JP2000133565A

JP2000133565A - 荷電粒子線露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法

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Publication number: JP2000133565A
Application number: JP10302204A
Authority: JP
Inventors: Masato Muraki; 真人村木
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-10-23
Filing date: 1998-10-23
Publication date: 2000-05-12
Anticipated expiration: 2018-10-23
Also published as: JP4343293B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ステージの移動に伴う荷電粒子線の位置変動
に起因する描画精度の低下を軽減する。【解決手段】ステージの移動によって変動する荷電粒
子の基準位置に関する情報を予め記憶する。そして実際
の描画時のステージの位置に応じて、荷電粒子の基準位
置を記憶された情報に基づいて補正する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主に半導体集積回
路等の露光に用いられる電子ビーム露光装置、イオンビ
ーム露光装置等の荷電粒子線露光装置に関するものであ
る。特には、ステージの移動に伴う荷電粒子線の位置変
動に起因する露光精度の低下の問題を解消すべく改良を
加えた荷電粒子線露光方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子ビーム描画装置は、大別して、ポイ
ントビームをウエハ上を走査させパターンを描画する装
置と、マスクを用い電子ビームを所望の形状に整形して
マスクパターンをウエハ上に転写する装置とがある。そ
して両者とも、ウエハ全面にパターンを露光するには、
電子ビームに対しウエハを移動させる為に、ウエハを載
置するステージの移動が必要である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来装置にあっては、ステージの移動と共に、電子ビー
ムの位置が変動し、ウエハ上の所望の位置にパターンが
描画若しくは転写できないという問題がある。その原因
として、ステージの移動に伴い電子ビーム近傍の電磁場
が変動するということが考えられ、特に移動するステー
ジに磁性体が用いられている場合、ステージの移動に伴
う電子ビームの位置変動が顕著であった。

【０００４】本発明は、主に半導体集積回路等の露光に
用いられる電子ビーム露光装置、イオンビーム露光装置
等の荷電粒子線露光装置であって、ステージの移動に伴
う荷電粒子線の位置変動に起因する露光精度の低下の問
題を解消すべく改良を加えた荷電粒子線露光方法及び荷
電粒子線露光装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の荷電粒子線露光方法は、荷電粒子線を偏向してステ
ージに搭載された基板上にパターンを描画露光するにあ
たって、前記ステージの移動に応じて前記ステージに対
する荷電粒子線の基準位置を補正することを特徴とする
ものである。

【０００６】本発明のデバイス製造方法は、上記記載の
荷電粒子線露光方法を含む製造工程によってデバイスを
製造することを特徴とするものである。

【０００７】本発明の荷電粒子線露光装置は、荷電粒子
線を発生する発生源と、該荷電粒子線を偏向する偏向器
と、基板を搭載して移動するステージと、前記ステージ
の移動によって変動する前記荷電粒子線の基準位置に関
する情報を記憶する記憶手段と、前記ステージの位置に
応じて前記荷電粒子の基準位置を前記記憶手段に記憶さ
れた情報に基づいて補正する制御系とを有することを特
徴とするものである。

【０００８】

【発明の実施の形態】＜電子ビーム露光装置＞荷電粒子
線の一例として本実施例では電子ビーム露光装置を例を
示す。なお、電子ビームに限らずイオンビームを用いた
露光装置にも同様に適用できる。

【０００９】図１において、１００は真空チャンバで、
図示せぬ真空ポンプによって真空排気されている。真空
チャンバ１００内には、大別して、電子光学系１、ウエ
ハステージ２、測長用干渉計３、アライメント光学系４
等が配置されている。

【００１０】電子光学系１は、電子ビームを放射する電
子銃１１、電子銃１１からの電子ビームEBを収束させる
電子レンズ系１２、電子ビームＥＢを偏向させる偏向器
１３、電子ビームEBの照射対象物からの電子を検出する
電子検出系１４で構成される。そして各構成要素は、電
子光学系制御部７によって制御される。そして、電子光
学系１からの電子ビームが偏向器１３によって偏向され
ずにステージ側に入射する位置を電子ビームの基準位置
とし、電子ビームＥＢによりウエハを露光する際は、電
子光学系制御部は、電子ビームＥＢを偏向器１３により
基準位置を基準にして走査するとともに、描画するパタ
ーンに応じて電子ビームＥＢの照射を制御する。電子ビ
ームＥＢにより照射対象物の位置を検出する際は、電子
光学系制御部は、偏向器１３により電子ビームＥＢを照
射対象物上を走査させるとともに、電子検出系１４によ
って照射対象物からの電子を検出して、基準位置に対す
る照射対象物の位置を検出する。

