JP3455071B2 - 荷電粒子ビーム照射装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム照射装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/40—Traps for removing or diverting unwanted particles, e.g. negative ions, fringing electrons; Arrangements for velocity or mass selection
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/0203—Protection arrangements
- H01J2237/0213—Avoiding deleterious effects due to interactions between particles and tube elements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の微細
パターンの描画や測定に用いられる荷電粒子ビーム照射
装置に係わり、特に試料面上方における反射防止構造の
改良をはかった荷電粒子ビーム照射装置に関する。
パターンの描画や測定に用いられる荷電粒子ビーム照射
装置に係わり、特に試料面上方における反射防止構造の
改良をはかった荷電粒子ビーム照射装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最先端の半導体製造プロセスのうちリソ
グラフィープロセスにおいては、今後電子ビームを用い
た電子ビーム描画装置が主流になると予想される。これ
は、電子ビーム描画には光を用いた描画にない高い分解
能が得られるという大きな利点があるためである。
グラフィープロセスにおいては、今後電子ビームを用い
た電子ビーム描画装置が主流になると予想される。これ
は、電子ビーム描画には光を用いた描画にない高い分解
能が得られるという大きな利点があるためである。
【０００３】電子ビーム描画装置では、図６に示すよう
に、マスクやウェハ等の試料６３上に塗布されたレジス
ト６２に、対物レンズ６１を通して電子ビーム（入射電
子）７１を照射し、さらにパターンに応じて該ビームを
走査する。このとき、試料表面で反射或いは散乱した反
射電子７３は対物レンズ６１の下面で再び反射され、こ
の再反射電子７４が試料表面に戻ってくる。そして、こ
の再反射電子７４によってもレジストが感光される。つ
まり、再反射電子７４によって電子ビームを入射した場
所以外の試料表面のレジスト６２が感光してしまうとい
う、いわゆる遠距離感光作用効果が生じ、これにより描
画精度の低下を招いてしまう。
に、マスクやウェハ等の試料６３上に塗布されたレジス
ト６２に、対物レンズ６１を通して電子ビーム（入射電
子）７１を照射し、さらにパターンに応じて該ビームを
走査する。このとき、試料表面で反射或いは散乱した反
射電子７３は対物レンズ６１の下面で再び反射され、こ
の再反射電子７４が試料表面に戻ってくる。そして、こ
の再反射電子７４によってもレジストが感光される。つ
まり、再反射電子７４によって電子ビームを入射した場
所以外の試料表面のレジスト６２が感光してしまうとい
う、いわゆる遠距離感光作用効果が生じ、これにより描
画精度の低下を招いてしまう。
【０００４】そこで従来、試料室上面に炭素等の低原子
番号材料で形成された反射防止板を設置することによ
り、再反射電子の発生を抑える方法が採用されている。
ところが、要求される描画精度が高くなるにつれて低原
子番号の材料を用いるだけでは再反射防止効果が不十分
となる。また、反射防止板表面を平板ではなく、図７に
示すように複数の孔を開けた構造にすることも提案され
ている。この場合、開口形状は開口率を高くするために
ハニカム構造にすることが望ましい。
番号材料で形成された反射防止板を設置することによ
り、再反射電子の発生を抑える方法が採用されている。
ところが、要求される描画精度が高くなるにつれて低原
子番号の材料を用いるだけでは再反射防止効果が不十分
となる。また、反射防止板表面を平板ではなく、図７に
示すように複数の孔を開けた構造にすることも提案され
ている。この場合、開口形状は開口率を高くするために
ハニカム構造にすることが望ましい。
【０００５】しかしながら、この種の反射防止機構を設
けた電子ビーム描画装置にあっては次のような問題があ
った。即ち、上記のハニカム構造等を通常の機械加工に
よって作るには多大な加工時間がかかるため、コストが
非常に高くなってしまう。また、このような構造を実現
する方法として、例えば厚膜レジストにＸ線リソグラフ
ィーでパターンニングしてできた溝に金属メッキを行っ
て側壁を形成する、いわゆるＬＩＧＡプロセスによりハ
ニカム構造を実現することが提案されている。しかし、
この方式も製作できる大きさが限定される上に、コスト
が非常に高いものとなってしまう。
けた電子ビーム描画装置にあっては次のような問題があ
