CN117930318A - 束检测器、多带电粒子束照射装置及束检测器的调整方法 - Google Patents

Abstract

提供一种将两级孔径的孔高精度地对位的束检测器、多带电粒子束照射装置及束检测器的调整方法。本发明的一个方式的束检测器具备：第1孔径基板，形成有第1穿过孔；第2孔径基板，形成有能够供穿过上述第1穿过孔后的1条检测对象束穿过的第2穿过孔；以及传感器，检测穿过上述第2穿过孔后的上述检测对象束的束电流；上述第2孔径基板包含导电性的材料，在上述第2穿过孔的周围形成有能够供光穿过的多个第3穿过孔。

Description

束检测器、多带电粒子束照射装置及束检测器的调整方法

关联申请

本申请基于日本专利申请2022－170017号(申请日：2022年10月24日)主张优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明涉及束检测器、多带电粒子束照射装置及束检测器的调整方法。

背景技术

随着LSI的高集成化，半导体设备的电路线宽被进一步微细化。作为形成用来向这些半导体设备形成电路图案的曝光用掩模(由步进式光刻机或扫描式光刻机使用的也被称作中间掩模)的方法，使用具有优异的分辨率的电子束描绘技术。

作为电子束描绘装置，使用多束的描绘装置的开发正在被推进。通过使用多束，与用1条电子束进行描绘的情况相比能够照射更多的束，所以能够大幅地提高生产量。在多束方式的描绘装置中，例如使从电子枪放出的电子束穿过拥有多个孔的孔径部件而形成多束，用消隐孔径阵列进行各束的消隐控制，将没有被遮蔽的束用光学系统缩小，对被载置于能够移动的台上的基板照射。

为了高精度地保持基板上的多束的照射位置，高精度地掌握构成多束的各束的基板上的位置是重要的。在束条数较少例如为几条左右、束间间距充分宽的结构中，为各束用而在台上配置与束条数相同数量的标记，通过用各束在对应的标记上扫描，能够测量各束的位置。

但是，随着电路图案的微细化，为了大幅地提高生产量，需要由更多的束条数形成的多束。并且，随着束条数的增加，束径变小，束间间距变窄。这样，随着束条数增加、束间间距变窄，从所照射的多束之中将各束使用按每1条单独配置在台上的标记来检测并不容易。

提出了使用形成有1个尺寸比多束的束间间距小、比束径大的穿过孔的薄膜的孔径，用光敏二极管等的传感器检测穿过了该穿过孔的1条检测对象束的单独束检测器。但是，在这样的单独束检测器中，担心通过检测对象束附近的束透过薄膜孔径而产生的散射电子入射到传感器中、成为噪声源而使检测精度下降。为了将散射电子遮蔽，可以考虑在薄膜孔径(第1孔径)与传感器之间设置第2孔径，但薄膜孔径的孔及第2孔径的孔都是微细的孔，对位较困难。

发明内容

目的是提供将两级孔径的孔高精度地对位的束检测器、多带电粒子束照射装置及束检测器的调整方法。

本发明的一技术方案的束检测器具备：第1孔径基板，形成有第1穿过孔；第2孔径基板，形成有能够供穿过上述第1穿过孔后的1条检测对象束穿过的第2穿过孔；以及传感器，检测穿过上述第2穿过孔后的上述检测对象束的束电流；上述第2孔径基板包含导电性的材料，在上述第2穿过孔的周围形成有能够供光穿过的多个第3穿过孔。

