンセル磁場を発生するために、コイル５４１ｅと、コイル５４２ｅとを含む。コイル５４２ｅは、支持部材５とは異なる位置に配置される。具体的には、コイル５４２ｅは、ステージ２２の内部に配置される（つまり、埋め込まれる）。コイル５４２ｅは、ステージ２２のうちウェハＷを保持可能な保持領域２２１の下方に配置される。一方で、コイル５４１ｅは、支持部材５（図１２に示す例では、下面５１２）に配置される。このような第５変形例の露光装置ＥＸｅは、磁場発生器５４ｅの配置の自由度を確保しながら、上述した露光装置ＥＸが享受可能な効果と同様の効果を享受することができる。

　尚、コイル５４２ｅは、コイル５４２ｅの少なくとも一部がステージ２２の外部（例えば、保持領域２２１に相当するステージ２２の上面）に露出するように、ステージ２２に配置されていてもよい。コイル５４２ｅは、ステージ２２の下方に配置されている定盤２１に配置されていてもよい。コイル５４２ｅは、支持部材５の下方に位置する任意の部材に配置されていてもよい。また、コイル５４１ｅは、支持部材５の下面５１２以外の任意の箇所に配置されていてもよい。或いは、コイル５４２ｅが支持部材５若しくは支持部材５の下方に位置する任意の部材に配置される一方で、コイル５４１ｅが支持部材５の上方に位置する任意の部材に配置されていてもよい。

　（３－６）第６変形例
　続いて、図１３を参照しながら、第６変形例の露光装置ＥＸｆについて説明する。図１３は、第６変形例の露光装置ＥＸｆが備える支持部材５の断面（光軸ＡＸを含む断面）を示す断面図である。図１３に示すように、第６変形例の露光装置ＥＸｆは、磁場センサ５６ｆを備えているという点において、上述した露光装置ＥＸとは異なっている。第６変形例の露光装置ＥＸｆが備えるその他の構成要素は、上述した露光装置ＥＸが備えるその他の構成要素と同一である。

　磁場センサ５６ｆは、電子ビーム光学系１２とウェハＷとの間の空間に配置される。具体的には、磁場センサ５６ｆは、支持部材５（特に、上面５１１）に配置されている。磁場センサ５６ｆは、電子ビーム光学系１２とウェハＷとの間の空間の少なくとも一部における漏れ磁場を計測可能である。例えば、磁場センサ５６ｆは、電子ビーム光学系１２とウェハＷとの間の空間に配置されている磁場センサ５６ｆ自身の近傍における漏れ磁場を計測可能である。

　制御装置３は、磁場センサ５６ｆの計測結果に基づいて、磁気センサ５６ｆが計測した漏れ磁場（或いは、磁場センサ５６ｆの計測結果から算出される、電子ビーム光学系１２とウェハＷとの間の空間における漏れ磁場）を抑制可能なキャンセル磁場を発生するように、磁場発生器５４を制御する。このため、第６変形例の露光装置ＥＸｆは、上述した露光装置ＥＸが享受可能な効果と同様の効果を享受しつつも、漏れ磁場の実際の計測結果に基づいて漏れ磁場を抑制可能なキャンセル磁場を発生させることができるがゆえに、漏れ磁場をより適切に抑制することができる。

　尚、磁場センサ５６ｆは、支持部材５の上面５１１以外の任意の箇所（例えば、任意の面又は内部）に配置されていてもよい。磁場センサ５６ｆは、電子ビーム光学系１２とステージ２２との間の空間に配置される任意の部材に配置されていてもよい。磁場センサ５６ｆは、電子ビーム光学系１２の下方に位置する任意の部材（例えば、ステージ２２）に配置されていてもよい。磁場センサ５６ｆは、電子ビーム光学系１２とステージ２２との間の空間とは異なる位置に配置されていてもよい。

