WO2018167922A1

WO2018167922A1 - 荷電粒子ビーム光学装置、露光装置、露光方法、制御装置、制御方法、情報生成装置、情報生成方法、及び、デバイス製造方法

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Publication number: WO2018167922A1
Application number: PCT/JP2017/010734
Authority: WO
Inventors: 長坂　博之
Original assignee: 株式会社ニコン
Priority date: 2017-03-16
Filing date: 2017-03-16
Publication date: 2018-09-20
Also published as: US10984982B2; US20210225611A1; US11387074B2; TW201903840A; US20200051780A1

Abstract

荷電粒子ビーム光学装置ＥＸは、夫々が荷電粒子ビームＥＢを物体Ｗに照射可能な複数の照射光学系１２と、第１照射光学系１２ｉの動作状態に基づいて、第２照射光学系１２ｊを制御する第１制御装置３とを備える。

Description

荷電粒子ビーム光学装置、露光装置、露光方法、制御装置、制御方法、情報生成装置、情報生成方法、及び、デバイス製造方法

　本発明は、例えば、荷電粒子ビームを物体に照射可能な荷電粒子ビーム光学装置、荷電粒子ビーム光学装置を備える露光装置、露光装置を用いて物体を露光する露光方法、荷電粒子ビーム装置を制御する制御装置及び制御方法、露光装置を制御するために用いられる情報を生成する情報生成装置及び情報生成方法、並びに、露光方法を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法の技術分野に関する。

　半導体素子等のデバイスを製造するためのリソグラフィ工程で使用される露光装置として、荷電粒子ビーム（例えば、電子ビーム）を露光ビームとして用いる露光装置が提案されている。例えば、特許文献１には、夫々が電子ビームを基板等の物体に照射可能な複数のカラム部を備えた露光装置が記載されている。

　複数のカラム部を備えた露光装置では、一のカラム部が照射する電子ビームは、他のカラム部が照射する電子ビームからの影響を受ける可能性がある。このため、他のカラム部が照射する電子ビームからの一のカラム部が照射する電子ビームに対する影響が考慮されない場合には、露光精度が悪化する可能性がある。

米国特許出願公開第２０１６／０１３３４３８号明細書

　第１の態様によれば、荷電粒子ビームを物体に照射可能な荷電粒子ビーム光学装置であって、前記荷電粒子ビームを前記物体に照射可能な複数の照射光学系と、前記複数の照射光学系のうち少なくとも１つの第１照射光学系の動作状態に基づいて、前記複数の照射光学系のうち前記第１照射光学系とは異なる前記第２照射光学系を制御する第１制御装置とを備える荷電粒子ビーム光学装置が提供される。

　第２の態様によれば、本発明の第１の態様における荷電粒子ビーム光学装置を備える露光装置が提供される。

　第３の態様によれば、本発明の第２の態様における露光装置を用いて前記物体を露光する露光方法が提供される。

　第４の態様によれば、荷電粒子ビームを照射して物体を露光する露光方法であって、複数の照射光学系の夫々を介して前記荷電粒子ビームを前記物体に照射することと、前記複数の照射光学系のうち少なくとも１つの第１照射光学系の動作状態に基づいて、前記複数の照射光学系のうち前記第１照射光学系とは異なる前記第２照射光学系を制御することとを含む露光方法が提供される。

　第５の態様によれば、複数の照射光学系の夫々から荷電粒子ビームを物体に照射可能な荷電粒子ビーム光学装置を制御する制御装置であって、前記複数の照射光学系のうち少なくとも１つの第１照射光学系の動作状態に基づいて、前記複数の照射光学系のうち前記第１照射光学系とは異なる前記第２照射光学系を制御する制御装置が提供される。

　第６の態様によれば、複数の照射光学系の夫々から荷電粒子ビームを物体に照射可能な荷電粒子ビーム光学装置を制御する制御方法であって、前記複数の照射光学系のうち少なくとも１つの第１照射光学系の動作状態に基づいて、前記複数の照射光学系のうち前記第１照射光学系とは異なる前記第２照射光学系を制御する制御方法が提供される。

　第７の態様によれば、本発明の第１の態様における荷電粒子ビーム光学装置が前記第２照射光学系を制御するために用いる前記制御情報を生成する第２制御装置を備える情報生成装置が提供される。

　第８の態様によれば、本発明の第１の態様における荷電粒子ビーム光学装置が前記第２照射光学系を制御するために用いる前記制御情報を生成する情報生成方法が提供される。

　第９の態様によれば、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ工程では、本発明の第３又は第４の態様における露光方法により前記物体に対する露光が行われるデバイス製造方法が提供される。

　本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。

図１は、露光システムの全体構造を示す上面図である。図２は、露光システムが備える露光装置の外観を示す斜視図である。図３は、露光装置が備える電子ビーム照射装置及びステージ装置の外観を示す斜視図である。図４は、露光装置が備える電子ビーム照射装置及びステージ装置の断面を示す断面図である。図５は、電子ビーム照射装置が備える鏡筒内の複数の電子ビーム光学系（光学系カラム）の配置の一例を示す平面図である。図６は、電子ビーム光学系の断面（電子ビーム光学系の光軸を含む断面）を示す断面図である。図７は、複数の電子ビーム光学系からの電子ビームの照射位置（照射領域）をウェハ上で示す平面図である。図８は、Ｎ個の電子ビーム光学系を示す平面図である。図９は、Ｎ個の電子ビーム光学系がＮ本の電子ビームを夫々照射するＮ個の照射領域を示す平面図である。図１０は、照射領域の位置ずれを示す平面図である。図１１は、位置ずれ情報の生成動作の流れを示すフローチャートである。図１２は、テスト露光で電子ビームが実際に照射された照射位置を示す平面図である。図１３は、位置ずれ情報の一例である関数を示すグラフである。図１４は、ウェハの露光動作の流れを示すフローチャートである。図１５は、ある照射領域のずれ量を、そのずれ量の原因となる電子ビームと共に示す平面図である。図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、夫々、最大ずれ量と所定量との大小関係を、位置ずれ情報が示す関数のグラフ上で示す。図１７は、デバイス製造方法の流れを示すフローチャートである。

　以下、図面を参照しながら、荷電粒子ビーム光学装置、露光装置、露光方法、制御装置、制御方法、情報生成装置、情報生成方法、及び、デバイス製造方法の実施形態について説明する。以下では、電子ビームＥＢをウェハＷに照射して当該ウェハＷを露光する露光装置（つまり、電子ビーム露光装置）ＥＸを備える露光システムＳＹＳを用いて、露光装置、露光方法、制御装置、制御方法、情報生成装置、情報生成方法、及び、デバイス製造方法の実施形態を説明する。露光装置ＥＸは、電子ビームＥＢでウェハＷにパターンを描画するようにウェハＷを露光してもよいし、微小マスクのパターンを電子ビームＥＢでウェハＷに転写するようにウェハＷを露光してもよい。

　また、以下の説明では、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸から定義されるＸＹＺ直交座標系を用いて、露光システムＳＹＳを構成する各種構成要素の位置関係について説明する。尚、以下の説明では、説明の便宜上、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれが水平方向（つまり、水平面内の所定方向）であり、Ｚ軸方向が鉛直方向（つまり、水平面に直交する方向であり、実質的には上下方向）であるものとする。尚、Ｚ軸方向は、露光装置ＥＸが備える後述の複数の電子ビーム光学系１２の夫々の光軸ＡＸに平行な方向でもある。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸周りの回転方向（言い換えれば、傾斜方向）を、それぞれ、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向と称する。

　（１）露光システムＳＹＳの構造
　はじめに、図１から図６を参照しながら、露光システムＳＹＳの構造について説明する。

　（１－１）露光システムＳＹＳの全体構造
　まず、図１を参照しながら、露光システムＳＹＳの全体構造について説明する。図１は、露光システムＳＹＳの全体構造を示す上面図である。

　図１に示すように、露光システムＳＹＳは、複数の露光装置ＥＸを備えている。図１に示す例では、露光システムＳＹＳは、１０個の露光装置ＥＸ（具体的には、露光装置ＥＸ１から露光装置ＥＸ１０）を備えている。露光装置ＥＸ１から露光装置ＥＸ５は、所定の配列方向（図１に示す例では、Ｙ軸方向）に沿って一列に配列されている。露光装置ＥＸ６から露光装置ＥＸ１０は、露光装置ＥＸ１から露光装置ＥＸ５と平行に且つ所定の配列方向（図１に示す例では、Ｙ軸方向）に沿って一列に配列されている。

　各露光装置ＥＸは、露光チャンバＣａと、ロードチャンバＣｂと、アンロードチャンバＣｃとを備えている。つまり、露光装置ＥＸｑ（但し、ｑは、１から１０の間の整数）は、露光チャンバＣａｑ、ロードチャンバＣｂｑ及びアンロードチャンバＣｃｑを備えている。

　露光チャンバＣａ、ロードチャンバＣｂ及びアンロードチャンバＣｃの夫々は、内部の空間が真空空間になるように、内部の空間を排気可能である。露光チャンバＣａは、電子ビームＥＢをウェハＷに照射してウェハＷを露光するための真空空間を形成する。ロードチャンバＣｂは、露光チャンバＣａの外部から露光チャンバＣａの内部に向けてウェハＷをロードする（つまり、搬入する）ための真空空間を形成する。アンロードチャンバＣｃは、露光チャンバＣａの内部から露光チャンバＣａの外部に向けてウェハＷをアンロードする（つまり、搬出する）ための真空空間を形成する。

　ウェハＷは、電子線レジスト（或いは、任意の感光剤又は感応材）が塗布された半導体基板である。ウェハＷは、例えば、直径が３００ｍｍであり、厚さが７００μｍから８００μｍとなる円板状の基板である。但し、ウェハＷは、任意のサイズを有する任意の形状の基板であってもよい。ウェハＷ上には、露光装置ＥＸが備える後述の複数の電子ビーム光学系１２が夫々照射する複数の電子ビームＥＢによって夫々露光される複数の矩形状のショット領域Ｓが設定可能である。例えば、１つのショット領域Ｓのサイズが２６ｍｍ×３３ｍｍである場合には、ウェハＷ上には、約１００個のショット領域Ｓが設定可能である。尚、ウェハＷ上には、一部が欠けたショット領域Ｓが設定されていてもよい。

　露光システムＳＹＳは、更に、不図示のコータ・デベロッパとの間で、電子線レジストが塗布されたウェハＷの搬送をインライン方式で行う搬送トラックＴＲと、搬送トラックＴＲを介して露光システムＳＹＳに搬入されたウェハＷのアライメントを行うアライメント装置ＡＬＧとを備えている。アライメント装置ＡＬＧは、搬送トラックＴＲを介して搬入されたウェハＷを、不図示の搬送アームを用いて受け取る。その後、アライメント装置ＡＬＧは、不図示の搬送アームを用いて、ウェハＷを、ウェハＷを保持するための保持部材であるシャトルＳＨＬに搭載する。シャトルＳＨＬは、その表面に、ウェハＷを搭載するための凹部が形成されている。ウェハＷは、シャトルＳＨＬの凹部において、真空吸着又は静電吸着によって固定される。その結果、ウェハＷは、シャトルＳＨＬによって保持される。以降、ウェハＷは、シャトルＳＨＬに保持された状態で、露光システムＳＹＳ内を搬送される。このため、露光システムＳＹＳは、露光システムＳＹＳ内でウェハＷを保持したシャトルＳＨＬを搬送するための搬送ラインＬＮを備えている。尚、アライメント装置ＡＬＧ及び搬送ラインＬＮ（更には、露光チャンバＣａ、ロードチャンバＣｂ及びアンロードチャンバＣｃの夫々の内部の空間以外の空間に設置される不図示の装置）は、大気圧環境下に設置されていてもよい。

　アライメント装置ＡＬＧは、シャトルＳＨＬに保持されたウェハＷのアライメントを行う。アライメントを行うために、アライメント装置ＡＬＧは、例えば、ステージと、ステージ位置計測装置と、マーク検出装置と、信号処理装置とを備える。ステージは、ウェハＷを保持したシャトルＳＨＬを保持したまま、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って移動可能である。ステージ位置計測装置は、ステージの位置を計測する。マーク検出装置は、ウェハＷの表面の複数のショット領域Ｓの間のスクライブライン上に形成されたアライメントマークＡＭ（更には、必要に応じて、不図示の指標（例えば、アライメント装置ＡＬＧ内に配置された指標板に形成された指標マーク））を検出する。アライメントマークＡＭは、例えば、Ｘ軸方向に並ぶように形成された格子パターンとＹ軸方向に並ぶように形成された格子パターンとを含む２次元格子マークである。アライメントマークＡＭの検出は、例えば画像処理方式（例えば、ＦＩＡ（Ｆｉｅｌｄ　Ｉｍａｇｅ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式）に準拠した検出であってもよいし、回折光干渉方式に準拠した検出であってもよい。信号処理装置は、マーク検出装置の検出結果とステージ位置計測装置の計測結果とに基づいて、アライメントマークＡＭの位置（例えば、ステージ座標系での位置）を算出する。更に、信号処理装置は、アライメントマークＡＭの位置の算出結果に基づいて、例えばエンハンスト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ：Ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｇｌｏｂａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式に準拠した演算を行う。その結果、信号処理装置は、アライメントマークＡＭの実際の位置とアライメントマークＡＭの設計上の位置との間の関係（つまり、ショット領域Ｓの実際の位置とショット領域Ｓの設計上の位置との間の関係）を算出する。アライメント装置ＡＬＧが行うアライメントの結果は、アライメント装置ＡＬＧと各露光装置ＥＸとを接続するネットワーク網ＮＥＴを介して、各露光装置ＥＸに通知される。

　アライメントが行われたウェハＷを保持するシャトルＳＨＬは、搬送ラインＬＮを介して各露光装置ＥＸに搬送される。シャトルＳＨＬを搬送するために、搬送ラインＬＮは、ガイド部材ＬＮａと、シャトルキャリアＬＮｂと、シャトルキャリアＬＮｃとを備えている。ガイド部材ＬＮａは、露光装置ＥＸ１からＥＸ５と露光装置ＥＸ６からＥＸ１０との間に配置された、露光装置ＥＸ１からＥＸ５（或いは、露光装置ＥＸ６からＥＸ１０）の配列方向（図１に示す例では、Ｙ軸方向）に沿って延びる細長い部材である。シャトルキャリアＬＮｂ及びＬＮｃの夫々は、ガイド部材ＬＮａに沿って移動可能である。シャトルキャリアＬＮｂ及びＬＮｃの夫々は、複数のシャトルＳＨＬを収容可能な不図示の収容棚を備えている。例えば、シャトルキャリアＬＮｂ及びＬＮｃの夫々は、一列に配列する露光装置ＥＸの数と同じ数（図１に示す例では、５個）のシャトルＳＨＬを収容可能な不図示の収容棚を備えている。シャトルキャリアＬＮｂは、ガイド部材ＬＮａに沿って移動しながら、露光装置ＥＸ１からＥＸ５の夫々との間で、ウェハＷを保持したシャトルＳＨＬを受け渡し可能である。シャトルキャリアＬＮｃは、ガイド部材ＬＮａに沿って移動しながら、露光装置ＥＸ６からＥＸ１０の夫々との間で、ウェハＷを保持したシャトルＳＨＬを受け渡し可能である。