【００１１】次に、ウエハステージ２について説明す
る。２１が基準面を持ったステージ定盤、２２がＹステ
ージ、２３がＸステージである。Ｘステージ２３上にθ
Ｚステージ２４が搭載されている。θＺステージ２４上
には、ウエハＷを吸着固定する静電チャック２５と測長
用干渉計３用のミラーＭＸ、ＭＹ（図示せず）が搭載さ
れている。２６はＹステージ２２の水平方向（Ｙ軸方
向）の固定ガイドである。２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２
７ｄは静圧空気軸受けであり、この静圧空気軸受けは、
真空に対応する為、特開平２−２１２６２４号公報で提
案されているように気体を供給する多孔質パッド（セラ
ミックスパッド）と気体の流出を防止するラビリンス隔
壁を備えたものである。このうち２７ａ（Ａ―Ａ'断面
図参照）はＸステージ２３の水平方向（Ｙ軸方向）、２
７ｂ（Ａ―Ａ'断面図参照）はＸステージ２３の鉛直方
向（Ｚ軸方向）、２７ｃはＹステージ２２の水平方向、
２７ｄはＹステージ２２の鉛直方向を各々案内してい
る。

【００１２】図２はＹステージ２２、Ｘステージ２３を
裏から見た裏面図である。同図において、ＭＧは、それ
ぞれ予圧用磁石ユニットであり、特開昭６３−２３２９
１２号公報で提案されているように例えば磁力手段とし
て永久磁石とその両側に設けたヨーク（磁性体）とを有
した予圧機構（移動体を吸引する機構）により、静圧軸
受けに加圧流体を給気して定盤基準面から移動体を浮上
させる際、軸受けの特性のバラツキにより移動体が傾く
のを防止し、定盤基準面に対して常に一定の姿勢を保つ
ようにしている。また、Ｘステージ２３の水平方向の案
内板２２aを除いて、Ｙステージ２２、Ｘステージ２３
の表面は、予圧用磁石ユニットからの磁場が電子ビーム
に与える影響を低減する為に磁気シールド材（例えばパ
ーマロイ）でカバーされている。なお、ステージと定盤
基準面との間に吸引力を作用させて予圧を与える予圧機
構として、本実施例では磁石予圧機構を採用したが、こ
れに限らず真空吸引によって予圧を与える真空予圧機構
や静電気力によって予圧を与える静電予圧機構であって
もよい。

【００１３】図３はＹステージ２２、Ｘステージ２３を
上から見た平面図である。同図において、Ｘステージ２
３は、Ｘ方向に伸縮する腕ＸＡにより、駆動される。図
１にもどり、腕ＸＡの先端は、Ｘステージ２３に固設さ
れたＹガイドレールＹＧを挟み込んで、Ｘステージ２３
と連結され、Ｘステージ２３のＹ方向の移動を妨げない
ようにしている。そして、腕ＸＡは、真空チャンバ１０
０に固定してあるＸアクチュエータ２８により駆動され
てＸ方向に伸縮する。同様に、Ｙステージ２２は、Ｙア
クチュエータ（図示せず）によりＹ方向に伸縮される腕
ＹＡが連結されており、それにより駆動される。また、
Ｘアクチュエータ２８及びＹアクチュエータは、ウエハ
ステージ制御部６により制御される。

【００１４】よって、Ｙステージ２２は静圧空気軸受け
２７ｃ，２７ｄに給気することにより定盤２１から浮上
され、Ｙアクチュエータにより片側に設けられている固
定ガイド２６に沿ってＹ方向に移動される。また、Ｘス
テージ２２は静圧空気軸受け２７ａ，２７ｂに給気する
ことによりＹステージ２２と同様に定盤２１から浮上さ
れ、Ｙステージ２２の側面２２aを水平方向の案内とし
てXアクチュエーター２８によりＸ方向に移動される。
このとき、Ｘステージ２３及Ｙステージ２２は複数の予
圧用磁石ユニットＭＧによって常に一定の姿勢となるよ
うに調整されている。