った。即ち、上記のハニカム構造等を通常の機械加工に
よって作るには多大な加工時間がかかるため、コストが
非常に高くなってしまう。また、このような構造を実現
する方法として、例えば厚膜レジストにＸ線リソグラフ
ィーでパターンニングしてできた溝に金属メッキを行っ
て側壁を形成する、いわゆるＬＩＧＡプロセスによりハ
ニカム構造を実現することが提案されている。しかし、
この方式も製作できる大きさが限定される上に、コスト
が非常に高いものとなってしまう。
【０００６】一方、上記のようなハニカム構造の反射防
止板は、反射電子の抑制効果は平面に比べて効率が良い
ものである。しかし、このような構造においては、孔の
軸に平行に（反射防止板の表面に垂直に）入射した電子
に対しては効果的であるが、斜めに入射したものについ
ては、図８に示すように、側壁からの反射が若干量残る
という問題があった。
止板は、反射電子の抑制効果は平面に比べて効率が良い
ものである。しかし、このような構造においては、孔の
軸に平行に（反射防止板の表面に垂直に）入射した電子
に対しては効果的であるが、斜めに入射したものについ
ては、図８に示すように、側壁からの反射が若干量残る
という問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、電子
ビーム描画装置に用いられる反射防止機構にあっては、
その製作コストが高いという問題があった。また、反射
防止板の表面に対して斜めに入射する電子に対して防止
効果が落ちるという問題があった。
ビーム描画装置に用いられる反射防止機構にあっては、
その製作コストが高いという問題があった。また、反射
防止板の表面に対して斜めに入射する電子に対して防止
効果が落ちるという問題があった。
【０００８】本発明は、上記の事情を考慮して成された
もので、その目的とするところは、反射防止機構の製作
コストを低減することができ、低コストで反射粒子によ
る影響を低減することのできる荷電粒子ビーム照射装置
を提供することにある。
もので、その目的とするところは、反射防止機構の製作
コストを低減することができ、低コストで反射粒子によ
る影響を低減することのできる荷電粒子ビーム照射装置
を提供することにある。
【０００９】また、本発明の他の目的は、反射防止板の
表面に対して斜めに入射する電子に対しても十分な反射
防止効率を得ることができ、反射防止機構における反射
防止効率の向上をはかり、反射粒子による影響を格段に
低減し得る荷電粒子ビーム照射装置を提供することにあ
る。
表面に対して斜めに入射する電子に対しても十分な反射
防止効率を得ることができ、反射防止機構における反射
防止効率の向上をはかり、反射粒子による影響を格段に
低減し得る荷電粒子ビーム照射装置を提供することにあ
る。
【００１０】
（構成）
本発明は、サンプルに荷電粒子ビームを照射する照射装
置と、前記荷電粒子ビームを照射されたサンプルからの
反射粒子及び／又は二次粒子が前記サンプルに再照射す
ることを防止するための反射防止板とを具備し、前記反
射防止板は、積層された複数の薄板と、この積層された
薄板を貫通するもので、前記反射防止板に対して傾斜し
ている複数の微小孔とを有することを特徴とする荷電粒
子ビーム照射装置である。 前記複数の微小孔それぞれ
は、前記微小孔の位置と前記荷電粒子ビームの入射位置
とを通る直線に沿って設けられていることを特徴とす
る。 前記複数の微小孔は、円柱又は角柱形状に形成され
ていることを特徴とする。前記複数の微小孔それぞれ
は、円柱又は角柱形状に形成され、前記微小孔の位置と
前記荷電粒子ビームの入射位置とを通る直線に沿って設
けられていることを特徴とする。 前記反射防止板は、曲
面形状を有することを特徴とする。 前記複数の薄板は、
複数のピンで位置合わせされることを特徴とする。 前記
照射装置は、前記荷電粒子ビームを発生する電子銃と、
前記発生された荷電粒子ビームの焦点を前記サンプル上
に合わせる対物レンズとを有し、前記反射防止板は、前
記サンプルの上方及び／又は下方に配置されていること
を特徴とする。 本発明は、サンプルに荷電粒子ビームを
照射する照射装置と、前記荷電粒子ビームを照射された
サンプルからの反射粒子及び／又は二次粒子が前記サン
プルに再照射することを防止するための反射防止板とを
具備し、前記反射防止板には複数の微小孔が開けられて
おり、前記複数の微小孔は前記反射防止板に対して傾斜
していることを特徴とする荷電粒子ビーム照射装置であ
る。 前記複数の微小孔それぞれは、前記微小孔の位置と
前記荷電粒子ビームの入射位置とを通る直線に沿って設
けられていることを特徴とする。 本発明は、サンプルに
荷電粒子ビームを照射する照射装置と、前記荷電粒子ビ
ームを照射されたサンプルからの反射粒子及び／又は二
次粒子が前記サンプルに再照射することを防止するため
の反射防止板とを具備し、前記反射防止板は、互いに接
触するように積層された複数の薄板と、この積層された
薄板を貫通する複数の微小孔とを有することを特徴とす
る荷電粒子ビーム照射装置である。