　以下、搬送ラインＬＮを介したシャトルＳＨＬの各露光装置ＥＸへの搬送動作の一例について説明する。まず、シャトルＳＨＬを収容していないシャトルキャリアＬＮｂが、一部がアライメント装置ＡＬＧの内部に配置されているガイド部材ＬＮａに沿って移動することで、アライメント装置ＡＬＧの内部に移動する。その後、シャトルキャリアＬＮｂには、アライメント装置ＡＬＧが備える不図示の搬送アームによって、アライメントが行われたウェハＷを保持するシャトルＳＨＬが５つ収容される。その後、シャトルキャリアＬＮｂは、露光装置ＥＸ１のロードチャンバＣｂ１に対向する位置に移動する。その後、ロードチャンバＣｂ１内に配置された不図示の搬送アームによって、シャトルキャリアＬＮｂが収容する５つのシャトルＳＨＬのうちの一つが、ロードチャンバＣｂ１の外面に形成されたシャッタＣｂｏ（図２参照）を介して、ロードチャンバＣｂ１内に搬入される。シャトルＳＨＬがロードチャンバＣｂ１内に搬入される期間中は、ロードチャンバＣｂ１内の空間は、大気圧環境下にある。以降、シャトルキャリアＬＮｂのガイド部材ＬＮａに沿った移動に伴い、同様の動作が、シャトルキャリアＬＮｂとロードチャンバＣｂ２からＣｂ５との間で順に行われる。更に、同様の動作が、シャトルキャリアＬＮｃとロードチャンバＣｂ６からＣｂ１０との間で順に行われる。

　その後、ロードチャンバＣｂ１内の空間が真空空間になるように、ロードチャンバＣｂ１の内部の空間が排気される。その後、ロードチャンバＣｂ１及び露光チャンバＣａ１の少なくとも一方の内部に配置された不図示の搬送アームによって、ロードチャンバＣｂ１内のシャトルＳＨＬが、ロードチャンバＣｂ１と露光チャンバＣａ１との境界に形成された不図示のシャッタを介して、露光チャンバＣａ１に搬入される。同様の動作が、ロードチャンバＣｂ２からＣｂ１０と露光チャンバＣａ２からＣａ１０との夫々の間で行われる。その結果、露光チャンバＣａ１からＣａ１０の夫々の内部において、シャトルＳＨＬに保持されたウェハＷが露光される。

　露光チャンバＣａ１内でのウェハＷの露光が完了すると、アンロードチャンバＣｃ１及び露光チャンバＣａ１の少なくとも一方の内部に配置された不図示の搬送アームによって、露光チャンバＣａ１内のシャトルＳＨＬが、アンロードチャンバＣｃ１と露光チャンバＣａ１との境界に形成された不図示のシャッタを介して、アンロードチャンバＣｃ１に搬入される。シャトルＳＨＬがアンロードチャンバＣｃ１内に搬入される期間中は、アンロードチャンバＣｃ１内の空間は、真空空間である。同様の動作が、アンロードチャンバＣｃ２からＣｃ１０と露光チャンバＣａ２からＣａ１０との夫々の間で行われる。

　その後、アンロードチャンバＣｃ１からＣｃ５内のシャトルＳＨＬが、シャトルキャリアＬＮｂに搬出される。ここで、シャトルキャリアＬＮｂは、ロードチャンバＣｂ１からＣｂ５に対して順にシャトルＳＨＬを搬入している。従って、シャトルキャリアＬＮｂは、ロードチャンバＣｂ５に対するシャトルＳＨＬの搬入を完了した時点で、シャトルＳＨＬを一つも収容していない。このため、シャトルキャリアＬＮｂの不要な移動を減らすために、シャトルＳＨＬのシャトルキャリアＬＮｂへの搬出は、アンロードチャンバＣｂ５からアンロードチャンバＣｂ１に対して順に行われる。具体的には、シャトルＳＨＬがアンロードチャンバＣｃ５内に搬入された後、アンロードチャンバＣｃ５内の空間が、大気圧環境下におかれる。その後、アンロードチャンバＣｃ５内に配置された不図示の搬送アームによって、アンロードチャンバＣｃ５内のシャトルＳＨＬが、アンロードチャンバＣｃ５の外面に形成されたシャッタＣｃｏ（図２参照）を介して、シャトルキャリアＬＮｂに搬出される。同様の動作が、アンロードチャンバＣｃ４からＣｃ１とシャトルキャリアＬＮｂとの間で順に行われる。更には、シャトルＳＨＬのシャトルキャリアＬＮｃへの搬出もまた、アンロードチャンバＣｂ１０からＣｂ６に対して順に行われる。

　その後、露光されたウェハＷを保持するシャトルＳＨＬを収容したシャトルキャリアＬＮｂ及びＬＮｃの夫々は、アライメント装置ＡＬＧの内部に移動する。その後、シャトルキャリアＬＮｂ及びＬＮｃの夫々に収容されたシャトルＳＨＬが、アライメント装置ＡＬＧが備える不図示の搬送アームによって、シャトルキャリアＬＮｂ及びＬＮｃの夫々から搬出される。その後、アライメント装置ＡＬＧが備える不図示の搬送アームによって、シャトルＳＨＬからウェハＷが取り外される。その後、取り外されたウェハＷは、搬送トラックＴＲを介してコータ・デベロッパに搬出される。

　（１－２）露光装置ＥＸの構造
　続いて、図２から図５を参照しながら、露光装置ＥＸの構造について更に詳細に説明する。図２は、露光装置ＥＸの外観を示す斜視図である。図３は、露光装置ＥＸが備える電子ビーム照射装置１及びステージ装置２の外観を示す斜視図である。図４は、露光装置ＥＸが備える電子ビーム照射装置１及びステージ装置２の断面を示す断面図である。図５は、電子ビーム照射装置１が備える鏡筒１１内における複数の電子ビーム光学系（つまり、光学系カラム）１２の配置の一例を示す平面図である。

　図２から図４に示すように、露光装置ＥＸは、電子ビーム照射装置１と、ステージ装置２と、制御装置３（但し、図３及び図４では、制御装置３は不図示）とを備えている。電子ビーム照射装置１は、ステージ装置２が保持するウェハＷに対して電子ビームＥＢを照射可能である。ステージ装置２は、ウェハＷを保持しながら移動可能である。制御装置３は、露光装置ＥＸの動作を制御する。

　電子ビーム照射装置１の一部は、露光チャンバＣａ内に配置されている。図２及び図４に示す例では、電子ビーム照射装置１のうち後述する鏡筒１１の下端部（つまり、電子ビーム照射装置１のうちのステージ装置２側に位置する一部）が、露光チャンバＣａ内に配置されている。更に、ステージ装置２の全体が、露光チャンバＣａ内に配置されている。但し、電子ビーム照射装置１の全体が露光チャンバＣａ内に配置されていてもよい。

　電子ビーム照射装置１は、円筒状の鏡筒１１を備える。鏡筒１１の内部の空間は、電子ビームＥＢが照射される期間中は、真空空間となる。具体的には、鏡筒１１の内部の空間は、鏡筒１１の下側の開放端（つまり、電子ビームＥＢが通過可能な開口）を介して、露光チャンバＣａ内のチャンバ空間Ｃａｚと連結される。このため、鏡筒１１の内部の空間は、チャンバ空間Ｃａｚの排気に伴って真空空間となる。

　更に、電子ビーム照射装置１は、鏡筒１１を下方から支持するためのメトロロジーフレーム１３を備えている。メトロロジーフレーム１３は、図３に示すように、外周部に中心角１２０度の間隔で３つの凸部が形成された円環状の板部材を含む。鏡筒１１の最下端部は、鏡筒１１の最下端部よりも上方にある上方部よりも直径が小さい小径部となっている。鏡筒１１の最下端部と鏡筒１１の上方部との間の境界部分は、段部となっている。この最下端部がメトロロジーフレーム１３の円形の開口内に挿入される。更に、段部の底面がメトロロジーフレーム１３の上面に接触する。その結果、鏡筒１１がメトロロジーフレーム１３によって下方から支持される。

　電子ビーム照射装置１は、更に、メトロロジーフレーム１３を支持するための３つの吊り下げ支持機構１４を備えている。メトロロジーフレーム１３は、上述した３つの凸部に下端が夫々接続された３つの吊り下げ支持機構１４を介して、外枠フレームＦ（図４参照）から吊り下げ支持されている。各吊り下げ支持機構１４は、一端がメトロロジーフレーム１３に接続されるワイヤ１４ａと、ワイヤ１４ａの他端と外枠フレームＦとを接続する受動型の防振パッド１４ｂとを備える。防振パッド１４ｂは、例えば、エアダンパ及びコイルばねの少なくとも一方を含む。このため、防振パッド１４ｂによって、外枠フレームＦの振動のメトロロジーフレーム１３（更には、鏡筒１１）への伝達が防止される。

　上述したように、電子ビーム照射装置１の一部は、露光チャンバＣａ内に配置されている。メトロロジーフレーム１３は、露光チャンバＣａ内に配置される電子ビーム照射装置１の一部に相当する。更に、鏡筒１１の一部（具体的には、下端部）もまた、露光チャンバＣａ内に配置される電子ビーム照射装置１の一部に相当する。鏡筒１１の一部及びメトロロジーフレーム１３を露光チャンバＣａ内に配置するために、図４に示すように、露光チャンバＣａの上面には、開口Ｃａｏが形成されている。つまり、露光チャンバＣａは、開口Ｃａｏを規定するための環状の（或いは、枠状の）フランジ部Ｃａｆを、露光チャンバＣａの隔壁の一部として備えている。鏡筒１１の一部及びメトロロジーフレーム１３は、開口Ｃａｏを介して、露光チャンバＣａの内部に挿入される。更に、フランジ部Ｃａｆとメトロロジーフレーム１３とは、環状の（或いは、枠状の）接続部４を介して接続（言い換えれば、連結）されている。接続部４は、フランジ部Ｃａｆの上面に配置された環状の（或いは、枠状の）プレート４１と、鏡筒１１を取り囲むようにプレート４１とメトロロジーフレーム１３とを連結する環状の（或いは、枠状の）ベローズ４２とを備えている。プレート４１の下面の外周部は、全周にわたってフランジ部Ｃａｆの上面に接続されている。ベローズ４２の上部は、全周に亘ってプレート４１の下面の内周部に接続されている。ベローズ４２の下部は、全周に亘ってメトロロジーフレーム１３の上面に接続されている。このため、露光チャンバＣａ、プレート４１、ベローズ４２、メトロロジーフレーム１３及び鏡筒１１によって囲まれた空間の気密性が確保される。つまり、露光チャンバＣａ、プレート４１、ベローズ４２、メトロロジーフレーム１３及び鏡筒１１によって、ステージ装置２（特に、ステージ装置２が保持するウェハＷ）が収容される真空空間が形成される。更に、ベローズ４２によって、露光チャンバＣａの振動（特に、Ｚ軸方向の振動）のメトロロジーフレーム１３（更には、鏡筒１１）への伝達が防止される。

　電子ビーム照射装置１は、更に、ＸＹ平面内において所定の位置関係を有するように設置された複数の電子ビーム光学系（言い換えれば、光学系カラム）１２を鏡筒１１内に備える。つまり、露光装置ＥＸは、いわゆるマルチカラム方式の露光装置である。例えば、図５に示すように、複数の電子ビーム光学系１２は、ＸＹ平面内においてマトリクス状に配置される。或いは、複数の電子ビーム光学系１２は、ＸＹ平面内においてアレイ状に（つまり、一列に）配置されてもよい。以下の説明では、電子ビーム照射装置１がＮ（但し、Ｎは２以上の整数）個の電子ビーム光学系１２を備える例を用いて説明を進める。Ｎは、例えば数十から百数十（例えば、８８から１００）であるが、その他の数であってもよい。
各電子ビーム光学系１２は、個別に電子ビームＥＢを照射可能である。

　ステージ装置２は、電子ビーム照射装置１の下方（つまり、－Ｚ側）に配置される。ステージ装置２は、定盤２１と、ステージ２２とを備える。定盤２１は、露光チャンバＣａの底面上に配置される。ステージ２２は、定盤２１上に配置される。ステージ２２と定盤２１との間には、定盤２１の振動のステージ２２への伝達を防止するための不図示の防振装置が設置されている。ステージ２２は、ウェハＷを保持したシャトルＳＨＬを保持可能である。従って、ウェハＷは、シャトルＳＨＬに保持された状態で、電子ビーム照射装置１が照射する電子ビームＥＢによって露光される。

　ステージ２２は、制御装置３の制御下で、シャトルＳＨＬを保持したまま、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って移動可能である。ステージ２２を移動させるために、ステージ装置２は、ステージ駆動系２３（図４参照）を備えている。ステージ駆動系２３は、例えば、任意のモータ（例えば、リニアモータ等）を用いて、ステージ２２を移動させる。更に、ステージ装置２は、ステージ２２の位置を計測するため位置計測器２４を備えている。位置計測器２４は、例えば、エンコーダ及びレーザ干渉計のうちの少なくとも一方を含む。尚、図面の簡略化のために、ステージ駆動系２３及び位置計測器２４は、図２及び図３には記載することなく、図４のみに記載されている。図４は露光装置ＥＸの断面を示しているが、ステージ駆動系２３及び位置計測器２４については断面を示していなくてもよい。

　（１－３）電子ビーム光学系１２の構造
　続いて、図６を参照しながら、電子ビーム光学系１２の構造について更に詳細に説明する。図６は、電子ビーム光学系１２の断面（電子ビーム光学系１２の光軸ＡＸを含む断面）を示す断面図である。

　図６に示すように、電子ビーム光学系１２は、電磁場を遮蔽可能な円筒状の筐体（言い換えれば、カラムセル）１２１を備えている。電子ビーム光学系１２は、更に、筐体１２１内に、電子銃１２２と、ビーム光学装置１２２を備えている。

　ビーム光学装置１２２は、電子ビームＥＢを放出可能な電子銃１２２１を含む。電子銃１２２１からは、所定の加速電圧（例えば、５０ｋｅＶ）の電子ビームＥＢが放出される。

　ビーム光学装置１２２は、偏向器１２２２を含む。偏向器１２２２は、Ｙ軸方向に沿って光軸ＡＸを挟み込むように配置される少なくとも一対の第１コイル１２２２Ｘ（図６では、説明の簡略化のため図示せず）と、Ｘ軸方向に沿って光軸ＡＸを挟み込むように配置される少なくとも一対の第２コイル１２２２Ｙ（図６では、説明の簡略化のため図示せず）とを備える電磁偏向器である。一対の第１コイル１２２２Ｘには、制御装置３の制御下で調整可能な駆動電流が供給される。その結果、偏向器１２２２は、一対の第１コイル１２２２Ｘから発生する磁場を利用して、電子ビームＥＢをＸ軸方向に沿って偏向可能である。その結果、偏向器１２２２は、電子ビームＥＢの照射位置（例えば、ウェハＷ上での照射位置であり、後述する照射領域ＥＡの位置）をＸ軸方向に調整可能である。更に、一対の第２コイル１２２２Ｙには、制御装置３の制御下で調整可能な駆動電流が供給される。その結果、偏向器１２２２は、一対の第２コイル１２２２Ｙから発生する磁場を利用して、電子ビームＥＢをＹ軸方向に沿って偏向可能である。その結果、偏向器１２２２は、電子ビームＥＢの照射位置をＹ軸方向に調整可能である。