【００１５】測長用干渉計３では、内部に設けられたレ
ーザ光源から射出されたレーザビームを測長ビーム及び
参照ビームに分割する。そして、測長ビームをウエハス
テージ２上のミラーＭに向かって進ませ反射させて再び
内部に戻し、一方、参照ビームは内部の参照鏡に反射さ
せ、戻された両ビームの干渉光の強度信号を検出してい
る。射出段階で測長ビームと参照ビームとは互いに周波
数が微小量Δｆだけ異なる為、ミラーＭＸのX方向の移
動速度に応じて周波数がΔｆから変化している信号が出
力される。この強度信号をステージ位置検出部７が処理
することにより、参照ビームの光路長を基準とした測長
ビームの光路長の変化量、言い換えれば、ウエハステー
ジに固設されたミラーＭＸのX方向の座標が、参照鏡を
基準にして、高い分解能でかつ高精度に計測される。同
様に、図示はされないがウエハステージのＹ方向の位置
を検出する測長用干渉計によって、ウエハステージ４に
固設されたミラーＭＹのY方向の座標が、参照鏡を基準
にして、高い分解能でかつ高精度に計測される。

【００１６】アライメント光学系４は、アライメント光
（ウエハＷに塗布された感光材を露光しない波長を有す
る）を照射対象物（ウエハＷ）に向け、照射対象物から
の光から照射対象物の像を検出する。そして、アライメ
ント光学系制御部８はアライメント光学系４の基準位置
に対する照射対象物の位置を検出する。

【００１７】主制御系９は、上記電子光学系制御部５、
アライメント光学系制御部８、ステージ位置検出部７、
ウエハステージ制御部６からのデータを処理、各制御部
への司令等を行う制御系である。また、メモリ１０は、
主制御系９に必要な情報を記憶する記憶手段である。

【００１８】露光処理動作の説明図４を用いて本実施例の電子ビーム露光装置の露光処理
動作について説明する。

【００１９】基本的には、ステップアンドリピート動作
によって、基板上の複数ショット位置にパターンを並べ
て露光するものであり、荷電粒子線を偏向してステージ
に搭載された基板上にパターンを描画露光するにあたっ
て、ステージの移動に応じて荷電粒子線を偏向する偏向
器の制御もしくは前記ステージの位置制御によって前記
ステージに対する荷電粒子線の基準位置を補正するもの
である。

【００２０】詳細な説明の前に、本実施例の座標系につ
いて述べる。Ｘステージ２３の位置は、ステージ位置検
出部７によって定められる。そして、設計上、電子光学
系１からの電子ビームが偏向器１３によって偏向されず
にステージ側に入射する位置を電子ビームの基準位置と
し、その基準位置に静電チャック２５の中心が位置する
時、ステージ位置検出部７が、ステージ座標系（ｘ、
ｙ）において、（ｘ、ｙ）＝（０、０）と検知するよう
に予め設定されている。

【００２１】露光処理作業の開始により、電子ビーム露
光装置は以下のステップを実行する。

【００２２】（ステップS101）校正用ウエハ（校正用基
板）を、ウエハステージ２の静電チャック２５に載置す
る。

【００２３】ここで、校正用ウエハは、その表面にレジ
ストが塗布されている。また、校正用ウエハCWは、図５
に示すようにウエハ用アライメントマークAM1、AM2が形
成されており、ウエハ用アライメントマークAM1、AM2に
よって、ウエハ上のウエハ座標系が定められる。このウ
エハ用アライメントマークAM1、AM2が定める校正用ウエ
ハCWの中心が静電チャック２５の中心に位置するよう
に、校正用ウエハCWを静電チャック２５に載置する。

