JP2003289045A

JP2003289045A - サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置および製造方法

Info

Publication number: JP2003289045A
Application number: JP2002092504A
Authority: JP
Inventors: Kenji Akiyama; 謙二秋山; Hiroki Ose; 広樹大瀬; Toru Otsuka; 徹大塚
Original assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date: 2002-03-28
Filing date: 2002-03-28
Publication date: 2003-10-10
Anticipated expiration: 2022-03-28
Also published as: JP3972710B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ドーパント濃度および抵抗率の面内均一化を
容易に実現し得るサセプタ、シリコンエピタキシャルウ
ェーハの製造装置および製造方法を提供する。【解決手段】気相成長の際に半導体基板Ｗを支持する
サセプタ２０（３０）である。半導体基板Ｗの支持状態
で半導体基板Ｗの主裏面に臨む面２１ｂ（３２）と半導
体基板Ｗとの隙間の雰囲気を、当該サセプタ２０（３
０）外周の雰囲気に連通させる連通部２２を備える。連
通部２２は、例えば、座ぐり２１とサセプタ２０の外周
端面２４とを結ぶ溝部２５を形成することにより構成さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、サセプタ、エピタ
キシャルウェーハの製造装置および製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体基板（以下、基板と略
称することがある。）の主表面上へのエピタキシャル層
（例えばシリコンエピタキシャル層）の気相成長は、反
応容器内にサセプタを配し、このサセプタ上に基板を配
置した状態で、基板を加熱装置により所望の成長温度に
加熱するとともに、ガス供給装置により基板の主表面上
に原料ガスを供給することによって行うようにしてい
る。ところで、例えば、ｐ⁺型のボロン（Ｂ）ドープ基
板上にｐ^-型のシリコンエピタキシャル層を気相成長さ
せる場合などのように、ドーパント濃度が高い（従って
低抵抗率の）基板上に低濃度（従って高抵抗率）のエピ
タキシャル層を気相成長させる場合には、基板内より気
相中に一旦放出されたドーパントがエピタキシャル層に
ドーピングされる現象（以下、オートドープという。）
が発生する。このオートドープは、加熱により基板内か
ら外方拡散するドーパント、ならびに、基板の表面が気
相エッチングされることにより基板内から放出されるド
ーパントに起因して発生する。オートドープが発生する
と、気相成長後のエピタキシャル層のドーパント濃度
が、中心から周縁部に向かうにつれて高くなってしまう
という問題がある（逆に、抵抗率は、ｐ^-／ｐ⁺型あるい
はｎ^-／ｎ⁺型の場合、中心から周縁部に向かうにつれて
小さくなる）。従来は、このようなオートドープが発生
してしまうのを防止するため、基板の主裏面に予めシリ
コン酸化膜（ＳｉＯ₂膜、以下単に酸化膜という。）を
形成しておいてから、該酸化膜により基板内からのドー
パントの放出を防止しつつ気相成長を行うことにより、
抵抗率（およびドーパント濃度）の面内均一化を図って
いる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに、基板の主裏面に予め酸化膜を形成しておいてから
気相成長を行う場合、酸化膜を形成するための工程が必
要となり生産性が悪い。

【０００４】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、基板の主裏面に予め酸化膜を
形成せずに、エピタキシャル層のドーパント濃度および
抵抗率の面内均一化を容易に実現し得るサセプタ、エピ
タキシャルウェーハの製造装置および製造方法を提供す
ることを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のサセプタは、気相成長の際に半導体基板を
支持するサセプタにおいて、該支持状態で半導体基板の
主裏面に臨む面と半導体基板との隙間の雰囲気を、当該
サセプタ外周の雰囲気に連通させる連通部を備えること
を特徴としている。本発明のサセプタは、例えば、半導
体基板を当該サセプタに位置決めさせるための座ぐりを
有し、前記連通部は、前記支持状態で半導体基板の主裏
面に臨む座ぐり底面と半導体基板との隙間の雰囲気を、
当該サセプタ外周の雰囲気に連通させることが好まし
い。また、前記連通部は、例えば、前記座ぐりと当該サ
セプタの外周端面とを結ぶ溝部を形成することにより構
成されていることが好ましい。また、座ぐりは、例え
ば、半導体基板を支持する外周側部分と、該外周側部分
の内側に該外周側部分よりも窪んだ状態に形成された内
周側部分とを有する二段構成をなし、この場合、該内周
側部分と前記外周端面とを結ぶように前記溝部が形成さ
れていることが好ましい。或いは、本発明のサセプタ
は、例えば、半導体基板を、前記主裏面に臨む面との間
に間隔を設けて支持するための複数の台状の支持部を備
え、これら支持部どうしの間隔により前記連通部が構成
されていることが好ましい。