　尚、偏向器１２２２は、一対の第１コイル１２２２Ｘ及び一対の第２コイル１２２２Ｙに代えて、Ｘ軸方向に沿って光軸ＡＸを挟むように配置された一対の第１電極板と、Ｙ軸方向に沿って光軸ＡＸを挟むように配置された一対の第２電極板とを備える静電偏向器であってもよい。この場合、一対の第１電極板及び一対の第２電極板の夫々には、制御装置３の制御下で調整可能な電圧が印加される。その結果、偏向器１２２２は、一対の第１電極板の間に発生する電場を利用して、電子ビームＥＢの照射位置をＸ軸方向に調整可能であり、且つ、一対の第２電極板の間に発生する電場を利用して、電子ビームＥＢの照射位置をＹ軸方向に調整可能である。

　その他、ビーム光学装置１２２は、例えば、電子ビームＥＢを成形可能な成形装置（例えば、任意の形状の開口が形成された板である成形絞りや、電磁レンズ等）を含んでいてもよい。ビーム光学装置１２２は、例えば、電子ビームＥＢを所定の縮小倍率でウェハＷの表面に結像可能な対物レンズ（例えば、電磁レンズ等）を含んでいてもよい。ビーム光学装置１２２は、例えば、電子ビームＥＢが所定の光学面（例えば、電子ビームＥＢの光路に交差する光学面）上に形成する像の回転量（つまり、θＺ方向の位置）、当該像の倍率、及び、結像位置に対応する焦点位置のいずれか一つを調整可能な調整器（例えば、電磁レンズ）を含んでいてもよい。ビーム光学装置１２２は、例えば、ウェハＷのアライメントを行うために、ウェハＷ上に形成されたアライメントマーク等を検出可能な検出装置（例えば、ｐｎ接合やｐｉｎ接合の半導体を使用した半導体形反射電子検出装置）を含んでいてもよい。

　以上説明した電子ビームＥＢの照射が、複数の電子ビーム光学系１２によって並列して行われる。ここで、複数の電子ビーム光学系１２は、ウェハＷ上の複数のショット領域Ｓに１対１で対応している。但し、電子ビーム光学系１２の数は、ショット領域Ｓの数よりも多くてもよい。各電子ビーム光学系１２は、上述した電子ビームＥＢを、矩形（例えば１００μｍ×２０ｎｍ）の照射領域ＥＡ内に照射可能である。このため、図７に示すように、複数の電子ビーム光学系１２は、ウェハＷ上の複数のショット領域Ｓ上に夫々設定される複数の照射領域ＥＡに対して、複数の電子ビームＥＢを同時に照射可能である。このような照射領域ＥＡに対してウェハＷを相対的に移動させながら、複数の電子ビーム光学系１２が電子ビームＥＢを照射すれば、ウェハＷ上の複数のショット領域Ｓが並列に露光される。その結果、各ショット領域Ｓに、紫外光でウェハを露光する比較例の露光装置の解像限界よりも小さいパターンが、相対的に高いスループットで形成される。

　（２）露光装置ＥＸが行う露光動作
　続いて、露光装置ＥＸがウェハＷを露光する露光動作について説明する。本実施形態では、露光装置ＥＸは、複数の電子ビーム光学系１２から夫々照射される複数の電子ビームＥＢでウェハＷを露光する。このとき、複数の電子ビーム光学系１２は、夫々、複数の電子ビームＥＢを同時に（言い換えれば、並行して）照射する。このため、複数の電子ビーム光学系１２のうちの一の電子ビーム光学系１２が照射した電子ビームＥＢは、複数の電子ビーム光学系１２のうちの他の電子ビーム光学系１２が照射した電子ビームＥＢから影響を受ける可能性がある。以下、図８から図１０を参照しながら、一の電子ビーム光学系１２が照射した電子ビームＥＢが他の電子ビーム光学系１２が照射した電子ビームＥＢから受ける影響について、具体的に説明する。

　まず、説明の便宜上、図８に示すように、Ｎ個の電子ビーム光学系１２を、電子ビーム光学系１２_１、電子ビーム光学系１２_２、電子ビーム光学系１２_３、・・・、電子ビーム光学系１２_Ｎ－１及び電子ビーム光学系１２_Ｎと表記して、互いに区別する。更に、Ｎ個の電子ビーム光学系１２が夫々照射するＮ本の電子ビームＥＢを、電子ビームＥＢ_１、電子ビームＥＢ_２、電子ビームＥＢ_３、・・・、電子ビームＥＢ_Ｎ－１及び電子ビームＥＢ_Ｎと表記して、互いに区別する。更に、図９に示すように、Ｎ個の電子ビーム光学系１２がＮ本の電子ビームＥＢを夫々照射するウェハＷ上の照射領域ＥＡを、照射領域ＥＡ_１、照射領域ＥＡ_２、照射領域ＥＡ_３、・・・、照射領域ＥＡ_Ｎ－１及び照射領域ＥＡ_Ｎと表記して、互いに区別する。

　ここで、電子ビーム光学系１２_１が照射した電子ビームＥＢ_１が電子ビーム光学系１２_１以外の電子ビーム光学系１２が照射した電子ビームＥＢから受ける影響について検討する。まず、電子ビーム光学系１２_１及び１２_２が夫々電子ビームＥＢ_１及びＥＢ_２を照射している場合には、電子ビームＥＢ_１と電子ビームＥＢ_２との間には、クーロン力（つまり、クーロン相互作用）が働く。つまり、電子ビームＥＢ_１は、電子ビームＥＢ_２に起因して電子ビーム光学系１２_２の周辺に発生する電場の影響を受ける。一方で、電子ビーム光学系１２_１が電子ビームＥＢ_１を照射している一方で電子ビーム光学系１２_２が電子ビームＥＢ_２を照射していない場合には、電子ビームＥＢ_１には、電子ビームＥＢ_２からのクーロン力が働くことはない。このため、図１０に示すように、電子ビームＥＢ_２が照射されている場合における電子ビームＥＢ_１の照射領域ＥＡ_１（図１０の下側）の位置は、電子ビームＥＢ_２が照射されていない場合における電子ビームＥＢ_１の照射領域ＥＡ_１（図１０の上側）の位置に対して、ＸＹ平面に沿って（つまり、照射領域ＥＡ_１が設定されるウェハＷの表面に沿って）ずれる。この位置ずれの量は、電子ビームＥＢ_２の電流量及び照射領域ＥＡ_２の位置に依存して変動する。なぜならば、２つの電荷の間に働くクーロン力は、２つの電荷の夫々の電荷量に比例し且つ２つの電荷の間の距離の二乗に反比例するからである。

　更に、照射領域ＥＡ_１の位置ずれは、電子ビームＥＢ_１と電子ビームＥＢ_３から電子ビームＥＢ_Ｎの夫々との間に働くクーロン力によっても生じ得る。更には、照射領域ＥＡ_２の位置ずれもまた、電子ビームＥＢ_２と電子ビームＥＢ_１及び電子ビームＥＢ_３から電子ビームＥＢ_Ｎの夫々との間に働くクーロン力によって生じ得る。更には、照射領域ＥＡ_３から照射領域ＥＡ_Ｎの夫々の位置ずれもまた、同様の理由から生じ得る。

　つまり、ある電子ビーム光学系１２_ｉ（但し、ｉは、１からＮの間の整数）が電子ビームＥＢ_ｉを照射する照射領域ＥＡ_ｉの位置は、電子ビーム光学系１２_ｉ以外のＮ－１個の電子ビーム光学系１２_ｊ（但し、ｊは、ｉとは異なる、１からＮの間の整数）が夫々照射するＮ－１本の電子ビームＥＢ_ｊの影響を受けて変動する。このため、このような位置ずれ（つまり、位置の変動）が生ずる照射領域ＥＡ_ｉが、ウェハＷ上において本来照射領域ＥＡ_ｉが設定されるべき位置とは異なる位置に設定されてしまうと、電子ビームＥＢ_ｉがウェハＷ上の好ましくない照射位置に照射されることになる。これは、露光装置ＥＸの露光品質の悪化につながる可能性がある。

　そこで、本実施形態では、制御装置３は、一の電子ビーム光学系１２によって照射された電子ビームＥＢが他の電子ビーム光学系１２によって照射された電子ビームＥＢから受ける影響に基づいて、一の電子ビーム光学系１２が適切に電子ビームＥＢを照射するように一の電子ビーム光学系１２を制御する。つまり、制御装置３は、一の電子ビーム光学系１２_ｉが照射した電子ビームＥＢ_ｉの照射領域ＥＡ_ｉの位置が他の電子ビーム光学系１２_ｊが照射した電子ビームＥＢ_ｊに起因して変動する（つまり、変化する）ことを考慮して、電子ビーム光学系１２_ｉが所望の位置に設定された照射領域ＥＡ_ｉに電子ビームＥＢ_ｉを照射する（つまり、照射領域ＥＡ_ｉが所望の位置に設定される）ように、一の電子ビーム光学系１２_ｉを制御する。

　但し、上述したように、照射領域ＥＡ_ｉの位置ずれの量を高精度に算出するためには、制御装置３は、電子ビームＥＢ_ｉとＮ－１本の電子ビームＥＢ_ｊとの間の相互作用を高精度に算出する必要がある。更には、照射領域ＥＡ_１から照射領域ＥＡ_Ｎの位置ずれの量を高精度に算出するためには、制御装置３は、電子ビームＥＢ_ｉとＮ－１本の電子ビームＥＢ_ｊとの間の相互作用の算出を、Ｎ回繰り返す必要がある。従って、照射領域ＥＡ_１から照射領域ＥＡ_Ｎの全ての位置ずれを逐次算出するための演算量が膨大になる可能性がある。つまり、制御装置３は、ウェハＷの露光と並行して、ウェハＷの露光に遅れない程度の処理速度で照射領域ＥＡ_１から照射領域ＥＡ_Ｎの全ての位置ずれを逐次算出することが困難になる可能性がある。

　そこで、本実施形態では、制御装置３は、照射領域ＥＡ_１から照射領域ＥＡ_Ｎの夫々の位置ずれに関する位置ずれ情報Ｉを、ウェハＷの露光前に予め生成しておく。この場合、制御装置３は、予め生成しておいた位置ずれ情報Ｉに基づいて照射領域ＥＡ_１から照射領域ＥＡ_Ｎの夫々の位置ずれを算出する。つまり、制御装置３は、ウェハＷの露光中には、照射領域ＥＡ_１から照射領域ＥＡ_Ｎの夫々の位置ずれを逐次算出するために、Ｎ本の電子ビームＥＢ_１から電子ビームＥＢ_Ｎの間の相互作用を逐次算出しなくてもよい。そして、制御装置３は、Ｎ個の電子ビーム光学系１２を制御して、算出した位置ずれが相殺されるように、照射領域ＥＡ_１から照射領域ＥＡ_Ｎの夫々の位置（つまり、ウェハＷ上での位置）を調整する。

　以下、位置ずれ情報Ｉの生成動作及びウェハＷの露光動作について順に説明する。

　（２－１）位置ずれ情報Ｉの生成動作
　図１１のフローチャートを参照して、位置ずれ情報Ｉの生成動作について説明する。尚、以下では、位置ずれ情報Ｉが制御装置３によって生成される例を説明する。

　本実施形態では、位置ずれ情報Ｉは、テスト露光用のウェハＷｔ（つまり、電子線レジストが塗布されたウェハＷｔ）に対して露光装置ＥＸが行ったテスト露光（つまり、Ｎ個の電子ビーム光学系１２からの電子ビームＥＢの照射）の結果に基づいて生成される。テスト露光は、例えば、露光装置ＥＸの立ち上げ（言い換えれば、起動）時に行われる。但し、テスト露光は、どのようなタイミングで行われてもよい。このため、まずは、露光装置ＥＸに対して、テスト露光用のウェハＷｔがロードされる（ステップＳ１０１）。

　その後、制御装置３は、変数ｉを１に初期化する（ステップＳ１０２）。位置ずれ情報Ｉの生成動作では、変数ｉは、他の電子ビームＥＢから受ける影響を計測するための一の電子ビームＥＢ（つまり、照射領域ＥＡの位置ずれの計測対象となる電子ビームＥＢ）を特定するための変数である。このため、電子ビーム光学系１２_ｉが照射する電子ビームＥＢ_ｉが、照射領域ＥＡの位置ずれの計測対象となる電子ビームＥＢとなる。つまり、変数ｉに応じて、電子ビーム光学系１２_ｉが照射する電子ビームＥＢ_ｉの照射領域ＥＡ_ｉの位置ずれに関する位置ずれ情報Ｉ_ｉを生成するためのテスト露光が行われる。尚、位置ずれ情報Ｉ_ｉは、位置ずれ情報Ｉの一部に相当する。

　その後、制御装置３は、電子ビーム光学系１２_ｉが電子ビームＥＢ_ｉを照射する一方で、電子ビーム光学系１２_ｉ以外の全ての電子ビーム光学系１２が電子ビームＥＢを照射しないように、複数の電子ビーム光学系１２を制御する（ステップＳ１０３）。その結果、電子ビーム光学系１２_１から１２_Ｎ（但し、電子ビーム光学系１２_ｉを除く）が夫々電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎ（但し、電子ビームＥＢ_ｉを除く）を照射していない状態で電子ビーム光学系１２_ｉが電子ビームＥＢ_ｉを照射するテスト露光が行われる。このテスト露光は、電子ビーム光学系１２_ｉが照射する電子ビームＥＢ_ｉの照射領域ＥＡ_ｉの基準位置（例えば、図１０の上部の図参照）を計測するためのテスト露光である。

　その後、制御装置３は、変数ｊを１に初期化する（ステップＳ１０４）。位置ずれ情報Ｉの生成動作では、変数ｊは、電子ビームＥＢ_ｉに影響を与える電子ビームＥＢを特定するための変数である。このため、電子ビーム光学系１２_ｊが照射する電子ビームＥＢ_ｊが、電子ビームＥＢ_ｉに影響を与える電子ビームＥＢとして照射される。つまり、変数ｊに応じて、電子ビーム光学系１２_ｊが照射する電子ビームＥＢ_ｊに起因した照射領域ＥＡ_ｉの位置ずれに関する位置ずれ情報Ｉ_ｉｊを生成するためのテスト露光が行われる。位置ずれ情報Ｉ_ｉｊは、位置ずれ情報Ｉ_ｉの一部に相当する。尚、上述したように、変数ｊは、変数ｉとは異なる。このため、変数ｉが１である場合には、変数ｊは、１ではなく２に初期化される。