【００２４】（ステップS102）校正用ウエハCW上のウエ
ハ用アライメントマークAM1、AM2を順次、アライメント
光学系４の下方に位置させ、その時のステージ位置を測
長用干渉系３で検出し、さらにアライメント光学系4に
よって、ウエハ用アライメントマークAM1、AM2の位置を
検出する。その結果、Ｘステージ２３が（ｘ、ｙ）＝
（０、０）に位置した時のステージ座標系におけるウエ
ハ用アライメントマークAM1、AM2の位置が算出される。
それより、ウエハ用アライメントマークAM1、AM2が定め
るウエハ座標系とステージ位置検出部７が定めるステー
ジ座標系との関係が検出できる。

【００２５】（ステップS103）検出されたウエハ座標系
とステージ座標系との関係に基づいて、双方の座標系原
点と座標軸が一致するようにステージ位置検出部７はス
テージ座標系を再設定する。その結果、校正用ウエハCW
の中心が静電チャック２５の中心と精度良く一致する。

【００２６】（ステップS104）ウエハステージ２により
校正用ウエハCWをショット毎にステップ移動するととも
に、ステップ移動毎に電子光学系１からの電子ビームEB
を用いて校正用ウエハCW上の電子ビームの基準位置にパ
ターンを描画する。

【００２７】ここで、設計上の電子ビームの基準位置の
軌跡が、図５に示すような校正用ウエハCW上の基準の配
列格子SAになるように、ステージ位置検出部７とウエハ
ステージ制御部６とが協同して校正用ウエハCWをステ
ップ移動させる。そして、設計上の電子ビームの基準位
置が配列格子SAの各格子点SP(i,j)に位置する時、パタ
ーン（P(i,j)）を描画する。同図に示すように、ウエハ
ステージ２の駆動により実際の電子ビームの基準位置が
変動し、設計上の電子ビームの基準位置である格子点SP
(i,j)と実際の電子ビームの基準位置とが異なる。

【００２８】（ステップS105）校正用ウエハCWを電子ビ
ーム露光装置から搬出し、現像する。

【００２９】（ステップS106）再度、現像された校正用
ウエハCWを、ステップS101のように、静電チャック２５
に載置する。

【００３０】（ステップS107）現像されたパターン（P
(i,j)）及びウエハ用アライメントマークAM1、AM2を順
次、アライメント光学系４の下方に位置させ、その時の
ステージ位置を測長用干渉系３で検出し、さらにアライ
メント光学系4によって、パターン（P(i,j)）及びウエ
ハ用アライメントマークAM1、AM2の位置を検出する。そ
して、ウエハ用アライメントマークAM1、AM2が定めるウ
エハ座標系における、パターン（P(i,j)）の座標位置と
それに対応する格子点SP(i,j)の座標位置との差を算出
し、その結果をメモリ１０に記憶する。すなわち、ステ
ージ位置毎の設計上の電子ビームの基準位置と実際の電
子ビームの基準位置との差（ステージ位置毎の電子ビー
ム基準位置の補正量）をメモリ１０に記憶する。

【００３１】（ステップS108）校正用ウエハCWを電子ビ
ーム露光装置から搬出する。

【００３２】（ステップS109）露光用ウエハを、ウエハ
ステージ２の静電チャック２５に載置する。

【００３３】（ステップS110）ウエハステージ２によっ
て、ウエハWを連続移動させる。

【００３４】（ステップS111）ステージ位置検出部７か
らの現在のステージ位置と、メモリ１０に記憶されたス
テージ位置毎の電子ビーム基準位置の補正量に基づい
て、現在のステージ位置における電子ビームの基準位置
の補正量を求め、電子光学系制御部５に命じ、電子ビー
ムの基準位置を偏向器１３によってその補正量だけ補正
する。若しくは、ウエハステージ制御部６に命じ、電子
ビームが設計上の基準位置に位置するように、Ｘステー
ジ２３の位置をその補正量だけ補正する。

【００３５】ここで、メモリ１０には全てのステージ位
置に対応した電子ビーム基準位置の補正量は、記憶され
ていないので、記憶されているステージ位置毎の電子ビ
ーム基準位置の補正量の中で、現在のステージ位置に近
隣する複数のステージ位置の電子ビーム基準位置の補正
量から補間して、現在のステージ位置の電子ビーム基準
位置の補正量を求めている。

【００３６】（ステップS112）電子光学系制御部に命
じ、メモリ９に予め記憶されている描画制御データに基
づいて、電子光学系1からの電子ビームEBを偏向すると
ともにその照射を制御して、ウエハW上にパターンを描
画する。