附图说明

图1是有关本发明的实施方式的多带电粒子束描绘装置的概略图。

图2是成形孔径阵列基板的概略图。

图3是单独束检测器的概略结构图。

图4A是第2孔径基板的俯视图，图4B是图4A的IVB－IVB线剖视图。

图5是单独束检测器的概略结构图。

图6是说明两级孔径的孔的校准方法的图。

图7是说明两级孔径的孔的校准方法的图。

图8是变形例的第2孔径基板的俯视图。

图9是变形例的第2孔径基板的俯视图。

图10A、图10B是表示校准光的光路的图。

具体实施方式

以下，基于附图说明本发明的实施方式。

图1是有关本发明的实施方式的多带电粒子束描绘装置的概略图。在本实施方式中，对作为带电粒子束的一例而使用电子束的结构进行说明。但是，带电粒子束并不限于电子束，也可以是离子束等的其他带电粒子束。

该描绘装置具备对描绘对象的基板24照射电子束而描绘希望的图案的描绘部W和对描绘部W的动作进行控制的控制部C。

描绘部W具有电子束镜筒2及描绘室20。在电子束镜筒2内，配置有电子枪4、照明透镜6、成形孔径阵列基板8、消隐孔径阵列基板10、缩小透镜12、限制孔径部件14、物镜16及偏转器17。

在描绘室20内配置有XY工作台22。在XY工作台22上载置有描绘对象的基板24。描绘对象的基板24例如包括晶片、使用以准分子激光为光源的步进式光刻机或扫描式光刻机等的缩小投影型曝光装置或极紫外线曝光装置(EUV)对晶片转印图案的曝光用的掩模。

此外，在XY工作台22上，在与载置基板24的位置不同的位置处，配置有透射标记型的单独束检测器40。单独束检测器40能够由调整机构(省略图示)调整高度。单独束检测器40的上表面优选的是设置在与基板24的表面相同的高度位置。

控制部C具有控制计算机32及偏转控制电路34。

控制计算机32具有描绘数据处理部60、描绘控制部61及测量部62。控制计算机32的各部既可以由电路等的硬件构成，也可以由执行这些功能的程序等的软件构成。在由软件构成的情况下，也可以将实现这些功能的程序保存在记录介质中，使包括CPU等的计算机读入并执行。

在未图示的存储装置中，保存有将设计数据(布局数据)变换为描绘装置用的格式的描绘数据。描绘数据处理部60从该存储装置将描绘数据读出，实施多级数据变换处理，生成发射数据。发射数据被按每个像素生成，运算描绘时间(照射时间)。例如当不在对象像素上形成图案的情况下，由于束照射为无，所以定义描绘时间零或束照射无的识别码。这里，预先设定1次多束的发射的最大描绘时间T(最大曝光时间)。实际照射的各束的照射时间优选的是与计算出的图案的面积密度成正比来求出。此外，最终计算出的各束的照射时间，优选的是设为通过照射量对与未图示的接近效应、灰雾效应、负载效果等的引起尺寸变动的现象对应的尺寸变动量进行了修正的修正后的与照射量相当的时间。由此，实际照射的各束的照射时间可能按每个束而不同。各束的描绘时间(照射时间)由最大描绘时间T内的值运算。此外，描绘数据处理部60将运算出的各像素的照射时间数据作为描绘该像素的束所用的数据，按多束的每次发射，生成按照多束的各束的排列顺序排列的照射时间排列数据。

描绘控制部61使用照射时间排列数据(发射数据)，向偏转控制电路34及将描绘部W驱动的控制电路(省略图示)输出用来实施描绘处理的控制信号。描绘部W基于控制信号，使用多束对基板24描绘希望的图案。具体而言，如以下这样动作。

从电子枪4放出的电子束30通过照明透镜6大致垂直地将成形孔径阵列基板8整体照明。图2是表示成形孔径阵列基板8的结构的概念图。在成形孔径阵列基板8上，以规定的排列间距、矩阵状地形成有纵(y方向)m列×横(x方向)n列(m、n≥2)的开口部8a。例如，形成512列×512列的开口部8a。各开口部8a都以相同尺寸形状的矩形形成。各开口部8a也可以是相同直径的圆形。