　その後、制御装置３は、テスト露光中の電子ビーム光学系１２_ｊの動作状態を設定する（ステップＳ１０５）。テスト露光中には、電子ビーム光学系１２_ｊは、設定された動作状態で電子ビームＥＢ_ｊを照射する。

　動作状態は、例えば、電子ビーム光学系１２_ｊが照射する電子ビームＥＢ_ｊの電流量Ａ_ｊを含む。制御装置３は、電流量Ａ_ｊを、所定の電流量に設定してもよい。制御装置３は、電流量Ａ_ｊを、電子ビームＥＢ_ｊの電流量として許容されている最大の電流量に設定してもよい。以下、ステップＳ１０５で設定された電流量Ａ_ｊを、“電流量Ａ_{ｊ＿ｓｅｔ１}”と称する。尚、電流量Ａ_{ｊ＿ｓｅｔ１}は、後述するステップＳ１１４で位置ずれ情報Ｉを生成する際に使用される。このため、制御装置３は、電流量Ａ_{ｊ＿ｓｅｔ１}をメモリ等に記憶しておく。

　動作状態は、例えば、電子ビーム光学系１２_ｊが照射する電子ビームＥＢ_ｊのウェハＷ上での照射位置Ｐ_ｊ（つまり、照射領域ＥＡ_ｊの位置）を含んでいてもよい。照射位置Ｐ_ｊは、ウェハＷ上に設定される平面座標系内での座標位置によって特定されてもよい。制御装置３は、照射位置Ｐ_ｊを、所定の位置に設定してもよい。所定の位置の一例として、電子ビーム光学系１２_ｊの光軸ＡＸ上の位置（つまり、光軸ＡＸとウェハＷの表面との交点）があげられる。但し、所定の位置は、電子ビーム光学系１２_ｊが電子ビームＥＢ_ｊを照射可能な範囲に含まれている限りは、どのような位置であってもよい。以下、ステップＳ１０５で設定された照射位置Ｐ_ｊを、“照射位置Ｐ_{ｊ＿ｓｅｔ１}”と称する。尚、照射位置Ｐ_{ｊ＿ｓｅｔ１}は、後述するステップＳ１１４で位置ずれ情報Ｉを生成する際に使用される。このため、制御装置３は、照射位置Ｐ_{ｊ＿ｓｅｔ１}をメモリ等に記憶しておく。

　その後、制御装置３は、電子ビーム光学系１２_ｉ及び１２_ｊが夫々電子ビームＥＢ_ｉ及びＥＢ_ｊを照射する一方で、電子ビーム光学系１２_ｉ及び１２_ｊ以外の全ての電子ビーム光学系１２が電子ビームＥＢを照射しないように、複数の電子ビーム光学系１２を制御する（ステップＳ１０６）。このとき、上述したように、制御装置３は、ステップＳ１０５で設定された動作状態で電子ビームＥＢ_ｊを照射するように、電子ビーム光学系１２_ｊを制御する。その結果、電子ビーム光学系１２_ｊが電子ビームＥＢ_ｊを照射している状態で電子ビーム光学系１２_ｉが電子ビームＥＢ_ｉを照射するテスト露光が行われる。このテスト露光は、ステップＳ１０３のテスト露光の結果から計測可能な照射領域ＥＡ_ｉの基準位置に対して、電子ビームＥＢ_ｊに起因して照射領域ＥＡ_ｉがどの程度ずれるかを計測するためのテスト露光である。

　尚、ステップＳ１０６のテスト露光は、ステップＳ１０３のテスト露光が行われたウェハＷｔ上の領域とは異なる新たな領域（つまり、未露光の領域）に対して行われる。このため、ステップＳ１０６のテスト露光が未露光の領域に対して行われるように、ステップＳ１０３のテスト露光が行われた後に、ステージ２２が所定のステップ量だけ移動する。但し、ステップＳ１０６のテスト露光が未露光の領域に対して行われる限りは、ステージ２２が連続的に移動（いわゆる、スキャン移動）していてもよい。或いは、ステップＳ１０６のテスト露光が未露光の領域に対して行われる限りは、ステージ２２が連続的に移動するスキャン移動と、スキャン移動に交差する方向に沿ってステージ２２が所定のステップ量だけ移動するステップ移動とが交互に繰り返されてもよい。

　その後、制御装置３は、変数ｊがＮ（つまり、電子ビーム光学系１２の総数）と一致するか否かを判定する（ステップＳ１０７）。

　ステップＳ１０７の判定の結果、変数ｊがＮと一致しないと判定される場合には（ステップＳ１０７：Ｎｏ）、制御装置３は、変数ｊを１だけインクリメントする（ステップＳ１０８）。その後、制御装置３は、ステップＳ１０５からステップＳ１０６の処理を再度行う。その結果、新たな電子ビーム光学系１２_ｊが照射する電子ビームＥＢ_ｊに起因した照射領域ＥＡ_ｉの位置ずれに関する位置ずれ情報Ｉ_ｉｊを生成するためのテスト露光が行われる。つまり、電子ビームＥＢ_ｊに起因した照射領域ＥＡ_ｉの位置ずれに関する位置ずれ情報Ｉ_ｉｊを生成するためのテスト露光が、電子ビームＥＢ_ｊが電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎ（但し、電子ビームＥＢ_ｉを除く）に順に切り替えられながら繰り返される。言い換えれば、電子ビーム光学系１２_ｊが電子ビームＥＢ_ｊを照射している状態で電子ビーム光学系１２_ｉが電子ビームＥＢ_ｉを照射するテスト露光が、電子ビーム光学系１２_ｊが電子ビーム光学系１２_１から１２_Ｎ（但し、電子ビーム光学系１２_ｉを除く）に順に切り替えられながら繰り返される。

　具体的には、例えば、変数ｉが１である状況下で変数ｊが２から順にインクリメントされる場合には、電子ビームＥＢ_２に起因した照射領域ＥＡ_１の位置ずれに関する位置ずれ情報Ｉ_１２を生成するためのテスト露光、電子ビームＥＢ_３に起因した照射領域ＥＡ_１の位置ずれに関する位置ずれ情報Ｉ_１３を生成するためのテスト露光、・・・、電子ビームＥＢ_Ｎ－１に起因した照射領域ＥＡ_１の位置ずれに関する位置ずれ情報Ｉ_１Ｎ－１を生成するためのテスト露光、及び、電子ビームＥＢ_Ｎに起因した照射領域ＥＡ_１の位置ずれに関する位置ずれ情報Ｉ_１Ｎを生成するためのテスト露光が順に行われる。言い換えれば、電子ビーム光学系１２_２が電子ビームＥＢ_２を照射している状態で電子ビーム光学系１２_１が電子ビームＥＢ_１を照射するテスト露光、電子ビーム光学系１２_３が電子ビームＥＢ_３を照射している状態で電子ビーム光学系１２_１が電子ビームＥＢ_１を照射するテスト露光、・・・、電子ビーム光学系１２_Ｎ－１が電子ビームＥＢ_Ｎ－１を照射している状態で電子ビーム光学系１２_１が電子ビームＥＢ_１を照射するテスト露光、及び、電子ビーム光学系１２_Ｎが電子ビームＥＢ_Ｎを照射している状態で電子ビーム光学系１２_１が電子ビームＥＢ_１を照射するテスト露光が順に行われる。

　尚、変数ｊがインクリメントされる都度、ウェハＷｔ上の新たな領域（つまり、未露光の領域）に対して新たなテスト露光が行われるように、ステージ２２が所定のステップ量だけ移動する。その結果、新たな電子ビーム光学系１２_ｊが電子ビームＥＢ_ｊを照射している状態で電子ビーム光学系１２_ｉが電子ビームＥＢ_ｉを照射するテスト露光が、ウェハＷｔ上の未露光の領域に対して行われる。但し、変数ｊのインクリメントに伴って新たに行われるテスト露光が未露光の領域に行われる限りは、テスト露光が行われている期間の少なくとも一部において、ステージ２２がスキャン移動していてもよい。或いは、変数ｊのインクリメントに伴って新たに行われるテスト露光が未露光の領域に行われる限りは、テスト露光が行われている期間の少なくとも一部において、スキャン移動とステップ移動とが交互に繰り返されてもよい。

　他方で、ステップＳ１０７の判定の結果、変数ｊがＮと一致すると判定される場合には（ステップＳ１０７：Ｙｅｓ）、Ｎ－１本の電子ビームＥＢ（つまり、電子ビームＥＢ_ｉを除く電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎ）に起因した照射領域ＥＡ_ｉの位置ずれに関する位置ずれ情報Ｉ_ｉを生成するためのテスト露光が完了したと推定される。この場合には、制御装置３は、変数ｉがＮと一致するか否かを判定する（ステップＳ１０９）。

　ステップＳ１０９の判定の結果、変数ｉがＮと一致しないと判定される場合には（ステップＳ１０９：Ｎｏ）、制御装置３は、変数ｉを１だけインクリメントする（ステップＳ１１０）。その後、制御装置３は、ステップＳ１０３からステップＳ１０８の処理を再度行う。その結果、新たな電子ビーム光学系１２_ｉが照射する電子ビームＥＢ_ｉの照射領域ＥＡ_ｉの、Ｎ－１本の電子ビームＥＢ（つまり、電子ビームＥＢ_ｉを除く電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎ）の夫々に起因した位置ずれに関する位置ずれ情報Ｉ_ｉを生成するためのテスト露光が行われる。つまり、電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎ（但し、電子ビームＥＢ_ｉを除く）の夫々に起因した照射領域ＥＡ_ｉの位置ずれに関する位置ずれ情報Ｉ_ｉを生成するためのテスト露光が、電子ビーム光学系１２_ｉが電子ビーム光学系１２_１から１２_Ｎに順に切り替えられながら繰り返される。

　具体的には、例えば、変数ｉが１からインクリメントされる場合には、電子ビームＥＢ_２からＥＢ_Ｎの夫々に起因した照射領域ＥＡ_１の位置ずれに関する位置ずれ情報Ｉ_１を生成するためのテスト露光、電子ビームＥＢ_１及びＥＢ_３からＥＢ_Ｎの夫々に起因した照射領域ＥＡ_２の位置ずれに関する位置ずれ情報Ｉ_２を生成するためのテスト露光、・・・、電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎ－２及びＥＢ_Ｎの夫々に起因した照射領域ＥＡ_Ｎ－１の位置ずれに関する位置ずれ情報Ｉ_Ｎ－１を生成するためのテスト露光、及び、電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎ－１の夫々に起因した照射領域ＥＡ_Ｎの位置ずれに関する位置ずれ情報Ｉ_Ｎを生成するためのテスト露光が順に行われる。

　他方で、ステップＳ１０９の判定の結果、変数ｉがＮと一致すると判定される場合には（ステップＳ１０９：Ｙｅｓ）、位置ずれ情報Ｉ（つまり、位置ずれ情報Ｉ_１から位置ずれ情報Ｉ_Ｎ）を生成するためのテスト露光がすべて完了したと推定される。この場合には、ウェハＷｔが露光装置ＥＸからアンロードされる（ステップＳ１１１）。

　その後、アンロードされたウェハＷｔは、搬送ラインＬＮ、アライメント装置ＡＬＧ及び搬送トラックＴＲを介して、コータ・デベロッパに搬送される。その後、コータ・デベロッパによってウェハＷｔが現像される（ステップＳ１１２）。その後、現像されたウェハＷｔは、ウェハＷｔの状態を計測可能な計測装置に搬送される。計測装置は、現像されたウェハＷｔの状態を計測して、電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎの夫々のウェハＷｔ上での実際の照射位置を計測する。

　計測装置は、電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎの照射位置を、電子線レジストの有無で特定してもよい。或いは、計測装置は、電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎの照射位置を、電子線レジストの感光の有無で特定してもよい。この場合には、ウェハＷｔが必ずしも現像されていなくてもよい。

　計測装置は、ウェハＷｔを撮像し、撮像結果を画像処理することで、電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎの夫々のウェハＷｔ上での実際の照射位置を計測してもよい。或いは、計測装置は、ウェハＷｔに計測光（或いは、計測電磁波）を照射し、計測光の反射光を検出し、検出結果から、電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎの夫々のウェハＷｔ上での実際の照射位置を計測してもよい。或いは、計測装置は、上述した反射電子検出装置１２８６と同様の方法で、電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎの夫々のウェハＷｔ上での実際の照射位置を計測してもよい。

　尚、ステップＳ１１２は、露光装置ＥＸ（特に、制御装置３）が行う処理ではない。しかしながら、説明の簡略化のために、図１１は、ステップＳ１１２を、露光装置ＥＸが行う動作を示すフローチャートの一部として記載している。

　計測装置の計測結果を示す計測情報は、制御装置３に送信される。その結果、制御装置３は、計測装置から、計測情報を取得する（ステップＳ１１３）。その後、制御装置３は、取得した計測情報に基づいて、位置ずれ情報Ｉを生成する（ステップＳ１１４）。ここで、位置ずれ情報Ｉは、Ｎ個の位置ずれ情報Ｉ_ｉを含む。各位置ずれ情報Ｉ_ｉは、Ｎ－１個の位置ずれ情報_ｉｊを含む。このため、制御装置３は、位置ずれ情報_ｉｊを生成する動作を、ｊを１からＮまでインクリメントしながら（但し、ｊ≠ｉ）Ｎ－１回繰り返すことで、位置ずれ情報Ｉ_ｉを生成する。更に、制御装置３は、位置ずれ情報_ｉを生成する動作を、ｉを１からＮまでインクリメントしながらＮ回繰り返すことで、位置ずれ情報Ｉを生成する。つまり、制御装置３は、位置ずれ情報_ｉｊを生成する動作を、ｊを１からＮまでインクリメントしながら（但し、ｊ≠ｉ）且つｉを１からＮまでインクリメントしながら（Ｎ－１）×Ｎ回繰り返すことで、位置ずれ情報Ｉを生成する。

　ここで、図１２及び図１３を参照しながら、位置ずれ情報_ｉｊを生成する動作の一例について説明する。制御装置３は、図１２に示すように、電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎ（但し、電子ビームＥＢ_ｉを除く）が照射されていない状態での電子ビームＥＢ_ｉの照射位置（つまり、図１１のステップＳ１０３のテスト露光による電子ビームＥＢ_ｉの照射位置であり、基準位置）と、電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎ（但し、電子ビームＥＢ_ｉ及びＥＢ_ｊを除く）が照射されていない一方で電子ビームＥＢ_ｊが照射されている状態での電子ビームＥＢ_ｉの照射位置（つまり、図１１のステップＳ１０６のテスト露光による電子ビームＥＢ_ｉの照射位置であり、以下、“変動位置”と称する）とに基づいて、位置ずれ情報_ｉｊを生成する。このため、制御装置３は、計測情報から、電子ビームＥＢ_ｉの基準位置に関する情報、及び、電子ビームＥＢ_ｉの変動位置に関する情報を抽出する。その後、制御装置３は、基準位置に対する変動位置の実際のずれ量ｄＰ_{ｉｊ＿ａｃｔ}を算出する。更に、制御装置３は、電子ビームＥＢ_ｊを照射した電子ビーム光学系１２_ｊのテスト露光中の動作状態（つまり、照射位置Ｐ_{ｊ＿ｓｅｔ１}及び電流量Ａ_{ｊ＿ｓｅｔ１}）をメモリから読みだす。