【００３７】（ステップS113）ウエハW上の全ての描画
領域を描画した場合、次のステップに進む。そうでない
場合は、ステップS111に戻る。

【００３８】（ステップS114）ウエハWを電子ビーム露
光装置から搬出する。

【００３９】本実施例では、校正用ウエハCWを現像する
ために電子ビーム露光装置から搬出したが、校正用ウエ
ハに、電子ビームが照射されるとその光学特性（屈折
率、吸収係数）が変化するフォトクロのような膜剤をレ
ジストの代わりに用い、電子ビーム露光装置から搬出せ
ずにパターン（P(i,j)の位置をアライメント光学系４で
検出しても構わない。また、本実施例では、電子ビーム
露光装置内のアライメント光学系４でパターン（P(i,j)
の位置を検出しているが、電子ビーム露光装置とは別に
設置された位置検出装置を用いてパターン（P(i,j)の位
置を検出を検出して、その結果をメモリ１０に転送して
も構わない。

【００４０】以上説明してきたように、荷電粒子線を偏
向してステージに搭載された基板上にパターンを描画露
光するにあたって、前記ステージの移動に応じて、荷電
粒子線を偏向する偏向器の制御もしくは前記ステージの
位置制御によって前記ステージに対する荷電粒子線の基
準位置を補正することを特徴とするものである。これに
よって、ステージの移動に伴う荷電粒子線の位置変動を
補正できるので、荷電粒子線露光の露光精度の低下をさ
せることがない。

【００４１】なお、上記例ではステップアンドリピート
動作で基板上の複数ショット位置にパターンを並べて露
光する際に、各ショットの中でステージ位置に応じて前
記基準位置を補正するようにしているが、描画するショ
ット位置に応じて前記基準位置を補正するようにしても
よい。

【００４２】＜デバイス製造方法＞上記説明した電子ビ
ーム露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を
説明する。図６は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導
体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイ
クロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回
路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステ
ップ２（露光制御データ作成）では設計した回路パター
ンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。一
方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を
用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、露光制御データが入力された露
光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウ
エハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み
立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製され
たウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッ
センブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケー
ジング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップ７）される。

【００４３】図７は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって回
路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現
像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エ
ッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済
んで不要となったレジストを取り除く。これらのステッ
プを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回
路パターンが形成される。

【００４４】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
テージの移動に伴う荷電粒子線の位置変動を補正できる
ので、荷電粒子線露光の露光精度の低下をさせることが
ない。また、この描画方法または装置を用いてデバイス
を製造すれば、従来以上に高精度なデバイスを製造する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電子ビーム露光装置を示す図。