电子束30对包括成形孔径阵列基板8的全部开口部8a的区域进行照明。通过电子束30的一部分分别穿过这些多个开口部8a，形成图1所示那样的多束30a～30e。

在消隐孔径阵列基板10上，与成形孔径阵列基板8的各开口部8a的配置位置匹配而形成有贯通孔，在各贯通孔中分别配置由成对的两个电极构成的消隐器。穿过各贯通孔的电子束30a～30e分别独立地被消隐器施加的电压偏转。通过该偏转，将各束消隐控制。通过消隐孔径阵列基板10，对穿过成形孔径阵列基板8的多个开口部8a后的多束的各束进行消隐偏转。

穿过消隐孔径阵列基板10后的多束30a～30e其各自的束尺寸和排列间距被缩小透镜12缩小，朝向形成在限制孔径部件14上的中心的开口行进。被消隐孔径阵列基板10的消隐器偏转后的电子束其轨道发生位移，位置从限制孔径部件14的中心的开口偏离，被限制孔径部件14遮蔽。另一方面，没有被消隐孔径阵列基板10的消隐器偏转的电子束穿过限制孔径部件14的中心的开口。

限制孔径部件14将被消隐孔径阵列基板10的消隐器偏转以成为束切断(OFF)的状态的各电子束遮蔽。并且，从成为束接通(ON)到成为束切断(OFF)为止穿过限制孔径部件14的束，为1次发射的电子束。

穿过限制孔径部件14后的电子束30a～30e通过物镜16对焦，在基板24上成为希望的缩小率的图案像。穿过限制孔径部件14后的各电子束(多束整体)被偏转器17一起向同方向偏转，被照射于基板24。

一次被照射的多束理想的是成为以对成形孔径阵列基板8的多个开口部8a的排列间距乘以上述希望的缩小率所得的间距进行排列。该描绘装置以将发射束连续依次照射的光栅扫描方式进行描绘动作，在描绘希望的图案时，根据图案通过消隐控制将需要的束控制为束接通。当XY工作台22连续移动时，通过偏转器17对束的照射位置进行控制，以使其追随于XY工作台22的移动。

在这样的描绘装置中，为了使描绘精度提高，需要单独地掌握构成多束的各束的照射位置。因此，使用单独束检测器40检测各束的位置。

图3是透射标记型的单独束检测器40的概略结构图。单独束检测器40具有第1孔径基板41、支承台43、第2孔径基板50、散射电子罩80、传感器48及壳体49。

在第1孔径基板41(薄膜)上，在中央形成有1个微小孔42(第1穿过孔)。第1孔径基板41由可供多束透射的膜厚的薄膜形成。具体而言，将第1孔径基板41使用重金属材料形成为例如膜厚300～1000nm的薄膜平板。更优选的是形成为500nm±50nm左右。例如，被以加速电压50keV放出的电子束不被第1孔径基板41完全吸收地透射。

通过将第1孔径基板41做成薄膜构造，在第1孔径基板41被加热的情况下，难以进行从被加热的位置向周围的热传导，能够减少散热。作为材料的重金属材，例如优选的是铂(Pt)、金(Au)或钨(W)等。即使在减薄膜厚的情况下，通过使用重金属，在被照射多束的情况下也能够减少电子的透射量。

微小孔42以比由电子束构成的多束的单独束的束径大、比束间间距小的直径尺寸φ1形成。在多束的束间间距例如是150～200nm左右的情况下，被形成为直径φ1例如为80～120nm左右的孔。通过将微小孔42的直径设为比单独束的束径大、比束间间距小，在将多束扫描的情况下也使得不会多个束同时穿过微小孔42。

第1孔径基板41被支承台43支承。支承台43在包含第1孔径基板41的微小孔42的区域下形成有开口部44。在图3的例子中，在中央形成有开口部44。开口部44的直径尺寸φ2(宽度尺寸)被形成为如下尺寸：比微小孔42的直径φ1大，且在对第1孔径基板41照射多束的情况下，第1孔径基板41的微小孔42的周缘的温度成为比附着于周缘上的杂质(污染物)的蒸发温度高的温度。作为污染物的蒸发温度，例如优选的是使用100℃以上的温度。