　その後、制御装置３は、算出したずれ量ｄＰ_{ｉｊ＿ａｃｔ}と読みだした照射位置Ｐ_{ｊ＿ｓｅｔ１}及び電流量Ａ_{ｊ＿ｓｅｔ１}とに基づいて、電子ビームＥＢ_ｊに起因した電子ビームＥＢ_ｉの照射位置Ｐ_ｉのずれ量（つまり、照射領域ＥＡ_ｉのズレ量）ｄＰ_ｉｊと電子ビームＥＢ_ｊを照射する電子ビーム光学系１２_ｊの動作状態との関係を算出する。このずれ量ｄＰ_ｉｊと電子ビーム光学系１２_ｊの動作状態との関係が、位置ずれ情報_ｉｊに相当する。以下、位置ずれ情報_ｉｊの一具体例について説明する。

　一例として、制御装置３は、まず、ずれ量ｄＰ_ｉｊと電流量Ａ_ｊとの間の関係を規定する関数Ｆ１_ｉｊを生成する。ここで、ずれ量ｄＰ_ｉｊは、電子ビームＥＢ_ｉが電子ビームＥＢ_ｊから受けるクーロン力に比例する。電子ビームＥＢ_ｉが電子ビームＥＢ_ｊから受けるクーロン力は、電子ビームＥＢ_ｊの電流量Ａ_ｊ（つまり、電子ビームＥＢ_ｊを構成する電子の電荷量）に比例する。更には、電流量Ａ_ｊがゼロとなる（つまり、電子ビームＥＢ_ｊが照射されない）場合には、ずれ量ｄＰ_ｉｊは当然にゼロになる。従って、ｄＰ_ｉｊ＝Ｆ１_ｉｊ（Ａ_ｊ）＝Ｋ１_ｉｊ×Ａ_ｊ（但し、Ｋ１_ｉｊは所定の係数）という関係が成立すると推定される。このため、図１３に示すように、制御装置３は、ずれ量ｄＰ_ｉｊと電流量Ａ_ｊとの関係を規定する座標平面上において、ずれ量ｄＰ_{ｉｊ＿ａｃｔ}及び電流量Ａ_{ｊ＿ｓｅｔ１}を含む実測値をプロットする。その後、制御装置３は、プロットした実測値と原点とを通る直線を規定する関数を、関数Ｆ１_ｉｊとして算出する。

　加えて、電子ビームＥＢ_ｉが電子ビームＥＢ_ｊから受けるクーロン力は、電子ビームＥＢ_ｉと電子ビームＥＢ_ｊとの間の距離（つまり、照射位置Ｐ_ｉと照射位置Ｐ_ｊとの間の距離Ｄ_ｉｊ）の二乗に反比例する。従って、ｄＰ_ｉｊ＝Ｆ１_ｉｊ（Ａ_ｊ）＝Ｋ１_ｉｊ×Ａ_ｊという関係式は、距離Ｄ_ｉｊの変動（つまり、照射位置Ｐ_ｊの変動）に応じて変化する。但し、照射位置Ｐ_ｊが変動する場合であっても、ずれ量ｄＰ_ｉｊが電流量Ａ_ｊに比例し電流量Ａ_ｊがゼロになる場合にはずれ量ｄＰ_ｉｊがゼロになるという関係は不変である。このため、ｄＰ_ｉｊ＝Ｆ１_ｉｊ（Ａ_ｊ）＝Ｋ１_ｉｊ×Ａ_ｊという関係式は、図１３に示すように、距離Ｄ_ｉｊの変動（つまり、照射位置Ｐ_ｊの変動）に応じて原点を中心に上下にシフトする。従って、制御装置３は、読みだした照射位置Ｐ_ｊに基づいて、ずれ量ｄＰ_ｉｊと電流量Ａ_ｊ及び照射位置Ｐ_ｊとの間の関係を規定する関数Ｆ２_ｉｊを生成することができる。具体的には、制御装置３は、ｄＰ_ｉｊ＝Ｆ２_ｉｊ（Ａ_ｊ、Ｐ_ｊ）＝（Ｋ２_ｉｊ×（１／Ｄ_ｉｊ ^２））×Ｆ１_ｉｊ（Ａ_ｊ）＝（Ｋ２_ｉｊ×（１／Ｄ_ｉｊ ^２））×（Ｋ１_ｉｊ×Ａ_ｊ）という関係を規定する関数Ｆ２_ｉｊを生成することができる（但し、Ｋ２_ｉｊは係数）。この関係式（つまり、関数Ｆ２_ｉｊ）が、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊとして用いられる。

　（２－２）ウェハＷの露光動作
　続いて、図１４を参照しながら、所望のパターンをウェハＷに描画（或いは、転写）するためのウェハＷの露光動作について説明する。図１４に示すように、まずは、露光装置ＥＸに対して、ウェハＷがロードされる（ステップＳ１２１）。

　その後、制御装置３は、Ｎ個の電子ビーム光学系１２の夫々の動作状態を、所望のパターンをウェハＷに描画するために適した動作状態に設定する（ステップＳ１２２）。

　例えば、制御装置３は、Ｎ個の電子ビーム光学系１２が夫々照射するＮ本の電子ビームＥＢの夫々の電流量Ａを、所望のパターンをウェハＷに描画するために適した電流量Ａに設定する。電子ビームＥＢ_ｉの電流量Ａ_ｉは、電子ビーム光学系１２_ｉが備えるビーム光学装置１２２の動作パラメータ（例えば、電子銃１２２１の動作パラメータ等）の設定によって調整可能である。従って、制御装置３は、ビーム光学装置１２２の動作パラメータを設定することで、電流量Ａを設定してもよい。尚、ステップＳ１２２において設定された電子ビームＥＢ_ｉの電流量Ａ_ｉを、“電流量Ａ_{ｉ＿ｓｅｔ２}”と称する。

　例えば、制御装置３は、Ｎ本の電子ビームＥＢの夫々の照射位置Ｐ（つまり、照射領域ＥＡの位置）を、所望のパターンをウェハＷに描画するために適した照射位置Ｐに設定する。電子ビームＥＢ_ｉの照射位置Ｐ_ｉは、電子ビーム光学系１２_ｉが備える偏向器１２２２によって調整可能である。従って、制御装置３は、偏光器１２２２に供給する駆動電流を設定することで、照射位置Ｐを設定してもよい。尚、ステップＳ１２２において設定された電子ビームＥＢ_ｉの照射位置Ｐ_ｉを、“照射位置Ｐ_{ｉ＿ｓｅｔ２}”と称する。

　その後、制御装置３は、変数ｉを１に初期化する（ステップＳ１２３）。露光動作では、変数ｉは、ずれ量ｄＰを算出する対象となる電子ビームＥＢを照射する電子ビーム光学系１２を特定するための変数である。

　その後、制御装置３は、電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎ（但し、電子ビームＥＢ_ｉを除く）に起因した照射領域ＥＡ_ｉのずれ量ｄＰ_ｉ（つまり、基準位置からのずれ量）を算出する（ステップＳ１２４）。ずれ量ｄＰ_ｉを算出するために、制御装置３は、位置ずれ情報Ｉのうちの位置ずれ情報Ｉ_ｉ（つまり、位置ずれ情報Ｉ_ｉ１からＩ_ｉＮ）を参照する。但し、位置ずれ情報Ｉ_ｉｉは存在しないため、参照されない。具体的には、制御装置３は、位置ずれ情報Ｉ_ｉ１と、ステップＳ１２２で電子ビーム光学系１２_１に設定された電流量Ａ_{１＿ｓｅｔ２}及び照射位置Ｐ_{１＿ｓｅｔ２}とに基づいて、電子ビームＥＢ_１に起因した照射領域ＥＡ_ｉのずれ量ｄＰ_ｉ１を算出する。同様に、制御装置３は、位置ずれ情報Ｉ_ｉ２と、ステップＳ１２２で電子ビーム光学系１２_２に設定された電流量Ａ_{２＿ｓｅｔ２}及び照射位置Ｐ_{２＿ｓｅｔ２}とに基づいて、電子ビームＥＢ_２に起因した照射領域ＥＡ_ｉのずれ量ｄＰ_ｉ２を算出する。以降、同様に、制御装置３は、ずれ量ｄＰ_ｉ３、ずれ量ｄＰ_ｉ４、・・・、ずれ量ｄＰ_ｉＮ－１、及び、ずれ量ｄＰ_ｉＮを算出する。但し、制御装置３は、ずれ量ｄＰ_ｉｉを算出することはない。その後、制御装置３は、算出したずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮを加算することで、ずれ量ｄＰ_ｉを算出する。つまり、制御装置３は、ｄＰ_ｉ＝ｄＰ_ｉ１＋ｄＰ_ｉ２＋・・・＋ｄＰ_ｉｉ－１＋ｄＰ_ｉｉ＋１＋・・・＋ｄＰ_ｉＮ－１＋ｄＰ_ｉＮという数式に基づいて、ズレ量ｄＰ_ｉを算出する。

　その後、制御装置３は、変数ｉがＮと一対するか否かを判定する（ステップＳ１２５）。

　ステップＳ１２５の判定の結果、変数ｉがＮと一致しないと判定される場合には（ステップＳ１２５：Ｎｏ）、制御装置３は、変数ｉを１だけインクリメントする（ステップＳ１１０）。その後、制御装置３は、ステップＳ１２４の処理を再度行う。その結果、新たな照射領域ＥＡ_ｉのずれ量ｄＰ_ｉが算出される。つまり、電子ビーム光学系１２_ｉを電子ビーム光学系１２_１から１２_Ｎに順に切り替えながら、電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎ（但し、電子ビームＥＢ_ｉを除く）に起因した照射領域ＥＡ_ｉのずれ量ｄＰ_ｉを算出するための処理が繰り返される。

　他方で、ステップＳ１２５の判定の結果、変数ｉがＮと一致すると判定される場合には（ステップＳ１２５：Ｙｅｓ）、ずれ量ｄＰ_１からずれ量ｄＰ_Ｎの算出がすべて完了したと推定される。この場合には、制御装置３は、ウェハＷｔに対する露光を開始する（ステップＳ１２７）。このとき、制御装置３は、ウェハＷの露光と並行して、ステップＳ１２４で算出したずれ量ｄＰ_１からずれ量ｄＰ_Ｎに基づいて、電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎの夫々の照射位置（つまり、照射領域ＥＡ_１からＥＡ_Ｎの夫々の位置）を調整する（ステップＳ１２７）。制御装置３は、例えば、偏向器１２２２を制御して、電子ビームＥＢの照射位置をＸ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも一方に沿って調整する。制御装置３は、例えば、偏向器１２２２とは異なる補正器（例えば、ビーム光学装置１２２に含まれる補正器や、ビーム光学装置１２２とは別個に設けられる補正器）を制御して、電子ビームＥＢの照射位置をＸ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも一方に沿って調整する。

　ずれ量ｄＰ_ｉは、Ｎ個の電子ビーム光学系１２がＮ本の電子ビームＥＢを夫々同時に照射する場合に、照射領域ＥＡ_ｉが基準位置（つまり、本来電子ビームＥＢ_ｉが照射されるべき位置）からずれ量ｄＰ_ｉだけずれることを意味している。このため、制御装置３は、当該ずれ量ｄＰ_ｉを相殺するように照射領域ＥＡ_ｉの位置を調整する。具体的には、制御装置３は、照射領域ＥＡ_ｉが基準位置からずれてしまった方向とは逆の方向に向かって、当該ずれ量ｄＰ_ｉと同じ大きさの補正量Ｃ_ｉだけ照射領域ＥＡ_ｉが移動するように、照射領域ＥＡ_ｉの位置を調整する。このため、制御装置３は、ずれ量ｄＰ_ｉを算出する際に、ずれ量ｄＰ_ｉを算出することに加えて、照射領域ＥＡ_ｉがずれる方向も特定してもよい。尚、ずれ量ｄＰ_ｉと補正量Ｃ_ｉとが同じ大きさであることを考慮すれば、照射領域ＥＡ_ｉのずれ量ｄＰ_ｉを算出するステップＳ１２４の処理は、照射領域ＥＡ_ｉの補正量Ｃ_ｉを算出する処理と等価である。

　尚、ウェハＷを露光している期間中に、Ｎ個の電子ビーム光学系１２のうちの少なくとも一つの動作状態が変わる可能性がある。Ｎ個の電子ビーム光学系１２のうちの少なくとも一つの動作状態が変わると、ずれ量ｄＰ_１からずれ量ｄＰ_Ｎの少なくとも一つもまた変わる可能性がある。このため、ウェハＷを露光している期間中にＮ個の電子ビーム光学系１２のうちの少なくとも一つの動作状態が変わった場合には、制御装置３は、再度ずれ量ｄＰ_１からずれ量ｄＰ_Ｎの少なくとも一つを算出してもよい。

　以上説明したように、本実施形態の露光装置ＥＸは、複数の電子ビーム光学系１２が夫々照射する複数の電子ビームＥＢの間の相互作用を考慮して、ウェハＷを露光することができる。つまり、露光装置ＥＸは、複数の電子ビームＥＢの間の相互作用に起因した複数の電子ビームＥＢの夫々の照射位置の意図せぬずれ（つまり、変動）を補正しながら、ウェハＷを露光することができる。このため、電子ビームＥＢを本来照射するべき位置とは異なる位置に電子ビームＥＢが照射されてしまうことに起因した露光品質の悪化が適切に抑制される。

　更に、本実施形態の露光装置ＥＸは、ウェハＷを露光する前に予め生成された位置ずれ情報Ｉを用いて、複数の電子ビームＥＢの間の相互作用に起因した複数の電子ビームＥＢの夫々の照射位置のずれ量ｄＰを算出することができる。つまり、ウェハＷの露光と並行して、複数の電子ビームＥＢの間の相互作用を逐次算出しなくてもよい。従って、露光装置ＥＸは、相対的に小さい演算コストでずれ量ｄＰを算出することができる。このため、露光装置ＥＸは、ウェハＷを露光しながら、複数の電子ビームＥＢの間の相互作用に起因した複数の電子ビームＥＢの夫々の照射位置のずれを補正することができる。

　更に、本実施形態では、位置ずれ情報Ｉは、露光装置ＥＸが実際に行ったテスト露光の結果に基づいて生成される。このため、実際の露光装置ＥＸによる実際の露光結果を反映した相対的に高い精度の位置ずれ情報Ｉが生成可能である。但し、露光装置ＥＸの動作を模擬するシミュレーションによって、位置ずれ情報Ｉが生成されてもよい。この場合であっても、シミュレーションの精度次第では、相応に精度が高い位置ずれ情報Ｉが生成可能である。