置と、前記荷電粒子ビームを照射されたサンプルからの
反射粒子及び／又は二次粒子が前記サンプルに再照射す
ることを防止するための反射防止板とを具備し、前記反
射防止板は、積層された複数の薄板と、この積層された
薄板を貫通するもので、前記反射防止板に対して傾斜し
ている複数の微小孔とを有することを特徴とする荷電粒
子ビーム照射装置である。 前記複数の微小孔それぞれ
は、前記微小孔の位置と前記荷電粒子ビームの入射位置
とを通る直線に沿って設けられていることを特徴とす
る。 前記複数の微小孔は、円柱又は角柱形状に形成され
ていることを特徴とする。前記複数の微小孔それぞれ
は、円柱又は角柱形状に形成され、前記微小孔の位置と
前記荷電粒子ビームの入射位置とを通る直線に沿って設
けられていることを特徴とする。 前記反射防止板は、曲
面形状を有することを特徴とする。 前記複数の薄板は、
複数のピンで位置合わせされることを特徴とする。 前記
照射装置は、前記荷電粒子ビームを発生する電子銃と、
前記発生された荷電粒子ビームの焦点を前記サンプル上
に合わせる対物レンズとを有し、前記反射防止板は、前
記サンプルの上方及び／又は下方に配置されていること
を特徴とする。 本発明は、サンプルに荷電粒子ビームを
照射する照射装置と、前記荷電粒子ビームを照射された
サンプルからの反射粒子及び／又は二次粒子が前記サン
プルに再照射することを防止するための反射防止板とを
具備し、前記反射防止板には複数の微小孔が開けられて
おり、前記複数の微小孔は前記反射防止板に対して傾斜
していることを特徴とする荷電粒子ビーム照射装置であ
る。 前記複数の微小孔それぞれは、前記微小孔の位置と
前記荷電粒子ビームの入射位置とを通る直線に沿って設
けられていることを特徴とする。 本発明は、サンプルに
荷電粒子ビームを照射する照射装置と、前記荷電粒子ビ
ームを照射されたサンプルからの反射粒子及び／又は二
次粒子が前記サンプルに再照射することを防止するため
の反射防止板とを具備し、前記反射防止板は、互いに接
触するように積層された複数の薄板と、この積層された
薄板を貫通する複数の微小孔とを有することを特徴とす
る荷電粒子ビーム照射装置である。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】（作用）本発明によれば、複数の開口を持
つ薄板を複数枚重ね、さらに各々の開口を接続して反射
粒子或いは二次粒子の放出を抑える孔を形成しているた
め、この孔を形成するために深いエッチングを行う必要
もなく、薄い板に開口を開けるのみで済む。薄い板に開
口を開けるのは極めて容易であり、従って反射防止機構
の製作コストが低減することになる。
つ薄板を複数枚重ね、さらに各々の開口を接続して反射
粒子或いは二次粒子の放出を抑える孔を形成しているた
め、この孔を形成するために深いエッチングを行う必要
もなく、薄い板に開口を開けるのみで済む。薄い板に開
口を開けるのは極めて容易であり、従って反射防止機構
の製作コストが低減することになる。
【００１５】また、反射粒子或いは二次粒子の放出を抑
える孔を、それぞれの孔位置と試料上の荷電粒子ビーム
照射位置とを通る直線に沿って形成する、即ち反射粒子
或いは二次粒子の放出を抑える孔を試料上の荷電粒子ビ
ーム照射位置に向けることにより、孔の側壁からの反射
粒子を抑えることが可能となり、更なる反射粒子防止効
率の向上が得られる。
える孔を、それぞれの孔位置と試料上の荷電粒子ビーム
照射位置とを通る直線に沿って形成する、即ち反射粒子
或いは二次粒子の放出を抑える孔を試料上の荷電粒子ビ
ーム照射位置に向けることにより、孔の側壁からの反射
粒子を抑えることが可能となり、更なる反射粒子防止効
率の向上が得られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。 （第１の実施形態）図１及び図２は、本発明の第１の実
施形態に係わる電子ビーム描画装置の反射防止機構を説
明するための斜視図である。
形態によって説明する。 （第１の実施形態）図１及び図２は、本発明の第１の実
施形態に係わる電子ビーム描画装置の反射防止機構を説
明するための斜視図である。
【００１７】本実施形態ではまず、図１に示すようなハ
ニカム状の開口１２を開けた薄板１１をエッチングで製
作する。この薄板１１には、位置決め用の穴１３を開け
ておく。厚さ０．２ｍｍの銅板に、例えば直径２Ｒが
０．８ｍｍ、梁の部分１４の幅ｄが０．２ｍｍとなるよ
うなハニカム状の開口１２を形成することは、機械的な
パンチング加工や化学的なエッチング加工で容易に実現
できる。この場合の開口率はおおよそ７５％である。ｄ
をさらに小さくすることで開口率は更に高くすることが
可能である。
ニカム状の開口１２を開けた薄板１１をエッチングで製
作する。この薄板１１には、位置決め用の穴１３を開け
ておく。厚さ０．２ｍｍの銅板に、例えば直径２Ｒが
０．８ｍｍ、梁の部分１４の幅ｄが０．２ｍｍとなるよ
うなハニカム状の開口１２を形成することは、機械的な
パンチング加工や化学的なエッチング加工で容易に実現
できる。この場合の開口率はおおよそ７５％である。ｄ