作为支承台43的材料，优选的是使用例如钼(Mo)、铂(Pt)、钽(Ta)或硅(Si)等。支承台43的厚度是能够使构成被照射的多束的电子束不透射而将其遮蔽的厚度。例如，如果有15μm以上的厚度，则能够将以50keV被加速的电子束遮蔽。

通过进一步设置将支承台43的背面侧的开口部44的周缘挖掘到电子不透射的程度的厚度的开口部45，能够使在开口部44的周缘附近被从第1孔径基板41导热到支承台43侧的热难以在水平方向上导热。结果，能够进一步抑制开口部44上的第1孔径基板41的微小孔42附近的区域的温度的下降。

支承台43的外周尺寸例如被形成为与第1孔径基板41的外周同尺寸或比第1孔径基板41的外周大。支承台43底面被壳体49支承。

在第1孔径基板41与传感器48之间，配置第2孔径基板50。如图4A、图4B所示，在第2孔径基板50上，在中央形成有微小孔51(第2穿过孔)，在微小孔51的周围形成有多个观察光穿过孔52(第3穿过孔)。第2孔径基板50的外周部被壳体49固定。

观察光是在后述的第1孔径基板41的微小孔42和第2孔径基板50的微小孔51的孔位置的校准处理中使用的光，既可以是可视光，也可以是红外线或紫外线。

多个观察光穿过孔52是相同的尺寸形状的圆形。多个观察光穿过孔52的中心等间隔地位于以微小孔51为中心的同一圆周上。观察光穿过孔52的直径比微小孔51的直径大。

第2孔径基板50在微小孔51及观察光穿过孔52以外的区域中，观察光不透过而被遮蔽。第2孔径基板50的材料优选的是电阻较高、非磁性、导电性的材料。例如，可以举出钛合金、进行了导电性涂层的陶瓷材料(氧化铝、SiC)、导电性陶瓷(SiC与Si的混合物)等。第2孔径基板50的厚度是能够将散射电子遮蔽的程度。

在第2孔径基板50与传感器48之间配置有散射电子罩80。散射电子罩80被固定在壳体49上，在中央部设有开口81。开口81的直径比微小孔51的直径大。

散射电子罩80可以使用与上述的第2孔径基板50的材料同样的材料。设定第2孔径基板50与散射电子罩80的间隔及散射电子罩80的开口81的直径，以使穿过观察光穿过孔52后的散射电子不穿过开口81。由于开口81直径比微小孔42及微小孔51大，所以与微小孔42及微小孔51的对位较容易。微小孔42、微小孔51及开口81优选的是位于同轴上。

另外，也可以将散射电子罩80密接配置在透射标记型的单独束检测器40的第2孔径基板50的正下方，但如果第2孔径基板50与散射电子罩80接触而发生摩擦，则有可能第2孔径基板50的位置偏差而在传感器的功能中发生不良状况。因此，在将透射标记型的单独束检测器40组装时，优选的是将第2孔径基板50和散射电子罩80隔开规定的间隔配置。

如果将第1孔径基板41用多束扫描，则关于被照射在开口部44上的区域中的束群，1条检测对象束B1穿过微小孔42，并穿过微小孔51、开口81，被传感器48检测到。

其他束在第1孔径基板41中透射并从第1孔径基板41背面侧散射。例如，检测对象束B1和相邻的束B2能够在第1孔径基板41中透射并从第1孔径基板41背面侧散射。散射电子的大部分被第2孔径基板50遮蔽。散射电子的一部分穿过第2孔径基板50的观察光穿过孔52，但穿过观察光穿过孔52后的散射电子被散射电子罩80遮蔽，抑制了其到达传感器48的受光面。

