JP2020205386A - 半導体ウェーハ搬送治具およびそれを用いた搬送方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 149
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 29
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 183
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 24
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
前記半導体ウェーハの裏面を支持するための、樹脂部材からなる先端部と根本部とを有し、
前記先端部には、前記半導体ウェーハを、前記半導体ウェーハ搬送治具の異なる接触位置で支持するための、少なくとも2段の段差が設けられたものであることを特徴とする半導体ウェーハ搬送治具を提供する。
前記半導体ウェーハを、前記少なくとも2段の段差のうち異なる段に載せることで、前記チャンバーに搬入する時と搬出する時とで、前記接触位置を変えることを特徴とする半導体ウェーハ搬送方法を提供する。
前記半導体ウェーハの裏面を支持するための、樹脂部材からなる先端部と根本部とを有し、
前記先端部には、前記半導体ウェーハを、前記半導体ウェーハ搬送治具の異なる接触位置で支持するための、少なくとも2段の段差が設けられたものであることを特徴とする半導体ウェーハ搬送治具である。
図1のように、半導体ウェーハ搬送治具の先端部分のピーク材を2段構造とし、図2に示すような半導体ウェーハ搬送治具を用いて、エピタキシャル成長を行うチャンバーへの搬出入を行った。PWを半導体ウェーハ搬送治具10に載せてチャンバーに投入する際、先端部1のピーク材の上段11に載せてPWをチャンバーに搬入した後、エピタキシャル成長を行い、その後エピタキシャルウェーハをチャンバーから取り出す際は、先端部1のピーク材の下段12に載せるようにして根本部2のピーク材の接触位置が搬入時と搬出時で異なるようにした。取り出したエピタキシャルウェーハ(N=914枚)についてエピタキシャル欠陥の測定を行い、ウェーハ搬送治具の根本部の接触位置付近のノッチ部分のエピタキシャル欠陥が下記比較例に対して改善するか、確認を行った。先端部分のピーク材の段差は0.6mm、上段11のウェーハののりしろは4mmのものを使用した。また、搬出入時にはプッシャー3によりチャッキングして搬送した。
図4のように、一般的に使用されている、段差が1段のウェーハ搬送治具を用いて、チャンバーに搬入する時と搬出する時で同じ接触位置となるようにしたことを除き、実施例と同様にエピタキシャル成長を行い、取り出したエピタキシャルウェーハ(N=899枚)のエピタキシャル欠陥の測定を行った。先端部分のピーク材の段差は0.8mmのものを使用した。
1、1’…先端部、 11…上段、 12…下段、
2、2’…根本部、 3、3’…プッシャー、
W、W’…ウェーハ、 P…パーティクル。
Claims (4)
- 半導体ウェーハに熱処理を加えるチャンバーに搬入及び搬出するための半導体ウェーハ搬送治具であって、
前記半導体ウェーハの裏面を支持するための、樹脂部材からなる先端部と根本部とを有し、
前記先端部には、前記半導体ウェーハを、前記半導体ウェーハ搬送治具の異なる接触位置で支持するための、少なくとも2段の段差が設けられたものであることを特徴とする半導体ウェーハ搬送治具。 - 前記樹脂部材がピーク材であることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハ搬送治具。
- 前記半導体ウェーハをチャッキングするためのプッシャーを、さらに有するものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体ウェーハ搬送治具。
- 前記請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体ウェーハ搬送治具を用いて、半導体ウェーハを、熱処理を加えるチャンバーに搬入及び搬出する半導体ウェーハ搬送方法であって、
前記半導体ウェーハを、前記少なくとも2段の段差のうち異なる段に載せることで、前記チャンバーに搬入する時と搬出する時とで、前記接触位置を変えることを特徴とする半導体ウェーハ搬送方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019113327A JP2020205386A (ja) | 2019-06-19 | 2019-06-19 | 半導体ウェーハ搬送治具およびそれを用いた搬送方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019113327A JP2020205386A (ja) | 2019-06-19 | 2019-06-19 | 半導体ウェーハ搬送治具およびそれを用いた搬送方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020205386A true JP2020205386A (ja) | 2020-12-24 |
Family
ID=73837555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019113327A Pending JP2020205386A (ja) | 2019-06-19 | 2019-06-19 | 半導体ウェーハ搬送治具およびそれを用いた搬送方法 |
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JP (1) | JP2020205386A (ja) |
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