　制御装置３は、磁場センサ５６ｆの計測結果（つまり、漏れ磁場の実際の計測結果）に加えて又は代えて、漏れ磁場の推定結果に基づいて、推定した漏れ磁場を抑制可能なキャンセル磁場を発生するように磁場発生器５４を制御してもよい。この場合、制御装置３は、漏れ磁場を推定してもよい。例えば、制御装置３は、漏れ磁場の発生源となる電子ビーム光学系１２が備えるビーム制御器（例えば、上述した電磁レンズや偏向器等）の動作状態に基づいて、漏れ磁場を推定してもよい。より具体的には、制御装置３は、漏れ磁場の発生源となる電子ビーム光学系１２が備えるビーム制御器を駆動するために当該ビーム制御器に供給される駆動電流に基づいて、漏れ磁場を推定してもよい。制御装置３は、過去の磁場センサ５６ｆの計測結果に基づいて漏れ磁場の状態を学習することで、漏れ磁場を推定してもよい。制御装置３は、過去の磁場センサ５６ｆの計測結果を蓄積しておくと共に、当該蓄積した計測結果を対象にデータマイニングや数理的な分析予測を行うことで、漏れ磁場を推定してもよい。

　（３－７）第７変形例
　続いて、図１４を参照しながら、第７変形例の露光装置ＥＸｇについて説明する。図１４は、第７変形例の露光装置ＥＸｇが備える支持部材５の断面（光軸ＡＸを含む断面）を示す断面図である。図１４に示すように、第７変形例の露光装置ＥＸｇは、温度調整装置５７ｇを備えているという点において、上述した露光装置ＥＸとは異なっている。第７変形例の露光装置ＥＸｇが備えるその他の構成要素は、上述した露光装置ＥＸが備えるその他の構成要素と同一である。

　温度調整装置５７ｇは、支持部材５の温度を調整可能である。支持部材５は、電子ビームＥＢの照射熱（更には、当該照射熱によって加熱されるウェハＷからの輻射熱）によって加熱される。このため、温度調整装置５７ｂは、支持部材５の温度を調整するために、支持部材５を冷却する。この場合、温度調整装置５７ｇは、例えば、支持部材５の内部に形成され且つ外部の供給装置から供給される冷却水が流れ込むと共に、流れ込んだ冷却水を外部の供給装置へと還流可能な冷却管５７１ｇを備えていてもよい。

　温度調整装置５７ｇは、支持部材５の温度を一定に維持するように、支持部材５の温度を調整する。支持部材５の温度が一定に維持されると、支持部材５の熱変形が抑制される。支持部材５の熱変形が抑制されると、支持部材５に配置されている磁場発生器５４の光軸ＡＸに対する位置ずれが抑制される。このため、光軸ＡＸに対する位置ずれに起因して磁場発生器５４が漏れ磁場を抑制可能なキャンセル磁場を発生することができないという事態の発生が適切に防止される。つまり、第７変形例の露光装置ＥＸｇは、上述した露光装置ＥＸが享受可能な効果と同様の効果を享受しつつも、漏れ磁場をより適切に抑制することができる。

　尚、第７変形例での「支持部材５の温度が一定な状態」とは、文字通り支持部材５の温度が変動しない状態のみならず、磁場発生器５４の位置ずれによって漏れ磁場の抑制に殆ど影響を与えることがない微小な熱変形しか生じない程度に支持部材５の温度が変動する状態をも含む。

　温度調整装置５７ｇは、支持部材５を冷却可能である限りは、どのような構造を有していてもよい。つまり、温度調整装置５７ｇは、冷却管５７１ｇに加えて又は代えて、支持部材５を冷却可能な任意の装置を備えていてもよい。更には、温度調整装置５７ｇは、支持部材５を冷却することに加えて又は代えて、支持部材５を加熱可能であってもよい。この場合、温度調整装置５７ｇは、支持部材５を加熱可能な任意の装置を備えていてもよい。