关于多束中的被照射在开口部44上的区域以外的区域中的束群，被支承台43遮蔽。

传感器48例如是SSD(半导体检测器(solid－state detector))，对检测对象束的束电流进行检测。由传感器48得到的检测结果被向控制计算机32通知。通过将第1孔径基板41用多束扫描，测量部62从传感器48取得各束的束电流。测量部62将束电流变换为亮度，基于偏转器17的偏转量制作束图像，得到多束的束整体的形状等的信息。基于该信息，进行各束的照射量的修正等。

如图5所示，在设检测对象束的成像着陆角为α[rad]，设第1孔径基板41的下表面与第2孔径基板50的上表面之间的距离为L的情况下，微小孔51的直径优选的是设为2×α×L以上，以使穿过微小孔42后的束穿过微小孔51而到达传感器48的受光面。同样，在设第1孔径基板41的下表面与散射电子罩80的表面之间的距离为L′的情况下，开口81的直径优选的是设为2×α×L′以上，以使穿过微小孔42后的束穿过开口81而到达传感器48的受光面。

接着，对第1孔径基板41的微小孔42和第2孔径基板50的微小孔51的孔位置的校准(轴校准)方法进行说明。校准处理在描绘装置的外部进行。

如图6所示，在校准处理中，使用具有照射光的光源(光照射部)71、半反射镜72、物镜73、成像透镜74及图像传感器75的落射照明单元。

从光源71放出的观察光被相对于光轴以45°的角度配置的半反射镜72反射，经过物镜73被照射在观察对象(第1孔径基板41及第2孔径基板50)上。第2孔径基板50位于物镜73与第1孔径基板41之间。此外，在第1孔径基板41上安装着支承台43。

由观察对象反射的光在经过物镜73之后，透射过半反射镜72，由成像透镜74在图像传感器75上成像。图像传感器75例如是CMOS图像传感器。

首先，调整物镜73的位置，将物镜73的焦点对准于第1孔径基板41。观察光穿过第2孔径基板50的微小孔51及观察光穿过孔52。观察由图像传感器75检测到的图像，确定微小孔42的成像位置，将所确定的位置设定为基准标记。对于第2孔径基板50的观察光穿过孔52设定尺寸、位置、个数等，以使用于确定该微小孔42的成像位置所需要的可视光通过。

接着，如图7所示，调整物镜73的位置，将物镜73的焦点对准于第2孔径基板50。并且，使用未图示的移动机构使第2孔径基板50在与光轴正交的平面方向上移动，以使第2孔径基板50的微小孔51的成像位置与上述的基准标记一致。

在第2孔径基板50的微小孔51的成像位置与基准标记一致的情况下，成为第1孔径基板41的微小孔42与第2孔径基板50的微小孔51的位置精度良好地匹配的状态。

一旦对位完成，就将第1孔径基板41及支承台43、第2孔径基板50、散射电子罩80和传感器48用壳体49固定，制作微小孔42和微小孔51被对位的单独束检测器40。将该单独束检测器40搭载于描绘装置。

这样，根据本实施方式，能够将第1孔径基板41和第2孔径基板50的两级孔径基板的微小孔42、51高精度地对位。

第2孔径基板50的观察光穿过孔52的直径及距微小孔51的距离在考虑了在校准处理中使用的落射照明单元的物镜73的开口数、物镜73与第1孔径基板41、第2孔径基板50的距离后被决定。

如图4A、图4B所示，将配置在同一圆周上的多个观察光穿过孔52的配置区域的外径(最大径)设为Dmax，将内径(最小径)设为Dmin。根据物镜73的开口数求出校准光的光路，决定最大径Dmax。校准光的光路成为图10A那样。图10A的角度θ使用物镜73的开口数NA、观察环境折射率n根据以下的式子计算。

θ＝sin^－1(NA/n)