をさらに小さくすることで開口率は更に高くすることが
可能である。
【００１８】このような薄板１１を例えば２０枚製作
し、図２に示すように、位置決め穴１３に位置決めピン
１５を通して重ねれば、容易に直径０．８ｍｍで深さ４
ｍｍの孔を形成できる。この場合のアスペクト比は５で
あるが、本発明者らの実験によれば、この孔の底をアル
ミニウムとした場合でも孔中心に電子を入射した場合の
反射率は３０ｋｅＶの電子に対して１％以下であり、Ｂ
ｅ平面に比べて一桁以上小さかった。本方式では同一構
造の薄板を多数用意することにより高いアスペクト比が
容易に得られる。
し、図２に示すように、位置決め穴１３に位置決めピン
１５を通して重ねれば、容易に直径０．８ｍｍで深さ４
ｍｍの孔を形成できる。この場合のアスペクト比は５で
あるが、本発明者らの実験によれば、この孔の底をアル
ミニウムとした場合でも孔中心に電子を入射した場合の
反射率は３０ｋｅＶの電子に対して１％以下であり、Ｂ
ｅ平面に比べて一桁以上小さかった。本方式では同一構
造の薄板を多数用意することにより高いアスペクト比が
容易に得られる。
【００１９】このように本実施形態によれば、ハニカム
状の開口１２を持つ薄板１１を複数枚重ね、さらに各々
の開口１２を接続してアスペクト比の高い孔を形成して
いるので、反射粒子或いは二次粒子の放出を抑えること
ができる。そしてこの場合、アスペクト比の高い孔を形
成するために深いエッチングを行う必要もなく、薄板１
１に開口１２を開けるという簡易な加工プロセスを行う
のみで良い。従って、反射防止機構の製作コストを大幅
に低減させることができる。
状の開口１２を持つ薄板１１を複数枚重ね、さらに各々
の開口１２を接続してアスペクト比の高い孔を形成して
いるので、反射粒子或いは二次粒子の放出を抑えること
ができる。そしてこの場合、アスペクト比の高い孔を形
成するために深いエッチングを行う必要もなく、薄板１
１に開口１２を開けるという簡易な加工プロセスを行う
のみで良い。従って、反射防止機構の製作コストを大幅
に低減させることができる。
【００２０】（第２の実施形態）図３は、本発明の第２
の実施形態に係わる電子ビーム描画装置の反射防止機構
を説明するための断面図である。
の実施形態に係わる電子ビーム描画装置の反射防止機構
を説明するための断面図である。
【００２１】本実施形態は、反射防止板は１枚である
が、その孔の形状を工夫したものである。即ち、比較的
厚い反射防止板１０を用い、反射電子や二次電子の放出
を抑えるための孔１６を面に対して全て垂直に開けるの
ではなくて、場所によって角度を付けることにより反射
粒子防止効率のより一層の向上をはかっている。具体的
には、試料２０上の電子ビーム入射位置２２を基準に、
それぞれの孔１６を孔位置と入射位置２２を通る直線に
沿って形成している。
が、その孔の形状を工夫したものである。即ち、比較的
厚い反射防止板１０を用い、反射電子や二次電子の放出
を抑えるための孔１６を面に対して全て垂直に開けるの
ではなくて、場所によって角度を付けることにより反射
粒子防止効率のより一層の向上をはかっている。具体的
には、試料２０上の電子ビーム入射位置２２を基準に、
それぞれの孔１６を孔位置と入射位置２２を通る直線に
沿って形成している。
【００２２】このような構成であれば、入射電子２１は
側壁に衝突することなく孔１６の深い領域にまで達する
から再反射電子２４が孔１６から再放出される割合は非
常に小さくなる。このため、反射防止機構における反射
防止効率の向上をはかることができ、電子ビーム描画装
置における描画精度の向上に寄与することが可能とな
る。
側壁に衝突することなく孔１６の深い領域にまで達する
から再反射電子２４が孔１６から再放出される割合は非
常に小さくなる。このため、反射防止機構における反射
防止効率の向上をはかることができ、電子ビーム描画装
置における描画精度の向上に寄与することが可能とな
る。
【００２３】ここで、理想的には図３で示すように、孔
１６の直径を深さによって可変し、孔１６の側壁１７は
ビームの入射点２２からみて全て開口の残り部分１４の
陰になることが望ましい。しかし、孔１６の直径が深さ
によらないものとしても反射粒子防止効果の改善は得ら
れることは明らかである。
１６の直径を深さによって可変し、孔１６の側壁１７は
ビームの入射点２２からみて全て開口の残り部分１４の
陰になることが望ましい。しかし、孔１６の直径が深さ
によらないものとしても反射粒子防止効果の改善は得ら
れることは明らかである。
【００２４】（第３の実施形態）図４は、本発明の第３
の実施形態に係わる電子ビーム描画装置の反射防止機構
を説明するための断面図である。
の実施形態に係わる電子ビーム描画装置の反射防止機構
を説明するための断面図である。
【００２５】本実施形態は、第１及び第２の実施形態を
組み合わせたものである。即ち、第１の実施形態と同様
に、開口１２を開けた薄板１１をエッチングで製作し、
それを複数枚重ねて反射防止機構を構成し、さらに開口
１２を接続して形成される孔１６が第２の実施形態のよ