【図２】ステージを裏から見た裏面図。

【図３】ステージを上から見た平面図。

【図４】露光処理フローを説明する図。

【図５】校正用ウエハを説明する図。

【図６】微小デバイスの製造フローを説明する図。

【図７】ウエハプロセスを説明する図。

【符号の説明】

１電子光学系２ウエハステージ３測長用干渉計４アライメント光学系５電子光学系制御部６ウエハステージ制御部７ステージ位置検出部８アライメント光学系制御部９主制御系１０メモリ１００真空チャンバ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】荷電粒子線を偏向してステージに搭載さ
れた基板上にパターンを描画露光するにあたって、前記
ステージの移動に応じて前記ステージに対する荷電粒子
線の基準位置を補正することを特徴とする荷電粒子線露
光方法。
【請求項２】荷電粒子線を偏向する偏向器の制御によ
って前記基準位置を補正することを特徴とする請求項１
記載の荷電粒子線露光方法。
【請求項３】前記ステージの位置制御によって前記基
準位置を補正することを特徴とする請求項１記載の荷電
粒子線露光方法。
【請求項４】基板上の複数ショット位置にパターンを
並べて露光するものであり、各ショットの中でステージ
位置に応じて前記基準位置を補正することを特徴とする
請求項１乃至３のいずれか記載の荷電粒子線露光方法。
【請求項５】基板上の複数ショット位置にパターンを
並べて露光するものであり、描画するショット位置に応
じて前記基準位置を補正することを特徴とする請求項１
乃至３のいずれか記載の荷電粒子線露光方法。
【請求項６】前記ステージの移動によって変動する前
記荷電粒子の基準位置に関する情報を予め記憶し、該記
憶された情報に基づいて前記補正を行なうことを特徴と
する請求項１乃至５のいずれか記載の荷電粒子線露光方
法。
【請求項７】前記情報は、前記ステージの位置毎の前
記基準位置の変動量に関する情報であることを特徴とす
る請求項６の荷電粒子線露光方法。
【請求項８】前記ステージに校正用基板を載置する段
階と、前記ステージを移動させ移動毎に荷電粒子線を用
いて校正用基板上の前記荷電粒子線の基準位置にパター
ンを露光する段階と、前記複数のパターンの位置を検出
して前記ステージの移動毎の実際の前記荷電粒子線の基
準位置と設計上の前記荷電粒子線の基準位置との違いに
関する情報を得て記憶する段階と、前記ステージの位置
に応じて前記荷電粒子の基準位置を前記記憶された情報
に基づいて補正する段階とを有することを特徴とする請
求項１記載の荷電粒子線露光方法。
【請求項９】前記校正用基板上の座標を定めるマーク
が前記校正用基板に形成されていて、前記設計上の前記
荷電粒子線の基準位置は該マークによって定められるこ
とを特徴とする請求項８記載の荷電粒子線露光方法。
【請求項１０】前記ステージには、磁性体が用いられ
ていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか記載
の荷電粒子線露光方法。
【請求項１１】前記ステージは、移動体を浮上させる
静圧軸受けと、基準面に対してステージを吸引して予圧
を与える予圧機構とを有することを特徴とする請求項１
乃至１０のいずれか記載の荷電粒子線露光方法。
【請求項１２】前記予圧機構は磁石予圧機構であるこ
とを特徴とする請求項１１記載の荷電粒子線露光方法。
【請求項１３】前記予圧機構は真空予圧機構、又は静
電予圧機構であることを特徴とする請求項１１記載の荷
電粒子線露光方法。
【請求項１４】荷電粒子線は電子ビームであることを
特徴とする請求項１乃至１３のいずれか記載の荷電粒子
線露光方法。
【請求項１５】請求項１乃至１４のいずれか記載の荷
電粒子線露光方法を含む製造工程によってデバイスを製
造することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１６】荷電粒子線を発生する発生源と、該荷
電粒子線を偏向する偏向器と、基板を搭載して移動する
ステージと、前記ステージの移動によって変動する前記
荷電粒子線の基準位置に関する情報を記憶する記憶手段
と、前記ステージの位置に応じて前記荷電粒子の基準位
置を前記記憶手段に記憶された情報に基づいて補正する
制御系とを有することを特徴とする荷電粒子線露光装
置。
【請求項１７】前記偏向器の制御によって前記基準位
置を補正することを特徴とする請求項１６記載の荷電粒
子線露光装置。
【請求項１８】前記ステージの位置制御によって前記
基準位置を補正することを特徴とする請求項１６記載の
荷電粒子線露光装置。
【請求項１９】基板上の複数ショット位置にパターン
を並べて露光するものであり、各ショットの中でステー
ジ位置に応じて前記基準位置を補正することを特徴とす
る請求項１６乃至１８のいずれか記載の荷電粒子線露光
装置。
【請求項２０】基板上の複数ショット位置にパターン
を並べて露光するものであり、描画するショット位置に
応じて前記基準位置を補正することを特徴とする請求項
１６乃至１８のいずれか記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項２１】前記ステージには、磁性体が用いられ
ていることを特徴とする請求項１６乃至２０のいずれか
記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項２２】前記ステージは、移動体を浮上させる
静圧軸受けと、基準面に対してステージを吸引して予圧
を与える予圧機構とを有することを特徴とする請求項１
６乃至２１のいずれか記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項２３】前記予圧機構は磁石予圧機構であるこ
とを特徴とする請求項２２記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項２４】前記予圧機構は真空予圧機構、又は静
電予圧機構であることを特徴とする請求項２２記載の荷
電粒子線露光方法。
【請求項２５】荷電粒子線は電子ビームであることを
特徴とする請求項１６乃至２４のいずれか記載の荷電粒
子線露光装置。