JP2016046501A - 露光装置 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 53
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 20
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 111
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 54
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 51
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract description 48
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 47
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
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Abstract
Description
特許文献1 特開平11−251223号公報
特許文献2 特開平11−54390号公報
特許文献3 特開平10−92370号公報
非特許文献1 Proc. SPIE 7637, Alternative Lithographic Technologies II, 76370C (March 10, 2010).
Claims (18)
- 複数の荷電粒子ビームを発生する複数の荷電粒子ビーム源と、
前記複数の荷電粒子ビームの照射対象となる試料を載置するステージと、
前記複数の荷電粒子ビーム源と前記ステージとの間に配置され、前記複数の荷電粒子ビームを通過させる複数のビーム通過孔と、前記複数の荷電粒子ビームのそれぞれの照射に応じた前記試料からの荷電粒子が前記試料側に戻るのを低減する開口穴群が設けられた板部と、
前記板部に対して前記複数の荷電粒子ビーム源側に配置され、前記開口穴群を通過した前記試料からの荷電粒子をそれぞれ検出する複数の検出部と、
を備える露光装置。 - 前記複数の検出部のそれぞれは、前記開口穴群の少なくとも2以上の開口穴から漏れ出る前記試料からの荷電粒子を検出する請求項1に記載の露光装置。
- 前記開口穴群の開口穴は前記板部を貫通する貫通穴であり、
前記板部は、前記開口穴群が設けられていない領域の少なくとも一部において、前記試料からの荷電粒子が前記試料側に戻るのを低減する低減部を有する
請求項1または2に記載の露光装置。 - 前記低減部は、前記ステージ側に開口を有し前記板部を貫通しない非貫通穴群を含む請求項3に記載の露光装置。
- 前記開口穴群は、前記複数のビーム通過孔のうち対応するビーム通過孔の周囲に設けられ、
前記低減部は、前記複数のビーム通過孔のそれぞれに対応して、当該ビーム通過孔の周囲に設けられた前記開口穴群の外周に設けられる
請求項3または4に記載の露光装置。 - 前記開口穴群は、前記複数のビーム通過孔のうち対応するビーム通過孔の周囲に設けられ、
前記低減部は、隣接する前記開口穴群の間に連続して設けられる
請求項3から5のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記開口穴群は、前記複数のビーム通過孔のうち対応するビーム通過孔の周囲における円形状の領域内に設けられる請求項3から6のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記低減部は、前記複数のビーム通過孔のそれぞれに対し、前記開口穴群が設けられた領域の周囲における矩形状の領域内に設けられる
請求項3から5のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記開口穴群が設けられた領域は、前記試料上における前記複数の荷電粒子ビームのうち対応する荷電粒子ビームが照射される領域と、前記複数の検出部のうち対応する検出部の検出面との間を遮る位置に配置される請求項3から8のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記開口穴群が設けられた領域における前記板部の厚さは、前記低減部が設けられた領域における厚さと比較し小さい請求項3から9のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記低減部は、前記ステージ側に開口を有し前記板部を貫通しない非貫通穴群を含み、
前記非貫通穴群の非貫通穴の深さは、前記開口穴群が設けられた領域における前記板部の厚さ以上である請求項3から10のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記開口穴群を通過する荷電粒子量は、当該領域から前記試料側へと戻る荷電粒子量よりも大きい請求項3から11のいずれか一項に記載の露光装置。
- 荷電粒子ビームを発生する荷電粒子ビーム源と、
前記荷電粒子ビームの照射対象となる試料を載置するステージと、
前記荷電粒子ビーム源と前記ステージとの間に配置され、前記荷電粒子ビームを通過させるビーム通過孔と、前記荷電粒子ビームの照射に応じた前記試料からの荷電粒子が前記試料側に戻るのを低減する開口穴群とが設けられた板部と、
前記板部に対して前記荷電粒子ビーム源側に配置され、前記開口穴群を通過した前記試料からの荷電粒子を検出する検出部と、
を備え、
前記開口穴群の開口穴は前記板部を貫通する貫通穴であり、
前記板部は、前記ビーム通過孔の周囲に設けられた前記開口穴群の外周に設けられ、前記試料からの荷電粒子が前記試料側に戻るのを低減する低減部を有する
露光装置。 - 前記検出部は、前記開口穴群の少なくとも2以上の開口穴から漏れ出る前記試料からの荷電粒子を検出する請求項13に記載の露光装置。
- 前記低減部は、前記ステージ側に開口を有し前記板部を貫通しない非貫通穴群を含む請求項13または14に記載の露光装置。
- 前記開口穴群は、前記ビーム通過孔の周囲における円形状の領域内に設けられ、
前記低減部は、前記開口穴群が設けられた領域の周囲における矩形状の領域内に設けられる
請求項13から15のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記開口穴群が設けられた領域は、前記試料上における前記荷電粒子ビームが照射される領域と、前記検出部の検出面との間を遮る位置に配置される請求項13から16のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記開口穴群が設けられた領域における前記板部の厚さは、前記低減部が設けられた領域における厚さと比較し小さい請求項13から17のいずれか一項に記載の露光装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014172302A JP6356538B2 (ja) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | 露光装置 |
US14/738,934 US9684245B2 (en) | 2014-08-27 | 2015-06-15 | Exposure apparatus |
DE102015109529.7A DE102015109529B4 (de) | 2014-08-27 | 2015-06-15 | Belichtungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014172302A JP6356538B2 (ja) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | 露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016046501A true JP2016046501A (ja) | 2016-04-04 |
JP6356538B2 JP6356538B2 (ja) | 2018-07-11 |
Family
ID=55312278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014172302A Active JP6356538B2 (ja) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | 露光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9684245B2 (ja) |
JP (1) | JP6356538B2 (ja) |
DE (1) | DE102015109529B4 (ja) |
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-
2014
- 2014-08-27 JP JP2014172302A patent/JP6356538B2/ja active Active
-
2015
- 2015-06-15 US US14/738,934 patent/US9684245B2/en active Active
- 2015-06-15 DE DE102015109529.7A patent/DE102015109529B4/de active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160062249A1 (en) | 2016-03-03 |
US9684245B2 (en) | 2017-06-20 |
JP6356538B2 (ja) | 2018-07-11 |
DE102015109529B4 (de) | 2023-07-06 |
DE102015109529A1 (de) | 2016-03-03 |
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A621 | Written request for application examination |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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