うに、孔１６の側壁はビームの入射点２２からみて全て
開口の残り部分の陰になるようにしている。このため
に、薄板１１に設ける開口１２の大きさ及び位置を薄板
１１毎に変え、さらに開口１２を全て垂直に開けるので
はなくて、場所によって角度を付けている。
組み合わせたものである。即ち、第１の実施形態と同様
に、開口１２を開けた薄板１１をエッチングで製作し、
それを複数枚重ねて反射防止機構を構成し、さらに開口
１２を接続して形成される孔１６が第２の実施形態のよ
うに、孔１６の側壁はビームの入射点２２からみて全て
開口の残り部分の陰になるようにしている。このため
に、薄板１１に設ける開口１２の大きさ及び位置を薄板
１１毎に変え、さらに開口１２を全て垂直に開けるので
はなくて、場所によって角度を付けている。
【００２６】このような構成であれば、第１の実施形態
と同様に反射防止機構の製作コストを低減させることが
でき、しかも第２の実施形態と同様に反射粒子防止効率
の向上をはかることができる。従って、コストの低減と
描画精度の向上の双方を同時に達成することができる。
と同様に反射防止機構の製作コストを低減させることが
でき、しかも第２の実施形態と同様に反射粒子防止効率
の向上をはかることができる。従って、コストの低減と
描画精度の向上の双方を同時に達成することができる。
【００２７】（第４の実施形態）図５は、本発明の第４
の実施形態に係わる電子ビーム描画装置の反射防止機構
を説明するための断面図である。
の実施形態に係わる電子ビーム描画装置の反射防止機構
を説明するための断面図である。
【００２８】本実施形態も、第１及び第２の実施形態を
組み合わせたものであるが、第３の実施形態とは異な
り、開口１２の大きさは全ての薄板１１で同じとし、そ
の位置のみを異ならせている。この場合、第２及び第３
の実施形態に比べると若干劣るものの、十分な反射防止
効果の改善が得られる。
組み合わせたものであるが、第３の実施形態とは異な
り、開口１２の大きさは全ての薄板１１で同じとし、そ
の位置のみを異ならせている。この場合、第２及び第３
の実施形態に比べると若干劣るものの、十分な反射防止
効果の改善が得られる。
【００２９】また本実施形態では、薄板１１に設ける開
口１２の大きさが全て同じであり、その位置のみを変え
れば良いことから、開口１２の形成が極めて容易とな
る。さらに、開口１２は面に対して全て垂直に開けても
良く、この場合は開口１２の形成が更に容易となる。つ
まり、従来以上に反射防止効率の高い反射防止機構の製
造が容易で、製造コストの低減をはかることができる。
口１２の大きさが全て同じであり、その位置のみを変え
れば良いことから、開口１２の形成が極めて容易とな
る。さらに、開口１２は面に対して全て垂直に開けても
良く、この場合は開口１２の形成が更に容易となる。つ
まり、従来以上に反射防止効率の高い反射防止機構の製
造が容易で、製造コストの低減をはかることができる。
【００３０】なお、本発明は上述した各実施形態に限定
されるものではない。実施形態で説明した反射防止構造
は、電子に対してだけでなくイオンや中性粒子、また光
子ビームを用いる装置に対しても有効である。従って、
電子ビーム描画装置に限らずイオンビーム描画装置に適
用することができ、さらに荷電粒子ビーム描画装置のみ
ならず例えば電子線マイクロアナライザ等の電子線を用
いた測定装置に適用することも可能である。
されるものではない。実施形態で説明した反射防止構造
は、電子に対してだけでなくイオンや中性粒子、また光
子ビームを用いる装置に対しても有効である。従って、
電子ビーム描画装置に限らずイオンビーム描画装置に適
用することができ、さらに荷電粒子ビーム描画装置のみ
ならず例えば電子線マイクロアナライザ等の電子線を用
いた測定装置に適用することも可能である。
【００３１】また、薄板は例えばプレス等により容易に
変形することができるので反射粒子防止構造は平面に限
らず任意曲面形状をしたものを作ることも容易にでき
る。また、薄板表面或いは薄板を組み合わせて構成され
た反射粒子防止構造の表面にベリリウムや炭素等の低原
子番号材料薄膜をつけることは開口の残り部分や孔の側
面での反射率を抑える効果があり、反射粒子防止効率を
さらに改善するのに有効である。
変形することができるので反射粒子防止構造は平面に限
らず任意曲面形状をしたものを作ることも容易にでき
る。また、薄板表面或いは薄板を組み合わせて構成され
た反射粒子防止構造の表面にベリリウムや炭素等の低原
子番号材料薄膜をつけることは開口の残り部分や孔の側
面での反射率を抑える効果があり、反射粒子防止効率を
さらに改善するのに有効である。
【００３２】また、孔の形状や配列はハニカムに限定さ
れるものではなく、例えば矩形を並べたものや同心円状
の孔を角度方向に分割したもの等も考えられる。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる。
れるものではなく、例えば矩形を並べたものや同心円状
の孔を角度方向に分割したもの等も考えられる。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる。