【０００６】本発明のサセプタによれば、半導体基板を
支持した状態で、該半導体基板の主裏面に臨む面と半導
体基板との間の雰囲気を、当該サセプタ外周の雰囲気に
連通させる連通部を備えるので、気相成長時の加熱によ
って半導体基板から外方拡散するドーパント、或いは、
気相エッチングにより半導体基板内から放出されるドー
パントを、連通部を介してサセプタ外周へと好適に放出
できる。よって、これらドーパントが基板の主表面側に
回り込んでしまうことを好適に抑制できる。このため、
基板の裏面にオートドープ防止用の酸化膜を形成しなく
てもオートドープの発生を大幅に抑制でき、結果、ドー
パント濃度および抵抗率の面内均一化が図れる。つま
り、ドーパント濃度および抵抗率の面内均一化を、特別
な工程を要しないで容易に実現できる。

【０００７】また、本発明のエピタキシャルウェーハの
製造装置は、半導体基板の主表面上にエピタキシャル層
を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造するた
めのエピタキシャルウェーハの製造装置において、本発
明のサセプタを備えることを特徴とする。また、本発明
のエピタキシャルウェーハの製造方法は、本発明のサセ
プタにより支持させた半導体基板の主表面上にエピタキ
シャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製
造することを特徴とする。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係る実施の形態について説明する。

【０００９】〔第１の実施の形態〕先ず、図３および図
４を参照して、本発明に係るエピタキシャルウェーハ製
造装置の一例としての枚葉式のエピタキシャルウェーハ
製造装置１０について説明する。エピタキシャルウェー
ハ製造装置１０は、サセプタ２０（詳細後述）と、該サ
セプタ２０が内部に配される反応容器１１と、サセプタ
２０を支持して回転駆動及び昇降動作させるサセプタ支
持部材１２と、サセプタ２０を表裏に貫通するとともに
該サセプタ２０に対し昇降動作可能に設けられ、基板Ｗ
を支持した状態で昇降動作するのに伴わせてサセプタ２
０上に着脱するためのリフトピン１３と、気相成長の際
に基板Ｗを所望の成長温度に加熱するための加熱装置１
４ａ、１４ｂ（具体的には、例えばハロゲンランプ）
と、原料ガス（具体的には、例えばトリクロロシラン
等）およびキャリアガス（具体的には、例えば水素等）
を含む気相成長用ガスを反応容器１１内のサセプタ２０
上側の領域に導入して該サセプタ２０上の基板Ｗの主表
面上に供給する気相成長用ガス導入管１５と、反応容器
１１に対しこの気相成長用ガス導入管１５と同じ側に設
けられパージガス（具体的には、例えば水素等）を反応
容器１１内のサセプタ２０下側の領域に導入するパージ
ガス導入管１６と、これらパージガス導入管１６および
気相成長用ガス導入管１５と反応容器１１に対し反対側
に設けられ該反応容器１１からガス（気相成長用ガスお
よびパージガス）を排気する排気管１７とを備えて概略
構成されている。

【００１０】このうち、サセプタ２０は、気相成長の際
に半導体基板Ｗ（以下、基板Ｗと略称することがあ
る。）を支持するものであり、例えば炭化珪素で被覆さ
れたグラファイトにより構成されている。このサセプタ
２０は、図１に示すように、例えば略円盤状に構成さ
れ、その主表面には、該主表面上に基板Ｗを位置決めす
るための座ぐり２１（平面視円形の凹部）が形成されて
いる。この座ぐり２１は、例えば図１（ｂ）に示すよう
な状態で基板Ｗの外周縁部を支持する円環状（図１
（ａ）参照）の外周側部分２１ａと、該外周側部分２１
ａの内側に該外周側部分２１ａよりも下側に窪んだ状態
に形成された平面視円形の内周側部分２１ｂとを有する
二段構成を成している。なお、このうち外周側部分２１
ａは例えば略平面に形成され、内周側部分２１ｂは凹曲
面形状に形成されている。