如图10B所示，设定最大径Dmax，以使观察光穿过孔52存在于将第1孔径基板41的应观察到的最外点与物镜73连结的光路线中。应观察到的最外点，是指在校准时能够识别出第1孔径基板41的孔形状的观察范围，具体而言是开口部44的周缘。

最小径Dmin通过模拟来计算，以满足散射电子的需要遮蔽率。在束能量50keV、束径10nm、将强度分布可看作高斯分布的电子束向第1孔径基板41照射时设为1，将透射过包括微小孔51及观察光穿过孔52在内的开口的散射电子到达传感器48的透射率设为e的情况下，将(1－e)/1设为遮蔽率。例如，根据模拟结果，设为(1－0.053)/1≈94.7％以上的遮蔽率。

如上述那样，散射电子罩80的开口81的直径优选的是2×α×L′以上。此外，开口81的直径优选的是比上述的最小径Dmin小，以使散射电子的遮蔽率不下降。

在第2孔径基板50的微小孔51的周围形成的观察光穿过孔的形状并不限定于图4A所示的形状。

例如，也可以如图8所示的第2孔径基板50A那样，将两个大致半圆环状的观察光穿过孔53配置在同一圆周上。

也可以如图9所示的第2孔径基板50B那样，将多个切头扇形状的观察光穿过孔54隔开间隔配置在同一圆周上。这里，切头扇形是从扇形将前端(中心)侧去掉的形状，距微小孔51越远，周向的长度越长。在图9中表示了形成3个观察光穿过孔54的例子，但也可以是4个以上。

图8、图9所示的例子中的观察光穿过孔配置区域的最大径(最大宽度)Dmax、最小径(最小宽度)Dmin是图示那样的。

在上述实施方式中，对在第2孔径基板50与传感器48之间配置散射电子罩80的结构进行了说明，但在将第2孔径基板50与传感器48的间隔取得较大以使穿过观察光穿过孔52后的散射电子不到达传感器48的情况下，也可以将散射电子罩80省略。

此外，也可以在侧壁上设置锥形，以使由壳体49的侧壁反射的散射电子不向传感器48到达。

在上述实施方式中，作为搭载单独束检测器的装置的一例而对多束描绘装置进行了说明，但并不限于此。例如，只要是检查图案的缺陷的检查装置等的照射多束的装置，就能够同样地搭载。此外，也能够对照射单束的装置应用。

另外，本发明并不原样限定于上述实施方式，在实施阶段中能够在不脱离其主旨的范围内将构成要素变形而具体化。此外，通过在上述实施方式中公开的多个构成要素的适当的组合，能够形成各种发明。例如，也可以从实施方式所示的全部构成要素中删除某些构成要素。进而，也可以将跨不同实施方式的构成要素适当组合。

标号说明

4 电子枪

6 照明透镜

8 成形孔径阵列基板

10 消隐孔径阵列基板

12 缩小透镜

14 限制孔径部件

16 物镜

17 偏转器

20 描绘室

22 XY工作台

32 控制计算机

34 偏转控制电路

40 单独束检测器

60 描绘数据处理部

61 描绘控制部

62 测量部

Claims (16)