【００３３】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、反
射防止機構を複数枚の薄板を重ねて形成することによ
り、その製造が容易となり、低コストで高い反射防止効
率を達成することができる。
射防止機構を複数枚の薄板を重ねて形成することによ
り、その製造が容易となり、低コストで高い反射防止効
率を達成することができる。
【００３４】また、板体に設ける孔を垂直ではなく場所
によって角度を付けることにより、入射粒子が孔の側壁
に衝突することなく孔の深い領域にまで達するから再反
射電子が開口から再放出される割合は非常に小さくな
り、これにより反射粒子防止効率のより一層の向上をは
かることができる。
によって角度を付けることにより、入射粒子が孔の側壁
に衝突することなく孔の深い領域にまで達するから再反
射電子が開口から再放出される割合は非常に小さくな
り、これにより反射粒子防止効率のより一層の向上をは
かることができる。
【図１】第１の実施形態に係わる反射防止機構を構成す
る薄板の構造を示す斜視図。
る薄板の構造を示す斜視図。
【図２】図１の薄板を組み合わせて形成された反射粒子
防止機構を示す斜視図。
防止機構を示す斜視図。
【図３】第２の実施形態に係わる反射粒子防止構造機構
を示す断面図。
を示す断面図。
【図４】第３の実施形態に係わる反射粒子防止構造機構
を示す断面図。
を示す断面図。
【図５】第４の実施形態に係わる反射粒子防止構造機構
を示す断面図。
を示す断面図。
【図６】再反射電子による遠距離相互作用の原理を示す
図。
図。
【図７】従来の反射粒子防止機構を示す図。
【図８】図７の反射粒子防止機構の問題点を説明するた
めの図。
めの図。
１１…薄板
１２…開口
１３…位置決め用穴
１４…開口の残り部分
１５…位置決め用ピン
１６…孔
１７…側壁
２０…試料
２１…入射電子
２２…ビーム入射点
２３…反射電子
２４…再反射電子
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 吉武 秀介
神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地
株式会社東芝研究開発センター内
(72)発明者 阿部 隆幸
神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地
株式会社東芝研究開発センター内
(72)発明者 伊藤 正光
神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地
株式会社東芝生産技術研究所内
(56)参考文献 特開 昭61−19126（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−226121（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−124811（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−218133（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−92370（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/20
H01J 37/147
H01J 37/305
Claims (10)
- 【請求項１】 サンプルに荷電粒子ビームを照射する照
射装置と、 前記荷電粒子ビームを照射されたサンプルからの反射粒
子及び／又は二次粒子が前記サンプルに再照射すること
を防止するための反射防止板とを具備し、 前記反射防止板は、積層された複数の薄板と、この積層
された薄板を貫通するもので、前記反射防止板に対して
傾斜している複数の微小孔とを有することを特徴とする
荷電粒子ビーム照射装置。 - 【請求項２】 前記複数の微小孔それぞれは、前記微小
孔の位置と前記荷電粒子ビームの入射位置とを通る直線
に沿って設けられていることを特徴とする請求項１記載
の荷電粒子ビーム照射装置。 - 【請求項３】 前記複数の微小孔は、円柱又は角柱形状
に形成されていることを特徴とする請求項１記載の荷電
粒子ビーム照射装置。 - 【請求項４】 前記複数の微小孔それぞれは、円柱又は
角柱形状に形成され、前記微小孔の位置と前記荷電粒子
ビームの入射位置とを通る直線に沿って設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム照射装
置。 - 【請求項５】 前記反射防止板は、曲面形状を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム照射装
置。 - 【請求項６】 前記複数の薄板は、複数のピンで位置合
わせされることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビ
ーム照射装置。 - 【請求項７】 前記照射装置は、前記荷電粒子ビームを
発生する電子銃と、前記発生された荷電粒子ビームの焦
点を前記サンプル上に合わせる対物レンズとを有し、前
記反射防止板は、前記サンプルの上方及び／又は下方に
配置されていることを特徴とする請求項１記載の荷電粒
子ビーム照射装置。 - 【請求項８】 サンプルに荷電粒子ビームを照射する照
射装置と、 前記荷電粒子ビームを照射されたサンプルからの反射粒
子及び／又は二次粒子が前記サンプルに再照射すること
を防止するための反射防止板とを具備し、 前記反射防止板には複数の微小孔が開けられており、前
記複数の微小孔は前記反射防止板に対して傾斜している
ことを特徴とする荷電粒子ビーム照射装置。 - 【請求項９】 前記複数の微小孔それぞれは、前記微小
孔の位置と前記サン プルに対する前記荷電粒子ビームの
入射位置とを通る直線に沿って設けられていることを特
徴とする請求項８記載の荷電粒子ビーム照射装置。 - 【請求項１０】 サンプルに荷電粒子ビームを照射する
照射装置と、 前記荷電粒子ビームを照射されたサンプルからの反射粒
子及び／又は二次粒子が前記サンプルに再照射すること
を防止するための反射防止板とを具備し、 前記反射防止板は、互いに接触するように積層された複
数の薄板と、この積層された薄板を貫通する複数の微小
孔とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム照射装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20300497A JP3455071B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 荷電粒子ビーム照射装置 |
| US09/118,924 US6172364B1 (en) | 1997-07-29 | 1998-07-20 | Charged particle beam irradiation apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20300497A JP3455071B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 荷電粒子ビーム照射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154390A JPH1154390A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3455071B2 true JP3455071B2 (ja) | 2003-10-06 |
Family
ID=16466746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20300497A Expired - Lifetime JP3455071B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 荷電粒子ビーム照射装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3455071B2 (ja) |
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| JP3603779B2 (ja) * | 2000-11-01 | 2004-12-22 | 株式会社日立製作所 | 電子検出装置，荷電粒子ビーム装置，半導体集積回路装置、および半導体集積回路装置の加工，観察，検査方法 |
| CA2448736C (en) * | 2001-06-05 | 2010-08-10 | Mikro Systems, Inc. | Methods for manufacturing three-dimensional devices and devices created thereby |
| US7785098B1 (en) | 2001-06-05 | 2010-08-31 | Mikro Systems, Inc. | Systems for large area micro mechanical systems |
| KR100914299B1 (ko) * | 2008-01-02 | 2009-08-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전자빔 노광 장비 |
| JP5047826B2 (ja) * | 2008-01-31 | 2012-10-10 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | コリメータ、コリメータ積層体、およびマルチモダリティシステム |
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| EP2559535A3 (en) * | 2008-09-26 | 2016-09-07 | Mikro Systems Inc. | Systems, devices, and/or methods for manufacturing castings |