【００１１】このサセプタ２０は、図１（ｂ）に示すよ
うに基板Ｗを支持した状態で、該基板Ｗの主裏面に臨む
面、つまり、座ぐり２１の内周側部分２１ｂと基板Ｗと
の隙間の雰囲気を、当該サセプタ２０外周の雰囲気に連
通させる連通部２２を備える。すなわち、サセプタ２０
は、基板Ｗを当該サセプタ２０に位置決めさせるための
座ぐり２１を有し、連通部２２は、基板Ｗの支持状態で
該基板Ｗの主裏面に臨む座ぐり２１の底面と基板Ｗとの
隙間の雰囲気を、当該サセプタ２０外周の雰囲気に連通
させる。この連通部２２は、具体的には、例えば、図１
（ａ）、図２等に示すように、座ぐり２１の内周側部分
２１ｂとサセプタ２０の外周端面２４とを結ぶように溝
部２５を形成することにより構成されている。この溝部
２５は、例えば、座ぐり２１と中心の等しい放射状に、
多数形成されている。

【００１２】また、図１に示すように、サセプタ２０の
座ぐり２１の内周側部分２１ｂには、サセプタ２０の裏
面に貫通した状態に形成され、リフトピン１３が貫通さ
れるリフトピン貫通用孔部２３が形成されている。この
リフトピン貫通用孔部２３は、例えば、座ぐり２１と中
心を等しくする円周上に、等角度間隔で三箇所に配設さ
れている。

【００１３】ここで、例えば図３に示すように、リフト
ピン１３は、例えば丸棒状に構成された胴体部１３ａ
と、該胴体部１３ａの上端部に形成され、基板Ｗを下面
側から支持する頭部１３ｂと、を備えている。このうち
頭部１３ｂは、基板Ｗを支持しやすいように胴体部１３
ａに比べて拡径されている。そして、リフトピン１３
は、その下端部から、リフトピン貫通用孔部２３に挿入
された結果、該リフトピン貫通用孔部２３の縁部により
頭部１３ｂが下方に抜け止めされて、サセプタ１０によ
り支持されるとともに、その胴体部１３ａを該リフトピ
ン貫通用孔部２３より垂下させた状態となっている。な
お、リフトピン１３の胴体部１３ａは、サセプタ支持部
材１２の支持アーム１２ａに設けられた貫通孔１２ｂも
貫通している。

【００１４】また、サセプタ支持部材１２は、複数の支
持アーム１２ａ（図３等）を放射状に備え、これら支持
アーム１２ａにより、サセプタ２０を下面側から支持し
ている。これにより、サセプタ２０は、その上面が略水
平状態に保たれている。

【００１５】エピタキシャルウェーハ製造装置１０は、
以上のように構成されている。そして、このエピタキシ
ャルウェーハ製造装置１０を用いて、以下の要領で気相
成長を行うことにより、基板Ｗの主表面上にシリコンエ
ピタキシャル層を形成してシリコンエピタキシャルウェ
ーハを製造することができる。

【００１６】先ず、基板Ｗを反応容器１１内のサセプタ
２０により支持させる。このためには、先ず、リフトピ
ン１３上に基板Ｗを受け渡すために、各リフトピン１３
を、互いに略等量だけサセプタ２０上面より上方に突出
するように該サセプタ２０に対し相対的に上昇させる。
このためには、サセプタ支持部材１２を下降させるのに
伴わせてサセプタ２０を下降させる。この下降の過程
で、リフトピン１３の下端部が、例えば反応容器１１の
内部底面に到達して以後は、リフトピン１３はそれ以上
に下降できないが、サセプタ２０はさらに下降する。こ
のため、サセプタ２０に対し相対的にリフトピン１３が
上昇し、やがて、図４において、基板Ｗが無い状態とな
る。次に、図示しないハンドラにより基板Ｗを反応容器
１１内に搬送し、上記上昇動作後の各リフトピン１３の
頭部１３ｂにより、主表面を上にして基板Ｗを支持させ
る。次に、基板Ｗをサセプタ２０により支持させるため
に、各リフトピン１３をサセプタ２０に対し相対的に下
降させる。このためには、ハンドラを待避させる一方
で、サセプタ支持部材１２を上昇させるのに伴わせて、
サセプタ２０を上昇させる。この上昇の過程で、座ぐり
２１の外周側部分２１ａが基板Ｗの主裏面に到達する
と、それまでリフトピン１３の頭部１３ｂ上に支持され
ていた基板Ｗが、座ぐり２１の外周側部分２１ａにより
支持された状態へと移行する。さらに、リフトピン貫通
用孔部２３の縁部がリフトピン１３の頭部１３ｂに到達
すると、それまで反応容器１１の内部底面により支持さ
れた状態であったリフトピン１３は、サセプタ２０によ
り支持された状態へと移行する。