　（３）変形例
　続いて、露光システムＳＹＳの変形例について説明する。

　（３－１）第１変形例
　上述した説明では、ウェハＷを露光する際に、制御装置３は、電子ビームＥＢ_１からＥＢ_Ｎ（但し、電子ビームＥＢ_ｉを除く）に起因した電子ビームＥＢ_ｉの照射領域ＥＡ_ｉのずれ量ｄＰ_ｉを算出するために、電子ビームＥＢ_１に起因した照射領域ＥＡ_ｉのずれ量ｄＰ_ｉ１、電子ビームＥＢ_２に起因した照射領域ＥＡ_ｉのずれ量ｄＰ_ｉ２、・・・、電子ビームＥＢ_Ｎに起因した照射領域ＥＡ_ｉのずれ量ｄＰ_ｉＮの全てを加算している。一方で、第１変形例では、制御装置３は、ずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮの一部を加算することで、ずれ量ｄＰ_ｉを算出する。その結果、ずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮの全てを加算してずれ量ｄＰ_ｉを算出する動作と比較して、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するための演算コストが低減可能である。

　制御装置３は、ずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮを算出した後に、ずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮの中から、所定の抽出基準を満たす少なくとも一つのずれ量ｄＰ_ｉｋ（但し、ｋは、ｉとは異なる、１からＮの間の整数）を抽出する。その後、制御装置３は、抽出したずれ量ｄＰ_ｉｋを加算することでずれ量ｄＰ_ｉを算出する。

　所定の抽出基準は、「所定量以上になる（或いは、所定量よりも大きい）ずれ量ｄＰ_ｉｊが、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するために加算するべきずれ量ｄＰ_ｉｋとして抽出される」という第１抽出基準を含んでいてもよい。例えば、図１５に示す例を用いて、第１抽出基準に具体的に説明する。図１５は、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するために算出されたずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－１２}からずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋１２}を示している。尚、表記の明瞭化のために、図１５では、ずれ量ｄＰ_ｉｊを、変数ｉと変数ｊとの間にコンマをつけて“ずれ量ｄＰ_ｉ、ｊ”と表記している。図１５に示す例では、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－１２}は、０．０１ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－１１}は、０．０１５ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－１０}は、０．０２５ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－９}は、０．０１ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－８}は、０．０１ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－７}は、０．０１ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－６}は、０．１ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－５}は、０．４ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－４}は、０．１ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－３}は、０．０１５ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－２}は、０．０３ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－１}は、０．４ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋１}は、０．４ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋２}は、０．０３ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋３}は、０．０１５ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋４}は、０．１ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋５}は、０．４ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋６}は、０．１ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋７}は、０．０１５ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋８}は、０．０１ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋９}は、０．０１５ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋１０}は、０．０３ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋１１}は、０．０１５ｎｍであり、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋１２}は、０．０１ｎｍである。所定量が「０．０２ｎｍ」である場合には、制御装置３は、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－１０}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－６}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－５}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－４}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－２}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－１}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋１}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋２}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋４}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋５}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋６}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋１０}とを抽出する。その後、制御装置３は、抽出したずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－１０}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－６}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－５}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－４}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－２}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ－１}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋１}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋２}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋４}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋５}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋６}と、ずれ量ｄＰ_{ｉ、ｉ＋１０}とを加算することで、「２．１１５ｎｍ」というずれ量ｄＰ_ｉを算出する。

　第１抽出基準を規定する所定量は、ウェハＷの露光動作が開始される前に予め設定されていてもよい。或いは、所定量は、ウェハＷの露光動作中に、制御装置３によって適宜設定されてもよい。

　所定量は、例えば、補正しなくても露光品質を維持することが可能な又は露光品質に影響が生ずる可能性が小さいずれ量ｄＰ_ｉｊと、補正しなければ露光品質に影響が生ずる又は生ずる可能性が大きいずれ量ｄＰ_ｉｊとを区別可能な観点から設定される。一例として、所定量は、露光動作によって製造するべきデバイスの特性に基づいて設定されてもよい。例えば、デバイスの製造時には、ウェハＷに描画されるパターンの位置ずれの許容最大値（つまり、電子ビームＥＢの照射位置のずれ量の許容最大値）が定められていることが多い。所定量は、この許容最大値に基づいて設定されてもよい。例えば、上述したように、ずれ量ｄＰ_ｉは、Ｎ－１個のずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮを加算することで得られる。この場合、ずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮの夫々が、許容最大値をＮ－１で除算した値よりも小さければ、ずれ量ｄＰ_ｉが許容最大値を超えることはない。逆に言えば、許容最大値をＮ－１で除算した値よりも小さいずれ量ｄＰ_ｉｊは、ウェハＷに描画されるパターンの位置ずれの許容最大値から見れば無視できるほどに小さいずれ量であるとみなすことが可能である。このため、所定量は、例えば、許容最大値をＮ－１で除算した値（或いは、当該除算値未満の値）であってもよい。

　所定の抽出基準は、「照射領域ＥＡ_ｉからの距離が所定距離以下になる（或いは、所定距離よりも小さい）照射領域ＥＡ_ｊに照射される電子ビームＥＢ_ｊに起因したずれ量ｄＰ_ｉｊが、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するために加算するべきずれ量ｄＰ_ｉｋとして抽出される」という第２抽出基準を含んでいてもよい。具体的には、上述したように、電子ビームＥＢ_ｉと電子ビームＥＢ_ｊとの間に働くクーロン力（更には、当該クーロン力に起因したずれ量ｄＰ_ｉｊ）は、電子ビームＥＢ_ｉと電子ビームＥＢ_ｊとの間の距離（つまり、照射領域ＥＡ_ｉと照射領域ＥＡ_ｊとの間の距離）Ｄ_ｉｊの二乗に反比例する。従って、距離Ｄ_ｉｊが大きくなればなるほど、ずれ量ｄＰ_ｉｊが小さくなるはずである。従って、無視できるほどに小さい（つまり、補正しなくても露光品質を維持することが可能なほどに小さい）ずれ量ｄＰ_ｉｊは、距離Ｄ_ｉｊが相対的に大きくなる電子ビームＥＢ_ｊに起因したずれ量ｄＰ_ｉｊである可能性が高い。従って、第２抽出基準は、ずれ量ｄＰ_ｉｊそのものの大きさに着目した第１抽出基準と比較して、ずれ量ｄＰ_ｉｊの大きさに影響を与える任意の要素（ここでは、距離Ｄ_ｉｊ）に着目した抽出基準であるという点で異なる。但し、第１及び第２抽出基準は、無視できるほどに小さいずれ量ｄＰ_ｉｊを加算することなくずれ量ｄＰ_ｉを算出するための抽出基準という意味では、等価である。

　以上説明した第１変形例によれば、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するための演算コストを低減しながら、上述した実施形態において享受可能な効果と同様の効果が享受可能である。

　（３－２）第２変形例
　第１変形例では、制御装置３は、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するためにずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮの一部（つまり、所定の抽出基準に基づいて抽出されたずれ量ｄＰ_ｉｋ）を加算しているが、ずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮの全てを算出している。一方で、第２変形例では、制御装置３は、ずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮの全てを算出しない。代わりに、制御装置３は、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するために加算するべきずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮの一部（つまり、所定の抽出基準に基づいて抽出されたずれ量ｄＰ_ｉｋ）を算出する一方で、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するために加算しなくてもよいずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮの他の一部（つまり、ずれ量ｄＰ_ｉｋ以外の他のずれ量ｄＰ_ｉｊであり、以降“ずれ量ｄＰ_ｉｍ（但し、ｍは、ｉとは異なる、１からＮの間の整数）”と称する）を算出しない。その結果、ずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮの全てを算出してずれ量ｄＰ_ｉを算出する動作と比較して、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するための演算コストが低減可能である。

　制御装置３は、位置ずれ情報Ｉ_ｉに基づいて、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するために算出しなくてもよいずれ量ｄＰ_ｉｍを特定してもよい。制御装置３は、位置ずれ情報Ｉ_ｉに基づいて、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するために算出するべきずれ量ｄＰ_ｉｋを特定してもよい。このため、位置ずれ情報Ｉ_ｉは、ずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮのいずれが、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するために算出しなくてもよいずれ量ｄＰ_ｉｍであるかを特定するための第１特定情報を含んでいてもよい。位置ずれ情報Ｉ_ｉは、ずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮのいずれが、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するために算出するべきずれ量ｄＰ_ｉｋであるかを特定するための第２特定情報を含んでいてもよい。位置ずれ情報Ｉ_ｉは、ずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮの夫々がずれ量ｄＰ_ｉｍ及びずれ量ｄＰ_ｉｋのいずれであるかを特定するための第３特定情報を含んでいてもよい。

　算出しなくてもよいずれ量ｄＰ_ｉｍと、算出するべきずれ量ｄＰ_ｉｋとは、例えば、上述した第１抽出基準に従って以下の観点から区別されてもよい。まず、上述したように、ずれ量ｄＰ_ｉｊが位置ずれ情報Ｉ_ｉｊに基づいて算出されることは上述したとおりである。更に、上述したように、位置ずれ情報_ｉｊは、ずれ量ｄＰ_ｉｊが電子ビームＥＢ_ｊの電流量Ａ_ｊに比例し且つ電子ビームＥＢ_ｉと電子ビームＥＢ_ｊとの間の距離Ｄ_ｉｊの二乗に反比例することを示している。ここで、通常、露光装置ＥＸの仕様により、電流量Ａ_ｊとして許容されている最大の電流量Ａ_{ｊ＿ｍａｘ}が予め定められている。同様に、通常、露光装置ＥＸの仕様により、電子ビームＥＢ_ｉ及びＥＢ_ｊの照射位置の調整範囲（具体的には、偏向器１２２２による調整範囲）にもまた制約がある。この場合、実際の電流量Ａ_ｊは、最大の電流量Ａ_{ｊ＿ｍａｘ}以下になる。更に、実際の距離Ｄ_ｉｊは、電子ビームＥＢ_ｉ及びＥＢ_ｊの照射位置の調整範囲に応じて定まる最小の距離Ｄ_{ｉｊ＿ｍｉｎ}以上になる。そうすると、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊの一例を夫々示す図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、ずれ量ｄＰ_ｉｊは、電流量Ａ_ｊが最大の電流量_{ｊ＿ｍａｘ}となり且つ距離Ｄ_ｉｊが最小の距離Ｄ_{ｉｊ＿ｍｉｎ}となる場合に最大ずれ量ｄＰ_{ｉｊ＿ｍａｘ}になる。

　ここで、図１６（ａ）に示すように、最大ずれ量ｄＰ_{ｉｊ＿ｍａｘ}が第１抽出基準を定める所定量以上になる場合には、電子ビーム光学系１２_ｊの動作状態によってはずれ量ｄＰ_ｉｊが所定量以上になる可能性がある。従って、第１抽出基準に従えば、ずれ量ｄＰ_ｉｊは、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するために抽出すべきずれ量ｄＰ_ｉｋとして制御装置３によって加算される可能性がある。一方で、図１６（ｂ）に示すように、最大ずれ量ｄＰ_{ｉｊ＿ｍａｘ}が第１抽出基準を定める所定量以上にならない場合には、電子ビーム光学系１２_ｊがどのような動作状態で電子ビームＥＢ_ｊを照射していようが、ずれ量ｄＰ_ｉｊが所定量以上になる可能性がない。従って、第１抽出基準に従えば、ずれ量ｄＰ_ｉｊは、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するために制御装置３によって抽出されることはない。

　つまり、制御装置３は、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊを生成した時点で算出可能な最大ずれ量ｄＰ_{ｉｊ＿ｍａｘ}に基づいて、ずれ量ｄＰ_ｉｊが、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するために算出するべき（つまり、加算するべき）ずれ量ｄＰ_ｉｋであるのか又はずれ量ｄＰ_ｉを算出するために算出しなくてもよい（つまり、加算しなくてもよい）ずれ量ｄＰ_ｉｍであるのかを特定することができる。つまり、制御装置３は、最大ずれ量ｄＰ_{ｉｊ＿ｍａｘ}に基づいて、算出しないずれ量ｄＰ_ｉｍと、算出するべきずれ量ｄＰ_ｉｋとを区別可能である。更には、制御装置３は、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊを生成した時点でずれ量ｄＰ_ｉｍとずれ量ｄＰ_ｉｋとを区別可能であるがゆえに、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊに、上述した第１から第３特定情報の少なくとも一つを含めることができる。

　或いは、算出しないずれ量ｄＰ_ｉｍと、算出するべきずれ量ｄＰ_ｉｋとは、例えば、上述した第２抽出基準に従って以下の観点から区別されてもよい。まず、複数の電子ビーム光学系１２の配列自体は固定である。従って、電子ビームＥＢ_ｉと電子ビームＥＢ_ｊとの間の距離（つまり、照射領域ＥＡ_ｉと照射領域ＥＡ_ｊとの間の距離）Ｄ_ｉｊが所定距離以上になるか否かは、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊの有無に関わらず決まっている。このため、制御装置３は、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊを生成する際に、複数の電子ビーム光学系１２の配列に基づいて、算出しないずれ量ｄＰ_ｉｍと、算出するべきずれ量ｄＰ_ｉｋとを区別可能である。更には、制御装置３は、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊを生成した時点でずれ量ｄＰ_ｉｍとずれ量ｄＰ_ｉｋとを区別可能であるがゆえに、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊに、上述した第１から第３特定情報の少なくとも一つを含めることができる。

　以上説明した第２変形例によれば、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するための演算コストを低減しながら、上述した実施形態において享受可能な効果と同様の効果が享受可能である。

　尚、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するために制御装置３がずれ量ｄＰ_ｉｍを算出しないのであれば、位置ずれ情報Ｉ_ｉに位置ずれ情報Ｉ_ｉｍが含まれていなくてもよい。つまり、制御装置３は、位置ずれ情報Ｉ_ｉｍを含んでいない位置ずれ情報Ｉ_ｉを生成してもよい。この場合、位置ずれ情報Ｉ_ｉに位置ずれ情報Ｉ_ｉｍが含まれていないという事実が、ずれ量ｄＰ_ｉ１からｄＰ_ｉＮのいずれがずれ量ｄＰ_ｉｍであるかを特定するための第１特定情報に相当する。つまり、ずれ量ｄＰ_ｉｊを算出するための位置ずれ情報Ｉ_ｉｊが位置ずれ情報Ｉ_ｉに含まれていない場合には、制御装置３は、ずれ量ｄＰ_ｉを算出するためにずれ量ｄＰ_ｉｊを算出しなくてもよいと判定してもよい。その結果、制御装置３は、ずれ量ｄＰ_ｉｊを算出しない。言い換えれば、ずれ量ｄＰ_ｉｊを算出するための位置ずれ情報Ｉ_ｉｊが位置ずれ情報Ｉ_ｉに含まれている場合には、制御装置３は、ずれ量ｄＰ_ｉｊを算出するためにずれ量ｄＰ_ｉｊを算出するべきであると判定してもよい。その結果、制御装置３は、ずれ量ｄＰ_ｉｊを算出する。