　温度調整装置５７ｇの少なくとも一部は、支持部材５の任意の面に配置されていてもよい。温度調整装置５７ｇの少なくとも一部は、支持部材５とは異なる部材に配置されていてもよい。

　露光装置ＥＸｇは、支持部材５の少なくとも一部の温度を計測可能な温度センサを備えていてもよい。この場合、制御装置３は、温度センサの計測結果に基づいて、支持部材５の温度を調整してもよい。制御装置３は、温度センサの計測結果に基づいて、支持部材５の温度の調整が適切に行なわれているか否かを判定してもよい。

　（３－８）第８変形例
　続いて、図１５を参照しながら、第８変形例の露光装置ＥＸｈについて説明する。図１５は、第８変形例の露光装置ＥＸｈを示す断面図である。図１５に示すように、第８変形例の露光装置ＥＸｈは、駆動系５８ｈを備えているという点において、上述した露光装置ＥＸとは異なっている。第８変形例の露光装置ＥＸｈが備えるその他の構成要素は、上述した露光装置ＥＸが備えるその他の構成要素と同一である。

　駆動系５８ｈは、制御装置３の制御下で、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の夫々に沿って、支持部材５を移動可能である。駆動系５８ｈは、例えば、任意のモータ（例えば、リニアモータ等）を用いて、支持部材５を移動させる。駆動系５８ｈは、光軸ＡＸと磁場発生器５４との間の位置関係が一定に維持されるように、支持部材５を移動させる。つまり、駆動系５８ｈは、光軸ＡＸに対する磁場発生器５４の位置ずれが発生した場合に、当該位置ずれを相殺して光軸ＡＸと磁場発生器５４との間の位置関係が元の関係（つまり、位置ずれが生じていない場合の関係）に戻るように、支持部材５を移動させる。このため、光軸ＡＸに対する位置ずれに起因して磁場発生器５４が漏れ磁場を抑制可能なキャンセル磁場を発生することができないという事態の発生が適切に防止される。つまり、第８変形例の露光装置ＥＸｈは、上述した露光装置ＥＸが享受可能な効果と同様の効果を享受しつつも、漏れ磁場をより適切に抑制することができる。

　尚、駆動系５８ｈは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも一方に加えて又は代えて、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って、支持部材５を移動可能であってもよい。露光装置ＥＸｈは、支持部材５の位置を計測するため位置計測器（例えば、エンコーダ及びレーザ干渉計のうちの少なくとも一方）を備えていてもよい。

　（３－９）第９変形例
　続いて、図１６を参照しながら、第９変形例の露光装置ＥＸｉについて説明する。図１６は、第９変形例の露光装置ＥＸｉが備える電子ビーム照射装置１ｉ及びステージ装置２の断面を示す断面図である。図１６に示すように、第９変形例の露光装置ＥＸｉは、電子ビーム照射装置１ｉが複数の電子ビームＥＢを照射可能であるという点において、電子ビーム照射装置１が単一の電子ビームＥＢを照射可能である上述した露光装置ＥＸとは異なっている。更に、第９変形例の露光装置ＥＸｉは、支持部材５に代えて支持部材５ｉを備えているという点において、上述した露光装置ＥＸとは異なっている。第９変形例の露光装置ＥＸｉが備えるその他の構成要素は、上述した露光装置ＥＸが備えるその他の構成要素と同一である。

　複数の電子ビームＥＢを照射するために、電子ビーム照射装置１ｉは、複数の電子ビーム光学系１２を備えていてもよい。この場合、複数の電子ビーム光学系１２は、ＸＹ平面内において所定の位置関係を有するように設置される。例えば、複数の電子ビーム光学系１２は、ＸＹ平面内においてマトリクス状に配置される。或いは、複数の電子ビーム光学系１２は、ＸＹ平面内においてアレイ状に（つまり、一列に）配置されてもよい。或いは、複数の電子ビームＥＢを照射するために、電子ビーム照射装置１ｉは、ビーム光学装置１２２として、複数の電子ビームＥＢを射出する電子放出部を有する面放出型電子ビーム源を備えていてもよい。