| JP5065516B2 (ja) * | 2010-08-04 | 2012-11-07 | エフ イー アイ カンパニ | 薄い電子検出器における後方散乱の減少 |
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| US8813824B2 (en) | 2011-12-06 | 2014-08-26 | Mikro Systems, Inc. | Systems, devices, and/or methods for producing holes |
| US9534715B2 (en) | 2012-01-20 | 2017-01-03 | Mueller International, Llc | Coupling gasket with multiple sealing surfaces |
| US9039046B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-05-26 | Mueller International, Llc | Coupling with tongue and groove |
| US9500307B2 (en) | 2012-01-20 | 2016-11-22 | Mueller International, Llc | Slip-on coupling gasket |
| US9194516B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-11-24 | Mueller International, Llc | Slip-on coupling |
| US9168585B2 (en) | 2012-11-02 | 2015-10-27 | Mueller International, Llc | Coupling with extending parting line |
| JP6356538B2 (ja) | 2014-08-27 | 2018-07-11 | 株式会社アドバンテスト | 露光装置 |
| JP7194572B2 (ja) * | 2018-12-04 | 2022-12-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ電子ビーム検査装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4288697A (en) * | 1979-05-03 | 1981-09-08 | Albert Richard D | Laminate radiation collimator |
| US4493097A (en) * | 1982-08-30 | 1985-01-08 | The Perkin-Elmer Corporation | Electron gun assembly |
| GB2190239B (en) * | 1986-05-02 | 1990-02-21 | Philips Electronic Associated | Cathode ray display tube |
| US5012080A (en) * | 1990-04-19 | 1991-04-30 | Griscom Daniel T | Directional particle filter |
| JPH05182625A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Jeol Ltd | 対物レンズ |
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| US5569920A (en) * | 1995-06-14 | 1996-10-29 | National University Of Singapore | Retractable cathodoluminescence detector with high ellipticity and high backscattered electron rejection performance for large area specimens |
-
1997
- 1997-07-29 JP JP20300497A patent/JP3455071B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-07-20 US US09/118,924 patent/US6172364B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1154390A (ja) | 1999-02-26 |
| US6172364B1 (en) | 2001-01-09 |
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