　（３－３）その他の変形例
　図１から図１６を用いて説明した露光システムＳＹＳは一例である。従って、図１から図１６に示す露光システムＳＹＳの少なくとも一部が適宜改変されてもよい。以下、露光システムＳＹＳの少なくとも一部の改変の例について説明する。

　上述の説明では、露光装置ＥＸは、Ｎ本の電子ビームＥＢの間の相互作用を逐次算出して照射領域ＥＡ_１から照射領域ＥＡ_Ｎの位置を調整するための演算量が膨大になることを踏まえて、ウェハＷを露光する前に予め生成された位置ずれ情報Ｉに基づいて、照射領域ＥＡ_１から照射領域ＥＡ_Ｎの夫々の位置（つまり、ウェハＷ上での位置）を調整している。しかしながら、露光装置ＥＸは、ウェハＷの露光と並行して、Ｎ本の電子ビームＥＢの間の相互作用を逐次算出して照射領域ＥＡ_１から照射領域ＥＡ_Ｎの全ての位置ずれを逐次算出し、当該算出結果に基づいて照射領域ＥＡ_１から照射領域ＥＡ_Ｎの夫々の位置を調整してもよい。特に、制御装置３の処理能力が、Ｎ本の電子ビームＥＢの間の相互作用を逐次算出して照射領域ＥＡ_１から照射領域ＥＡ_Ｎの全ての位置ずれを逐次算出することができる程度に高い場合には、露光装置ＥＸは、ウェハＷの露光と並行して、照射領域ＥＡ_１から照射領域ＥＡ_Ｎの全ての位置ずれを逐次算出してもよい。

　上述の説明では、露光装置ＥＸが備える制御装置３が位置ずれ情報Ｉを生成している。しかしながら、露光装置ＥＸの外部の制御装置が、位置ずれ情報Ｉを生成してもよい。外部の制御装置は、現像されたウェハＷｔの状態を計測する計測装置と一体化されていてもよい。或いは、現像されたウェハＷｔの状態を計測する計測装置を露光装置ＥＸが備えている場合には、現像されたウェハＷｔの状態を計測する処理も、制御装置３の制御下で行われてもよい。

　上述の説明では、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊを生成するために、電子ビーム光学系１２_ｊが電子ビームＥＢ_ｊを照射している状態で電子ビーム光学系１２_ｉが電子ビームＥＢ_ｉを照射するテスト露光（ステップＳ１０６）が、電子ビーム光学系１２_ｉ及び１２_ｊの組み合わせ毎に１回ずつ行われている。従って、図１３に示すように、単一のずれ量ｄＰ_{ｉｊ＿ａｃｔ}に基づいて、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊが生成されている。しかしながら、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊを生成するために、電子ビーム光学系１２_ｊが電子ビームＥＢ_ｊを照射している状態で電子ビーム光学系１２_ｉが電子ビームＥＢ_ｉを照射するテスト露光が、電子ビーム光学系１２_ｉ及び１２_ｊの組み合わせ毎に複数回行われてもよい。この場合、複数回のテスト露光は、電子ビーム光学系１２_ｊの動作状態を変えながら行われてもよい。その結果、複数のずれ量ｄＰ_{ｉｊ＿ａｃｔ}が算出可能であり、複数のずれ量ｄＰ_{ｉｊ＿ａｃｔ}に基づいて、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊが生成可能である。

　上述した説明では、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊの一例である関数Ｆ２_ｉｊは、ずれ量ｄＰ_ｉｊと電流量Ａ_ｊとの間の関係を規定する一次関数（つまり、電流量Ａ_ｊを変数とする一次関数）を含んでいる。しかしながら、関数Ｆ２_ｉｊは、ずれ量ｄＰ_ｉｊと電流量Ａ_ｊとの間の関係を規定する任意の関数（例えば、ｎ（但し、ｎは２以上の整数）次関数、分数関数、対数関数、三角関数及び指数関数の少なくとも一つ）を含んでいてもよい。

　上述した説明では、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊの一例である関数Ｆ２_ｉｊは、ずれ量ｄＰ_ｉｊと照射位置Ｐ_ｊ（具体的には、照射位置Ｐ_ｊから一義的に定まる距離Ｄ_ｉｊ）の間の関係を規定する二次分数関数（つまり、距離Ｄ_ｉｊを変数とする二次の分数関数）を含んでいる。しかしながら、関数Ｆ２_ｉｊは、ずれ量ｄＰ_ｉｊと照射位置Ｐ_ｊとの間の関係を規定する任意の関数（例えば、一次関数、ｎ次関数、一次の分数関数、三次以上の分数関数、対数関数、三角関数及び指数関数の少なくとも一つ）を含んでいてもよい。

　上述した説明では、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊの一例として、関数Ｆ２_ｉｊを採用している。しかしながら、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊは、ずれ量ｄＰ_ｉｊと電流量Ａ_ｊ及び照射位置Ｐ_ｊとの間を規定することが可能な限りは、どのような情報であってもよい。例えば、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊは、テーブル、グラフ、マップ及びデータベースの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　上述した説明では、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊを生成するために設定するべき電子ビーム光学系１２_ｊの動作状態として、電流量Ａ_ｊ及び照射位置Ｐ_ｊが例示されている。しかしながら、動作状態として、ずれ量ｄＰ_ｉｊに影響を与え得る（例えば、電子ビームＥＢ_ｉと電子ビームＥＢ_ｊとの間に働くクーロン力に影響を与え得る）任意の第１動作状態が用いられてもよい。この場合には、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊは、ずれ量ｄＰ_ｉｊと第１動作状態との間の関係を規定していてもよい。尚、電流量Ａ_ｊ及び照射位置Ｐ_ｊは、電子ビームＥＢ_ｉと電子ビームＥＢ_ｊとの間に働くクーロン力に影響を与えるがゆえに、第１動作状態の一例でもある。更に、偏向器１２２２を構成する一対の第１コイル及び一対の第２コイルの夫々に供給される駆動電流の電流量は、電子ビームＥＢ_ｊの照射位置Ｐ_ｊを調整可能であるがゆえに、電子ビームＥＢ_ｉと電子ビームＥＢ_ｊとの間に働くクーロン力に影響を与える。従って、偏向器１２８５に供給される駆動電流の電流量もまた、第１動作状態の一例である。

　動作状態として、制御装置３の制御によって能動的に又は直接的に調整可能な任意の第２動作状態が用いられてもよい。この場合には、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊは、ずれ量ｄＰ_ｉｊと第２動作状態との間の関係を規定していてもよい。尚、電流量Ａ_ｊ及び照射位置Ｐ_ｊは、制御装置３の制御によって能動的に又は直接的に調整可能であるがゆえに、第２動作状態の一例でもある。

　偏向器１２２２を構成する一対の第１コイル及び一対の第２コイルの夫々に供給される駆動電流の電流量もまた、制御装置３の制御によって能動的に又は直接的に調整可能であり、第２動作状態として用いることが可能である。尚、電子ビーム光学系１２_ｉの偏向器１２２２に供給される駆動電流の電流量が変動すると、偏向器１２２２による電子ビームＥＢ_ｉの偏向状態もまた変動し、結果として電子ビームＥＢ_ｉの照射位置Ｐ_ｉが意図せずずれる可能性がある。

　動作状態として、制御装置３の制御によって能動的に又は直接的に調整可能ではないものの、制御装置３の制御に関連して又は依存して変動し得る（言い換えれば、制御装置３の制御と相関を有する）任意の第３動作状態が用いられてもよい。特に、第３動作状態は、ずれ量ｄＰ_ｉｊと何らかの相関を有している動作状態であってもよい。この場合には、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊは、ずれ量ｄＰ_ｉｊと第３動作状態との間の関係を規定していてもよい。第３動作状態の一例として、電子ビーム光学系１２の温度があげられる。電子ビーム光学系１２の温度が変わると、電子ビーム光学系１２が歪む可能性があり、その結果、この歪みに起因して電子ビームＥＢの照射位置が意図せずずれる可能性がある。従って、電子ビーム光学系１２の温度は、ずれ量ｄＰ_ｉｊと何らかの相関を有している。尚、電子ビーム光学系１２の温度は、制御装置３の制御下で駆動するビーム光学装置１２２（例えば、ビーム光学装置１２２が備える電磁レンズ等）の発熱に依存して変動し得る。

　尚、電子ビーム光学系１２の温度のように直接的に計測することが難しい動作状態については、逆にずれ量ｄＰ_ｉｊから推定されてもよい。この場合、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊは、電子ビーム光学系１２_ｊの温度（或いは、その他任意の動作状態）と、この温度に起因して起きる電子ビームＥＢ_ｉの照射位置Ｐ_ｉのずれ量ｄＰ_ｉｊの関係を規定する。

　動作状態として、電子ビーム光学系１２の機差に関する任意の第４動作状態が用いられてもよい。この場合には、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊは、ずれ量ｄＰ_ｉｊと第４動作状態との間の関係を規定していてもよい。第４動作状態の一例として、電子ビーム光学系１２を構成する構成要素の個体差（例えば、ビーム光学装置１２２が備える電磁レンズや成形絞りや対物レンズ等の個体差等）があげられる。尚、電子ビーム光学系１２の個体差に応じて、制御装置３が同じ制御を行っていても、ある電子ビーム光学系１２が照射する電子ビームＥＢの照射位置がずれない一方で、別の電子ビーム光学系１２が照射する電子ビームＥＢの照射位置がずれてしまう可能性がある。従って、第４動作状態は、ずれ量ｄＰ_ｉｊと何らかの相関を有していると想定される。

　上述した説明では、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊは、ずれ量ｄＰ_ｉｊと電流量Ａ_ｊ及び照射位置Ｐ_ｊ（つまり、電子ビーム光学系１２_ｊの動作状態）との間の関係を規定する。しかしながら、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊは、ずれ量ｄＰ_ｉｊと電流量Ａ_ｊ及び照射位置Ｐ_ｊ並びに電流量Ａ_ｉ及び照射位置Ｐ_ｉ（つまり、電子ビーム光学系１２_ｉの動作状態）との間の関係を規定してもよい。なぜならば、ずれ量ｄＰ_ｉｊを発生させる原因となる電子ビームＥＢ_ｉと電子ビームＥＢ_ｊとの間に働くクーロン力は、電子ビームＥＢ_ｉの電流量Ａ_ｉ及び照射位置Ｐ_ｉ（つまり、距離Ｄ_ｉｊ）が変動する場合にも変動する可能性があるからである。ここで、クーロン力（更には、クーロン力に起因したずれ量ｄＰ_ｉｊ）が電流量Ａ_ｉに比例し電流量Ａ_ｉがゼロになる場合にはクーロン力（更には、ずれ量ｄＰ_ｉｊ）がゼロになるという関係は不変である。クーロン力は、電子ビームＥＢ_ｉと電子ビームＥＢ_ｊとの間の距離（つまり、照射位置Ｐ_ｉと照射位置Ｐ_ｊとの間の距離Ｄ_ｉｊ）の二乗に反比例することにも変わりはない。このため、上述した「ｄＰ_ｉｊ＝Ｆ２_ｉｊ（Ａ_ｊ、Ｐ_ｊ）＝（Ｋ２_ｉｊ×（１／Ｄ_ｉｊ ^２））×（Ｋ１_ｉｊ×Ａ_ｊ）」という関係式は、「ｄＰ_ｉｊ＝Ｆ３_ｉｊ（Ａ_ｊ、Ｐ_ｊ、Ａ_ｉ、Ｐ_ｉ）＝（Ｋ４_ｉｊ×（１／Ｄ_ｉｊ ^２））×（Ｋ３_ｉｊ×Ａ_ｊ×Ａ_ｉ）」という関係式に置き換え可能である（但し、Ｋ３_ｉｊ及びＫ４_ｉｊの夫々は所定の係数）。

　上述した説明では、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊは、ずれ量ｄＰ_ｉｊと電流量Ａ_ｊ及び照射位置Ｐ_ｊとの間の関係を規定する。ここで、電流量Ａ_ｊ及び照射位置Ｐ_ｊは、電子ビームＥＢ_１と電子ビームＥＢ_２との間に働くクーロン力の大きさに関係するパラメータであることは上述したとおりである。一方で、電子ビームＥＢ_ｉと電子ビームＥＢ_ｊとの間に働くクーロン力は、電子ビームＥＢ_ｊに起因して電子ビーム光学系１２_ｊの周辺に発生する電場に依存する。この場合、電流量Ａ_ｊ及び照射位置Ｐ_ｊは、電子ビームＥＢ_ｊに起因して電子ビーム光学系１２_ｊの周辺に発生する電場の大きさを決めるパラメータでもある。このため、位置ずれ情報Ｉ_ｉｊは、ずれ量ｄＰ_ｉｊと電子ビームＥＢ_ｊに起因して電子ビーム光学系１２_ｊの周辺に発生する電場との間の関係を規定してもよい。

　露光装置ＥＸは、ずれ量ｄＰ_ｉｊを示す位置ずれ情報Ｉに加えて又は代えて、電子ビームＥＢ_ｉが電子ビームＥＢ_ｊから受ける任意の影響を示す情報を生成し且つ露光動作中に使用してもよい。例えば、電子ビームＥＢ_ｉが電子ビームＥＢ_ｊから受ける任意の影響の一例として、電子ビームＥＢ_ｉのフォーカス位置が電子ビームＥＢ_ｊに起因して変動するという影響があげられる。この場合には、露光装置ＥＸは、電子ビームＥＢ_ｉのフォーカス位置のずれ量と電子ビーム光学系１２_ｊの動作状態との間の関係を規定する情報を生成し、当該情報に基づいて電子ビームＥＢ_ｉのフォーカス位置を調整してもよい。フォーカス位置の調整は、電子ビーム光学系１２_ｉが備えるフォーカス制御用のコイルを含む補正器によって行われる。例えば、電子ビームＥＢ_ｉが電子ビームＥＢ_ｊから受ける任意の影響の一例として、電子ビームＥＢ_ｉの照射量（つまり、実質的には電流量に相当）が電子ビームＥＢ_ｊに起因して変動するという影響があげられる。この場合には、露光装置ＥＸは、電子ビームＥＢ_ｉの照射量の変動量と電子ビーム光学系１２_ｊの動作状態との間の関係を規定する情報を生成し、当該情報に基づいて電子ビームＥＢ_ｉの照射量を調整してもよい。

　上述した説明では、露光システムＳＹＳは、電子ビームＥＢをウェハＷに照射して当該ウェハＷを露光する露光装置ＥＸを備えている。しかしながら、露光システムＳＹＳは、電子ビームＥＢとは異なる任意の荷電粒子ビーム（例えば、イオンビーム）をウェハＷに照射して当該ウェハＷを露光する露光装置を備えていてもよい。