　第９変形例では、複数の電子ビームＥＢの照射が並列して行われる。ここで、複数の電子ビームＥＢは、ウェハＷ上の複数のショット領域Ｓに１対１で対応するように照射される。図１７は、複数の電子ビームＥＢの照射位置（つまり、照射領域ＥＡ）をウェハＷ上で示す平面図である。この図１７に示すように、電子ビーム照射装置１ｉは、ウェハＷ上の複数のショット領域Ｓ上に夫々設定される複数の照射領域ＥＡに対して、複数の電子ビームＥＢを夫々同時に照射可能である。このような照射領域ＥＡに対してウェハＷを相対的に移動させながら、電子ビーム照射装置１ｉが電子ビームＥＢを照射すれば、ウェハＷ上の複数のショット領域Ｓが並列して露光される。その結果、各ショット領域Ｓに、紫外光でウェハを露光する比較例の露光装置の解像限界よりも小さいパターンが、相対的に高いスループットで形成される。

　支持部材５ｉは、支持部材５と比較して、複数の電子ビームＥＢに対応する構造を有しているという点において異なっている。以下、図１８（ａ）から図１８（ｂ）を参照しながら、支持部材５ｉの構造について更に詳細に説明する。図１８（ａ）は、第９変形例の露光装置ＥＸｉが備える支持部材５ｉの断面を、複数の電子ビームＥＢの光路と共に示す断面図であり、図１８（ｂ）は、第９変形例の支持部材５ｉの上面を示す平面図である。

　図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示すように、支持部材５ｉは、複数の電子ビームＥＢに夫々対応する複数の支持部材５１ｉから構成されている。尚、各電子ビームＥＢと、各電子ビームＥＢに対応する支持部材５１ｉとの関係は、図５（ａ）から図５（ｂ）を参照しながら説明した電子ビームＥＢと支持部材５との関係（つまり、電子ビーム光学系１２と支持部材５との関係）と同一である。

　複数の支持部材５１ｉには、夫々、複数の電子ビームＥＢに夫々対応する複数の磁場発生器５４（つまり、コイル５４１）が配置されている。各コイル５４１は、各コイル５４１に対応する電子ビームＥＢの照射に付随して発生する漏れ磁場（例えば、各コイル５４１に対応する電子ビームＥＢを制御するためのビーム制御器からの漏れ磁場）を抑制可能なキャンセル磁場を発生可能である。例えば、電子ビーム照射装置１ｉが複数の電子ビーム光学系１２を備えている場合には、各コイル５４１は、各コイル５４１に対応する電子ビーム光学系１２（つまり、各コイル５４１の直上に配置されている電子ビーム光学系１２）からの漏れ磁場を抑制可能なキャンセル磁場を発生可能である。但し、各コイル５４１は、各コイル５４１に対応する電子ビームＥＢとは異なる他の電子ビームＥＢの照射に付随して発生する漏れ磁場を抑制可能なキャンセル磁場を発生可能であってもよい。例えば、各コイル５４１は、各コイル５４１に対応する第１の電子ビーム光学系１２とは異なる第２の電子ビーム光学系１２（例えば、第１の電子ビーム光学系１２に隣接する第２の電子ビーム光学系１２）からの漏れ磁場を抑制可能なキャンセル磁場を発生可能であってもよい。尚、各コイル５４１は、図５（ａ）から図５（ｂ）を参照しながら説明した上述のコイル５４１と同一である。

　このような第９変形例の露光装置ＥＸｉは、複数の電子ビームＥＢの照射に付随して発生する漏れ磁場の影響を受けることなく又は漏れ磁場の影響に関わらず、複数の電子ビームＥＢを、ウェハＷ上の所望位置に照射することができる。その結果、複数の電子ビームＥＢによる露光精度の悪化が適切に抑制される。