1.一种束检测器，其中，

具备：

第1孔径基板，形成有第1穿过孔；

第2孔径基板，形成有能够供穿过上述第1穿过孔后的1条检测对象束穿过的第2穿过孔；以及

传感器，检测穿过上述第2穿过孔后的上述检测对象束的束电流；

上述第2孔径基板包含导电性的材料，在上述第2穿过孔的周围形成有能够供光穿过的多个第3穿过孔。

2.如权利要求1所述的束检测器，其中，

上述第1穿过孔的尺寸比多带电粒子束的单独束的束径大且比束间间距小。

3.如权利要求1所述的束检测器，其中，

还具备设在上述第2孔径基板与上述传感器之间、将穿过上述第3穿过孔后的散射电子遮蔽的散射电子罩。

4.如权利要求1所述的束检测器，其中，

上述第3穿过孔比上述第2穿过孔大。

5.如权利要求1所述的束检测器，其中，

上述多个第3穿过孔是相同尺寸的圆形，上述多个第3穿过孔的中心等间隔地位于以上述第2穿过孔为中心的同一圆周上。

6.如权利要求1所述的束检测器，其中，

在设上述检测对象束的成像着陆角为α[rad]，设上述第1孔径基板的下表面与上述第2孔径基板的上表面之间的距离为L的情况下，上述第2穿过孔的直径是2×α×L以上。

7.如权利要求1所述的束检测器，其中，

上述第2孔径基板包含钛合金、进行了导电性镀层的陶瓷材料或导电性陶瓷。

8.一种多带电粒子束照射装置，其中，

具备：

工作台，载置描绘对象基板；

放出部，放出带电粒子束；

成形孔径阵列基板，接受上述带电粒子束的照射，通过分别使上述带电粒子束的一部分穿过而形成多束；

光学系统，将上述多束向上述描绘对象基板上照射；以及

束检测器，配置在上述工作台上，单独地检测上述多束的各束；

上述束检测器具有：

第1孔径基板，形成有第1穿过孔；

第2孔径基板，形成有能够供穿过上述第1穿过孔后的1条检测对象束穿过的第2穿过孔；以及

传感器，检测穿过上述第2穿过孔后的上述检测对象束的束电流，

上述第2孔径基板包含导电性的材料，在上述第2穿过孔的周围形成有能够供光穿过的多个第3穿过孔。

9.如权利要求8所述的多带电粒子束照射装置，其中，

上述第1穿过孔的尺寸比上述多束的单独束的束径大且比束间间距小。

10.如权利要求8所述的多带电粒子束照射装置，其中，

还具备设在上述第2孔径基板与上述传感器之间、将穿过上述第3穿过孔后的散射电子遮蔽的散射电子罩。

11.如权利要求8所述的多带电粒子束照射装置，其中，

上述第3穿过孔比上述第2穿过孔大。

12.如权利要求8所述的多带电粒子束照射装置，其中，

上述多个第3穿过孔是相同尺寸的圆形，上述多个第3穿过孔的中心等间隔地位于以上述第2穿过孔为中心的同一圆周上。

13.如权利要求8所述的多带电粒子束照射装置，其中，

在设上述检测对象束的成像着陆角为α[rad]，设上述第1孔径基板的下表面与上述第2孔径基板的上表面之间的距离为L的情况下，上述第2穿过孔的直径是2×α×L以上。

14.如权利要求8所述的多带电粒子束照射装置，其中，

上述第2孔径基板包含钛合金、进行了导电性镀层的陶瓷材料、或导电性陶瓷。

15.一种束检测器的调整方法，进行第1孔径基板的第1穿过孔与第2孔径基板的第2穿过孔的对位，上述第1孔径基板形成有比多带电粒子束的束间间距小的该第1穿过孔，上述第2孔径基板形成有能够供该多带电粒子束的1条检测对象束穿过的该第2穿过孔以及在上述第2穿过孔的周围形成的多个第3穿过孔，其中，所述调整方法包括如下工序：

将从光源射出的光经由上述第2穿过孔及上述多个第3穿过孔对上述第1孔径基板照射，将物镜的焦点对准于该第1孔径基板，使用图像传感器观察经由该物镜入射的反射光的成像，将上述第1穿过孔的成像位置设定为基准标记；以及

将上述物镜的焦点对准于上述第2孔径基板，使用上述图像传感器观察经由该物镜入射的反射光的成像，使该第2孔径基板移动以使上述第2穿过孔的成像位置与上述基准标记一致。

16.如权利要求15所述的束检测器的调整方法，其中，

在上述第2孔径基板中的上述第2穿过孔及上述多个第3穿过孔以外的区域中，从上述光源射出的光不透过而被遮蔽。