【００１７】このようにサセプタ２０により基板Ｗを支
持させたら、気相成長を行う。すなわち、サセプタ支持
部材１２を鉛直軸周りに回転駆動することによりサセプ
タ２０を回転させるのに伴わせて基板Ｗを回転させると
ともに、該サセプタ２０上の基板Ｗを加熱装置１４によ
り所望の成長温度に加熱しながら、気相成長用ガス導入
管１５を介して基板Ｗの主表面上に気相成長用ガスを略
水平に供給する一方で、パージガス導入管１６を介して
サセプタ２０の下側にパージガスを略水平に導入する。
従って、気相成長中、サセプタ２０の上側には、気相成
長用ガス流が、下側には、パージガス流が、それぞれサ
セプタ２０および基板Ｗと略平行に形成される。このよ
うに気相成長を行うことにより、基板Ｗの主表面上にエ
ピタキシャル層を形成して、エピタキシャルウェーハを
製造することができる。

【００１８】このようにエピタキシャルウェーハを製造
したら、該製造後のエピタキシャルウェーハを、反応容
器１１外に搬出する。すなわち、予めサセプタ２０の回
転を止めた後に、サセプタ支持部材１２を下降させて、
図４に示すように、各リフトピン１３を互いに略等量だ
けサセプタ２０上方に突出動作させ、この突出動作に伴
わせて基板Ｗをサセプタ２０の座ぐり２１上方に上昇さ
せる。そして、図示しないハンドラにより基板Ｗを搬出
する。

【００１９】ここで、気相成長中は、基板Ｗを加熱する
ため、この加熱により基板Ｗに含まれるドーパントが基
板Ｗ外に外方拡散して気相中に放出される。また、気相
成長の直前には、例えば塩化水素ガスを基板Ｗ表面に流
すことにより気相エッチングを行って該表面の自然酸化
膜を除去したりするため、基板Ｗは僅かにエッチングさ
れてガス化する。さらに、気相成長用ガス中には、原料
ガスの他に、キャリアガスとして例えば水素を含んでい
る上、上記パージガスとしても例えば水素を用いるた
め、この水素によっても基板Ｗは僅かにエッチングされ
てガス化する。従って、これらの理由によっても、基板
Ｗに含まれるドーパントが気相中に放出される。つま
り、これらいくつかの理由により、気相成長の際には基
板Ｗ内から気相中にドーパントが放出されることにな
る。

【００２０】これに対し、本実施の形態のサセプタ２０
は、基板Ｗを支持した状態で、該基板Ｗの主裏面に臨む
面（つまり、座ぐり２１の内周側部分２１ｂ）と基板Ｗ
との間の雰囲気を、当該サセプタ２０の外周の雰囲気に
連通させる連通部２２を備えるので、該連通部２２を介
してガスが流通可能である。従って、気相成長時の加熱
によって基板Ｗから外方拡散するドーパント、或いは、
気相エッチングにより基板Ｗ内から放出されるドーパン
トを、連通部２２を介してサセプタ２０の外周へと好適
に放出できる。よって、これらドーパントが基板Ｗの主
表面側に回り込んでしまうことを好適に抑制できる。こ
のため、基板Ｗの裏面にオートドープ防止用の酸化膜を
形成しなくてもオートドープの発生を大幅に抑制でき、
結果、ドーパント濃度および抵抗率の面内均一化が図れ
る。つまり、ドーパント濃度および抵抗率の面内均一化
を特別な工程を要しないで容易に実現できる。