　尚、支持部材５ｉは、複数の電子ビームＥＢに夫々対応する複数の磁場発生器５４（つまり、コイル５４１）が配置可能である限りは、どのような構造を有していてもよい。例えば、２つ以上の磁場発生器５４が夫々配置されている２つ以上の支持部材５１ｉが連結されていてもよい（言い換えれば、一体化されていてもよい）。

　（３－１０）第１０変形例
　続いて、図１９（ａ）から図１９（ｂ）を参照しながら、第１０変形例の露光装置ＥＸｊについて説明する。図１９（ａ）は、第１０変形例の露光装置ＥＸｊが備える支持部材５ｊの断面（光軸ＡＸを含む断面）を示す断面図であり、図１９（ｂ）は、第１０変形例の支持部材５ｊの上面を示す平面図である。図１９（ａ）及び図１９（ｂ）に示すように、第１０変形例の露光装置ＥＸｊは、支持部材５ｊを備えているという点において、支持部材５ｉを備えている上述した第９変形例の露光装置ＥＸｉとは異なっている。第１０変形例の露光装置ＥＸｊが備えるその他の構成要素は、上述した第９変形例の露光装置ＥＸｉが備えるその他の構成要素と同一である。

　支持部材５ｊは、複数の支持部材５１ｊから構成されている。各支持部材５１ｊは、複数の電子ビームＥＢのうちＸ軸方向に沿って隣り合う２つの照射領域ＥＡに照射される２つの電子ビームＥＢに対応する。具体的には、各支持部材５１ｊは、隣り合う２つの照射領域ＥＡに照射される２つの電子ビームＥＢの光路の間に配置される。尚、隣り合う２つの照射領域ＥＡに照射される２つの電子ビームＥＢと、当該２つの電子ビームＥＢに対応する支持部材５１ｊとの関係は、特段の説明がない場合には、図５（ａ）から図５（ｂ）を参照しながら説明した電子ビームＥＢと支持部材５との関係（つまり、電子ビーム光学系１２と支持部材５との関係）と同一である。

　複数の支持部材５１ｊには、夫々、複数の磁場発生器５４（つまり、コイル５４１）が配置されている。各コイル５４１は、複数の電子ビームＥＢのうちＸ軸方向に沿って隣り合う２つの照射領域ＥＡに照射される２つの電子ビームＥＢに対応する。具体的には、各コイル５４１は、隣り合う２つの照射領域ＥＡに照射される２つの電子ビームＥＢの光路の間に配置される。各コイル５４１は、各コイル５４１に対応する２つの電子ビームＥＢの照射に付随して発生する漏れ磁場（例えば、各コイル５４１に対応する２つの電子ビームＥＢを制御するためのビーム制御器からの漏れ磁場）を抑制可能なキャンセル磁場を発生可能である。例えば、電子ビーム照射装置１ｉが複数の電子ビーム光学系１２を備えている場合には、各コイル５４１は、各コイル５４１に対応する２つの電子ビーム光学系１２（つまり、各コイル５４１を挟み込む光路を伝搬する２つの電子ビームＥＢを照射する２つの電子ビーム光学系１２）からの漏れ磁場を抑制可能なキャンセル磁場を発生可能である。但し、各コイル５４１は、各コイル５４１に対応する２つの電子ビームＥＢとは異なる他の電子ビームＥＢの照射に付随して発生する漏れ磁場を抑制可能なキャンセル磁場を発生可能であってもよい。例えば、各コイル５４１は、各コイル５４１に対応する２つの第３の電子ビーム光学系１２とは異なる第４の電子ビーム光学系１２（例えば、第３の電子ビーム光学系１２に隣接する第４の電子ビーム光学系１２）からの漏れ磁場を抑制可能なキャンセル磁場を発生可能であってもよい。尚、特段の説明がない場合には、各コイル５４１は、図５（ａ）から図５（ｂ）を参照しながら説明した上述のコイル５４１と同一である。