　上述した説明では、露光装置ＥＸは、各電子ビーム光学系１２が単一の電子ビームＥＢを用いてウェハＷにパターンを描画又は転写するシングルビーム型の露光装置である。この場合、露光装置ＥＸは、各電子ビーム光学系１２がウェハＷに照射する電子ビームＥＢの断面をサイズ可変の矩形に成形する可変成形型の露光装置であってもよい。露光装置ＥＸは、各電子ビーム光学系１２がスポット状の電子ビームＥＢをウェハＷに照射するポイントビーム型の露光装置であってもよい。露光装置ＥＸは、各電子ビーム光学系１２が所望形状のビーム通過孔が形成されたステンシルマスクを用いて電子ビームＥＢを所望形状に成形するステンシルマスク型の露光装置であってもよい。

　或いは、露光装置ＥＸは、各電子ビーム光学系１２が複数の電子ビームを用いてウェハＷにパターンを描画又は転写するマルチビーム型の露光装置であってもよい。例えば、露光装置ＥＸは、複数の開口を有するブランキングアパーチャアレイを介して複数の電子ビームを発生させ、描画パターンに応じて複数の電子ビームを個別にＯＮ／ＯＦＦしてパターンをウェハＷに描画する露光装置であってもよい。例えば、露光装置ＥＸは、各電子ビーム光学系１２が複数の電子ビームを夫々射出する複数の電子放出部を有する面放出型電子ビーム源を備える露光装置であってもよい。

　或いは、露光装置ＥＸは、複数の電子ビーム光学系１２を備えることなく、複数の電子ビーム光学系１２が照射する複数の電子ビームＥＢを照射可能に構成されていてもよい。例えば、露光装置ＥＸが複数の電子ビームを夫々射出する複数の電子放出部を有する面放出型電子ビーム源を備える露光装置である場合には、複数の電子放出部が射出する複数の電子ビームが、複数の電子ビーム光学系１２が照射する複数の電子ビームＥＢに対応する。この場合であっても、上述したように複数の電子ビームＥＢの間の相互作用が考慮される限りは、上述した効果が享受可能である。

　露光装置ＥＸは、一つの半導体チップのパターン又は複数の半導体チップのパターンをマスクからウェハＷへ一括して転写する一括転写方式の露光装置であってもよい。露光装置ＥＸは、一括転写方式よりも高いスループットで露光が可能な分割転写方式の露光装置であってもよい。分割転写方式の露光装置は、ウェハＷに転写すべきパターンをマスク上で１つのショット領域Ｓに相当する大きさよりも小さい複数の小領域に分割し、これら複数の少領域のパターンをウェハＷに転写する。尚、分割転写方式の露光装置としては、一つの半導体チップのパターンを備えたマスクのある範囲に電子ビームＥＢを照射し、当該電子ビームのＥＢが照射された範囲のパターンの像を投影レンズで縮小転写する縮小転写型の露光装置もある。

　露光装置ＥＸは、スキャニング・ステッパであってもよい。露光装置ＥＸは、ステッパなどの静止型露光装置であってもよい。露光装置ＥＸは、一のショット領域Ｓの少なくとも一部と他のショット領域Ｓの少なくとも一部とを合成するステップ・アンド・スティッチ型の縮小投影露光装置であってもよい。

　上述した説明では、露光システムＳＹＳ内では、ウェハＷがシャトルＳＨＬに保持された状態で搬送されている。しかしながら、露光システムＳＹＳ内において、ウェハＷが単独で（つまり、シャトルＳＨＬに保持されることなく）搬送されてもよい。

　上述した説明では、電子ビーム照射装置１内において、鏡筒１１がメトロロジーフレーム１３によって吊り下げ支持されている。しかしながら、電子ビーム照射装置１内において、鏡筒１１が床置きされてもよい。例えば、鏡筒１１が、外枠フレームＦの底面（或いは、床置きタイプのボディ）に下方から支持されてもよい。この場合、電子ビーム照射装置１は、メトロロジーフレーム１３を備えていなくてもよい。

　上述した説明では、露光システムＳＹＳの露光対象が、半導体デバイスを製造するための半導体基板（つまり、ウェハＷ）である。しかしながら、露光システムＳＹＳの露光対象は、任意の基板であってもよい。例えば、露光システムＳＹＳは、有機ＥＬ、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシン又はＤＮＡチップを製造するための露光システムであってもよい。例えば、露光システムＳＹＳは、角型のガラスプレートやシリコンウエハにマスクパターンを描画するための露光システムであってもよい。

　上述の説明では、露光システムＳＹＳが複数の露光装置ＥＸを備えている。しかしながら、露光システムＳＹＳは、複数の露光装置ＥＸに代えて単一の露光装置ＥＸを備えていてもよい。上述の説明では、露光システムＳＹＳ内において、露光装置ＥＸ１からＥＸ１０が、２列に配列されている。しかしながら、露光システムＳＹＳ内において、複数の露光装置ＥＸが１列に配列されてもよい。或いは、露光システムＳＹＳ内において、複数の露光装置ＥＸが３列以上の配列で配列されてもよい。

　半導体デバイス等のデバイスは、図１７に示す各ステップを経て製造されてもよい。デバイスを製造するためのステップは、デバイスの機能及び性能設計を行うステップＳ２０１、機能及び性能設計に基づく露光パターン（つまり、電子ビームＥＢによる露光パターン）を生成するステップＳ２０２、デバイスの基材であるウェハＷを製造するステップＳ２０３、生成した露光パターンに応じた電子ビームＥＢを用いてウェハＷを露光し且つ露光されたウェハＷを現像するステップＳ２０４、デバイス組み立て処理（ダイシング処理、ボンディング処理、パッケージ処理等の加工処理）を含むステップＳ２０５及びデバイスの検査を行うステップＳ２０６を含んでいてもよい。

　上述の各実施形態（各変形例を含む、以下この段落において同じ）の構成要件の少なくとも一部は、上述の各実施形態の構成要件の少なくとも他の一部と適宜組み合わせることができる。上述の各実施形態の構成要件のうちの一部が用いられなくてもよい。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態で引用した全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

　本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う荷電粒子ビーム光学装置、露光装置、露光方法、制御装置、制御方法、情報生成装置、情報生成方法、及び、デバイス製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

　ＳＹＳ　露光システム
　ＥＸ　露光装置
　ＡＬＧ　アライメント装置
　Ｗ　ウェハ
　ＳＨＬ　シャトル
　ＥＢ　電子ビーム
　ＥＡ　照射領域
　ｄＰ　ずれ量
　Ａ　電子ビームの電流量
　Ｐ　電子ビームの照射位置
　Ｓ　ショット領域
　１　電子ビーム照射装置
　１１　鏡筒
　１２　電子ビーム光学系
　２　ステージ装置
　３　制御装置

Claims

　荷電粒子ビームを物体に照射可能な荷電粒子ビーム光学装置であって、
　前記荷電粒子ビームを前記物体に照射可能な複数の照射光学系と、
　前記複数の照射光学系のうち少なくとも１つの第１照射光学系の動作状態に基づいて、前記複数の照射光学系のうち前記第１照射光学系とは異なる前記第２照射光学系を制御する第１制御装置と
　を備える荷電粒子ビーム光学装置。
　前記動作状態は、前記第１照射光学系が照射する前記荷電粒子ビームの第１照射状態と、前記第１照射光学系の温度との少なくとも一つを含む
　請求項１に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記第１照射光学系は、前記荷電粒子ビームを偏向可能な偏向器を有し、
　前記動作状態は、前記偏向器に供給する電流量を含む
　請求項１又は２に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記第１制御装置は、前記第１照射光学系の前記動作状態に基づいて、前記第２照射光学系が照射する前記荷電粒子ビームの第２照射状態を調整する
　請求項１から３のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記第１及び前記第２照射状態は、前記荷電粒子ビームの照射位置と、前記荷電粒子ビームのフォーカス位置と、前記荷電粒子ビームの照射量との少なくとも一つを含む
　請求項４に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記第１制御装置は、前記第１照射光学系の動作状態に起因して生ずる、前記第２照射光学系が照射する前記荷電粒子ビームの第２照射状態の変動に関する変動情報を求める第１算出部と、
　前記第１算出部で求められた前記変動情報に基づいて、前記第２照射光学系を制御する第１制御部とを有する
　請求項１から５のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記第１制御装置は、
　前記第１照射光学系の前記動作状態に起因して生ずる、前記第２照射光学系の周辺の電場の変動に関する変動情報を求める第２算出部と、
　前記第２算出部で求められた前記変動情報に基づいて、前記第２照射光学系を制御する第１制御部とを有する
　請求項１から５のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記変動情報は、前記動作状態と、前記動作状態における前記第２照射状態との関係を含む
　請求項６又は７に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記動作状態は、前記第１照射光学系が前記荷電粒子ビームを前記物体に照射するオン状態と、前記第１照射光学系が前記荷電粒子ビームを前記物体に照射しないオフ状態とを含み、
　前記第２照射状態は、前記第１照射光学系が前記オン状態の時に前記第２照射光学系が前記物体に前記荷電粒子ビームを照射した状態を含む
　請求項６から８のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記第２照射光学系は、前記物体に前記荷電粒子ビームを照射し、
　前記変動情報は、前記物体に照射された前記荷電粒子ビームの前記第２照射状態を計測した計測結果に基づいて生成される
　請求項６から９のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記第１制御装置は、前記計測結果から前記第１照射光学系の前記動作状態を推定し、
　前記変動情報は、前記推定された動作状態と、前記推定された動作状態における前記第２照射状態との関係を含む
　請求項１０に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記第１制御装置は、前記複数の照射光学系のうち前記第２照射光学系を除く多数の前記第１照射光学系の夫々の前記動作状態に基づいて、前記第２照射光学系を制御する
　請求項１から１１のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記第１制御装置は、
　前記多数の第１照射光学系の夫々の前記動作状態に起因して生ずる、前記第２照射光学系が照射する前記荷電粒子ビームの第２照射状態の変動に関する変動情報を求める第３算出部と、
　前記第３算出部で求められた前記変動情報に基づいて、前記第２照射光学系を制御する第２制御部とを有する
　請求項１２に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記第３算出部は、前記多数の第１照射光学系の夫々の前記動作状態に起因して生ずる前記第２照射状態の変動に関する前記変動情報を別々に算出し、
　前記第２制御部は、別々に算出された前記変動情報を合算した結果に基づいて、前記第２照射光学系を制御する
　請求項１３に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記第３算出部は、前記多数の第１照射光学系の夫々の前記動作状態に起因して生ずる前記第２照射状態の変動に関する前記変動情報を別々に算出し、
　前記第２制御部は、別々に算出された前記変動情報のうち所定値以上の変動情報を合算した結果に基づいて、前記第２照射光学系を制御する
　請求項１３に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記第３算出部は、前記複数の第１照射光学系の夫々の前記動作状態に起因して生ずる前記第２照射状態の変動に関する前記変動情報を別々に算出し、
　前記第２制御部は、別々に算出された前記変動情報のうち、一部の変動情報を合算した結果に基づいて、前記第２照射光学系を制御する
　請求項１３に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記多数の第１照射光学系は、前記複数の照射光学系のうち、前記第２照射光学系を除く全ての照射光学系である
　請求項１２から１６のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記複数の照射光学系の夫々は、複数の開口を有するビーム成形部材を有し、
　前記動作状態は、前記複数の開口を通過する前記荷電粒子ビームの透過率を含む
　請求項１から１７のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　前記動作状態は、前記第１照射光学系の機差を含む
　請求項１から１８のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム光学装置。
　請求項１から１９のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム光学装置を備える露光装置。
　請求項２０に記載の露光装置を用いて前記物体を露光する露光方法。
　荷電粒子ビームを照射して物体を露光する露光方法であって、
　複数の照射光学系の夫々を介して前記荷電粒子ビームを前記物体に照射することと、
　前記複数の照射光学系のうち少なくとも１つの第１照射光学系の動作状態に基づいて、前記複数の照射光学系のうち前記第１照射光学系とは異なる前記第２照射光学系を制御することと
　を含む露光方法。
　複数の照射光学系の夫々から荷電粒子ビームを物体に照射可能な荷電粒子ビーム光学装置を制御する制御装置であって、
　前記複数の照射光学系のうち少なくとも１つの第１照射光学系の動作状態に基づいて、前記複数の照射光学系のうち前記第１照射光学系とは異なる前記第２照射光学系を制御する制御装置。
　複数の照射光学系の夫々から荷電粒子ビームを物体に照射可能な荷電粒子ビーム光学装置を制御する制御方法であって、
　前記複数の照射光学系のうち少なくとも１つの第１照射光学系の動作状態に基づいて、前記複数の照射光学系のうち前記第１照射光学系とは異なる前記第２照射光学系を制御する制御方法。
　請求項１から１９のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム光学装置が前記第２照射光学系を制御するために用いる前記制御情報を生成する第２制御装置を備える情報生成装置。
　前記制御情報は、前記第１照射光学系の動作状態に起因して生ずる、前記第２照射光学系が照射する前記荷電粒子ビームの照射状態の変動に関する変動情報を含む
　請求項２５に記載の情報生成装置。
　前記第２制御装置は、所定の動作状態にある前記第１照射光学系が前記物体に前記荷電粒子ビームを実際に照射している状態で前記第２照射光学系が前記荷電粒子ビームを前記物体に照射するように前記荷電粒子ビーム光学装置を制御し、　前記第２制御装置は、前記物体に照射された前記荷電粒子ビームの前記照射状態を計測した計測結果に基づいて前記変動情報を生成する
　請求項２６に記載の情報生成装置。
　前記第２制御装置は、前記計測結果から、前記動作状態と、前記動作状態における前記照射状態との関係を推定することで前記変動情報を生成する
　請求項２７に記載の情報生成装置。
　前記第２制御装置は、前記所定の動作状態にある前記第１照射光学系が前記物体に前記荷電粒子ビームを実際に照射している状態で前記第２照射光学系が前記荷電粒子ビームを前記物体に照射する動作を、前記所定の動作状態を変えながら繰り返すように前記荷電粒子ビーム光学装置を制御する
　請求項２７又は２８に記載の情報生成装置。
　前記変動情報は、前記複数の照射光学系のうち前記第２照射光学系を除く多数の前記第１照射光学系の夫々の前記動作状態に起因して生ずる前記照射状態の変動に関する情報であり、
　前記第２制御装置は、前記複数の第１照射光学系のうちの一の第１照射光学系が一の動作状態で前記物体に前記荷電粒子ビームを実際に照射している一方で前記複数の第１照射光学系のうちの前記一の第１照射光学系を除く他の第１照射光学系が前記荷電粒子ビームを照射していない状態で前記第２照射光学系が前記荷電粒子ビームを前記物体に実際に照射する動作を、前記複数の第１照射光学系の夫々を順に前記一の第１照射光学系に設定しながら繰り返すように、前記荷電粒子ビーム光学装置を制御する請求項２７から２９のいずれか一項に記載の情報生成装置。
　請求項１から１９のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム光学装置が前記第２照射光学系を制御するために用いる前記制御情報を生成する情報生成方法。
　リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
　前記リソグラフィ工程では、請求項２１又は２２に記載の露光方法により前記物体に対する露光が行われるデバイス製造方法。