【００２１】ここで、本実施の形態のサセプタ２０を用
いて、直径３００ｍｍ、抵抗率０．０１Ω・ｃｍ〜０．
０２Ω・ｃｍ、ｐ⁺型のシリコン単結晶基板（主裏面に
酸化膜を有しない；以下、単に基板という。）の主表面
上に、厚さ約６μｍのｐ^-型のシリコンエピタキシャル
層を気相成長することにより製造したシリコンエピタキ
シャルウェーハと、連通部２２を有しない点でサセプタ
２０と異なり、その他の点ではサセプタ２０と同様のサ
セプタ（以下、比較対照サセプタという；図示略）を用
いて、同様に製造したシリコンエピタキシャルウェーハ
との抵抗率（単位：Ω・ｃｍ）の面内分布（エピタキシ
ャルウェーハ外周端から中心まで）を図５に示す。図５
に示すように、サセプタ２０を用いて製造したエピタキ
シャルウェーハの抵抗率は、比較対照サセプタを用いて
製造したエピタキシャルウェーハの抵抗率と比べて、面
内で均一となっている。つまり、連通部２２を有するサ
セプタ２０を用いて気相成長を行うと、連通部２２を有
しない第１比較対照サセプタを用いて気相成長を行う場
合よりもオートドープを抑制できることが分かる。

【００２２】以上のような実施の形態によれば、サセプ
タ２０は、基板Ｗを支持した状態で基板Ｗの主裏面に臨
む面と基板Ｗとの隙間の雰囲気を、当該サセプタ２０外
周の雰囲気に連通させる連通部２２を備えるので、ドー
パント濃度および抵抗率の面内均一化を、特別な工程の
必要なく容易に実現できる。

【００２３】なお、上記の実施の形態では、ｐ⁺型のシ
リコン単結晶基板上にｐ^-型のシリコンエピタキシャル
層を気相成長させる例についてのみ説明したが、本発明
はこれに限らず、例えばｎ⁺型のシリコン単結晶基板上
にｎ^-型のシリコンエピタキシャル層を気相成長させる
場合、ｎ⁺型のシリコン単結晶基板上にｐ^-型のシリコン
エピタキシャル層を気相成長させる場合およびｐ⁺型の
シリコン単結晶基板上にｎ^-型のシリコンエピタキシャ
ル層を気相成長させる場合等に、本発明のサセプタ、気
相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法を
適用しても良く、この場合にも、抵抗率（ドーパント濃
度）の面内均一化が図れる。サセプタ２０の座ぐり２１
が、外周側部分２１ａと内周側部分２１ｂとからなる二
段構成をなしている例を説明したが、これに限らず、座
ぐり２１は１段であっても良い。この場合も、連通部２
２は、座ぐり２１と当該サセプタ２０の外周端面とを結
ぶ溝部を形成することにより構成されていることが好ま
しい。さらに、サセプタ２０がリフトピン貫通用孔部２
３を備える例について説明したが、本発明はこれに限ら
ず、サセプタ２０がリフトピン貫通用孔部２３を備えて
いなくても良い。

【００２４】〔第２の実施の形態〕第２の実施の形態で
は、図６および図７を参照して、上記の第１の実施の形
態とは態様の異なる連通部２２を備えるサセプタ３０に
ついて説明する。なお、図６にはサセプタ３０のみを示
し、図７には、サセプタ３０により基板Ｗを支持した状
態を示す。サセプタ３０は、図６に示すように、基板Ｗ
を支持するための台状の支持部３１を複数（例えば３
つ）備えている。これら支持部３１により基板Ｗを支持
した状態では、図７に示すように、基板Ｗの主裏面と、
この主裏面に臨む面３２との間に間隔が設けられるよう
になっている。そして、本実施形態では、これら支持部
３１どうしの間隔により、連通部２２が構成されてい
る。なお、支持部３１は、例えば、サセプタ３０の盤状
の本体３５よりも外周方向に突出し、かつ、上方に突出
するように形成された突出部３３により構成されてい
る。また、この突出部３３において、支持部３１よりも
外周側部分には、該支持部３１よりも上方に突出し、基
板Ｗをこれら支持部３１上に位置決めするための位置決
め部３４が設けられている。本実施の形態のサセプタ３
０、このサセプタ３０を備えるエピタキシャルウェーハ
製造装置（図示略）およびサセプタ３０を用いて行うエ
ピタキシャルウェーハの製造方法によれば、上記の第１
の実施の形態と比べて、連通部２２が拡大しているた
め、より一層好適にオートドープを抑制することができ
る。