　このような第１０変形例の露光装置ＥＸｊもまた、第９変形例の露光装置ＥＸｉと同様に、複数の電子ビームＥＢに関連する漏れ磁場の影響を受けることなく又は漏れ磁場の影響に関わらず、複数の電子ビームＥＢを、ウェハＷ上の所望位置に照射することができる。その結果、複数の電子ビームＥＢによる露光精度の悪化が適切に抑制される。

　尚、各支持部材５１ｊがＸ軸方向に沿って隣り合う３つ以上の照射領域ＥＡに照射される３つ以上の電子ビームＥＢに対応するように、複数の支持部材５１ｊが配置されていてもよい。各コイル５４１がＸ軸方向に沿って隣り合う３つ以上の照射領域ＥＡに照射される３つ以上の電子ビームＥＢに対応するように、複数のコイル５４１が配置されていてもよい。或いは、複数の電子ビームＥＢの全てに対応する単一の支持部材５１ｊが配置されていてもよい。或いは、複数の電子ビームＥＢの全てに対応する単一のコイル５４１が配置されていてもよい。

　支持部材５ｊは、磁場発生器５４（つまり、コイル５４１）が配置可能である限りは、どのような構造を有していてもよい。例えば、２つ以上の磁場発生器５４が夫々配置されている２つ以上の支持部材５１ｊが連結されていてもよい（言い換えれば、一体化されていてもよい）。

　（３－１１）その他の変形例
　上述した説明では、露光装置ＥＸは、電子ビームＥＢをウェハＷに照射して当該ウェハＷを露光する露光装置である。しかしながら、露光装置ＥＸは、電子ビームＥＢとは異なる任意の荷電粒子ビーム（例えば、イオンビーム）をウェハＷに照射して当該ウェハＷを露光する露光装置であってもよい。

　上述した説明では、露光装置ＥＸは、各電子ビーム光学系１２が単一の電子ビームＥＢを用いてウェハＷにパターンを描画又は転写するシングルビーム型の露光装置である。この場合、露光装置ＥＸは、各電子ビーム光学系１２がウェハＷに照射する電子ビームＥＢの断面をサイズ可変の矩形に成形する可変成形型の露光装置であってもよい。露光装置ＥＸは、各電子ビーム光学系１２がスポット状の電子ビームＥＢをウェハＷに照射するポイントビーム型の露光装置であってもよい。露光装置ＥＸは、各電子ビーム光学系１２が所望形状のビーム通過孔が形成されたステンシルマスクを用いて電子ビームＥＢを所望形状に成形するステンシルマスク型の露光装置であってもよい。

　或いは、露光装置ＥＸは、各電子ビーム光学系１２が複数の電子ビームを用いてウェハＷにパターンを描画又は転写するマルチビーム型の露光装置であってもよい。例えば、露光装置ＥＸは、複数の開口を有するブランキングアパーチャアレイを介して複数の電子ビームを発生させ、描画パターンに応じて複数の電子ビームを個別にＯＮ／ＯＦＦしてパターンをウェハＷに描画する露光装置であってもよい。例えば、露光装置ＥＸは、各電子ビーム光学系１２が複数の電子ビームを夫々射出する複数の電子放出部を有する面放出型電子ビーム源を備える露光装置であってもよい。

　露光装置ＥＸは、一つの半導体チップのパターン又は複数の半導体チップのパターンをマスクからウェハＷへ一括して転写する一括転写方式の露光装置であってもよい。露光装置ＥＸは、一括転写方式よりも高いスループットで露光が可能な分割転写方式の露光装置であってもよい。分割転写方式の露光装置は、ウェハＷに転写すべきパターンをマスク上で１つのショット領域Ｓに相当する大きさよりも小さい複数の小領域に分割し、これら複数の少領域のパターンをウェハＷに転写する。尚、分割転写方式の露光装置としては、一つの半導体チップのパターンを備えたマスクのある範囲に電子ビームＥＢを照射し、当該電子ビームのＥＢが照射された範囲のパターンの像を投影レンズで縮小転写する縮小転写型の露光装置もある。

　露光装置ＥＸは、スキャニング・ステッパであってもよい。露光装置ＥＸは、ステッパなどの静止型露光装置であってもよい。露光装置ＥＸは、一のショット領域Ｓの少なくとも一部と他のショット領域Ｓの少なくとも一部とを合成するステップ・アンド・スティッチ型の縮小投影露光装置であってもよい。

　上述した説明では、露光装置ＥＸの露光対象が、半導体デバイスを製造するための半導体基板（つまり、ウェハＷ）である。しかしながら、露光装置ＥＸの露光対象は、任意の基板であってもよい。例えば、露光装置ＥＸは、有機ＥＬ、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシン又はＤＮＡチップを製造するための露光装置であってもよい。例えば、露光装置ＥＸは、角型のガラスプレートやシリコンウエハにマスクパターンを描画するための露光装置であってもよい。

　半導体デバイス等のデバイスは、図２０に示す各ステップを経て製造されてもよい。デバイスを製造するためのステップは、デバイスの機能及び性能設計を行うステップＳ２０１、機能及び性能設計に基づく露光パターン（つまり、電子ビームＥＢによる露光パターン）を生成するステップＳ２０２、デバイスの基材であるウェハＷを製造するステップＳ２０３、生成した露光パターンに応じた電子ビームＥＢを用いてウェハＷを露光し且つ露光されたウェハＷを現像するステップＳ２０４、デバイス組み立て処理（ダイシング処理、ボンディング処理、パッケージ処理等の加工処理）を含むステップＳ２０５及びデバイスの検査を行うステップＳ２０６を含んでいてもよい。

　上述の各実施形態（各変形例を含む、以下この段落において同じ）の構成要件の少なくとも一部は、上述の各実施形態の構成要件の少なくとも他の一部と適宜組み合わせることができる。上述の各実施形態の構成要件のうちの一部が用いられなくてもよい。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態で引用した全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

　本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う露光装置、露光方法、及び、デバイス製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

　ＥＸ　露光装置
　Ｗ　ウェハ
　ＥＢ　電子ビーム
　ＥＡ　照射領域
　Ｓ　ショット領域
　１　電子ビーム照射装置
　１１　鏡筒
　１２　電子ビーム光学系
　１３　メトロロジーフレーム
　２　ステージ装置
　２１　定盤
　２２　ステージ
　３　制御装置
　５、５１、５２　支持部材
　５４　磁場発生器
　５４１、５４２、５４３、５４４　コイル
　５６ｂ　磁場センサ
　５７ｃ　温度調整装置
　５８ｄ　駆動系