【００２５】

【発明の効果】本発明によれば、半導体基板を支持した
状態で、該半導体基板の主裏面に臨む面と半導体基板と
の間の雰囲気を、当該サセプタ外周の雰囲気に連通させ
る連通部をサセプタが備えるので、気相成長時の加熱に
よって半導体基板から外方拡散するドーパント、或い
は、気相エッチングにより半導体基板内から放出される
ドーパントを、連通部を介してサセプタ外周へと好適に
放出できる。よって、これらドーパントが基板の主表面
側に回り込んでしまうことを好適に抑制できる。このた
め、基板の裏面にオートドープ防止用の酸化膜を形成し
なくてもオートドープの発生を大幅に抑制でき、結果、
ドーパント濃度および抵抗率の面内均一化が図れる。つ
まり、ドーパント濃度および抵抗率の面内均一化を、特
別な工程を要しないで容易に実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るサセプタの一例を示す図であり、
このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は基板を支持した状態
の（ａ）のＡ−Ａ矢視断面、（ｃ）は基板を支持した状
態の（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面図である。

【図２】連通部（溝部）を示す要部拡大斜視図であり、
このうち（ａ）はサセプタの外周側から見た図、（ｂ）
はサセプタの内周側から見た図である。

【図３】本発明にかかるエピタキシャルウェーハ製造装
置の好適な一例を示す模式的な正面断面図であり、特
に、気相成長中の状態を示す。

【図４】本発明にかかるエピタキシャルウェーハ製造装
置の好適な一例を示す模式的な正面断面図であり、特
に、リフトピンにより基板をサセプタ上方に支持した状
態を示す。

【図５】シリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率の面
内分布を示す図である。

【図６】サセプタの他の例を示す図であり、このうち
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ矢視断面図で
ある。

【図７】図６のサセプタにより基板を支持した状態を示
す図であり、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
のＤ−Ｄ矢視断面図である。

【符号の説明】

１０エピタキシャルウェーハの製造装置２０サセプタ２２連通部２４外周端面２５溝部２１座ぐり２１ａ外周側部分２１ｂ内周側部分（基板の支持状態で基板の主裏面
に臨む面）３０サセプタ３１支持部３２面（基板の支持状態で基板の主裏面に臨む
面）Ｗシリコン単結晶基板（半導体基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大塚徹福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社半導体白河研究所内Ｆターム(参考） 4K030 AA06 BA29 BB02 CA04 FA10 GA02 KA45 LA15 5F031 CA02 HA02 HA07 HA33 HA37 HA58 HA59 KA03 KA11 MA28 NA01 NA05 5F045 AA03 AB02 AC05 BB06 DP04 DP28 EM02 EM10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】気相成長の際に半導体基板を支持するサ
セプタにおいて、該支持状態で半導体基板の主裏面に臨
む面と半導体基板との隙間の雰囲気を、当該サセプタ外
周の雰囲気に連通させる連通部を備えることを特徴とす
るサセプタ。
【請求項２】半導体基板を当該サセプタに位置決めさ
せるための座ぐりを有し、前記連通部は、前記支持状態
で半導体基板の主裏面に臨む座ぐり底面と半導体基板と
の隙間の雰囲気を、当該サセプタ外周の雰囲気に連通さ
せることを特徴とする請求項１に記載のサセプタ。
【請求項３】前記連通部は、前記座ぐりと当該サセプ
タの外周端面とを結ぶ溝部を形成することにより構成さ
れていることを特徴とする請求項２に記載のサセプタ。
【請求項４】前記座ぐりは、半導体基板を支持する外
周側部分と、該外周側部分の内側に該外周側部分よりも
窪んだ状態に形成された内周側部分とを有する二段構成
をなし、該内周側部分と前記外周端面とを結ぶように前
記溝部が形成されていることを特徴とする請求項３に記
載のサセプタ。
【請求項５】半導体基板を、前記主裏面に臨む面との
間に間隔を設けて支持するための複数の支持部を備え、
これら支持部どうしの間隔により前記連通部が構成され
ていることを特徴とする請求項１に記載のサセプタ。
【請求項６】半導体基板の主表面上にエピタキシャル
層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する
ためのエピタキシャルウェーハの製造装置において、請
求項１〜５の何れかに記載のサセプタを備えることを特
徴とするエピタキシャルウェーハの製造装置。
【請求項７】請求項１〜５の何れかに記載のサセプタ
により支持させた半導体基板の主表面上にエピタキシャ
ル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造す
ることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方
法。