Claims

　荷電粒子ビームを物体に照射可能なビーム光学系と、
　前記ビーム光学系と前記物体との間の空間に磁場を発生させる磁場発生装置と、
　を備える露光装置。
　前記ビーム光学系は、前記荷電粒子ビームに磁場を供給して、前記荷電粒子ビームの光路を制御し、
　前記磁場発生装置は、前記ビーム光学系から漏れ出た磁場をキャンセルする方向に磁場を供給する
　請求項１に記載の露光装置。
　前記磁場発生装置は、少なくとも一部が前記ビーム光学系と前記物体との間の空間に配置される
　請求項１又は２に記載の露光装置。
　前記磁場発生装置は、少なくとも一部が、前記荷電粒子ビームが射出する前記ビーム光学系の射出口と前記物体との間の空間に配置される
　請求項１から３のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記ビーム光学系は、前記荷電粒子ビームを生成して前記物体に照射するためのビーム光学装置と、当該ビーム光学装置を内部に収容する筐体を含み、
　前記磁場発生装置は、少なくとも一部が前記筐体と前記物体との間の空間に配置される
　請求項１から４のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記筐体は、前記ビーム光学装置が発生する磁場を遮蔽可能である
　請求項５に記載の露光装置。
　前記筐体は、前記荷電粒子ビームが通過する空間が内部に形成され且つ前記荷電粒子ビームが射出される開放端を備え、
　前記磁場発生装置は、少なくとも一部が前記開放端と前記物体との間の空間に配置される
　請求項５又は６に記載の露光装置。
　前記磁場発生装置は、複数の磁場を発生させることが可能である
　請求項１から７のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記磁場発生装置は、前記ビーム光学系と前記物体との間の空間に発生する磁場を制御可能である
　請求項１から８のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記磁場発生装置から発生する磁場は、前記ビーム光学系から発生する磁場を抑制又は相殺可能である
　請求項１から９のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記磁場発生装置は、前記ビーム光学系から発生する磁場と異なる特性の磁場を発生可能である
　請求項１から１０のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記ビーム光学系と前記物体との間の空間の磁場を計測可能な計測装置を含む
　請求項１から１１のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記計測装置は、前記ビーム光学系の前記荷電粒子ビームの射出側に配置される
　請求項１２に記載の露光装置。
　前記計測装置は、少なくとも一部が、前記ビーム光学系と前記物体との間の空間に配置される
　請求項１２又は１３に記載の露光装置。
　前記ビーム光学系とは別に設けられて、前記磁場発生装置を支持する第１支持部材と、
　前記ビーム光学系とは別に設けられて、前記計測装置を支持する第２支持部材と
　を更に備える
　請求項１２から１４のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記第１支持部材と前記第２支持部材とが一体化されている
　請求項１５に記載の露光装置。
　前記ビーム光学系とは別に設けられて、前記磁場発生装置を支持する第１支持部材と
　前記第１支持部材の温度を調整可能な温度調整装置を更に備える
　請求項１から１６のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記温度調整装置は、少なくとも一部が、前記ビーム光学系と前記物体との間の空間に配置される
　請求項１７に記載の露光装置。
　前記温度調整装置は、前記第１支持部材の温度を所定の温度に制御可能である
　請求項１７又は１８に記載の露光装置。
　前記ビーム光学系とは別に設けられて、前記温度調整装置を支持する第３支持部材を更に備える
　請求項１７から１９のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記第１支持部材と前記第３支持部材とが一体化されている
　請求項２０に記載の露光装置。
　前記ビーム光学系に対して前記磁場発生装置を相対的に移動可能な移動装置を更に備える
　請求項１から２１のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記磁場発生装置は、第１磁場発生装置であって、
　前記第１磁場発生装置とは異なる位置に配置される第２磁場発生装置を更に備える
　請求項１から２２のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記第２磁場発生装置は、前記物体を保持可能な保持部材に配置される
　請求項２３に記載の露光装置。
　前記磁場発生装置は、前記物体を保持可能な保持部材に配置される
　請求項１から２４のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記ビーム光学系を複数備える
　請求項１から２５のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記磁場発生装置は、前記複数のビーム光学系に対してそれぞれ設けられている
　請求項２６に記載の露光装置。
　前記磁場発生装置は、前記複数のビーム光学系のうちの第１ビーム光学系と前記物体との間の空間に前記磁場を発生させて、前記複数のビーム光学系のうち前記第１ビーム光学系とは異なる第２ビーム光学系によって発生する磁場を抑制又は相殺可能である
　請求項２６又は２７に記載の露光装置。
　請求項１から２８のいずれか一項に記載の露光装置を用いて前記物体を露光する露光方法。
　リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
　前記リソグラフィ工程では、請求項２９に記載の露光方法により前記物体に対する露光が行われるデバイス製造方法。